JPS6276596A - 多層セラミツク配線基板 - Google Patents
多層セラミツク配線基板Info
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- JPS6276596A JPS6276596A JP21536085A JP21536085A JPS6276596A JP S6276596 A JPS6276596 A JP S6276596A JP 21536085 A JP21536085 A JP 21536085A JP 21536085 A JP21536085 A JP 21536085A JP S6276596 A JPS6276596 A JP S6276596A
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- Japan
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- multilayer ceramic
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- ceramic
- aluminum nitride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高熱伝導多層セラミック配線基板に関するも
のである〇 （従来技術とその問題点） 半導体技術の飛躍的な進展によって、ＩＣ。
のである〇 （従来技術とその問題点） 半導体技術の飛躍的な進展によって、ＩＣ。
ＬＳＩが産業用、民需用に幅広く使用されるようになっ
てきている口 特に集積密度の高い、高速作動のＬＳＩの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接Ｌ８Ｉを実装することができ微細多
層配線が可能である０一般にセラミック基板の材料とし
ては、主にアルミナが使用されているが、近年電気装置
は一段と小型化され、回路の高密度化が強く要求−され
、基板の単位面積当シの素子や回路要素の集積度が高く
なっているロ一方Ｌ８Ｉにおいては、高速作動を行なう
に従いチップから発生する熱が多量になってくる傾向に
ある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、アルミナ
基板では、熱の放散性が十分ではないという問題が生じ
ている。そのため、アルミナ基板よシも熱伝導率が犬き
く、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要になってきた。
てきている口 特に集積密度の高い、高速作動のＬＳＩの実装用基板と
して多層セラミック基板が注目されている。この多層セ
ラミック基板は直接Ｌ８Ｉを実装することができ微細多
層配線が可能である０一般にセラミック基板の材料とし
ては、主にアルミナが使用されているが、近年電気装置
は一段と小型化され、回路の高密度化が強く要求−され
、基板の単位面積当シの素子や回路要素の集積度が高く
なっているロ一方Ｌ８Ｉにおいては、高速作動を行なう
に従いチップから発生する熱が多量になってくる傾向に
ある。この結果、基板の発熱が大幅に増加し、アルミナ
基板では、熱の放散性が十分ではないという問題が生じ
ている。そのため、アルミナ基板よシも熱伝導率が犬き
く、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要になってきた。
そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化ケイ素を
主成分としたセラミック基板が開発された（特開昭５７
−１８０００６号公報）０炭化ケイｆ、はそれ自体電気
的に半導体に属し、比抵抗が１〜１０Ω・ｃｒｎ程度で
電気絶縁性がないため、絶縁基板としては用いることが
できない０また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しに
くいので、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し
、高温で加圧するいわゆるホットプレス法により作られ
る。
主成分としたセラミック基板が開発された（特開昭５７
−１８０００６号公報）０炭化ケイｆ、はそれ自体電気
的に半導体に属し、比抵抗が１〜１０Ω・ｃｒｎ程度で
電気絶縁性がないため、絶縁基板としては用いることが
できない０また炭化ケイ素は融点が高く非常に焼結しに
くいので、通常焼結に際しては少量の焼結助剤を添加し
、高温で加圧するいわゆるホットプレス法により作られ
る。
この焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用い
ると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても
有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が１０ Ω
・α以上となる。しかし、ＬＳＩ等の実装基板において
重要な要因の１つである誘電率はｌ ＭＨｚで４０とか
なり高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度にな
ると粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対して
も問題がある口 又、 ＢｅＯ粉末を用いて多層セラミック基板を作成す
ることは可能であるが有毒性である為実用上困難な面が
でてくる〇 一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が犬がかりになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であυ、表面平滑性に対して
も問題が多い０さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
ると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に対しても
有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比抵抗が１０ Ω
