JPH0413879B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0413879B2 JPH0413879B2 JP60211529A JP21152985A JPH0413879B2 JP H0413879 B2 JPH0413879 B2 JP H0413879B2 JP 60211529 A JP60211529 A JP 60211529A JP 21152985 A JP21152985 A JP 21152985A JP H0413879 B2 JPH0413879 B2 JP H0413879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- conductor
- aluminum nitride
- multilayer ceramic
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 13
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910014813 CaC2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、多層セラミツク基板、特に窒化ジル
コニウムを導体として利用する高熱伝導多層セラ
ミツク基板に関するものである。 （従来技術とその問題点） 半導体技術の飛躍的な進展によつて、IC.LSIが
産業用、民需用に幅広く使用されるようになつて
きている。 特に集積密度の高い、高速作動のLSIの実装用
基板として多層セラミツク基板が注目されてい
る。この多層セラミツク基板は直接LSIを実装す
ることができ微細多層配線が可能である。 一般にセラミツク基板の材料としては、主にア
ルミナが使用されているが、近年電気装置は一段
と小型化され、回路の高密度化が強く要求され、
基板の単位面積当りの素子や回路要素の集積度が
高くなつている。一方LSIにおいては、高速作動
を行なうに従いチツプから発生する熱が多量にな
つてくる傾向にある。この結果、基板の発熱が大
幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散性が十
分ではないという問題が生じている。そのため、
アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放散
性に優れた絶縁基板が必要になつてきた。 そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化
ケイ素を主成分としたセラミツク基板が開発され
た（特開昭57−180006号公報）。炭化ケイ素はそ
れ自体電気的に半導体に属し、比抵抗が１〜10
Ω・cm程度で電気絶縁性がないため、絶縁基板と
しては用いることができない。また炭化ケイ素は
融点が高く非常に焼結しにくいので、通常焼結に
際しては少量の焼結助剤を添加し、高温で加圧す
るいわゆるホツトプレス法により作られる。この
焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用
いると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に
対しても有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比
抵抗が1010Ω・cm以上となる。しかし、LSI等の
実装基板において重要な要因の１つである誘電率
は1MHzで40とかなり高く、添加剤を加えた絶縁
性も電圧が5V程度になると粒子間の絶縁が急激
に低下するため耐電圧に対しても問題がある。 又、BeO粉末を用いて多層セラミツク基板を
作成することは可能であるが有毒性であるため実
用上困難な面がでてくる。 一方プロセス的観点からしてホツトプレス法を
適用しなければならず、装置が大がかりになるば
かりでなく、基板の形状も大面積化は困難であ
り、表面平滑性に対しても問題が多い。さらに炭
化ケイ素系を用いたセラミツク基板においては、
従来のグリーンシート法を用いたアルミナ多層セ
ラミツク基板技術を利用することはプロセス的に
極めて困難である。 ここでいうグリーンシート法多層セラミツク基
板技術とは次に示す技術である。まずセラミツク
粉末を有機ビヒクルとともに混合し、スラリー化
する。このスラリーをキヤステイング製膜法によ
り10μm〜400μm程度の厚みを有するシートを有
機フイルム上に形成する。該シートを所定の大き
さに切断し、各層間の導通を得るためのスルーホ
ールを形成したのち、厚膜印刷法により所定の導
体パターンを形成する。これらの各導体パターン
を形成したセラミツクグリーンシートを積層プレ
スし、脱バインダー工程を経て焼成する。 高密度実装基板として具備すべき主な性質とし
ては、(1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損
失が小さく、また電気絶縁性に優れていること、
(2)機械的強度が十分であること、(3)熱伝導性が高
いこと、(4)熱膨張係数がシリコンチツプ等のそれ
に近いこと、(5)表面平滑性が優れていること、お
よび(6)高密度化が容易であること等が必要であ
る。 これらの基板性質全般に対して前述のセラミツ
ク基板は決して十分なものであるとはいえない。
一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニ
ウムが開発されている（特開昭59−50077号公報
など）。しかしながらこの材料も高温で焼結しな
ければならず、ホツトプレス法による作製方法が
主流となつており、まだ窒化アルミニウムを用い
た多層配線基板は実現されていない。 （発明の目的） 本発明は熱伝導性が優れ、内部に導体を有する
高密度、高熱伝導多層セラミツク基板を提供する
ことにある。 （発明の構成） 本発明によれば、セラミツクス層が窒化アルミ
ニウムを主成分とする多結晶体で構成され、導体
層の主成分が窒化ジルコニウムからなることを特
徴とする高熱伝導多層セラミツク配線基板が得ら
れる。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。 まず、多層セラミツク基板を構成する絶縁セラ
ミツクス材料として、熱伝導性の高い窒化アルミ
ニウムを用いた。この材料は焼成後、窒化アルミ
ニウム多結晶の緻密な構造体を形成する。高熱伝
導率を得るためには焼結体の含有酸素量が少ない
方が好ましくそのために添加物として還元効果の
ある還元剤を入れることが好ましい。 次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで
構成されているセラミツクス層に複数の電源層、
グランド層および微細な信号線等の導体層を形成
し、これらの複数の導体層をセラミツク層中に設
けたビアホールを介して電気的に接続されてい
る。 したがつて、実装基板の配線密度が非常に高め
られるとともに、LSI等の素子から発生する熱
を、効果的に外部に放散することが可能となる。 （実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。 第１図は本発明による高熱伝導多層セラミツク
基板の実施例を示す説明図である。１は絶縁セラ
ミツクス層であり、主成分として窒化アルミニウ
ムの多結晶体で構成されている。２は信号線およ
び電源等の導体層であり、窒化ジルコニウムを主
成分として形成されており、絶縁セラミツクス層
に形成されたビアホール３を介して各層間を電気
的に接続している。このように構成されている多
層セラミツク基板上にはLSIチツプがマウント出
来るようにダイパツド４およびボンデイングパツ
ド５が形成され、該実装基板外に信号を取り出し
たり、基板内へ信号を入れたりするための入出力
用パツド６が基板表面に形成されている。基板上
にマウントされたLSIチツプから発生する熱をダ
イパツド４を介してセラミツク基板内へ拡散させ
る。セラミツク基板の熱伝導率が高いことにより
熱拡散が効率的に行なわれることになり、LSIチ
ツプの発熱による高温化を防止することができ
る。 本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりで
ある。本発明の基板を構成しているセラミツクス
材料としては、窒化アルミニウムの焼結性を高め
るため添加剤としてCaC2を混入させている。ま
ず窒化アルミニウム粉末とCaC2粉末とを秤量し、
ボールミルにより有機溶媒中での湿式混合を48時
間行なつた。 この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいは
ポリアクリレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解
されやすい有機バインダーとともに溶媒中に分散
し粘度3000〜7000cpの範囲の混漿を作成する。
該泥漿をキヤステイング製膜法により10μm〜
200μm程度の均一な厚みになるように、有機フイ
ルム上にグリーンシートを作成する。 次にこのグリーンシートを有機フイルムから剥
離したのち、各層間を電気的に接続するためのビ
アホールを形成する。ここで形成したビアホール
は、機械的にポンチおよびダイを用いて打抜いた
が、他にレーザー加工等の方法によつても開ける
ことが可能である。 ビアホールの形成されたグリーンシート上へ、
窒素雰囲気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元
雰囲気の下で焼成した際、窒化ジルコニウムにな
るジルコニウム化合物を主成分として導体ベース
トをスクリーン印刷法により所定の位置に所定の
パターンを印刷する。こうして導体を印刷した各
グリーンシートを所望の枚数積層し加熱プレスす
る。その後必要な形状になるようにカツターを用
いて切断し、1400℃〜2000℃の温度で非酸化性雰
囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で
400℃〜600℃の温度で脱バインダーを充分に行な
つた。作製した基板の特性を表に示す。
コニウムを導体として利用する高熱伝導多層セラ
ミツク基板に関するものである。 （従来技術とその問題点） 半導体技術の飛躍的な進展によつて、IC.LSIが
産業用、民需用に幅広く使用されるようになつて
きている。 特に集積密度の高い、高速作動のLSIの実装用
基板として多層セラミツク基板が注目されてい
る。この多層セラミツク基板は直接LSIを実装す
ることができ微細多層配線が可能である。 一般にセラミツク基板の材料としては、主にア
ルミナが使用されているが、近年電気装置は一段
と小型化され、回路の高密度化が強く要求され、
基板の単位面積当りの素子や回路要素の集積度が
高くなつている。一方LSIにおいては、高速作動
を行なうに従いチツプから発生する熱が多量にな
つてくる傾向にある。この結果、基板の発熱が大
幅に増加し、アルミナ基板では、熱の放散性が十
分ではないという問題が生じている。そのため、
アルミナ基板よりも熱伝導率が大きく、熱の放散
性に優れた絶縁基板が必要になつてきた。 そこで熱放散性に対して優れた材料として炭化
ケイ素を主成分としたセラミツク基板が開発され
た（特開昭57−180006号公報）。炭化ケイ素はそ
れ自体電気的に半導体に属し、比抵抗が１〜10
Ω・cm程度で電気絶縁性がないため、絶縁基板と
しては用いることができない。また炭化ケイ素は
融点が高く非常に焼結しにくいので、通常焼結に
際しては少量の焼結助剤を添加し、高温で加圧す
るいわゆるホツトプレス法により作られる。この
焼結助剤として酸化ベリリウムや窒化ホウ素を用
いると、焼結助剤効果だけでなく、電気絶縁性に
対しても有効で炭化ケイ素主成分の焼結基板の比
抵抗が1010Ω・cm以上となる。しかし、LSI等の
実装基板において重要な要因の１つである誘電率
は1MHzで40とかなり高く、添加剤を加えた絶縁
性も電圧が5V程度になると粒子間の絶縁が急激
に低下するため耐電圧に対しても問題がある。 又、BeO粉末を用いて多層セラミツク基板を
作成することは可能であるが有毒性であるため実
用上困難な面がでてくる。 一方プロセス的観点からしてホツトプレス法を
適用しなければならず、装置が大がかりになるば
かりでなく、基板の形状も大面積化は困難であ
り、表面平滑性に対しても問題が多い。さらに炭
化ケイ素系を用いたセラミツク基板においては、
従来のグリーンシート法を用いたアルミナ多層セ
ラミツク基板技術を利用することはプロセス的に
極めて困難である。 ここでいうグリーンシート法多層セラミツク基
板技術とは次に示す技術である。まずセラミツク
粉末を有機ビヒクルとともに混合し、スラリー化
する。このスラリーをキヤステイング製膜法によ
り10μm〜400μm程度の厚みを有するシートを有
機フイルム上に形成する。該シートを所定の大き
さに切断し、各層間の導通を得るためのスルーホ
ールを形成したのち、厚膜印刷法により所定の導
体パターンを形成する。これらの各導体パターン
を形成したセラミツクグリーンシートを積層プレ
スし、脱バインダー工程を経て焼成する。 高密度実装基板として具備すべき主な性質とし
ては、(1)電気特性に対して誘電率が低く、誘電損
失が小さく、また電気絶縁性に優れていること、
(2)機械的強度が十分であること、(3)熱伝導性が高
いこと、(4)熱膨張係数がシリコンチツプ等のそれ
に近いこと、(5)表面平滑性が優れていること、お
よび(6)高密度化が容易であること等が必要であ
る。 これらの基板性質全般に対して前述のセラミツ
ク基板は決して十分なものであるとはいえない。
一方、高熱伝導性基板の材料として窒化アルミニ
ウムが開発されている（特開昭59−50077号公報
など）。しかしながらこの材料も高温で焼結しな
ければならず、ホツトプレス法による作製方法が
主流となつており、まだ窒化アルミニウムを用い
た多層配線基板は実現されていない。 （発明の目的） 本発明は熱伝導性が優れ、内部に導体を有する
高密度、高熱伝導多層セラミツク基板を提供する
ことにある。 （発明の構成） 本発明によれば、セラミツクス層が窒化アルミ
ニウムを主成分とする多結晶体で構成され、導体
層の主成分が窒化ジルコニウムからなることを特
徴とする高熱伝導多層セラミツク配線基板が得ら
れる。 （構成の詳細な説明） 本発明は、上述の構成をとることにより従来技
術の問題点を解決した。 まず、多層セラミツク基板を構成する絶縁セラ
ミツクス材料として、熱伝導性の高い窒化アルミ
ニウムを用いた。この材料は焼成後、窒化アルミ
ニウム多結晶の緻密な構造体を形成する。高熱伝
導率を得るためには焼結体の含有酸素量が少ない
方が好ましくそのために添加物として還元効果の
ある還元剤を入れることが好ましい。 次に、導体層に関しては、窒化アルミニウムで
構成されているセラミツクス層に複数の電源層、
グランド層および微細な信号線等の導体層を形成
し、これらの複数の導体層をセラミツク層中に設
けたビアホールを介して電気的に接続されてい
る。 したがつて、実装基板の配線密度が非常に高め
られるとともに、LSI等の素子から発生する熱
を、効果的に外部に放散することが可能となる。 （実施例） 以下本発明の実施例について図面を参照して詳
細に説明する。 第１図は本発明による高熱伝導多層セラミツク
基板の実施例を示す説明図である。１は絶縁セラ
ミツクス層であり、主成分として窒化アルミニウ
ムの多結晶体で構成されている。２は信号線およ
び電源等の導体層であり、窒化ジルコニウムを主
成分として形成されており、絶縁セラミツクス層
に形成されたビアホール３を介して各層間を電気
的に接続している。このように構成されている多
層セラミツク基板上にはLSIチツプがマウント出
来るようにダイパツド４およびボンデイングパツ
ド５が形成され、該実装基板外に信号を取り出し
たり、基板内へ信号を入れたりするための入出力
用パツド６が基板表面に形成されている。基板上
にマウントされたLSIチツプから発生する熱をダ
イパツド４を介してセラミツク基板内へ拡散させ
る。セラミツク基板の熱伝導率が高いことにより
熱拡散が効率的に行なわれることになり、LSIチ
ツプの発熱による高温化を防止することができ
る。 本実施例の配線基板の製造方法は次のとおりで
ある。本発明の基板を構成しているセラミツクス
材料としては、窒化アルミニウムの焼結性を高め
るため添加剤としてCaC2を混入させている。ま
ず窒化アルミニウム粉末とCaC2粉末とを秤量し、
ボールミルにより有機溶媒中での湿式混合を48時
間行なつた。 この混合粉末をポリカプロラクトン系あるいは
ポリアクリレート系樹脂等の中性雰囲気下で分解
されやすい有機バインダーとともに溶媒中に分散
し粘度3000〜7000cpの範囲の混漿を作成する。
該泥漿をキヤステイング製膜法により10μm〜
200μm程度の均一な厚みになるように、有機フイ
ルム上にグリーンシートを作成する。 次にこのグリーンシートを有機フイルムから剥
離したのち、各層間を電気的に接続するためのビ
アホールを形成する。ここで形成したビアホール
は、機械的にポンチおよびダイを用いて打抜いた
が、他にレーザー加工等の方法によつても開ける
ことが可能である。 ビアホールの形成されたグリーンシート上へ、
窒素雰囲気あるいは他の中性雰囲気あるいは還元
雰囲気の下で焼成した際、窒化ジルコニウムにな
るジルコニウム化合物を主成分として導体ベース
トをスクリーン印刷法により所定の位置に所定の
パターンを印刷する。こうして導体を印刷した各
グリーンシートを所望の枚数積層し加熱プレスす
る。その後必要な形状になるようにカツターを用
いて切断し、1400℃〜2000℃の温度で非酸化性雰
囲気中で焼成する。焼成の際、その昇温過程で
400℃〜600℃の温度で脱バインダーを充分に行な
つた。作製した基板の特性を表に示す。
【表】
導体ペースト材料として、ZrNおよびZrH3お
よびZrF4およびZr（OC3H7）4を使用した。 ここに示したCaC2量は窒化アルミニウムを100
としたときの値である。またフリツト量は導体材
料とフリツト材料を合せた重量に対しての値であ
る。 作成した基板の電気的特性を測定した結果、比
抵抗が1011Ω・cm以上であり、誘電率は8.7（1M
Hz）、誘電損失は１×10-3以下（1MHz）であつ
た。電気的特性においても従来の基板に対して同
程度以上あり実装基板として十分であることがわ
かる。 一方窒化アルミニウムに対する添加物として
CaO，BeO，Y2O3，CuO，AgO，BaC2SrC2，
Na2C2，K2C2，CuC2，MgC2，Ag2C2，ZrC2等を
用いた場合においても窒化アルミニウムの焼結性
を向上させる効果が得られた。 （発明の効果） 実施例からも明らかなように、本発明の多量セ
ラミツク配線基板は容易に信号線および電源層等
を含めた導体を有する高密度な回路を形成するこ
とが出来、熱放散性に対しても非常に有効な高熱
伝導多層セラミツク基板が得られる。 従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は
17W／mKであり、本発明基板の熱伝導率が非常
に高いレベルであることがわかる。また熱膨張係
数においては、アルミナ基板が65×10-7／℃であ
るのに対して本発明基板は小さな値をもち、より
シリコンチツプの熱膨張係数に近い値になつてお
り有利である。
よびZrF4およびZr（OC3H7）4を使用した。 ここに示したCaC2量は窒化アルミニウムを100
としたときの値である。またフリツト量は導体材
料とフリツト材料を合せた重量に対しての値であ
る。 作成した基板の電気的特性を測定した結果、比
抵抗が1011Ω・cm以上であり、誘電率は8.7（1M
Hz）、誘電損失は１×10-3以下（1MHz）であつ
た。電気的特性においても従来の基板に対して同
程度以上あり実装基板として十分であることがわ
かる。 一方窒化アルミニウムに対する添加物として
CaO，BeO，Y2O3，CuO，AgO，BaC2SrC2，
Na2C2，K2C2，CuC2，MgC2，Ag2C2，ZrC2等を
用いた場合においても窒化アルミニウムの焼結性
を向上させる効果が得られた。 （発明の効果） 実施例からも明らかなように、本発明の多量セ
ラミツク配線基板は容易に信号線および電源層等
を含めた導体を有する高密度な回路を形成するこ
とが出来、熱放散性に対しても非常に有効な高熱
伝導多層セラミツク基板が得られる。 従来用いられているアルミナ基板の熱伝導率は
17W／mKであり、本発明基板の熱伝導率が非常
に高いレベルであることがわかる。また熱膨張係
数においては、アルミナ基板が65×10-7／℃であ
るのに対して本発明基板は小さな値をもち、より
シリコンチツプの熱膨張係数に近い値になつてお
り有利である。
第１図は本発明の一実施例を示す高熱伝導多層
セラミツク基板の概略図である。１……絶縁セラ
ミツク層、２……導体層、３……ビアホール、４
……ダイパツド、５……ボンデイングパツド、６
……入出力用パツド。
セラミツク基板の概略図である。１……絶縁セラ
ミツク層、２……導体層、３……ビアホール、４
……ダイパツド、５……ボンデイングパツド、６
……入出力用パツド。
Claims (1)
- １ 多層セラミツク配線基板において、窒化アル
ミニウムを主成分とするセラミツク層と窒化ジル
コニウムを主成分とする導体とを備えたことを特
