JPS6010000Y2 - 可搬式cmosメモリ装置 - Google Patents

可搬式cmosメモリ装置

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JPS6010000Y2
JPS6010000Y2 JP13342379U JP13342379U JPS6010000Y2 JP S6010000 Y2 JPS6010000 Y2 JP S6010000Y2 JP 13342379 U JP13342379 U JP 13342379U JP 13342379 U JP13342379 U JP 13342379U JP S6010000 Y2 JPS6010000 Y2 JP S6010000Y2
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JP
Japan
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cmos memory
power supply
battery
memory element
portable
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JP13342379U
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JPS5651196U (ja
Inventor
斉 山本
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富士電機株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、本体回路装置に対して外部接続端子を介し着
脱自在に接続する可搬式CMOSメモリ装置に関し、特
に、耐ノイズ性を強化し、内蔵バッテリの消耗を軽減し
、異常な取扱いの影響を防止してデータ保持の信頼性を
高めるようにしたものである。
例えば、旅館、ホテル等の客室の販売機で販売した商品
を記憶しておき、チェックアウト時に精算するようにし
たコインを使用しない自動販売システムにおいてキーホ
ルダ等に内蔵するなどして使用する可搬式のメモリ回路
装置においては、携帯可能な可搬式であるが故に、携帯
時の衝撃による記憶データ保持用内蔵バッテリの接続瞬
断、不測の外来ノイズの侵入、異常な取扱いの悪影響な
ど、可搬式メモリ回路に特有の障害に対処する手段を簡
単かつ安価に構威して備える必要がある。
しかして、従来のこの種可搬式メモリ回路装置は、記憶
データの保持用に外部供給電源をバックアップする内蔵
バッテリの消耗を防ぐために電力消費の少ないCMOS
メモリ素子ともって構威してあり、記憶すべきデータを
発生させる本体回路装置とは外部接続端子を介して接続
するように構威しであるがために、携帯する人の体に生
じた静電気が携帯時には遊離されている外部接続端子か
ら侵入してCMOSメモリ素子のゲート破壊を生ずるの
を阻止し得るように、各外部接続端子とCMOSメモリ
回路との間に多数のCR回路素子を使用してあり、また
、メモリ回路の主体をなすCMOSシフトレジスタを常
時は出力モードにしておき、入力端から不所望のノイズ
が侵入して記憶データを破壊するのを防止するようにし
ており、したがっテ、シフトレジスタに記憶しているデ
ータの先頭ビットが“1゛である場合には、常時電流が
メモリ素子に流れることになり、記憶データ保持用の内
蔵バッテリの寿命を短縮することになるという欠点があ
った。
本考案の目的は、上述した従来の欠点を除去し、携帯時
に遊離した外部接続端子から侵入する静電気に対する耐
性を強化して従来必要としていた多数のCR回路素子を
除去し得るようにし、データ保持用内蔵バッテリの衝撃
による接続瞬断の悪影響を防止するとともに消耗を軽減
して、信頼度の高い小型の可搬式CMOSメモリ装置を
安価に提供することにある。
すなわち、本考案は、CMOSメモリ素子と、該CMO
Sメモリ素子のバックアップ駆動用電池と、前記CMO
Sメモリ素子および前記電池と並列に前記CMOSメモ
リ素子に外部電源電圧を供給する電源線を本体回路装置
に対して着脱自在に接続する外部接続端子とを有する可
搬式CMOSメモリ装置において、前記電池を装着する
端子間にコンデンサを接続し、前記電源線と前記CMO
Sメモリ素子との間には前記電池からの電流流入を阻止
するダイオードを接続し、前記電源線と並列に抵抗を接
続し、前記CMOSメモリ素子のデータ入力端子、デー
タ出力端子およびクロック入力端子と前記外部接続端子
との間に抵抗、積分回路および前記電源線より前記外部
電源電圧により駆動される差動増幅器を接続したことを
特徴とするものである。
以下に図面を参照して実施例につき本考案を説明する。
本考案可搬式CMOSメモリ装置の構成例を第1図に示
し、その各部信号波形を第2図に示す。
第1図に示す構成の可搬式CMOSメモリ装置において
は、例えば、ホテルベンダシステムにおいて客室用扉開
閉式自動販売機に装着して商品販売データを記憶するた
めのキーホルダの形態にしたメモリ回路装置1を各外部
接続端子2−1〜2−5を介して自動販売機本体の制御
回路に接続する。
このメモリ回路装置1内には、メモリ素子として、記憶
すべき商品販売データの量に応じ適切な個数、例えば2
個のCMOSシリアルシフトレジスタ8,8′を直列に
接続にして用い、外部接続端子2−3からのクロックパ
ルスにより制御して、外部接続端子2−2からの商品販
売データを順次に歩進させて記憶し、また、順次に読出
して外部接続端子2−4から取出す。
シフトレジスタ8.8′におけるかかるデータ書込み読
出し時の駆動電源は、外部接続端子2−1を介して自動
販売機本体から供給するが、記憶データ保持のためのバ
ックアップ用として、内蔵のバッテリ11を並列に接続
しであるが、外部電源と内蔵バッテリ11との並列接続
における逆流防止のためにダイオード9と10とをそれ
ぞれの供給線に介挿しである。
内蔵バッテリ11は、例えば水銀電池あるいは酸化銀電
池を、寿命経過時の交換の必要上、ばね接点つきホルダ
12に装着して使用するが、かかるばね接点接続が、メ
モリ回路装置1の携帯時に受ける衝撃により瞬断すれば
、シフトレジスタ8. 8’のデータ保持が中断される
ので、その電源瞬断に備えて、ばね接点にコンデンサ1
3を接続しておき、記憶データ保持に要する数十mAの
電流を、電源瞬断時にはそのコンデンサ13から一時補
給し得るようにしである。
なお、このコンデンサ13は、常時は、シフトレジスタ
作動時に瞬間的に増大させるべき電流を供給してバッテ
リ11を補助する作用も行なっている。
また、メモリ回路装置1の携行時に遊離している電源接
続端子2−1が外部の導電体等に接触して短絡が生じて
も、前述したダイオード9の介挿によりバッテリ11は
保護されている。
上述したように、可搬式メモリ回路装置1の携行時には
、各外部接続端子2−1〜2−5がすべて遊離した状態
となるので、外部から人体の静電気等が侵入して記憶デ
ータを破壊し、あるいは、メモリ素子8,8′自体を破
壊するおそれがある。
かかる外来の電気的障害を防止するために、データ入出
力端子2−2および2−4並びにクロック入力端子2−
3とシフトレジスタ8,8′との間には、外部インター
フェース素子として、差動入力式のTTL差動増幅素子
4および7並びに5および6をそれぞれ介挿して、外部
供給電源に駆動する。
これらの差動入力式TTL差動増幅素子4〜7は、入力
電流が極めて小さいので、シフトレジスタ8′の出力が
°“1゛の状態にあっても、記憶データ保持用にバッテ
リ11から供給すべき電流が少なく、その消耗を防ぐこ
とができる。
また、これら演算増幅素子4〜7は図示のように外部電
源により駆動するので、各外部接続端子が遊離している
場合には、電源を断たれて作動せず、したがって、本質
的に、外部から侵入する静電気等の電気的障害を遮断す
ることができる。
上述したような構成のメモリ回路装置1を自動販売機本
体の制御装置に着脱したときにおける各外部接続端子の
接続状況の例を第2図に示すと、電源端子2−1からは
装着期間を通じて一定の駆動電源電圧が供給され、共通
電位端子すなわちアース端子2−5は、遊離時には不定
の遊離電位にあるが、装着時には本体のアース電位に保
たれる。
クロック端子2−3からは、データ書込み時およびデー
タ読出し時に、第2図に示すようにクロックパルス列が
供給され、データ入力端子2−2からは、例えば111
001なるデータが供給され、データ出力端子2−4か
らは、この入力に応動して、出力データ101001が
取り出される。
なお、第1図に示すように、データ入出力端子2−2.
2’−4およびクロック端子2−3には、外来ノイズを
除去するためのCR積分回路がそれぞれ並列に接続され
ている。
しかして、アース端子2−5を除く各外部接続端子には
、上述した積分回路の抵抗R3’、 R3”。
R3″′のほか、電源端子2−1にも抵抗R3が並列に
接続されており、メモリ回路装置1が自動販売機本体の
制御装置に装着されると、外部接続端子2−1.2−2
.2−34:は、電源電圧vCCカ当該当該制御装置機
抗R1,R□′、R工″およびR2゜R2′、R2″を
順次に介して供給されるようにしてあり、また、データ
入出力端子2−2.2−4およびクロック端子2−3に
は、それぞれ直列に抵抗R1,R1’、 R4″を直列
に介挿して、メモリ回路装置1の制御装置からの遊離時
におけるこれらの端子のデッドショートに対してメモリ
回路装置1を保護しである。
上述したような構成の各外部接続端子の装着時における
接触状態については、少なくともデータ書込み時に不可
欠の電源端子2−1、データ入力端子2−2およびクロ
ック端子2−3に関してはその接触状態を確認しておく
必要があるので、これらの端子が接続されたときに電源
電圧Vccによって各抵抗回路R1,R2,R3; R
工’、 R2’、 R2゜R3’ ; R1”t R2
”9 R4’? R3″に流れる電流に基づき、各抵#
tt R□′、R1″に生ずる電圧が各トランジスタT
r、 Tr’、 Tr“のコレクタ・エミッタ間に印加
されるようにしである。
したがって、各接続端子が確実に接触した状態にあれば
、それらのトランジスタが導通状態になって、各トラン
ジスタのべ御名電極電位が電源電圧’Vccから大幅に
低下することになる。
かかるベース電極電位の大幅な変化を各検出回路3.3
’、3″により検出すれば、データ書込みに不可欠のこ
れらの接続端子の接触状態を確認することができるよう
にしである。
以上の説明から明らかなように、本考案によれば、着脱
自在に装着して使用する可搬式CMOSメモリ装置へ外
部から侵入する静電気、ノイズ等に対する耐性を著しく
強化し得るとともに、制御装置から取外されたメモリ回
路の外部接続端子の短絡障害を防止することができ、ま
た、記憶データ保持に必要な内蔵バッテリの衝撃による
接続の瞬断障害を防止し、バッテリの電力消費を少くす
ることができる。
なお、上述したような顕著な効果は、本考案をコインを
使用しない自動販売システム以外の同様な可搬式メモリ
回路装置に適用した場合にも同様に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案メモリ装置の構成例を示す回路図、第2
図は同じくその各部信号波形の例を示す波形図である。 1・・・・・・メモリ回路装置、2−1〜2−5・・・
・・・外部接続端子、3・・・・・・検出回路、4.5
.6.7・・・・・・差動増幅素子、8,8’・・・・
・・シフトレジスタ、9.10・・・・・・ダイオード
、11・・・・・・バッテリ、12・・・・・・ホルダ
、13・・・・・・コンデンサ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. CMOSメモリ素子と、該CMOSメモリ素子のバック
    アップ駆動用電池と、前記CMOSメモリ素子および前
    記電池と並列に前記CMOSメモリ素子に外部電源電圧
    を供給する電源線を本体回路装置に対して着脱自在に接
    続する外部接続端子とを有する可搬式CMOSメモリ装
    置において、前記電池を装着する端子間にコンデンサを
    接続し、前記電源線と前記CMOSメモリ素子との間に
    は前記電池からの電流流入を阻止するダイオードを接続
    し、前記電源線と並列に抵抗を接続し、前記CMOSメ
    モリ素子のデータ入力端子、データ出力端子およびクロ
    ック入力端子と前記外部接続端子との間に抵抗、積分回
    路および前記電源線より前記外部電源電圧により駆動さ
    れる差動増幅器を接続したことを特徴とする可搬式CM
    OSメモリ装置。
JP13342379U 1979-09-28 1979-09-28 可搬式cmosメモリ装置 Expired JPS6010000Y2 (ja)

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JP13342379U JPS6010000Y2 (ja) 1979-09-28 1979-09-28 可搬式cmosメモリ装置

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JPS5651196U JPS5651196U (ja) 1981-05-07
JPS6010000Y2 true JPS6010000Y2 (ja) 1985-04-06

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JPS58151998U (ja) * 1982-04-01 1983-10-12 ソニー株式会社 カ−ド

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