・α以上となる。しかし、ＬＳＩ等の実装基板において
重要な要因の１つである誘電率はｌ ＭＨｚで４０とか
なり高く、添加剤を加えた絶縁性も電圧が５ｖ程度にな
ると粒子間の絶縁が急激に低下するため耐電圧に対して
も問題がある口 又、 ＢｅＯ粉末を用いて多層セラミック基板を作成す
ることは可能であるが有毒性である為実用上困難な面が
でてくる〇 一方プロセス的観点からしてホットプレス法を適用しな
ければならず、装置が犬がかりになるばかりでなく、基
板の形状も大面積化は困難であυ、表面平滑性に対して
も問題が多い０さらに炭化ケイ素系を用いたセラミック
基板においては、従来のグリーンシート法を用いたアル
ミナ多層セラミック基板技術を利用することはプロセス
的に極めて困難である。
ここでいうグリーンシート法多層セラミック基板技術と
は次に示す技術である。１ずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法によｐｌＯμｍ〜４００μｍ程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。核
シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得るた
めのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法によシ所
定の導体パターンを形成する。これらの各導体パターン
を形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし、
脱バインダ一工程を経て焼成する０高密度実装基板とし
て具備すべき主な性質としては、（１）電気特性に対し
て誘電率が低く％ｖｊ電損失が小さく、また電気絶縁性
に優れていること、（２）機械的強度が十分であること
％（３）熱伝導性が高いこと、（褐 熱膨張係数がシ
リコンチップ等のそれに近いこと、（５）表面平滑性が
優れていること、および（６）高密度化が容易であるこ
と等が必要である〇 これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものであるとはいえない。
は次に示す技術である。１ずセラミック粉末を有機ビヒ
クルとともに混合し、スラリー化する。このスラリーを
キャスティング製膜法によｐｌＯμｍ〜４００μｍ程度
の厚みを有するシートを有機フィルム上に形成する。核
シートを所定の大きさに切断し、各層間の導通を得るた
めのスルーホールを形成したのち、厚膜印刷法によシ所
定の導体パターンを形成する。これらの各導体パターン
を形成したセラミックグリーンシートを積層プレスし、
脱バインダ一工程を経て焼成する０高密度実装基板とし
て具備すべき主な性質としては、（１）電気特性に対し
て誘電率が低く％ｖｊ電損失が小さく、また電気絶縁性
に優れていること、（２）機械的強度が十分であること
％（３）熱伝導性が高いこと、（褐 熱膨張係数がシ
リコンチップ等のそれに近いこと、（５）表面平滑性が
優れていること、および（６）高密度化が容易であるこ
と等が必要である〇 これらの基板性質全般に対して前述のセラミック基板は
決して十分なものであるとはいえない。
一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニウムが
開発されている（ｖｆ開昭５９−５００７７・板 号公璽など）。しかしながらこの材料も高温で焼結しな
ければならず、ホットプレス法による作製方法が主流ど
なっておシ、まだ窒化アルミニウムを用いた多層配線基
板は実現されていない。
開発されている（ｖｆ開昭５９−５００７７・板 号公璽など）。しかしながらこの材料も高温で焼結しな
ければならず、ホットプレス法による作製方法が主流ど
なっておシ、まだ窒化アルミニウムを用いた多層配線基
板は実現されていない。
（発明の目的）
本発明は前述した従来のセラミック配線基板の欠点を除
去せしめて熱伝導性の優れた、内部に導体を有する高密
度、高熱伝導多層セラミック基板を提供することにある
◎ （発明の構成） 本発明によれば、セラミックス構造体が窒化アルミニウ
ムを主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分
がチタン金属又はチタン金属と窒化チタンの混合物から
なることを特徴とする高熱伝導多層セラミック配線基板
が得られる。
去せしめて熱伝導性の優れた、内部に導体を有する高密
度、高熱伝導多層セラミック基板を提供することにある
◎ （発明の構成） 本発明によれば、セラミックス構造体が窒化アルミニウ
ムを主成分とする多結晶体で構成され、導体層の主成分
がチタン金属又はチタン金属と窒化チタンの混合物から
なることを特徴とする高熱伝導多層セラミック配線基板
が得られる。
（構成の詳細な説明）
本発明は、上述の構成をとることによ如従来技術の問題
点を解決した。
点を解決した。
まず、多層セラミック基板を構成する絶縁セラミックス
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには焼結体の
含有酸素量が少ない方が好ましくその為に添加物として
還元効果のある還元剤を入れることが好ましい。
材料として、熱伝導性の高い窒化アルミニウムを用いた
。この材料は焼成後、窒化アルミニウム多結晶の緻密な
構造体を形成する。高熱伝導率を得るためには焼結体の
含有酸素量が少ない方が好ましくその為に添加物として
還元効果のある還元剤を入れることが好ましい。
次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで構成され
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体ｉ＋セラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されているＯ したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、ＬＳＩ等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
ているセラミックス層に複数の電源層、グランド層およ
び微細な信号線等の導体層を形成し、これらの複数の導
体ｉ＋セラミックス層中に設けたピアホールを介して電
