JPS59918A - 電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔およびその製造法 - Google Patents
電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔およびその製造法Info
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- JPS59918A JPS59918A JP10831882A JP10831882A JPS59918A JP S59918 A JPS59918 A JP S59918A JP 10831882 A JP10831882 A JP 10831882A JP 10831882 A JP10831882 A JP 10831882A JP S59918 A JPS59918 A JP S59918A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電解コンデンサの陽極に使用される高純度ア
ルミニウム箔およびその製造法に関す゛る。
ルミニウム箔およびその製造法に関す゛る。
アルミニウム素箔を直流電解エツチングして粗面化し、
１５０〜２００ｖ以上の電圧で化成処理して得るいわゆ
る中高圧用電解コンデンサ陽極用箔は知られている。か
かる直流電解エツチングした箔は、表面に直径１μ程度
の円柱状ピットが無数に存在する。そして、かかる電解
コンデンサ用箔を用いた電解コンデンサの単位面積当り
の静電容量は、主として粗面化された箔の表面積に比例
する。したがって、箔を同一目的に使用する場合には柱
状ピットの密度が大きい方が大きな静電容量を得ること
になる。
１５０〜２００ｖ以上の電圧で化成処理して得るいわゆ
る中高圧用電解コンデンサ陽極用箔は知られている。か
かる直流電解エツチングした箔は、表面に直径１μ程度
の円柱状ピットが無数に存在する。そして、かかる電解
コンデンサ用箔を用いた電解コンデンサの単位面積当り
の静電容量は、主として粗面化された箔の表面積に比例
する。したがって、箔を同一目的に使用する場合には柱
状ピットの密度が大きい方が大きな静電容量を得ること
になる。
本発明は高い静電容量のコンデンサを得るだめに、上記
柱状ピットの密度の大きい箔を提供することを目的とす
るもので、その第１発明の要旨は、１０〜ｌ ＯＯｐｐ
ｍの銅を含み、残部はアルミニウムおよび不純物からな
り、不純物はそれぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ
素であり、さらに１０ ｐｐｍ以下の他の不純物である
アルミニウム箔の、箔表面における（１００）結晶面の
占める割合が９０％以上であることを特徴とする電解コ
ンデンサ用高純度アルミニウム箔である。
柱状ピットの密度の大きい箔を提供することを目的とす
るもので、その第１発明の要旨は、１０〜ｌ ＯＯｐｐ
ｍの銅を含み、残部はアルミニウムおよび不純物からな
り、不純物はそれぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ
素であり、さらに１０ ｐｐｍ以下の他の不純物である
アルミニウム箔の、箔表面における（１００）結晶面の
占める割合が９０％以上であることを特徴とする電解コ
ンデンサ用高純度アルミニウム箔である。
・すなわち、本発明ｄ、前述の柱状ピントがアルミニウ
ムの（ｉｏｏ）結晶面に垂直に発達成長することに着目
し、箔の表面に（１００）結晶面を９０％以上占有せし
めることによって、直流電解エツチングによる柱状ピン
トの密度を犬ならしめ、もって電解コンデンサの静電容
量を犬となすようにしたものである。
ムの（ｉｏｏ）結晶面に垂直に発達成長することに着目
し、箔の表面に（１００）結晶面を９０％以上占有せし
めることによって、直流電解エツチングによる柱状ピン
トの密度を犬ならしめ、もって電解コンデンサの静電容
量を犬となすようにしたものである。
図は、Ｆｅ １０、Ｓｉ ｊ５、ｃｕ４５ｐｐｍを含む
高純度アルミニウム箔（１００μ厚さ）表面の（１００
）結晶面占有率と、その箔に電、解工”ノチング後化成
皮膜を形成′したものの静電容量との関係を示すグラフ
である。この図から判明したことは、箔表面における（
１００）結晶面占有率と静電容量とは相関関係を有する
ということであシ、本発明ではかかる知見に基づいて、
箔表面における（１００）結晶面占有率を高くコントロ
ールして、常に犬なる静電容量を得んとするものである
。
高純度アルミニウム箔（１００μ厚さ）表面の（１００
）結晶面占有率と、その箔に電、解工”ノチング後化成
皮膜を形成′したものの静電容量との関係を示すグラフ
である。この図から判明したことは、箔表面における（
１００）結晶面占有率と静電容量とは相関関係を有する
ということであシ、本発明ではかかる知見に基づいて、
箔表面における（１００）結晶面占有率を高くコントロ
ールして、常に犬なる静電容量を得んとするものである
。
もっとも、静電容量は、エツチング方法や化成処理膜厚
によっても変化するので、上記は箔を同一条件で電解エ
ツチングおよび化成処理した場合のことである。
によっても変化するので、上記は箔を同一条件で電解エ
ツチングおよび化成処理した場合のことである。
箔表面の（１００）結晶面の占有面積が９ｏ係未満では
、同一化成処理条件の下では、従来の静電容量の域を出
ない。
、同一化成処理条件の下では、従来の静電容量の域を出
ない。
箔表面の（１００）結晶面の占有率の測定方法は下記の
とおυである。すなわち、箔表面を塩酸、硝酸、弗酸の
混合液によって適度にエツチングすると、結晶粒の方位
によって溶解性が異なるために、（、Ｉ ００ ）結晶
面のところだけｍ個の結晶面と異なる光沢となる。した
がって、この表面に入射する光線の反射光を特定の方法
から検出し、一定面積を走査することによって、その面
積内の（１００）結晶面占有率を測定するのである。
とおυである。すなわち、箔表面を塩酸、硝酸、弗酸の
混合液によって適度にエツチングすると、結晶粒の方位
によって溶解性が異なるために、（、Ｉ ００ ）結晶
面のところだけｍ個の結晶面と異なる光沢となる。した
がって、この表面に入射する光線の反射光を特定の方法
から検出し、一定面積を走査することによって、その面
積内の（１００）結晶面占有率を測定するのである。
上記第１発明における電解コンデンサ用高純 一度アル
ミニウム箔は第２発明の製造法によって得ることができ
る。その第２発明の要旨は、ｌＯ〜１００１）ｐｍの銅
を含み、残部はアルミニウムおよび不純物からなシ、不
純物はそれぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素であ
り、さらに１０１）Ｉ）ｍ以下の他の不純物である高純
度アルミニウムを鋳造、熱間圧延および冷間圧延した後
、１５０〜２５０℃で１時間以上の中間焼鈍をし、圧延
率４０チ以下の最終冷間圧延をしてから、５００℃以上
で３０分以上の最終焼鈍をすることを特徴とする電解コ
ンデンサ用高純度アルミニウム箔の製造法である。
ミニウム箔は第２発明の製造法によって得ることができ
る。その第２発明の要旨は、ｌＯ〜１００１）ｐｍの銅
を含み、残部はアルミニウムおよび不純物からなシ、不
純物はそれぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素であ
り、さらに１０１）Ｉ）ｍ以下の他の不純物である高純
度アルミニウムを鋳造、熱間圧延および冷間圧延した後
、１５０〜２５０℃で１時間以上の中間焼鈍をし、圧延
率４０チ以下の最終冷間圧延をしてから、５００℃以上
で３０分以上の最終焼鈍をすることを特徴とする電解コ
ンデンサ用高純度アルミニウム箔の製造法である。
高純度アルミニウムとは、ｌＯ〜１００ ｐｐｍの銅、
それぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素さらにＩ
Ｏｐｐｍ以下の他の不純物を含有するものである。銅は
高純度アルミニウム箔中に微細な粒子として分布し柱状
ピントの発生核となるもので、１’Ｏｐｐｍ未満では発
生核が少なくなり柱状ピットの密度を高めることができ
ず、１ｏ。
それぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素さらにＩ
Ｏｐｐｍ以下の他の不純物を含有するものである。銅は
高純度アルミニウム箔中に微細な粒子として分布し柱状
ピントの発生核となるもので、１’Ｏｐｐｍ未満では発
生核が少なくなり柱状ピットの密度を高めることができ
ず、１ｏ。
ｐｐｍを越えると、高密度になりすぎて隣接する柱状ピ
ント同志が合体してしまい、エツチング後の表面積即ち
静電容量を増加させる効果を棹う。鉄およびケイ素がそ
れぞれ３０ ｐｐｍを越えると、これらの成分は大きい
粒子となシやすく、エツチングにおける正常な柱状ピン
トの形成を阻害する。また、化成皮膜中に多くのＦｅ、
Ｓｉが存在すると、電解コンデンサーとしたときの絶縁
性（耐電圧、寿命）を低下させるので好１しくない。さ
らに他の不純物がｌ Ｏｐｐｍを越えると（１００）結
晶粒の生成、柱状ピットの生成、化成皮膜の均一性、特
性を阻害する。
ント同志が合体してしまい、エツチング後の表面積即ち
静電容量を増加させる効果を棹う。鉄およびケイ素がそ
れぞれ３０ ｐｐｍを越えると、これらの成分は大きい
粒子となシやすく、エツチングにおける正常な柱状ピン
トの形成を阻害する。また、化成皮膜中に多くのＦｅ、
Ｓｉが存在すると、電解コンデンサーとしたときの絶縁
性（耐電圧、寿命）を低下させるので好１しくない。さ
らに他の不純物がｌ Ｏｐｐｍを越えると（１００）結
晶粒の生成、柱状ピットの生成、化成皮膜の均一性、特
性を阻害する。
第２発明中、中間及び最終焼鈍条件並びに最終冷間圧延
条件は重要なことで、もし、これらの条件から外れると
、箔表面における（１００）結晶面占有率が９０％を割
り、犬なる静電容量を得ることができない。中間焼鈍は
再結晶を起さず亜再結晶粒（サブグレイン）が生成する
温度で行なう。どの温度は１５０〜２５０℃である。こ
のサブグレインは最終焼鈍で（１００）結晶粒を生成さ
せる核となる。引きつづき行なう４０％以下の最終冷間
圧延は、かかるサブグレイン組織に加工歪を与えること
により最終焼鈍において結晶粒成長を促進させるためで
、４０％を越える強加工束を加え、ると、サブグレイン
