JP2001085605A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップと保護樹脂との間の線膨張係数
差による半導体チップの反りを防止することができる半
導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 テープキャリア方式の半導体装置１にお
いて、第１の半導体チップ２の素子形成面２１に第２の
半導体チップ３の素子形成面３１を向かい合わせて配設
し、これらの間に保護樹脂６を形成する。第１の半導体
チップ２のボンディングパッド２２はバンプ電極５１を
介在させてリード４１に接続され、このリード４１には
第２の半導体チップ３のボンディングパッド３２がバン
プ電極５３を介在させて接続されている。同様に、第１
の半導体チップ２のボンディングパッド２３はバンプ電
極５２を介在させてリード４２に接続され、このリード
４２には第２の半導体チップ３のボンディングパッド３
３がバンプ電極５４を介在させて接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に半導体チップのボンディングパ
ッドにバンプ電極を介在させてリードを電気的に接続
し、半導体チップの少なくとも素子形成面を保護樹脂で
覆う構造を備えた半導体装置及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣカード、ＩＣテレホンカード等、カ
ード型デバイスにおいては、例えば１ｍｍ未満の超薄型
化の傾向にあり、さらに多くの情報や機能を持たせるこ
とが要求されている。このようなカード型デバイスには
一般的にテープキャリア方式（ＴＡＢ方式）の半導体装
置が組み込まれている。

【０００３】図２１はテープキャリア方式の半導体装置
の断面図である。同図に示すように、テープキャリア方
式の半導体装置１００は、素子形成面と同一の表面上に
ボンディングパッド１０２を有する半導体チップ（半導
体ペレット）１０１と、ボンディングパッド１０２上に
バンプ電極１０３を通して電気的かつ機械的に接続され
たリード１０４と、半導体チップ１０１の表面上及びリ
ード１０４のインナーリード部を覆う保護樹脂１０５と
を備えて構成されている。半導体チップ１０１には例え
ばシリコン単結晶チップが使用されている。リード１０
４には主に銅が使用されている。保護樹脂１０５は、外
部からの衝撃や汚染物質に対して少なくとも素子形成面
を保護し、また隣接リード１０４間の絶縁性を確保する
ようになっている。この保護樹脂１０５には例えばポッ
ティング法で形成されたポリイミド樹脂が使用されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
のテープキャリア方式の半導体装置１００においては、
以下の点について配慮がなされていない。

【０００５】（１）カード型デバイスの厚さの制限から
半導体装置１００の厚さにもより一層の薄さが求められ
ている。現在、半導体チップ１０１の厚さは約１５０μ
ｍであり、さらに半導体チップ１０１は薄型化の傾向に
ある。薄型化が進むにつれ、半導体チップ１０１自体の
機械的強度を充分に確保することができなくなり、半導
体チップ１０１とその表面上の保護樹脂１０５との間の
線膨張係数差から半導体チップ１０１に反りが発生して
しまう。このため、半導体装置１００においては、素子
形成面上のアルミニウム配線の断線不良等、電気的信頼
性を低下させてしまう可能性があった。

【０００６】（２）半導体チップ１０１の反りが非常に
大きい場合には、半導体チップ１０１に割れが発生して
しまう可能性があった。

【０００７】（３）半導体チップ１０１に反りが発生す
ると、テープキャリア方式の半導体装置１００全体にも
反りが発生してしまう。半導体装置１００は例えば半田
等の導電性接合材を使用してカード型デバイスに実装さ
れるが、半導体チップ１０１の反りで一部のリード１０
４のアウターリード部がカード型デバイスの接続部にお
いて浮いてしまう接合不良等、カード型デバイスの実装
不良を生じる可能性があった。

【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明の目的は、半導体チップ
と保護樹脂との間の線膨張係数差による半導体チップの
反りを防止することができる半導体装置を提供すること
である。

【０００９】さらに、本発明の目的は、半導体チップの
反りを防止することにより、半導体チップの素子形成面
の配線の断線不良等を防止して、電気的信頼性を向上す
ることができる半導体装置を提供することである。

【００１０】さらに、本発明の目的は、半導体チップの
反りを防止することにより、半導体チップの厚さを薄く
することができ、装置の小型化を実現することができる
半導体装置を提供することである。

【００１１】さらに、本発明の目的は、半導体チップの
反りを防止しつつ、実装密度を向上することが可能な半
導体装置を提供することである。

【００１２】さらに、本発明の目的は、半導体チップの
反りを防止することにより、実装不良を防止することが
できる半導体装置を提供することである。

【００１３】さらに、本発明の目的は、上記目的を達成
することができる好適な半導体装置の製造方法を提供す
ることである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴は、第１の素子形成面を有する
第１の半導体チップと、第１の素子形成面に第２の素子
形成面を向かい合わせた第２の半導体チップと、第１の
半導体チップの第１の素子形成面と第２の半導体チップ
の第２の素子形成面との間の保護樹脂とを備えた半導体
装置としたことである。

【００１５】このように構成される本発明の第１の特徴
に係る半導体装置においては、保護樹脂を第１の半導体
チップと第２の半導体チップとで挟み込むようにしたの
で、保護樹脂による第１の半導体チップの反りと第２の
半導体チップの反りとを相殺させることができる。すな
わち、第１の半導体チップ、第２の半導体チップのそれ
ぞれの保護樹脂による反りを減少させることができる。
従って、第１の半導体チップの第１の素子形成面上の配
線の反りによる断線不良、第２の半導体チップの第２の
素子形成面上の配線の反りによる断線不良をいずれも防
止することができる。さらに、本発明の第１の特徴に係
る半導体装置においては、第１の半導体チップ、第２の
半導体チップのそれぞれの反りを減少させることができ
るので、第１の半導体チップ、第２の半導体チップのそ
れぞれの厚さを薄くすることができ、この厚さ方向にお
いて半導体装置の小型化を実現することができる。さら
に、本発明の第１の特徴に係る半導体装置においては、
第１の半導体チップの第１の素子形成面、第２の半導体
チップの第２の素子形成面のそれぞれを覆う保護樹脂を
共用することができるので、保護樹脂の厚さを薄くする
ことができ、この厚さ方向において半導体装置の小型化
を実現することができる。さらに、本発明の第１の特徴
に係る半導体装置においては、第１の半導体チップ、第
２の半導体チップのそれぞれの反りを減少させて厚さを
薄くすることができ、第１の半導体チップ、第２の半導
体チップのそれぞれを厚さ方向に重ね合わせたので、単
位面積当たりに実装可能な半導体チップ数を増加するこ
とができ、実装密度を向上することができる。

【００１６】本発明の第２の特徴は、第１のボンディン
グパッドを有する第１の半導体チップと、第１のボンデ
ィングパッドに第２のボンディングパッドを向かい合わ
せた第２の半導体チップと、第１のボンディングパッド
と第２のボンディングパッドとの間に配設され、第１の
ボンディングパッド、第２のボンディングパッドのそれ
ぞれに電気的に接続されたリードと、第１の半導体チッ
プと第２の半導体チップとの間の保護樹脂とを備えた半
導体装置としたことである。第１のボンディングパッド
とリードとの間、第２のボンディングパッドとリードと
の間はいずれもバンプ電極を介して接続されることが好
ましい。

【００１７】このように構成される本発明の第２の特徴
に係る半導体装置においては、上記本発明の第１の特徴
に係る半導体装置で得られる効果に加えて、第１の半導
体チップ、第２の半導体チップのそれぞれでリードを共
用することができるので、リード本数、特に厚さ方向に
配設されるリード本数を削減することができ、この厚さ
方向において小型化を実現することができる。

【００１８】本発明の第３の特徴は、本発明の第２の特
徴に係る半導体装置において、第１の半導体チップと第
２の半導体チップとの間に、双方の間隔を調節するダミ
ーバンプ電極をさらに備えたことである。

【００１９】このように構成される本発明の第３の特徴
に係る半導体装置においては、本発明の第２の特徴に係
る半導体装置で得られる効果に加えて、第１のボンディ
ングパッドと第２のボンディングパッドとの間のバンプ
電極に対して別途ダミーバンプ電極を備えたので、第１
の半導体チップと第２の半導体チップとの間の間隔を均
等に保つことができる。従って、バンプ電極、ダミーバ
ンプ電極のそれぞれに均等なボンディング加重を加えた
状態でボンディングすることができるので、ボンディン
グ不良を防止し、半導体装置の電気的信頼性を向上する
ことができる。

【００２０】本発明の第４の特徴は、第１の素子形成面
を有する第１の半導体チップと、第１の素子形成面の一
部に第２の素子形成面を向かい合わせた第２の半導体チ
ップと、第１の素子形成面の他部に第３の素子形成面を
向かい合わせた第３の半導体チップと、第１の半導体チ
ップの第１の素子形成面と第２の半導体チップの第２の
素子形成面、第３の半導体チップの第３の素子形成面の
それぞれとの間の保護樹脂とを備えた半導体装置とした
ことである。

【００２１】このように構成される本発明の第４の特徴
に係る半導体装置においては、第１の半導体チップと異
なる形状（或いは異なるサイズ）の第２の半導体チップ
及び第３の半導体チップを備えても本発明の第１の特徴
に係る半導体装置で得られる効果と同様の効果を得るこ
とができる。さらに、本発明の第４の特徴に係る半導体
装置においては、第２の半導体チップと第３の半導体チ
ップとの間にガス抜きスペースを生成することができる
ので、第１の半導体チップの中央部分において保護樹脂
のガスを抜き取ることができ、保護樹脂においてボイド
の発生を防止することができる。保護樹脂に発生するボ
イドは外部からの汚染物質の侵入経路、外部からの水分
の浸入経路を形成する可能性があるが、ボイドの発生を
防止することができるので、上記不具合を解決すること
ができ、半導体装置の信頼性を向上することができる。

【００２２】本発明の第５の特徴は、第１の半導体チッ
プの第１の素子形成面上に第２の素子形成面を向かい合
わせて第２の半導体チップを形成する工程と、第１の半
導体チップと第２の半導体チップとの間に保護樹脂を充
填し硬化させる工程とを備えた半導体装置の製造方法と
したことである。

【００２３】このように構成される本発明の第５の特徴
に係る半導体装置の製造方法においては、既に構造が決
定された第１の半導体チップと第２の半導体チップとの
間に保護樹脂を充填するので、保護樹脂の硬化による反
りを第１の半導体チップ、第２の半導体チップのそれぞ
れで相殺することができ、第１の半導体チップ、第２の
半導体チップのそれぞれに発生する反りを減少させるこ
とができる。

【００２４】本発明の第６の特徴は、第１の半導体チッ
プの第１の素子形成面上に保護樹脂を形成する工程と、
第１の素子形成面上に保護樹脂を介在させ第２の素子形
成面を向かい合わせて第２の半導体チップを形成する工
程と、保護樹脂を硬化させる工程とを備えた半導体装置
の製造方法としたことである。

【００２５】このように構成される本発明の第６の特徴
に係る半導体装置の製造方法においては、第１の半導体
チップの第１の素子形成面上に先に保護樹脂を形成する
ので、保護樹脂の粘度が高く伸縮の小さい保護樹脂を使
用することができ、第１の半導体チップ、第２の半導体
チップのそれぞれに発生する反りを減少させることがで
きる。

【００２６】本発明の第７の特徴は、半導体ウェハの表
面に複数の半導体チップパターンを形成する工程と、半
導体チップパターン間において半導体ウェハの表面から
深さ方向の一部をダイシングする工程と、半導体ウェハ
の裏面をダイシングされた部分に達するまで研削し、複
数に分割された半導体チップを形成する工程と、複数の
半導体チップの素子形成面を保護樹脂を介在させて互い
に向かい合わせる工程とを備えた半導体装置の製造方法
としたことである。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。

【００２８】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置の
断面図（図２に示すＦ１−Ｆ１切断線で切った断面
図）、図２は本発明の第１の実施の形態に係るテープキ
ャリア方式の半導体装置の平面図である。図１及び図２
に示すように、本発明の第１の実施の形態に係るテープ
キャリア方式の半導体装置１は、第１の素子形成面２１
を有する第１の半導体チップ２と、第１の素子形成面２
１に第２の素子形成面３１を向かい合わせた第２の半導
体チップ３と、第１の半導体チップ２の第１の素子形成
面２１と第２の半導体チップ３の第２の素子形成面３１
との間の保護樹脂６とを備えて構成されている。

【００２９】本発明の第１の実施の形態において、第１
の半導体チップ２、第２の半導体チップ３のそれぞれは
シリコン単結晶チップで形成されており、同一平面形状
で形成されている。第１の半導体チップ２、第２の半導
体チップ３のそれぞれは、超薄型化されており、例えば
いずれも５０μｍの厚さで形成されている。

【００３０】第１の半導体チップ２の図１中上側の表面
には第１の素子形成面２１が配設されており、この第１
の素子形成面２１にはトランジスタ、抵抗素子、容量素
子等の素子を組み合わせて適宜配線（例えばアルミニウ
ム合金配線）で結線したメモリ、ロジック等の集積回路
が配設されている。さらに、第１の素子形成面２１の周
囲には、集積回路に接続され、かつ外部機器に接続する
ための複数のボンディングパッド２２、２３が配列され
ている。ボンディングパッド２２、２３は、通常、集積
回路の配線と同一層で形成され、例えばアルミニウム合
金膜で形成されている。

【００３１】ボンディングパッド２２にはリード４１の
インナーリード部がバンプ電極５１を介在させて電気的
かつ機械的に接続されている。同様に、ボンディングパ
ッド２３にはリード４２のインナーリード部がバンプ電
極５２を介在させて電気的かつ機械的に接続されてい
る。リード４１、４２のそれぞれには例えば銅、インバ
ー、コバール等を実用的に使用することができ、リード
４１、４２のそれぞれは例えば１５μｍ〜２０μｍの厚
さで形成されている。リード４１は図２中左側の一辺に
沿って複数本配設され、リード４２は同図中右側の他の
一辺に沿って複数本配列されており、デュアルインライ
ン型のようなリード配列が採用されている。

【００３２】バンプ電極５１、５２のそれぞれには金
（Au）バンプ電極、半田（Pb-Sn）バンプ電極等のスタ
ッドバンプ電極を実用的に使用することができる。バン
プ電極５１、５２のそれぞれは例えば３０μｍ〜５０μ
ｍの高さで形成されている。

【００３３】一方、第２の半導体チップ３の図１中下側
の表面に第２の素子形成面３１が配設されており、この
第２の素子形成面３１には第１の素子形成面２１と同様
に集積回路が配設されている。さらに、第２の素子形成
面３１の周囲には、集積回路に接続され、かつ外部機器
に接続するための複数のボンディングパッド３２、３３
が配列されている。ボンディングパッド３２、３３のそ
れぞれは、ボンディングパッド２２、２３のそれぞれと
同様に集積回路の配線と同一層で形成されている。

【００３４】本発明の第１の実施の形態において、第１
の素子形成面２１に配設された集積回路、第２の素子形
成面３１に配設された集積回路のそれぞれは、素子パタ
ーン、回路パターン等を含み、互いにミラー反転となる
ように形成されている。これは、ボンディングパッド２
２、２３のそれぞれとボンディングパッド３２、３３の
それぞれとの間においても同様である。すなわち、同一
の信号又は同一の電源を取り扱うボンディングパッド２
２、３２のそれぞれが互いに向かい合うように、同様に
ボンディングパッド２３、３３のそれぞれが互いに向か
い合うようになっている。

【００３５】ボンディングパッド３２には、ボンディン
グパッド２２が接続されたリード４１のインナーリード
部がバンプ電極５３を介在させて電気的かつ機械的に接
続されている。同様に、ボンディングパッド３３には、
ボンディングパッド２３が接続されたリード４２のイン
ナーリード部がバンプ電極５４を介在させて電気的かつ
機械的に接続されている。リード４１は第１の半導体チ
ップ２、第２の半導体チップ３のそれぞれで共用され、
同様にリード４２は第１の半導体チップ２、第２の半導
体チップ３のそれぞれで共用されている。

【００３６】バンプ電極５３、５４は、いずれもバンプ
電極５１、５２のそれぞれと同様の材料とほぼ同様の高
さで形成されている。

【００３７】保護樹脂６は、少なくとも第１の半導体チ
ップ２の素子形成面２１、第２の半導体チップ３の素子
形成面３１のそれぞれを覆うように形成されていればよ
いが、本発明の第１の実施の形態においては第１の半導
体チップ２と第２の半導体チップ３とが向かい合うほぼ
全域に形成されている。基本的に、保護樹脂６は、集積
回路への汚染物質の侵入、集積回路やボンディングパッ
ド２２、２３、３２、３３のそれぞれへの水分の浸入を
防止し、さらに外部からの衝撃を吸収するようになって
いる。

【００３８】保護樹脂６には、第１の半導体チップ２と
第２の半導体チップ３との間に充填し易く、かつ充填の
際には双方の間から流出しないような材料を使用するこ
とが好ましい。このような特性は熱硬化性樹脂を組成物
質として含む樹脂で得ることができ、具体的には５０℃
〜２００℃に加熱した際に１〜１００００Ｐａ・ｓの範
囲内の粘度を持つ樹脂が好ましく、さらに５０℃〜２０
０℃に加熱した際に３０〜３００Ｐａ・ｓの範囲内の粘
度を持つ樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂
としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド
樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン
樹脂、アクリル樹脂等が実用的であり、これらの単独の
樹脂又は少なくとも２種類以上を組み合わせた樹脂を使
用することができる。また、単独の樹脂や複数種類を組
み合わせた樹脂においては、硬化剤、硬化促進剤、難燃
剤、着色剤、充填剤等の各種の添加物を含有させること
ができる。

【００３９】例えば、エポキシ樹脂を熱硬化性樹脂とし
て使用する場合、エポキシ樹脂は１分子中に２個以上の
エポキシ基を備えていればよく、例えばビフェニル型エ
ポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルア
ミン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェノール
又はアルキルフェノール類とヒドロキシベンズルアルデ
ヒド類との縮合物をエポキシ化して得られるトリス（ヒ
ドロキシフェニル）アルカンベースのエポキシ樹脂、テ
トラ（ヒドロキシフェニル）アルカンベースのエポキシ
樹脂、2,2',4,4'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、バ
ラアミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリア
リルグリシジルエーテル、1,3,5-トリグリシジルエーテ
ル化ベンゼン、2,2',4,4'-テトラグリシドキシベンゼン
等を実用的に使用することができる。

【００４０】保護樹脂６は、第１の半導体チップ２と第
２の半導体チップ３との間の間隔に相当する膜厚、例え
ば７５μｍ〜１２０μｍの膜厚で形成されている。すな
わち、本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリア
方式の半導体装置１は、第１の半導体チップ２、第２の
半導体チップ３のそれぞれの厚さ方向つまり実装高さ方
向の寸法を約１７５μｍ〜２２０μｍとする超薄型で形
成されている。

【００４１】図３は本発明の第１の実施の形態に係る実
装装置の断面図である。同図３に示すように、上記テー
プキャリア方式の半導体装置１は基板７０上に実装さ
れ、実装装置７を構築するようになっている。基板７０
は例えば薄型フレキシブル配線基板であり、基板７０上
の端子７１に半導体装置１のリード４１のアウターリー
ド部が電気的かつ機械的に接続され、端子７２にリード
４２のアウターリード部が電気的かつ機械的に接続され
ている。端子７１とリード４１との間、端子７２とリー
ド４２との間はそれぞれ導電性接合材８、例えば半田に
より接続されている。この実装装置７は例えばカード型
デバイスである。

【００４２】図４は本発明の第１の実施の形態に係る半
導体チップの厚さｔ（μｍ）と半導体チップの反り量ｄ
（μｍ）との関係を示す図である。測定試料には、一辺
が１０ｍｍの平面正方形の半導体チップ（シリコン単結
晶チップ）２００が使用され、半導体チップ２００上に
は厚さ１００μｍの保護樹脂６００、詳細にはエポキシ
樹脂が形成されている。同図４に破線で示すように、約
６００μｍから約２００μｍまで徐々に厚さｔを薄くし
ても、半導体チップ２００の機械的強度が支配的で、保
護樹脂６００の収縮応力（引張応力）の影響をあまり受
けることなく、半導体チップ２００の反り量ｄは数十μ
ｍの範囲内に止まる。しかしながら、２００μｍよりも
さらに厚さｔを薄くして行くと、半導体チップ２００の
機械的強度よりも保護樹脂６００の収縮応力の影響が支
配的になり、半導体チップ２００の反り量ｄは急激に増
加する。半導体チップ２００上に単に保護樹脂６００を
形成した構造においては、半導体チップ２００の厚さｔ
が５０μｍの場合、反り量ｄは６５０μｍ〜７００μｍ
に達し、約７００μｍを越えた段階で半導体チップ２０
０に割れが発生してしまう。

【００４３】これに対して、本発明の第１の実施の形態
に係るテープキャリア方式の半導体装置１においては、
丁度、保護樹脂６を上下から第１の半導体チップ２、第
２の半導体チップ３のそれぞれで挟み込むような構造を
備えていることから、保護樹脂６の収縮応力による第１
の半導体チップ２の反りと第２の半導体チップ３の反り
とが互いに反対方向で作用し、双方の反りが相殺されて
しまうので、図４中、実線で示すように、第１の半導体
チップ２、第２の半導体チップ３のそれぞれの反り量は
数十μｍの範囲内に止めることができる。

【００４４】このように構成される本発明の第１の実施
の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置１におい
ては、保護樹脂６を第１の半導体チップ２と第２の半導
体チップ３とで挟み込むようにしたので、保護樹脂６に
よる第１の半導体チップ２の反りと第２の半導体チップ
３の反りとを相殺させることができる。すなわち、第１
の半導体チップ２、第２の半導体チップ３のそれぞれの
保護樹脂６による反りを減少させることができる。従っ
て、第１の半導体チップ２の第１の素子形成面２１上の
配線の反りによる断線不良、第２の半導体チップ３の第
２の素子形成面３１上の配線の反りによる断線不良をい
ずれも防止することができる。

【００４５】さらに、第１の半導体チップ２、第２の半
導体チップ３のそれぞれの反りを減少させることができ
るので、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ３
のそれぞれの厚さを薄くすることができ、この厚さ方向
においてテープキャリア方式の半導体装置１の小型化を
実現することができる。

【００４６】さらに、第１の半導体チップ２の第１の素
子形成面２１、第２の半導体チップ３の第２の素子形成
面３１のそれぞれを覆う保護樹脂６を共用することがで
きるので、保護樹脂６の厚さを薄くすることができ、こ
の厚さ方向においてテープキャリア方式の半導体装置１
の小型化を実現することができる。

【００４７】さらに、第１の半導体チップ２、第２の半
導体チップ３のそれぞれの反りを減少させて厚さを薄く
することができ、第１の半導体チップ２、第２の半導体
チップ３のそれぞれを厚さ方向に重ね合わせたので、単
位面積当たりに実装可能な半導体チップ数を増加するこ
とができ、テープキャリア方式の半導体装置１の実装密
度を向上することができる。また、実装密度を向上する
ことができる実装装置７を実現することができる。

【００４８】さらに、第１の半導体チップ２、第２の半
導体チップ３のそれぞれでリード４１又は４２を共用す
ることができるので、厚さ方向に配設されるリード本数
を削減することができ、この厚さ方向においてテープキ
ャリア方式の半導体装置１の小型化を実現することがで
きる。

【００４９】次に、本発明の第１の実施の形態に係るテ
ープキャリア方式の半導体装置１の製造方法を説明す
る。

【００５０】第１の製造方法 図５乃至図１１、図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）のそれ
ぞれは本発明の第１の実施の形態に係る第１の製造方法
を説明するためのテープキャリア方式の半導体装置の工
程断面図である。

【００５１】（１）まず、半導体ウェハ２１０を準備
し、半導体製造プロセスを使用して半導体ウェハ２１０
の表面に複数の半導体チップパターン２１１を形成する
（図５参照。）。半導体ウェハ２１０には例えば６００
μｍ〜６５０μｍの厚さのシリコン単結晶ウェハを使用
することができる。半導体チップパターン２１１はいず
れも前述の第１の半導体チップ２を形成するためのもの
であり、それぞれの半導体チップパターン２１１には集
積回路が配設された素子形成面２１並びに図示しないが
ボンディングパッド２２、２３が形成された状態にある
（図１参照。）。そして、半導体チップパターン２１１
を上側に向けた状態で半導体ウェハ２１０をチャックテ
ーブル９０に装着する。

【００５２】なお、説明は省略するが、第１の半導体チ
ップ２の集積回路等とミラー反転で形成される集積回路
を有する第２の半導体チップ３を形成するための半導体
ウェハの製造は、半導体ウェハ２１０と同様に半導体製
造プロセスで行われ、半導体ウェハ２１０とは別に行わ
れる。また、１つの半導体ウェハ２１０の表面上に半導
体チップ２、３のそれぞれを形成するための半導体チッ
プパターンを同時に作成してもよい。

【００５３】（２）図６に示すように、ダイシングブレ
ード９１を使用し、半導体ウェハ２１０の半導体チップ
パターン２１１間のダイシングエリア（スクライブエリ
ア）において、半導体ウェハ２１０の表面から深さ方向
（厚さ方向）の一部をダイシングし、分割のための分割
溝２１２を形成する。分割溝２１２は、最終的に製造さ
れる第１の半導体チップ２（又は第２の半導体チップ
３）の厚さよりも深いことが好ましく、例えば約５５μ
ｍ〜１００μｍの深さで形成されている。

【００５４】（３）図７に示すように、半導体ウェハ２
１０の表面上に表面保護テープ９３をローラ９４を使用
して均等に張り付ける。この表面保護テープ９３は、半
導体ウェハ２１０の裏面研削の際に表面の集積回路、配
線等にダメージを与えないために形成されている。

【００５５】（４）図８に示すように、表面保護テープ
９３が張り付けられた半導体ウェハ２１０の表面を下側
に向けた状態で、この半導体ウェハ２１０を回転チャッ
クテーブル９５上に装着し、さらに半導体ウェハ２１０
の裏面側に研削ツール９６をセットする。この研削ツー
ル９６には研削砥石９６Ａが取り付けられている。

【００５６】（５）図９に示すように、インフィード研
削（又はスルーフィード研削或いはクリープフィード研
削）法により、回転チャックテーブル９５を回転により
半導体ウェハ２１０を回転させた状態で、研削砥石９６
Ａを回転させながら、この研削砥石９６Ａにより半導体
ウェハ２１０の裏面の研削を行う。研削は予め形成して
ある分割溝２１２に達する約５５０μｍ〜６００μｍ程
行われる。この研削により、半導体ウェハ２１０の厚さ
が５０μｍになるとともに、予め形成してある分割溝２
１２により半導体チップパターン２１１は個々に分割さ
れ、複数個の第１の半導体チップ２を製作することがで
きる。この複数個の半導体チップ２は表面保護テープ９
３により相互に連結された状態にある。

【００５７】（６）図１０に示すように、研削が終了し
た複数個の半導体チップ２は、フラットリング９７に張
られた接着性を有する転写フィルム９８上に転写され
る。複数個の第１の半導体チップ２の研削された裏面が
転写フィルム９８に接着されるようになっている。この
複数個の半導体チップ２が転写フィルム９８に転写され
た後、表面保護テープ９３は剥がされ取り除かれる。

【００５８】（７）図１１に示すように、フラットリン
グ９７の転写フィルム９８に転写された複数個の第１の
半導体チップ２は、裏面側（同図１１中、下側）からピ
ックアップ部材９９により表面側に押し出され、ハンド
リングができる状態に保持される。

【００５９】（８）複数個の第１の半導体チップ２のう
ち、１つの第１の半導体チップ２を取り出し、図１２
（Ａ）に示すように、インナーリードボンディング（Ｉ
ＬＢ）により第１の半導体チップ２のボンディングパッ
ド２２にバンプ電極５１を介在させてリード４１を接続
するとともに、ボンディングパッド２３にバンプ電極５
２を介在させてリード４２を接続する。この接続には熱
圧着ボンディングが使用される。

【００６０】（９）図１２（Ｂ）に示すように、第１の
半導体チップ２の素子形成面２１、ボンディングパッド
２２、２３のそれぞれに、別途製作された第２の半導体
チップ３の素子形成面３１、ボンディングパッド３２、
３３のそれぞれを向かい合わせ、フリップチップボンデ
ィング（ＦＣＢ）によりリード４１上にバンプ電極５３
を介在させてボンディングパッド３２を接続するととも
に、リード４２上にバンプ電極５４を介在させてボンデ
ィングパッド３３を接続する。同様にこの接続には熱圧
着ボンディングが使用される。

【００６１】（１０）図１２（Ｃ）に示すように、少な
くとも素子形成面２１、３１のそれぞれが被覆されるよ
うに、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３と
の間に側面周囲から保護樹脂６が充填される。保護樹脂
６は、流動性を有する状態においてノズル６０で供給さ
れ、充填が完了した後に硬化される。保護樹脂６は、第
１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の約
１００μｍ前後の微少な隙間に充填されるので、比較的
粘度の低い熱硬化性樹脂を含む組成の樹脂を使用する。

【００６２】（１１）そして、リード４１、４２のそれ
ぞれを所定のガルウィング形状に成型することにより、
前述の図１に示すテープキャリア方式の半導体装置１を
完成させることができる。

【００６３】このような本発明の第１の実施の形態に係
る半導体装置１の第１の製造方法においては、第１の半
導体チップ２と第２の半導体チップ３とを向かい合わせ
た後に（リード４１、４２のそれぞれの接続が完了した
後に）、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３
との間に保護樹脂６を充填するようにしたので、保護樹
脂６の硬化による反りを第１の半導体チップ２、第２の
半導体チップ３のそれぞれで相殺することができ、第１
の半導体チップ２、第２の半導体チップ３のそれぞれに
発生する反りを減少させることができる。

【００６４】第２の製造方法 第２の製造方法は、前述の第１の製造方法のフリップチ
ップボンディング工程と保護樹脂の形成工程との手順を
入れ代えた製造方法である。この第２の製造方法は前述
の図５に示す工程から図１１に示す工程までは基本的に
同一であるので、この部分の説明は省略する。図１３
（Ａ）乃至図１３（Ｃ）のそれぞれは本発明の第１の実
施の形態に係る第２の製造方法を説明するためのテープ
キャリア方式の半導体装置の工程断面図である。

【００６５】（１）前述の第１の製造方法の図１２
（Ａ）に示す工程と同様に、フラットリング９７の転写
フィルム９８に張り付けられた複数個の第１の半導体チ
ップ２のうち、１つの第１の半導体チップ２を取り出
し、図１３（Ａ）に示すように、インナーリードボンデ
ィングにより第１の半導体チップ２のボンディングパッ
ド２２にバンプ電極５１を介在させてリード４１を接続
するとともに、ボンディングパッド２３にバンプ電極５
２を介在させてリード４２を接続する。この接続には熱
圧着ボンディングが使用される。

【００６６】（２）図１３（Ｂ）に示すように、第１の
半導体チップ２の素子形成面２１上、ボンディングパッ
ド２２上、２３上のそれぞれに保護樹脂６を形成する。
保護樹脂６には前述のように熱硬化性樹脂を含む組成の
樹脂が使用され、この時点において保護樹脂６は硬化さ
れていない。保護樹脂６は、ポッティング法で塗布され
たもの、樹脂シートを張り付けたもののいずれであって
もよい。ポッティング法で塗布された保護樹脂６におい
ては、粘度を比較的高くすることができ、保護樹脂６の
第１の半導体チップ２の表面からの流出を防止すること
ができる。保護樹脂６は例えば７５μｍ〜１２０μｍの
厚さで形成される。

【００６７】（３）図１３（Ｃ）に示すように、第１の
半導体チップ２の素子形成面２１、ボンディングパッド
２２、２３のそれぞれに、保護樹脂６を介在させ、別途
製作された第２の半導体チップ３の素子形成面３１、ボ
ンディングパッド３２、３３のそれぞれを向かい合わ
せ、フリップチップボンディングによりリード４１上に
バンプ電極５３を介在させてボンディングパッド３２を
接続するとともに、リード４２上にバンプ電極５４を介
在させてボンディングパッド３３を接続する。同様にこ
の接続には熱圧着ボンディングが使用される。

【００６８】（４）この後に保護樹脂６は熱硬化され、
リード４１、４２のそれぞれを所定のガルウィング形状
に成型することにより、前述の図１に示すテープキャリ
ア方式の半導体装置１を完成させることができる。

【００６９】このように本発明の第１の実施の形態に係
る半導体装置１の第２の製造方法においては、第１の半
導体チップ２の第１の素子形成面２１上等に先に保護樹
脂６を形成した後に、保護樹脂６を介在させ、第２の素
子形成面３１を向かい合わせて第２の半導体チップ３を
形成するようにしたので、保護樹脂６に様々な形態のも
の例えば塗布膜やシートを使用することができ、少なく
とも伸縮の少ない保護樹脂６を使用することができる。
従って、第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３
とで保護樹脂６を挟み込むようにしているので、前述の
ように第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ３の
それぞれの反りを相殺することができ、例えば保護樹脂
６にさらに伸縮の小さいものを使用することにより反り
をより一層減少させることができる。

【００７０】第１の応用例 図１４は本発明の第１の実施の形態の第１の応用例に係
る実装装置の断面図である。同図１４に示すように、実
装装置７は、複数個（第１の応用例においては２個）の
テープキャリア方式の半導体装置１を基板７０上に高さ
方向に積み上げて実装されている。１つの半導体装置１
は前述の通り例えば１７５μｍ〜２２０μｍで形成され
ているので、２つの半導体装置１の合計の厚さは３５０
μｍ〜４４０μｍの範囲内に納めることができ、合計４
つの半導体チップが含まれている。

【００７１】このように構成される本発明の第１の実施
の形態の第１の応用例に係る実装装置７においては、単
位面積当たりに配設できる半導体チップ数を増加させる
ことができるので、実装密度を向上することができる。

【００７２】第２の応用例 図１５は本発明の第１の実施の形態の第２の応用例に係
るテープキャリア方式の半導体装置の断面図である。同
図１５に示すテープキャリア方式の半導体装置１は、第
１の半導体チップ２の少なくとも幅寸法に対して第２の
半導体チップ３の幅寸法が小さく設定されている。基本
的には図１に示す半導体装置１と同様に、第１の半導体
チップ２の表面と第２の半導体チップ３の表面との間に
保護樹脂６が形成されている。

【００７３】このように構成される本発明の第１の実施
の形態の第２応用例に係るテープキャリア方式の半導体
装置１においては、若干、保護樹脂６による反りが発生
するものの、第１の半導体チップ２の反りと第２の半導
体チップ３の反りとを相殺することができるので、装置
全体の反りも減少させることができる。

【００７４】（第２の実施の形態）第２の実施の形態
は、シングルインライン型のリード配列を有するテープ
キャリア方式の半導体装置に本発明を適用した例を説明
するものである。図１６（Ａ）は本発明の第２の実施の
形態に係るテープキャリア方式の半導体装置の断面図
（図１６（Ｂ）に示すＦ１６Ａ−Ｆ１６Ａ切断線で切っ
た断面図）、図１６（Ｂ）は本発明の第２の実施の形態
に係るテープキャリア方式の半導体装置の平面図であ
る。

【００７５】図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）に示すよう
に、本発明の第２の実施の形態に係るテープキャリア方
式の半導体装置１は、本発明の第１の実施の形態に係る
テープキャリア方式の半導体装置１と同様に、第１の素
子形成面２１を有する第１の半導体チップ２と、第１の
素子形成面２１に第２の素子形成面３１を向かい合わせ
た第２の半導体チップ３と、第１の半導体チップ２の第
１の素子形成面２１と第２の半導体チップ３の第２の素
子形成面３１との間の保護樹脂６とを備えて構成されて
いる。

【００７６】第１の半導体チップ２の図中左側に配設さ
れたボンディングパッド２２にはリード４１のインナー
リード部がバンプ電極５１を介在させて接続されてお
り、このインナーリード部には第２の半導体チップ３の
図中左側に配設されたボンディングパッド３２がバンプ
電極５３を介在させて接続されている。リード４１のア
ウターリード部は図中左側に引き出されガルウィング形
状に成型されている。

【００７７】一方、第１の半導体チップ２の図中右側に
配設されたボンディングパッド２３にはリード４２のイ
ンナーリード部がバンプ電極５２を介在させて接続され
ており、このインナーリード部には第２の半導体チップ
３の図中右側に配設されたボンディングパッド３３がバ
ンプ電極５４を介在させて接続されている。リード４２
のアウターリード部は、図中右側から左側に向かって第
１の半導体チップ２の素子形成面２１、第２の半導体チ
ップ３の素子形成面３１のそれぞれを横切るようにリー
ド４１のアウターリード部と同一方向に引き出されガル
ウィング形状に成型されている。リード４１のアウター
リード部、リード４２のアウターリード部のそれぞれは
交互に配列されている。すなわち、本発明の第２の実施
の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置１はシン
グルインライン型のようなリード配列を採用している。
その他の構成は本発明の第１の実施の形態に係るテープ
キャリア方式の半導体装置１と同様である。

【００７８】このように構成される本発明の第２の実施
の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置１におい
ては、本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリア
方式の半導体装置１で得られる効果と同様の効果を得る
ことができる。さらに、リード配列をシングルインライ
ン型とし、リード４２のインナーリード部を第１の半導
体チップ２と第２の半導体チップ３との間に引き伸ばし
たので、このインナーリード部が補強材となり、第１の
半導体チップ２の反り、第２の半導体チップ３の反りの
それぞれを減少させることができる。

【００７９】応用例 図１７は本発明の第２の実施の形態の応用例に係る実装
装置の断面図である。同図１７に示すように、実装装置
７は、複数個（本応用例においては２個）のテープキャ
リア方式の半導体装置１を基板７０上に高さ方向に積み
上げて実装されている。本発明の第１の実施の形態の第
１の応用例に係る実装装置７と同様に、１つの半導体装
置１は例えば１７５μｍ〜２２０μｍで形成されている
ので、２つの半導体装置１の合計の厚さは３５０μｍ〜
４４０μｍの範囲内に納めることができ、合計４つの半
導体チップが含まれている。

【００８０】このように構成される本発明の第２の実施
の形態の応用例に係る実装装置７においては、単位面積
当たりに配設できる半導体チップ数を増加させることが
できるので、実装密度を向上することができる。

【００８１】（第３の実施の形態）第３の実施の形態
は、本発明の第２の実施の形態に係るテープキャリア方
式の半導体装置１において、一部のバンプ電極をダミー
バンプ電極として機能させるようにした例を説明するも
のである。図１８（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に
係るテープキャリア方式の半導体装置の断面図（図１８
（Ｂ）に示すＦ１８Ａ−Ｆ１８Ａ切断線で切った断面
図）、図１８（Ｂ）は本発明の第３の実施の形態に係る
テープキャリア方式の半導体装置の平面図である。

【００８２】図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示すよう
に、本発明の第３の実施の形態に係るテープキャリア方
式の半導体装置１は、本発明の第１の実施の形態に係る
テープキャリア方式の半導体装置１と同様に、第１の素
子形成面２１を有する第１の半導体チップ２と、第１の
素子形成面２１に第２の素子形成面３１を向かい合わせ
た第２の半導体チップ３と、第１の半導体チップ２の第
１の素子形成面２１と第２の半導体チップ３の第２の素
子形成面３１との間の保護樹脂６とを備えて構成されて
いる。

【００８３】第１の半導体チップ２の図中左側に配設さ
れたボンディングパッド２２にはリード４１のインナー
リード部がバンプ電極５１を介在させて接続されてお
り、このインナーリード部には第２の半導体チップ３の
図中左側に配設されたボンディングパッド３２がバンプ
電極５３を介在させて接続されている。リード４１のア
ウターリード部は図中左側に引き出されガルウィング形
状に成型されている。本発明の第３の実施の形態に係る
テープキャリア方式の半導体装置１においては、本発明
の第２の実施の形態に係るテープキャリア方式の半導体
装置１と同様に、図中左側に集中させてリード４１を配
列させたシングルインライン型のようなリード配列を採
用している。

【００８４】一方、第１の半導体チップ２の図中右側に
配設されたボンディングパッド２３には、リードが接続
されていないが、ダミーバンプ電極５２Ｄが配設され、
同様にこのダミーバンプ電極５２Ｄには第２の半導体チ
ップ３の図中右側に配設されたボンディングパッド３３
がダミーバンプ電極５４Ｄを介在させて接続されてい
る。ダミーバンプ電極５２Ｄ及びダミーバンプ電極５４
Ｄは、バンプ電極５１、リード４１及びバンプ電極５３
が配設された部分と配設されない部分とで第１の半導体
チップ２と第２の半導体チップ３との間の間隔が一定に
保てるように、高さを調節する機能を備えている。勿
論、第１の半導体チップ２のボンディングパッド２３と
第２の半導体チップ３のボンディングパッド３３とが同
一の信号や電源を取り扱う場合には、ダミーバンプ電極
５２Ｄ及びダミーバンプ電極５４Ｄはボンディングパッ
ド２３、３３のそれぞれの間を電気的に接続する配線と
しても機能する。

【００８５】ダミーバンプ電極５２Ｄはバンプ電極５１
と同一工程により形成することができ、ダミーバンプ電
極５４Ｄはバンプ電極５３と同一工程により形成するこ
とができる。その他の構成は本発明の第１の実施の形態
に係るテープキャリア方式の半導体装置１と同様であ
る。

【００８６】このように構成される本発明の第３の実施
の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置１におい
ては、本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリア
方式の半導体装置１で得られる効果と同様の効果を得る
ことができる。さらに、第１の半導体チップ２のボンデ
ィングパッド２２と第２の半導体チップ３のボンディン
グパッド３２との間のバンプ電極５１及び５３に対して
別途ダミーバンプ電極５２Ｄ及び５４Ｄを備えたので、
第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３との間の
間隔を均等に保つことができる。従って、バンプ電極５
１及び５３、ダミーバンプ電極５２Ｄ及び５４Ｄのそれ
ぞれに均等なボンディング加重を加えた状態でボンディ
ングすることができるので、ボンディング不良を防止
し、テープキャリア方式の半導体装置１の電気的信頼性
を向上することができる。

【００８７】（第４の実施の形態）第４の実施の形態
は、本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリア方
式の半導体装置１において、異なる形状の半導体チップ
を向かい合わせた例を説明するものである。図１９は本
発明の第４の実施の形態に係るテープキャリア方式の半
導体装置の断面図である。図１９に示すように、テープ
キャリア方式の半導体装置１は、素子形成面２１１及び
２１２を有する第１の半導体チップ２と、一部の素子形
成面２１１に素子形成面３１１を向かい合わせた第２の
半導体チップ３Ａと、他の一部の素子形成面２１２に素
子形成面３１２を向かい合わせた第３の半導体チップ３
Ｂと、第１の半導体チップ２の素子形成面２１１及び２
１２と第２の半導体チップ３Ａの素子形成面３１１、第
３の半導体チップ３Ｂの素子形成面３１２のそれぞれと
の間の保護樹脂６とを備えて構成されている。

【００８８】第１の半導体チップ２のボンディングパッ
ド２２１はバンプ電極５１１を介在させ、ボンディング
パッド２２２はバンプ電極５１２を介在させてリード４
１のインナーリード部に接続され、このインナーリード
部には第２の半導体チップ３Ａのボンディングパッド３
２１がバンプ電極５３１を介在させ、ボンディングパッ
ド３２２がバンプ電極５３２を介在させて接続されてい
る。さらに、第１の半導体チップ２のボンディングパッ
ド２３１はバンプ電極５２１を介在させ、ボンディング
パッド２３２はバンプ電極５２２を介在させてリード４
２のインナーリード部に接続され、このインナーリード
部には第３の半導体チップ３Ｂのボンディングパッド３
３１がバンプ電極５４１を介在させ、ボンディングパッ
ド３３２がバンプ電極５４２を介在させて接続されてい
る。

【００８９】第１の半導体チップ２の全体の平面形状
と、第２の半導体チップ３Ａに第３の半導体チップ３Ｂ
を加えた平面形状とがほぼ等しいことが好ましい。つま
り、表現を代えれば、第１の半導体チップ２の全体の平
面サイズと、第２の半導体チップ３Ａに第３の半導体チ
ップ３Ｂを加えた合計の平面サイズとがほぼ等しいこと
が好ましい。

【００９０】第２の半導体チップ３Ａと第３の半導体チ
ップ３Ｂとの間には若干のスペースが確保されており、
このスペースは保護樹脂６のガス抜きスペース６Ｇとし
て機能させることができる。すなわち、ガス抜きスペー
ス６Ｇは第１の半導体チップ２と第２の半導体チップ３
Ａ及び第３の半導体チップ３Ｂとの間に保護樹脂６を充
填した際に空気等を外部に放出させることができるよう
になっている。

【００９１】このように構成される本発明の第４の実施
の形態に係るテープキャリア方式の半導体装置１におい
ては、第１の半導体チップ２と、それと異なる形状の第
２の半導体チップ３Ａ及び第３の半導体チップ３Ｂを備
えても本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリア
方式の半導体装置１と同様の効果を得ることができる。
さらに、第２の半導体チップ３Ａと第３の半導体チップ
３Ｂとの間にガス抜きスペース６Ｇを生成することがで
きるので、第１の半導体チップ２の中央部分において保
護樹脂６のガス、特に充填時に混入される空気を抜き取
ることができ、保護樹脂６においてボイドの発生を防止
することができる。保護樹脂６に発生するボイドは外部
からの汚染物質の侵入経路、外部からの水分の浸入経路
を形成する可能性があるが、ボイドの発生を防止するこ
とができるので、上記不具合を解決することができ、テ
ープキャリア方式の半導体装置１の信頼性を向上するこ
とができる。

【００９２】応用例 図２０は本発明の第４の実施の形態の応用例に係るテー
プキャリア方式の半導体装置の断面図である。同図２０
に示すように、テープキャリア方式の半導体装置１は、
第１の半導体チップ２のボンディングパッド２２２と第
２の半導体チップ３Ａのボンディングパッド３２２との
間にダミーバンプ電極５１２Ｄ及び５３２Ｄを配設し、
第１の半導体チップ２のボンディングパッド２３２と第
３の半導体チップ３Ｂのボンディングパッド３３２との
間にダミーバンプ電極５２２Ｄ及び５４２Ｄを配設して
いる。これらのダミーバンプ電極５１２Ｄ、５３２Ｄ、
５２２Ｄ及び５４２Ｄは、本発明の第３の実施の形態に
係るテープキャリア方式の半導体装置１で説明したダミ
ーバンプ電極５２Ｄ及び５４Ｄと同様に、間隔を調節す
る機能を備えている。

【００９３】このように構成される本発明の第４の実施
の形態の応用例に係るテープキャリア方式の半導体装置
１においては、本発明の第４の実施の形態に係るテープ
キャリア方式の半導体装置１と本発明の第３の実施の形
態の応用例に係るテープキャリア方式の半導体装置１と
を組み合わせた効果を得ることができる。

【００９４】本発明は上記複数の実施の形態によって記
載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発
明を限定するものであると理解すべきではない。この開
示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運
用技術が明らかとなろう。

【００９５】例えば、上記実施の形態に係るテープキャ
リア方式の半導体装置１は半導体チップの１辺又は対向
する２辺にリードを配設しているが、本発明は４辺のす
べてにリードを配列してもよい。さらに、本発明は、３
個以上のテープキャリア方式の半導体装置１を積み上げ
て実装装置７を構築してもよい。

【００９６】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。従っ
て、本発明の技術的範囲は上記の妥当な特許請求の範囲
に係る発明特定事項によってのみ定められるものであ
る。