気的に接続されているＯ したがって、実装基板の配線密度が非常に高められると
ともに、ＬＳＩ等の素子から発生する熱を、効率的に外
部に放散することが可能となる。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明による高熱伝導多層セラミック基板の実
施例を示す説明図である。１は絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている０２は信号線および電源等の導体層であり、チ
タン金属又はチタン金属と窒化チタンの混合物を主成分
として形成されており、絶縁セラミックス層に形成され
たピアホール３を介して各層間を電気的に接続している
。このように構成されている多層セラミック基板上には
ＬＳＩチップがマウント出来るようにダイパッド４およ
びポンディングパッド５が形成され、該実装基板外に信
号を取シ出したシ、基板内へ信号を入れたりするための
入出力用パッド６が基板裏面に形成されている０基板上
にマウントされたＬＳＩチップから発生する熱をダイパ
ッド４を介してセラミック基板内へ拡散させる０セラミ
ツク基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率的に
行なわれることになり、ＬＳＩチップの発熱による高温
化を防止することができる。
施例を示す説明図である。１は絶縁セラミックス層であ
り、主成分として窒化アルミニウムの多結晶体で構成さ
れている０２は信号線および電源等の導体層であり、チ
タン金属又はチタン金属と窒化チタンの混合物を主成分
として形成されており、絶縁セラミックス層に形成され
たピアホール３を介して各層間を電気的に接続している
。このように構成されている多層セラミック基板上には
ＬＳＩチップがマウント出来るようにダイパッド４およ
びポンディングパッド５が形成され、該実装基板外に信
号を取シ出したシ、基板内へ信号を入れたりするための
入出力用パッド６が基板裏面に形成されている０基板上
にマウントされたＬＳＩチップから発生する熱をダイパ
ッド４を介してセラミック基板内へ拡散させる０セラミ
ツク基板の熱伝導率が高いことにより熱拡散が効率的に
行なわれることになり、ＬＳＩチップの発熱による高温
化を防止することができる。
本実施例の配線基板の製造方法は次のとお夛である。本
発明の基板ｙｉ＝成しているセラミックス材料としては
、窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物として
ＣａＣ１’）混入させているコ まず窒化アルミ−クム
粉末とＣａＣ１粉末とを秤量し、ボールミルによシ有機
溶媒中での湿式混合を４８時間行なった＠ この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下マ分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度３０００〜７０
００ｃｐの範囲の泥漿を作成する０該泥漿をキャスティ
ング製膜法によシ１０μｍ〜２００μｎ１程度の均一な
厚みになるように、有機フィルム上にグリーンシートを
作成するロスにこのグリーンシートを有機フィルムから
剥離したのち、各層間を電気的に接続するためのピアホ
ールを形成する０ここで形成したピアホールは１機械的
にポンチおよびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー
加工等の方法によりても開けることが可能である。
発明の基板ｙｉ＝成しているセラミックス材料としては
、窒化アルミニウムの焼結性を高めるため添加物として
ＣａＣ１’）混入させているコ まず窒化アルミ−クム
粉末とＣａＣ１粉末とを秤量し、ボールミルによシ有機
溶媒中での湿式混合を４８時間行なった＠ この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいはポリアク
リレート系樹脂等の中性雰囲気下マ分解されやすい有機
バインダーとともに溶媒中に分散し粘度３０００〜７０
００ｃｐの範囲の泥漿を作成する０該泥漿をキャスティ
ング製膜法によシ１０μｍ〜２００μｎ１程度の均一な
厚みになるように、有機フィルム上にグリーンシートを
作成するロスにこのグリーンシートを有機フィルムから
剥離したのち、各層間を電気的に接続するためのピアホ
ールを形成する０ここで形成したピアホールは１機械的
にポンチおよびダイを用いて打抜いたが、他にレーザー
加工等の方法によりても開けることが可能である。
ピアホールの形成されたグリーンシート上へ、窒素雰囲
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、チタン金属又はチタン金属と窒化チタンの混
合物となる化合物を主成分とした導体ペーストをスクリ
ーン剛刷法にょシ所定の位置に所定のパターンを印刷す
る口こうして導体を印刷した各グリーンシートを所望の
枚数積層し加熱プレスする。その後必要な形状になるよ
うにカッターを用いて切断し、１４００℃〜２０００℃
の偏置で非酸化性雰囲気中で焼成する。焼成の際、その
昇温過程で４００’Ｃ〜６００’Ｃの温度で脱バインダ
ーを充分に行なった０作製した基板の特＼＼じ 導体ペースト材料としてＴｉ金属、ＴｉＨ，およびＴｉ
Ｎ’Ｅ用い九。ここに示した添加物（ＣａＣ，）の量は
窒化アルミニウムを１００としたときＯ】値である。ま
たフリット量は導体材料とフリクト材料を合せた重量に
対しての値である。
気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元雰囲気の下で焼
成した際、チタン金属又はチタン金属と窒化チタンの混
合物となる化合物を主成分とした導体ペーストをスクリ
ーン剛刷法にょシ所定の位置に所定のパターンを印刷す
る口こうして導体を印刷した各グリーンシートを所望の
枚数積層し加熱プレスする。その後必要な形状になるよ
うにカッターを用いて切断し、１４００℃〜２０００℃
の偏置で非酸化性雰囲気中で焼成する。焼成の際、その
昇温過程で４００’Ｃ〜６００’Ｃの温度で脱バインダ
ーを充分に行なった０作製した基板の特＼＼じ 導体ペースト材料としてＴｉ金属、ＴｉＨ，およびＴｉ
Ｎ’Ｅ用い九。ここに示した添加物（ＣａＣ，）の量は
