JPS599189A - パラジウムメツキ浴とメツキ層の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明はパラジウムストライク層形成のだめの浴組成と
メッキ争件の改良に関する。

（ｂ）　　技術の背））１ 接触部分を備えだ回路部品特にコネクタやスイッチ奇ど
摺！Ｒ）１接触を伴う機構１Ｘ＋＋品においては接触部
分が金（Ａｌｌで構成されていることが多い。

その理由とし−Ｃ摺動接触−ｒ−の必′隻条件は接触抵
涛 抗が低いこと、摩擦係数が小さいこと、耐飾性が優れて
いることなど挙られるがＡ、ｎｔｌ：こゴしらの条件を
満す金属であることによる。

そこで従来は摺Ｉｒ？！、ｌ接触部にＡｕメッキを施し
て使用されていたがＡｕ価格の高賊により製品価格にｔ
、ＪするＡ、ｕ４１刺皆の比率が増し、一方価格低減背 の必要性から代償金属を使用する必要１′Ｌが増加して
きた。

そこで本願の発明者らｉ７１’、　Ａ　ｕの代りにパラ
ジウム（Ｐｄ）を使用することについて０（を究し既に
出願を行っている。

すなわち特願昭５６−１５０］５７（昭和５６．９．２
２出願）において下地金属−ヒにニッケル（Ｎｉ　）メ
ッキ層を介してＰｄメッキ層を設けるに際して両層の接
着力を向上するためにＰｄ−Ｎ１合金或はＡｕより、グ
るストライク層を設けだ摺動接ｆ独ミについて出願中で
ある。

本発明しよこのＰ（＋−Ｎｉ合金のストライク層を形成
するメッギイ百組成およびメッキ争１′１冒・ζ関する
ものである。

（Ｃ）　　従来技術と１７．”　ｌ邑「１．ｉ。

従来のＰｄストう・イク浴としＣは小話のＰＣＩ化合物
例えば塩化パラトスアミン、ジアミノジニトロパラジウ
ムなとに肌硝酸化合物例えはり）：硝酸カリ、亜硝酸ソ
ーブ在どを加えＡ−水溶液が用いられ、］　０−５０　
Ａ　／　ｄｎｌ’　ノ１　’）　６大電１！、Ｆｆ”ｉ
　ｍ二’％４　Ｔｌイ％）上液て電解するバラジウノ、
ストライクが用いらノ）。

ていた。ここで浴中の亜硝１ヂ（１１＝Ｊが少い場合マ
ー・ｉｌ！ｉ硝酸根が電解の進行に伴って硝酵根に変化
する場合ｋｉ　＋ｒグメソキ！ｉ勿の表１百１に所ｍｌ
るｌ’、ＱけのＳｌす４己がＡ己って黒化しだＰｄが生
じ易く、−力これを避けるだめに亜硝酸根の添加（，１
−を噌加すると眠導度が噌加するためにストライク効果
が減少すると云う問題点があった。

（（１）発明の目的 本発明の目的は液管Ｊ旭がてｉ易で目、つ効果的なパラ
ジウムストライク層を形成するだめの浴組成とメッキ糸
作を提供することを目的とする。

（ｅ）　　発明の構成 本発明の目的は受付のパラジウノ・化合物を溶質と゛す
る従来の液組成に加うるに１〜］　’、３　ｇ　／　ｌ
のＮｉに相力する水溶性Ｎ１化合物を含有する浴を用い
ると共にこハ、を強く攪伴し乍ら高宙、流密度でパラジ
ウムのｌ’ｆ、ｌ速ストライクを行うこと（（より達成
でへる。

（０発明の実殉も１１ 本発明は従、ＩＧのｒｄストライクに代ってＰ　ｄ　−
Ｎ１の高速メッキを１」い、こ］１により従来の欠点を
無く−すると共に光沢１・トと密に１件のｆ〈れたメッ
キ第１図は実施例の構成図であって隣宵鋼（ＣｕＩ’　
−Ｓ　ｎ合金）基板１の上にＮｉ・層２を例えば約１．
５　（／１ｍ　）の厚さに形成し史にこの上にｐｄ層３
を例えば約０．６〔μｍ〕の厚さに形成し従来のＡ　１
１層の代替とする場合にＩＶ１１着２とのｆ＠性を向上
するために数曲ヒシのＪ”Ｊさ妬Ｐｄ−Ｎｉ合金層４を
従来のＰｄストライク層の代りに設けるものである。

ここでストライクメッキが従来より密着性向上の手段と
して広く用いらｈているか、この理由は金属イ刈ン（こ
の場合Ｐｔ−１イ一号ン）の１＃度が低い水溶液を用い
静止液で且つ入電流密度で正解することにより水素分球
をｉｔ・長じてメッキ而１で水素イオン（Ｊ−１）の放
電を起させ、この発生期のＴＩ原子の強い還元作用によ
り表面を清浄化し乍ら金属の緩かな成長が行われるだめ
に密着性の優ｆ１−だ金減膜が生ずるものである。

然しなから上記のように各種の問題点があり製品の歩留
洩りが福、いので本発明においでｔｊ、　−Ｆ’　、ｆ
ｌｌ！のＮｉＮＡ２を今後メソウするＰｄ層３の間に従
来のｐｄストライク層に代ってＰ（＋−ＪＪｉ合釜層４
を形成するものである。この目的に使用するメッキ浴は
従来液と異り冶讃度が高くまだ静止液の状態でメッキを
行う必要はないが電流栢破は従来のストライクの条件と
ｊ＋ｊｊ様とする。

ここで大電流密度でｆｒ秒の短時間に−Ｕっでメッキ干
る作業をストライクと呼ぶとすると、本発明にイ系るス
トライクに当ってはｌａｄイオンとＮｉイオンの同時析
出が可畦なよう両者の金属イオンの濃度分極が生じない
ようにすることが必要であり、そのため液は４Ｗ伴が必
要となる。

第１表ｄ従来のストライクメッキと本発明（で係るスト
ライクメッキおよびその子、多行われる木メッキの浴組
成とメッキ粂件を示すものである。

ここで従来のストライク浴と今回のストライク浴とを孔
中りするとニッケル」菖の有仙（だけが異っている。す
なわち今回の浴組成の９！１合けｔｌｌの比伝導度が高
く、そｉまたけストライク効イが減少している。

本発明は従来のストライク効呆に代ってＮｉとＩ’ｄの
合金からなるツ層を形成しこれによりＰｄの密着性を向
上するものであって、そのためにはＮ１とＰｄが同時析
出することが必甥であり、この条件を満すためにはＮｉ
とＰｄの錯イオンを使用するのも一法であるが本発明に
おいては両イオンの混合液を用い、攪伴し乍ら高ＩＩ、
流密度で電１する方法をとる。

第１表の浴組成を用いる本方法においては比１・導度も
余り高くならないので３０／Ｖｄｍ’のよう高電流密度
で電解する場合に１月１イオンの放電しよる清浄化効用
も伴うために密着性も向上する。

第１表 ＞Ｉｉ！ｍ　２　＆は板Ｉｆ　Ｏ，５ｍ　ｍの１ｊ＊％
℃板に対しテワット酌によってＮ１メッキを１すさｌ、
　５　／ｊ　Ｉｎに施した狸　　　ものを１−３料とし
、第１表に示した今回のスト２イケ　　　り浴を本メッ
キ浴を用いてノ）ｄメッキｋｌｋしＮｉ塩の添加ｌ−と
表面光沢および密危゛性との関係を求めたものであり、
伺れもジェット噴射メッキ法によった。

表　　　２ すなわちＮｉ塩の面別により表面光沢は改良されるが′
Ｍ＠性は添加）シが余り大きくなると却って悪くなる。

この理由ばＮ１の析出が圧倒的に多くなり、その後に行
われるＰｄ　メッキに対してＮｉの表＋Ｆａが直接関与
するよりＫなること、および也導厩の精力［１に伴いＪ
（イオンの放電が無くなることによると思われる。この
第２表からＮ１の含’ｈン＃、　ｋよ］〜１５ｇ／ｐ、
の範囲がよいととが判る。

なお密層性の評価は第２図に不す“ようにＮ１含・角昂
を変えて作成した＠柚の試料５をダイ６およびポンチ７
を用い ＋＜、＝２を 但し１＜・・・・・・曲率半イ毛 ｔ・・・・・）すさ の９０度曲げを行った曲げ面について争１ｊ離状態を詐
貝倣鐘観祭により４周べたボ占升？である。

次に本発明に係るＰｄ−Ｎｉ　ζトライクｒ合Ｖ、１、
故の攪伴が８装ｒ１−件となるが第３表ｔよ液の帽伴の
祈府性に及は−す影豐を示す夫験結釆でろる・ここで実
９１５００ｃｃのビーカーに第１衣でＮｉ含南酎耐、ｓ
ｇ／Ｉｔとした本発明に保る５　（ｌ　ｍ　ｍのテノロ
ン披情攪伴子の回転速度を変えてストライクを行ってい
る。

この結果からメッキ（ｌｊは強い攪伴状態はど密着性の
よいメッキが得られることが伴る。

この理由は均一な組成のＰｄ−Ｎｉ合毎メッキが生じ、
ているためであるが以ト実施例についてこれを証明する
。

第４表１＝ｉ試料基本として銅（Ｃｕ）および紹マイク
ロアナライザ（略称ＩＭＡ）による分析結果であり、甘
だ第５表はかかるストラック合舖膜の接触担抗を４端ｆ
法を用い１測定した結果である。

１：ｌ＝：：　　ＩＭＡ分析の定ｉ】浦正値（＠ストラ
イク１時間　５秒 ／ｌ−：　１ｔｌｌｊ：ｉｔ荷＋（ｉ、２５　ｇ　、　
　、ｉｆｆ、＠、　屯１１１Ｃ，５”Ａ＋電億は純Ａｕ
線 ２放直努囲気　２０チＮ、・０．Φ １０　ｐｐｒｎＨｔ　Ｓ　７０％　Ｒ・１１第４表で示
すＩＭＡ分析において基板金＋４　’ｆ　Ｎ　ｉより代
えて行った理由はストライクＪ−の組成を足取するため
であるが、分析＃ｉｌ′ｉｌＮから合金か得られている
ことがｆｌＪる。

次に第５表に示した実験目的は合金膜の均一性を確める
もので、１０ケ所に互ってｂＴ、誼を敦えて剰 測定した。′＠合にＰｄおよびＮｉ原子がそれぞれ粒状
となって不均一に析出している鴫合Ｖよ接ｊ狂抵抗１−
もそれぞれの金員固、狗の１直を出して変動する筈であ
り、また仙仁化水素（Ｈ，Ｓ）を含む湿気中に放！ｒ（
する場合、もし合釜膜の組成が不均一の場合は酸化して
鈍化ニッケル（Ｎｉｐ）を生じ接融抵抗値が急増する許
である。然し乍ら第５表に示すよ測 うに胸足懐の変動も少くまた２４時間放１−１後もスト
ライク合金膜が１１−に化した件子もない。

以」二のことから本発明にかかるメッキ浴を用い従来の
ストライクメッキとは異る頻奇伴の状態でストライクを
行うことによりリーなＰ（１−Ｎｉ合金膜を得ることが
できる。

（ｇ）　　発明の効果 本発明の実Ｍ１ｊにより従来のストライク層形成での欠
点が取止され洩だ従来の靜市浴に代って噴射浴が使用で
きるように畠連部分ストライクが可能となり、高能率化
が達成された。

【図面の簡単な説明】

第１図ｔま本発明に係るＰｄメッキ実施例の構成同寸だ
第２図は密着性計価のための試料作成を示す説明図であ
る。 図において、２はＮｉ層、３は１）ｄ１鱒、４はＰｄ−
Ｎｉ合金層、５は試料。 第　１１！２］ 吊　２　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　下地金属、Ｈにニッケル層を介し、て形成さ
   れるパラジウノ、メッキにおいて、前記ニッケル層への
   密着性を向上−ｊるだめに行われるストライク浴が少量
   のパラジウム化合物を溶質とする従来の液組成に加うる
   Ｋ】〜１５ｇ／ｌのニッケルに相当する水溶性ニッケル
   化合物を含むものからなることを特徴とするパラジウム
   メッキ浴。
2. （２）　　ニッケル層への密プ［性を向上するために形
   成ら高電流密度でメッキすることを特徴とする）（ラジ
   ウムストライク層の形成方法。