【００９７】

【発明の効果】本発明は、半導体チップと保護樹脂との
間の線膨張係数差による半導体チップの反りを防止する
ことができる半導体装置を提供することができる。

【００９８】さらに、本発明は、半導体チップの反りを
防止することにより、半導体チップの素子形成面の配線
の断線不良等を防止して、電気的信頼性を向上すること
ができる半導体装置を提供することができる。

【００９９】さらに、本発明は、半導体チップの反りを
防止することにより、半導体チップの厚さを薄くするこ
とができ、装置の小型化を実現することができる半導体
装置を提供することができる。

【０１００】さらに、本発明は、半導体チップの反りを
防止しつつ、実装密度を向上することが可能な半導体装
置を提供することができる。

【０１０１】さらに、本発明は、半導体チップの反りを
防止することにより、実装不良を防止することができる
半導体装置を提供することができる。

【０１０２】さらに、本発明は、上記効果を得ることが
できる半導体装置の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリ
ア方式の半導体装置の断面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るテープキャリ
ア方式の半導体装置の平面図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る実装装置の断
面図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体チップ
の厚さと半導体チップの反り量との関係を示す図であ
る。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る第１の製造方
法を説明するためのテープキャリア方式の半導体装置の
工程断面図である。

【図６】図５に続く半導体装置の工程断面図である。

【図７】図６に続く半導体装置の工程断面図である。

【図８】図７に続く半導体装置の工程断面図である。

【図９】図８に続く半導体装置の工程断面図である。

【図１０】図９に続く半導体装置の工程断面図である。

【図１１】図１０に続く半導体装置の工程断面図であ
る。

【図１２】（Ａ）は図１１に続く半導体装置の工程断面
図、（Ｂ）は（Ａ）に続く半導体装置の工程断面図、
（Ｃ）は（Ｂ）に続く工程断面図である。

【図１３】（Ａ）乃至図１３（Ｃ）のそれぞれは本発明
の第１の実施の形態に係る第２の製造方法を説明するた
めのテープキャリア方式の半導体装置の工程断面図であ
る。

【図１４】本発明の第１の実施の形態の第１の応用例に
係る実装装置の断面図である。

【図１５】本発明の第１の実施の形態の第２の応用例に
係るテープキャリア方式の半導体装置の断面図である。

【図１６】（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るテ
ープキャリア方式の半導体装置の断面図、（Ｂ）は本発
明の第２の実施の形態に係るテープキャリア方式の半導
体装置の平面図である。

【図１７】本発明の第２の実施の形態の応用例に係る実
装装置の断面図である。

【図１８】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係るテ
ープキャリア方式の半導体装置の断面図、（Ｂ）は本発
明の第３の実施の形態に係るテープキャリア方式の半導
体装置の平面図である。

【図１９】本発明の第４の実施の形態に係るテープキャ
リア方式の半導体装置の断面図である。

【図２０】本発明の第４の実施の形態の応用例に係るテ
ープキャリア方式の半導体装置の断面図である。

【図２１】本発明の先行技術に係るテープキャリア方式
の半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体装置 ２ 第１の半導体チップ ３、３Ａ 第２の半導体チップ ３Ｂ 第３の半導体チップ ２２、２３、３２、３３、２２１、２２２、２３１、２
３２、３２１、３２２、３３１、３３２ ボンディング
パッド ２１、３１、２１１、２１２、３１１、３１２ 素子形
成面 ４１、４２ リード ５１〜５４、５１１、５１２、５２１、５２２、５３
１、５３２、５４１、５４２ バンプ電極 ５２Ｄ、５４Ｄ、５１２Ｄ、５２２Ｄ、５３２Ｄ、５４
２Ｄ ダミーバンプ電極 ６ 保護樹脂 ７ 実装装置 ６０ ノズル ７０ 基板 ７１、７２ 端子 ９１ ダイシングブレード ９３ 表面保護テープ ９６Ａ 研削砥石 ９７ フラットリング ９８ 転写フィルム ２１０ 半導体ウェハ ２１１ 半導体チップパターン ２１２ 分割溝

フロントページの続き (72)発明者 大西 茂尊 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター (72)発明者 清水 靖彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター (72)発明者 中吉 英夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA05 CA05 DA04 DB17 EA03 EA08 EA10 EA11 EA12 EB02 EB04 EB07 EB08 EE02 GA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の素子形成面を有する第１の半導体
   チップと、 前記第１の素子形成面に第２の素子形成面を向かい合わ
   せた第２の半導体チップと、 前記第１の半導体チップの第１の素子形成面と第２の半
   導体チップの第２の素子形成面との間の保護樹脂とを備
   えたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 第１のボンディングパッドを有する第１
   の半導体チップと、 前記第１のボンディングパッドに第２のボンディングパ
   ッドを向かい合わせた第２の半導体チップと、 前記第１のボンディングパッドと第２のボンディングパ
   ッドとの間に配設され、前記第１のボンディングパッ
   ド、第２のボンディングパッドのそれぞれに電気的に接
   続されたリードと、 前記第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の
   保護樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 前記第１の半導体チップの第１のボンデ
   ィングパッドとリードとの間、前記第２の半導体チップ
   の第２のボンディングパッドとリードとの間は、いずれ
   もバンプ電極を介して接続されたことを特徴とする請求
   項２に記載の半導体装置。
4. 【請求項４】 前記第１の半導体チップと第２の半導体
   チップとの間に、双方の間隔を調節するダミーバンプ電
   極をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の半
   導体装置。
5. 【請求項５】 第１の素子形成面を有する第１の半導体
   チップと、 前記第１の素子形成面の一部に第２の素子形成面を向か
   い合わせた第２の半導体チップと、 前記第１の素子形成面の他部に第３の素子形成面を向か
   い合わせた第３の半導体チップと、 前記第１の半導体チップの第１の素子形成面と第２の半
   導体チップの第２の素子形成面、第３の半導体チップの
   第３の素子形成面のそれぞれとの間の保護樹脂とを備え
   たことを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】 第１の半導体チップの第１の素子形成面
   上に第２の素子形成面を向かい合わせて第２の半導体チ
   ップを形成する工程と、 前記第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間に
   保護樹脂を充填し硬化させる工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】第１の半導体チップの第１の素子形成面上
   に保護樹脂を形成する工程と、 前記第１の素子形成面上に保護樹脂を介在させ第２の素
   子形成面を向かい合わせて第２の半導体チップを形成す
   る工程と、 前記保護樹脂を硬化させる工程とを備えたことを特徴と
   する半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 半導体ウェハの表面に複数の半導体チッ
   プパターンを形成する工程と、 前記半導体チップパターン間において半導体ウェハの表
   面から深さ方向の一部をダイシングする工程と、 前記半導体ウェハの裏面を前記ダイシングされた部分に
   達するまで研削し、複数に分割された半導体チップを形
   成する工程と、 前記複数の半導体チップの素子形成面を保護樹脂を介在
   させて互いに向かい合わせる工程とを備えたことを特徴
   とする半導体装置の製造方法。