窒化アルミニウムを１００としたときＯ】値である。ま
たフリット量は導体材料とフリクト材料を合せた重量に
対しての値である。
作成した基板の電気的特性を測定した結果、比抵抗が１
００・α以上であり、誘電率は８．７（ＩＭＨｚ）、誘
電損失はｌ×１０ 以下（Ｉ ＭＥ（ｚ ）であった０
電気的特性においても従来の基板に対して同程度以上あ
り実装基板として十分であることがわかる。
００・α以上であり、誘電率は８．７（ＩＭＨｚ）、誘
電損失はｌ×１０ 以下（Ｉ ＭＥ（ｚ ）であった０
電気的特性においても従来の基板に対して同程度以上あ
り実装基板として十分であることがわかる。
一方添加瞼としてＣａｂ、 Ｂｅｄ、 Ｙ２Ｏ２、Ｃｕ
ｂ。
ｂ。
Ａｇｏ、 ＢａＣ１、５ｒＣ１、Ｎａｐ（４，Ｋｇ（４
、Ｃｕｃ、 、 ＭｇＣｔｓＡｇｔＣｚ＠ ＺｒＣ２等
を用いた場合において本窒化アルミニウムの焼結性を向
上させる効果が得られた。
、Ｃｕｃ、 、 ＭｇＣｔｓＡｇｔＣｚ＠ ＺｒＣ２等
を用いた場合において本窒化アルミニウムの焼結性を向
上させる効果が得られた。
（発明の効果）
実施例からも明らかなように、本発明により、容易に信
号線およびｔ像層等を含めた導体を有する高密度な回路
を形成することが出来、熱放散性に対しても非常に有効
な高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
号線およびｔ像層等を含めた導体を有する高密度な回路
を形成することが出来、熱放散性に対しても非常に有効
な高熱伝導多層セラミック配線基板が得られる。
従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は１７ Ｗ
／ ｍＫであり、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレ
ベルであることがわかる。また熱膨張係数においては、
アルミナ基板が６５Ｘ１０／’Ｃであるのに対して本発
明基板は小さな値をもち、よシシリコンチップの熱膨張
係数に近い値になっておシ有利である〇
／ ｍＫであり、本発明基板の熱伝導率が非常に高いレ
ベルであることがわかる。また熱膨張係数においては、
アルミナ基板が６５Ｘ１０／’Ｃであるのに対して本発
明基板は小さな値をもち、よシシリコンチップの熱膨張
係数に近い値になっておシ有利である〇
第１図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層セラミッ
ク配線基板の概略図である。ｌ・・・絶縁セラミック層
、２・・・導体層、３・・・ピアホール、４・・・タイ
パッド、５・・・ポンディングパッド、６・・・入出力
用バッド〇
ク配線基板の概略図である。ｌ・・・絶縁セラミック層
、２・・・導体層、３・・・ピアホール、４・・・タイ
パッド、５・・・ポンディングパッド、６・・・入出力
用バッド〇
Claims (1)
- セラミックス層を介して三次元的に、導体が形成された
多層セラミック配線基板において、窒化アルミニウムを
主成分とするセラミック層と、チタン金属単体あるいは
、チタン金属と窒化チタンの混合物を主成分とする導体
とを備えたことを特徴とする多層セラミック配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215360A JPH0636474B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミック配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215360A JPH0636474B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミック配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276596A true JPS6276596A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0636474B2 JPH0636474B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=16671001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215360A Expired - Lifetime JPH0636474B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 多層セラミック配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636474B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417206A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 窒化アルミニウム多層基板の配線用ペースト |
| JPH0540129U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-28 | 積水化成品工業株式会社 | 組立箱 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60215360A patent/JPH0636474B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417206A (ja) * | 1990-05-09 | 1992-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 窒化アルミニウム多層基板の配線用ペースト |
| JPH0540129U (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-28 | 積水化成品工業株式会社 | 組立箱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0636474B2 (ja) | 1994-05-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |