JPS5992533A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法

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JPS5992533A
JPS5992533A JP20279882A JP20279882A JPS5992533A JP S5992533 A JPS5992533 A JP S5992533A JP 20279882 A JP20279882 A JP 20279882A JP 20279882 A JP20279882 A JP 20279882A JP S5992533 A JPS5992533 A JP S5992533A
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立野　健一
Masami Yokozawa
横沢　真覩
Hiroyuki Fujii
博之 藤井
Mikio Nishikawa
西川　幹雄
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Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は樹脂封止形半導体装置の製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点 樹脂封止形半導体装置は、樹脂ならびに樹脂封止成型技
術の進歩によって、最近、急速に増加し、多様化されて
いる。とりわけ、比較的大きな電力を取り扱うことので
きる電力用半導体装置の分野２７、ジ にも、放熱体を兼ねる半導体片支持体の裏面に極く薄い
絶縁性樹脂層を設けたものが実用されるようになってい
る。
ところが、電力用半導体装置のように、半導体片を載置
する支持体が大きく、しかも、表側には厚い樹脂層をも
ち、裏側には極端に薄い樹脂層を設けたものでは、樹脂
の硬化過程、樹脂中の充填材の配向性、さらＫＦｉ成型
条件などにより、樹脂の厚い部分の収縮率と薄い部分の
収縮率が異なり、薄い樹脂側に反り変形がみられ、支持
体自身にも彎曲の変形が起こる。
第１図はこの種の樹脂封止形半導体装置（絶縁型パッケ
ージ）の平面図（ＩＬ）と、同装置のＸ方向断面図（ｂ
）々らびにＹ方向断面図（Ｃ）とにより、その反り変形
の状態を示したものである。経験によると、絶縁型パッ
ケージの標準的仕様で、支持体１の裏面側樹脂層の厚さ
ａを０．４ｆｆの一様な厚さにすると、Ｘ方向断面にみ
られる反り量すは０．０５闘にも達し、外観上も、実用
上も好ましくないことがわかった。また、このように大
きく彎曲すると、３ページ 半導体片２へも応力が加えられることになり、性能劣化
の原因に々る。なお図中、３は接続用細線、４は樹脂層
である。そして、この例では、樹脂層発明の目的 本発明は上述の従来例にみられる樹脂成型体の反りをな
くするだめの樹脂封止形半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
発明の構成 本発明は、要約するに、半導体片を載置する支持体を包
囲して、前記半導体片側に厚く、同支持体の裏面側に薄
く樹脂層を形成するだめの成型用金型面に、前記支持体
の裏面側樹脂層を中央部で肉薄く、周辺部で肉厚くなる
ように、彎曲状ないしは山形状の勾配を設け、この金型
空間内に前記支持体を配して形成することを特徴とする
樹脂封止形半導体装置の製造方法であり、これＫよれば
成型後の製品における反りをなくすことができる。
実施例の説明 第２図は本発明の実施例によって形成される設計構造の
Ｘ方向断面図模型であり、支持体１の裏面側を、周辺部
において、その樹脂層が０．０２ＭＭ厚くなるように設
計した成型用金型を用いて樹脂成型することを表わした
ものである。本実施例によれば、金型面の中央部をＸ方
向の両端部よりα（０，０２Ｊに〈山形状になしたこと
により、樹脂のトランスファ封止後の外形で支持体１の
裏面側の反り量は零であり、はとんど反シの現象が防止
された。
第３図は本発明の他の実施例によって形成されるトラン
ジスタアレイ型半導体装置の封止外形平面図（ａ）とそ
の長手Ｘ方向断面図（ｂ）の概要であり、この場合にも
、長手方向の外形寸法ａを約２１朋とし、中央部と両端
部とでの膜厚差すを０−０４ＭＭとし、金型面を空間部
に突出させるような勾配に々しておけば、成型後の外形
上の反りは全く見られず、裏面側が平坦になった。
なお、Ｘ方向と直角のＹ方向に関しても、Ｘ方向と同程
度の勾配を設けておけば、同方向の反り６ページ をなくすことができ、薄い樹脂層側の平坦性を保持する
ことができるものである。
発明の効果 本発明によれば、樹脂封止用の金型面に、中央部で高く
、周辺部において低くなる勾配を設けたことにより、樹
脂成型後の形状として、支持体裏面側を平坦になすこと
ができ、樹脂封止形半導体装置の安定性、信頼性が高め
られ、品質向上を達成することができる。また、この方
法で得られた装置は電子機器に装着して長期安定性が確
認され、実用上も有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）（ｂ）（０）は、それぞれ従来例の絶縁型
パッケージ構造の樹脂封止形半導体装置の平面図、Ｘ−
Ｘ断面図及びＹ　−Ｙ断面図、第２図は本発明実施例概
要を説明する断面図、第３図（ａ）（ｂ）はそれぞれ本
発明の他の実施例概要を説明する平面図、Ｘ−Ｘ断面図
である。 １・・・・・・支持体、２・・・・・・半導体片、３・
・・・・・接続用細線、４・・・・−・樹脂層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体片を載置する支持体を包囲して、前記半導体片側
    に厚く、同支持体の裏面側に薄く樹脂層を形成するだめ
    の成形用金型面に、前記支持体の裏面側樹脂層を中央部
    で肉薄く、周辺部で肉厚くなるように、彎曲状々いしは
    山形状の勾配を設け、この金型空間内に前記支持体を配
    して成形することを特徴とする樹脂封止形半導体装置の
    製造方法。
JP20279882A 1982-11-17 1982-11-17 樹脂封止形半導体装置の製造方法 Granted JPS5992533A (ja)

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JPS5992533A true JPS5992533A (ja) 1984-05-28
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108699A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置製造用金型、半導体装置の製造方法、および半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011108699A (ja) * 2009-11-13 2011-06-02 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置製造用金型、半導体装置の製造方法、および半導体装置

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