組織が破壊されてしまい効果を失う。最終焼鈍は高温で
あるほど結晶粒の成長が容易となるので、５００℃以上
が好ましい。
条件は重要なことで、もし、これらの条件から外れると
、箔表面における（１００）結晶面占有率が９０％を割
り、犬なる静電容量を得ることができない。中間焼鈍は
再結晶を起さず亜再結晶粒（サブグレイン）が生成する
温度で行なう。どの温度は１５０〜２５０℃である。こ
のサブグレインは最終焼鈍で（１００）結晶粒を生成さ
せる核となる。引きつづき行なう４０％以下の最終冷間
圧延は、かかるサブグレイン組織に加工歪を与えること
により最終焼鈍において結晶粒成長を促進させるためで
、４０％を越える強加工束を加え、ると、サブグレイン
組織が破壊されてしまい効果を失う。最終焼鈍は高温で
あるほど結晶粒の成長が容易となるので、５００℃以上
が好ましい。
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
Ｓｉ ）５ ｐｐｍＸＦｅ １５ ｐｐｍ、 Ｃｕ ５
０１）Ｉ）ｍＸその他の不純物５ ｐｐｍ以下を含有す
る９９．９９２％のアルミニウム鋳塊を、６００℃で１
０時間均質化したのち、熱間圧延して６咽厚とし、４０
０℃で３時間焼鈍した板を、所定板厚（０，５〜０．１
３ｍｍｔ）に冷間圧延した。ここで１５０〜３００℃で
１〜２４時間中間焼鈍を加えた後、最終冷間圧延して０
．ＩＱｍｍｔ とした。この箔を酢酸エチル液（常温）
に浸漬して表面に付着するＡｔ粉、圧延油等の汚れを除
去した後、０．０５〜０．００１ Ｔｏｒｒの真空中に
おいて５５０℃で１時間焼鈍した。
０１）Ｉ）ｍＸその他の不純物５ ｐｐｍ以下を含有す
る９９．９９２％のアルミニウム鋳塊を、６００℃で１
０時間均質化したのち、熱間圧延して６咽厚とし、４０
０℃で３時間焼鈍した板を、所定板厚（０，５〜０．１
３ｍｍｔ）に冷間圧延した。ここで１５０〜３００℃で
１〜２４時間中間焼鈍を加えた後、最終冷間圧延して０
．ＩＱｍｍｔ とした。この箔を酢酸エチル液（常温）
に浸漬して表面に付着するＡｔ粉、圧延油等の汚れを除
去した後、０．０５〜０．００１ Ｔｏｒｒの真空中に
おいて５５０℃で１時間焼鈍した。
得られた軟質箔を塩酸５０係、硝酸４７％、弗酸３チの
混合液でエツチングし、結晶粒を現出させ、１２ｍｍ−
Ｘ ５０−の視野内に占める（１００）結晶面の割合を
測定した。
混合液でエツチングし、結晶粒を現出させ、１２ｍｍ−
Ｘ ５０−の視野内に占める（１００）結晶面の割合を
測定した。
一方、軟質箔を塩酸１７％、硫酸３％の混合液中で１６
０ ｍＡ／ｃｒｉｌの直流により２．５分間電解エツチ
ングし、さらに１２％硝酸水溶液中で３分間化学エツチ
ングして粗面化し、０．５μ厚さの酸化アルミニウム層
を誘電体皮膜として形成させた後、ホウ酸液中にてその
静電容量を測定した。
０ ｍＡ／ｃｒｉｌの直流により２．５分間電解エツチ
ングし、さらに１２％硝酸水溶液中で３分間化学エツチ
ングして粗面化し、０．５μ厚さの酸化アルミニウム層
を誘電体皮膜として形成させた後、ホウ酸液中にてその
静電容量を測定した。
こうして得られた一連の測定結果を表に示す。
又、一部処理条件を変えたものを比較例とじて示す。
表
なお、最終焼鈍されλ箔の平均結晶粒径は１５０〜２５
０μｍで、その粒径はほぼ箔面に対して垂直、かつ各々
の再結晶粒は完全に箔の厚みを貫通しているので、箔表
裏における（１００）結晶面の占有率は測定誤差以内で
同一と見なすことができた。占有率８０％及び９０優に
おける標準試料を用いての測定誤差は±２％以内である
。
０μｍで、その粒径はほぼ箔面に対して垂直、かつ各々
の再結晶粒は完全に箔の厚みを貫通しているので、箔表
裏における（１００）結晶面の占有率は測定誤差以内で
同一と見なすことができた。占有率８０％及び９０優に
おける標準試料を用いての測定誤差は±２％以内である
。
上記表から明らかなとおシ、本発明方法によれば、９０
チを越える（１００）結晶面占有率となり、又、０．３
５μＦ／ｃａを越える大きな静電容量を得ることができ
る。
チを越える（１００）結晶面占有率となり、又、０．３
５μＦ／ｃａを越える大きな静電容量を得ることができ
る。
したがって、本発明によれば、同一静電容量を少ない材
料で実現することができるので、材料を節約することが
でき、又、それによって得られる電解コンデンサは小型
化される効果がある。
料で実現することができるので、材料を節約することが
でき、又、それによって得られる電解コンデンサは小型
化される効果がある。
図は（１００）結晶面占有率と静電容量との一関係を示
すグラフである。
すグラフである。
Claims (2)
- （１） １０〜１００ ｐｐｆｉの銅を含み、残部は
７ ／ｌｚミニウムおよび不純物からなシ、不純物はそ
れぞれ３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素であり、さら
にｌ Ｏｐｐｍ以下の他の不純物であるアルミニウム箔
の箔表面における（１００）結晶面の占める割合が９０
％以上であることを特徴とする電解コンデンサ用高純度
アルミニウム箔。 - （２） ｌ Ｏ〜１００ ｐｐｍの銅を含み、残部は
アルミニウムおよび不純物からなシ、不純物はそれぞれ
３０ ｐｐｍ以下の鉄およびケイ素であり、さらに１０
ｐｐｍ以下の他の不純物である高純度アルミニウムを
鋳造、熱間圧延および冷間圧延した後、１５０〜２５０
℃で１時間以上の中間焼鈍をし、圧延率４０％以下の最
終冷間圧延をしてから、５００℃以上で３０分以上の最
終焼鈍をすることを特徴とする電解コンデンサ用高純度
アルミニウム箔の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10831882A JPS59918A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10831882A JPS59918A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59918A true JPS59918A (ja) | 1984-01-06 |
| JPS6360110B2 JPS6360110B2 (ja) | 1988-11-22 |
Family
ID=14481665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10831882A Granted JPS59918A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 電解コンデンサ用高純度アルミニウム箔およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59918A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4757181A (en) * | 1985-07-15 | 1988-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Weighing apparatus |
| JPS63265416A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造方法 |
| JPS63265415A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔 |
| JPH0251212A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | 電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔の製造方法 |
| EP0385118A2 (en) | 1989-02-07 | 1990-09-05 | Snow Brand Milk Products Co., Ltd. | Use of compounds containing or binding sialic acid to neutralize bacterial toxins |
| JP2009062595A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム箔材 |
| JP2009062594A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム箔材 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411242A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-27 | Sunstar Inc | Tooth paste composition |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10831882A patent/JPS59918A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5411242A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-27 | Sunstar Inc | Tooth paste composition |
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| JPH0361333B2 (ja) * | 1987-04-23 | 1991-09-19 | Showa Aluminium Co Ltd | |
| JPH0581164B2 (ja) * | 1987-04-23 | 1993-11-11 | Showa Aluminium Co Ltd | |
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| JP2009062594A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム箔材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6360110B2 (ja) | 1988-11-22 |
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