JPS5998546A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5998546A
JPS5998546A JP57206172A JP20617282A JPS5998546A JP S5998546 A JPS5998546 A JP S5998546A JP 57206172 A JP57206172 A JP 57206172A JP 20617282 A JP20617282 A JP 20617282A JP S5998546 A JPS5998546 A JP S5998546A
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JP
Japan
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pellet
semiconductor device
film
lead frame
resin
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JP57206172A
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English (en)
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Masachika Masuda
正親 増田
Hajime Murakami
元 村上
Hideki Kosaka
小坂　秀樹
Tokuji Toida
戸井田　徳次
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に半導体装置、特に、インナーリード部の頷細加
工が可能な半導体装置に関するものである。
最近、半導体装置の製造においては、果槓度の同上への
徴求がｌＴ１丁高１っておシ、小型化、多ビン化の傾向
が運んでいる。
ところで、従来の半導体装置では、ベレットを取シ付け
るための基板として用いらｎるリードフレームはコバー
ルまたは４２アロイの如き、銅、鉄系の材料で作られて
お９、七のルさがかなり厚（１） いものになってし１う。
その結果、リードフレームのインナーリード部をエツチ
ング加工で形成する場合、リードフレーム自体の＃さの
ために微細加工が困難であり、位ｗｔＮ度の良いリード
フレームを得ることはできなかった。そのため、ワイヤ
ボンディングの不良が発生し、また多ピン化や小型化が
困難になるという問題点があった。さらに、従来のセラ
ミックやガラス樹脂を用いた基板にベレン）ｔ−取り付
ける場合にも、多ビン化のためには、インナーリード部
の微細加工が必景で、その加工が困難である上に、製品
の小型化、薄型化にも自ずから限界があった。
１７？、、通常のリードフレームにおいては、ペレット
付は後のレジン封止時のレジンの流出防止お工びリード
保持のためにダムを形成しているが、このダムはレジン
モールド終了後にはその役目が終了し、その１１残して
おくと外部出力のショート會ひき起こ丁ので、ダム切断
工程で切断、除去しなければならず、そのために１つの
特別な工程（２） が必要であった。
本発明の目的は、前記しｙｅｌｌ！！題に鑑み、リード
フレームの微細加工が可能で、小型化、多ピン化紫実現
することのできる半導体装ｔを提供することにある、 以下、本発明を図面に示す実施列にしたがって詳細に説
明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図である。
この実施列において、リードフレーム１はフィルム（ｘ
＊はテープ）のような薄い導電性の材料で作られている
。このリードフレーム１のタブ部２の上には、接着剤３
によりベレット４が取り付けられてｂる。
ベレット４のポンディングパッドとワイヤ５でｘｉ的に
接続されるリードフレーム１のインナーリード部６はた
とえば第２図に示す工うに、極めて＃［なパターンに加
工ちれて込る。このような微細加工は、リードフレーム
ｌの厚δが非常に薄いことによシ、たとえばホトエツチ
ングに１って容易に可能である。
ワイヤボンディング後のベレット４はアウターリード部
７よシ内１ｌ１１１に対するレジンのゼンティングによ
シパッケージ８内に封止芒れる。
本実施列によれば、リードフレーム１がフィルム（ｔた
はテープ）のような薄い導電性材料で作られているので
、インナーリード部６のインナーリードパターンを容易
に微細加工でき、多ビン化および小型化會実現できる。
また、リードフレーム１のアウターリード部７もインナ
ーリード部６と同じ薄型′Ｉ４４造であるので、半導体
装置全体としても薄型化を図ることができる。勿論、本
実施列でも、レジンボッティング型のパッケージ８の代
夛にレジンモールド型のパッケージで封止してもよい。
第３図は本発明による半導体装置の他の１つの実施列を
示す部分断面図、第４図は七のレジンモールド前の状態
におけるリードフレームの部分平面図であり、第１図の
実施列と対応する部分には符号に象字ａｉ付して示す。
この実施列においては、リードフレームｌａはたとえば
銅（Ｏｕ）箔の如きフィルム（またにテープ）状の薄い
導電性材料を多数の条片状に形成した構造よりな９、各
条片はたとえばポリイミド樹脂またにポリアミド樹脂の
ような絶縁材料で作られた保持用絶縁物９で互いに平行
状態で連結、保持されている。
また、この保持用絶縁物９の外側には、同じくたとえば
ポリイミド樹脂ｌたは７エノール樹脂のような絶縁材料
で作られたダム用絶縁物１０がリードフレーム１の各条
片？’！７ｔいで設けられている。このダム用絶縁物１
０はレジンモールド型パンケージ８ａのモールド時にレ
ジンが外側に流れ出すのを防止するものである。
したがって、本実施列では、レジンの流出防止用のダム
が絶縁物１０で作られているので、従来の工うにダムが
リードフレームと同一の導電性材料で作られている場合
とは違って、レジンモールド後にダムがその１１残って
いても外部出力のショートをひき起こ丁ことがなく、ダ
ム切断工程を省略することができる。その結果、工数の
短縮が可能であり、効高的な製造作業を行なうことがで
きる。勿論、本実施列においても、リードフレーム１ａ
のインナーリード部６ａのインナーリードパターンの微
細加工が容易に可能で以上説明したように、本発明によ
ｎば、リードフレームをフィルムで構成したことにより
、インナーリードパターンを微細加工することができ、
半導体装置の小型化、多ビン化を図ることができる。
また、リードを多数の条片状の導電性のフィルムで構成
し、各フィルム条片全ダム用の絶縁物で互いに保持子れ
ば、ダム切断工程を省略でき、工数および製造コストを
低減することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図、 第２図はそのインナーリードパターン含水す部分平面図
、 第３図は本発明による半導体装置の他の１つの実施列を
示す部分断面図、 第４図はそのリードフレームの部分平面図である。 １・・・リードフレーム、４・・・ペレット、６・・・
インナーリード部、ｌａ・・・リードフレーム、４ａ・
・・ペレット、６ａ・・・インナーリード部、１０・・
・ダム用絶縁物。 第　　１　　図 １↑ 第２図 ？

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、　リードをフィルムで構成し、このフィルムに配線
    ハターンを形成しかつ該フィルム上にペレットを取や付
    けたことｔ４１ｉＦ徴とする半導体装置。 ２、　リードを多数の条片状の導電性のフィルムで構成
    し、各フィルム条片をダム用の絶縁物で互いに保持して
    なることを特徴とする半導体装置。
JP57206172A 1982-11-26 1982-11-26 半導体装置 Pending JPS5998546A (ja)

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JP57206172A JPS5998546A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体装置

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JP57206172A JPS5998546A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体装置

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JPS5998546A true JPS5998546A (ja) 1984-06-06

Family

ID=16518993

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JP57206172A Pending JPS5998546A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0999586A2 (en) * 1998-11-05 2000-05-10 Sony Corporation Semiconductor device and method of producing same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0999586A2 (en) * 1998-11-05 2000-05-10 Sony Corporation Semiconductor device and method of producing same
EP0999586A3 (en) * 1998-11-05 2002-06-05 Sony Corporation Semiconductor device and method of producing same

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