徴とする多層セラミツク配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152985A JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21152985A JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271294A JPS6271294A (ja) | 1987-04-01 |
| JPH0413879B2 true JPH0413879B2 (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16607389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21152985A Granted JPS6271294A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 多層セラミツク配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271294A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077177A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | セラミツクス接合体 |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP21152985A patent/JPS6271294A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180006A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | High thermally conductive electric insulator |
| JPS6077177A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | セラミツクス接合体 |
| JPS6077186A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-05-01 | 株式会社東芝 | 金属化表面を有するセラミツクス焼結体 |
| JPS60173900A (ja) * | 1984-02-20 | 1985-09-07 | 株式会社東芝 | セラミツクス回路基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6271294A (ja) | 1987-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0452000B2 (ja) | ||
| JPS60253294A (ja) | 多層セラミツク基板 | |
| JP2692332B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板の製造方法 | |
| JPS6310594A (ja) | 高熱伝導多層セラミツク配線基板 | |
| JPH0544840B2 (ja) | ||
| JPH0443440B2 (ja) | ||
| JPH0413879B2 (ja) | ||
| JPH0523077B2 (ja) | ||
| JPH0415637B2 (ja) | ||
| JPH0445997B2 (ja) | ||
| JPS6276594A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPS6276592A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPH0415639B2 (ja) | ||
| JPH0443439B2 (ja) | ||
| JPS6276596A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPH0415640B2 (ja) | ||
| JPH0415638B2 (ja) | ||
| JPS63292693A (ja) | 高熱伝導多層セラミック配線基板 | |
| JPS6284594A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPS6276595A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JP2754806B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
| JPS6285495A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPS6276593A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPS6273797A (ja) | 多層セラミツク配線基板 | |
| JPH0523079B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |