JPS598357A

JPS598357A - 半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法

Info

Publication number: JPS598357A
Application number: JP11905182A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kamoto; 覚嘉本; Yasuhiro Funakoshi; 舟越　也寿宏
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1982-07-06
Filing date: 1982-07-06
Publication date: 1984-01-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法
に係り、特に精度のよいコンタクト孔を得るための改良
に関するものである。

半導体装置においては半導体基板上に素子を形成し表面
に保護絶縁膜を形成した後に、これらの素子相互間また
は他の外部回路との間の接続のために、保護絶縁膜にコ
ンタクト孔を穿ち、これを介して導電膜による接続する
方法が広く用いられている。このコンタクト孔の形成精
度は特に高密度集積回路装置においては重要視される傾
向にある。

ところで、第１図Ａ　−Ｃは従来のコンタクト孔形成方
法の一例の主要段階における状態を示す断面図である。

まず、第１図Ａに示すように、シリコン基板（１）の一
方の主面にゲート酸化膜（２ａ）およびフィールド酸化
膜（２ｂ）を形成後、ゲート酸化膜（２ａ）の上にポリ
シリコンゲー）ＫＭ（３）ｋ形成し、さらに熱酸化によ
ってポリシリコンゲート電極（３）の表面に酸化膜（４
）を形成し、以下コンタクト工程に入る。第１図Ｂに示
すように、酸化膜（４）の上を含めて、ゲート酸化膜（
２ａ）およびフィールド酸化膜（２ｂ）の上にリン・ケ
イ酸ガラス（ｒｒｓａ）膜（５）を形成し、その上にコ
ンタクト孔を形成すべき部分に開孔を有するホトレジス
トマスク（６）全形成す、る。

つづいて、第１図Ｃに示すように、上記ホトレジストマ
スク（６）をマスクにしてＰＳＧ膜（５）並びに酸化膜
（２ａ）および（４）をエツチングしてシリコン基板（
１）およびポリシリコンゲート電極（３）の表面を一部
露出させてコンタクト孔（７）を形成する。

ところが、以上のような従来の方法では、ＰＳＧ膜（５
）並びに酸化膜（２ａ）および（４）を−拠にエツチン
グするので、等方性エツチングの場合には第１図Ｃに示
すようにサイドエツチングが発生し、ホトレジストマス
ク（６）の開孔より大きいコンタクト孔（７）が形成さ
れることになり、コンタクト孔（７）の大きさを精度よ
くコントロールできなかった。従って、半導体装置の集
積度を向上できないなどの欠点があった。また、寸法精
度を向上させようとして、非等方（異方）性エツチング
を用いると絶縁層の断差部が急峻となり、この部分を通
って形成される導電膜に断線を生じる。

この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、薄
い下層絶縁膜と厚い上層絶縁膜との間に薄い中間層絶縁
膜を形成し、上層絶縁膜を介して中間層絶縁膜にあらか
じめ所望の大きさの開孔を形成しておき、この中間層絶
縁膜をマスクとして下層絶縁膜をエツチングすることに
よって、精度よくコンタクト孔を形成する方法を提供す
ることを目的としている。

第２図Ａ〜Ｃはこの発明の第１の実施例の主要段階にお
ける状態を示す断面図で、第］図Ａ−Ｃの従来例と同等
部分は同一符号で示す。１ず、第１図Ａに示したと全く
同様に、シリコン基板（１）の上に、ゲート酸化膜（２
ａ　）、フ・イールド酸化膜（ｚｂ　）　。

ポリシリコンゲート電極（３）及び酸化膜（４）を形成
したものを準備ｌ〜、つづいて、第２図Ａに示すように
、ポリシリコンゲー）　Ｎ　Ｉｔ　（３）の上の酸化膜
（４）の」−を含むゲート酸化膜（２ａ）およびフィー
ルド酸化膜（２ｂ）の上に膜厚１ｏｏｏ　Ａ位の窒化膜
（８）を形成し、上記窒化膜（８）上に所望の開孔を有
する第１のホトレジストマスク（６）を形成し、上記窒
化膜（８）をエツチングすることにより上記窒化膜（８
）にコンタクトとして所望の大きさの開孔００を形成す
る。次に第２図Ｂに示すように、開孔αＯの内部に露出
し、た酸化膜（２ａ、）、　（４）の上から窒化膜（８
）の上にわたって全面に膜厚ｔｏｏｏ　Ａ程度のＰＳＧ
膜（５）を形成し、更にその上に前述の第１のホトレジ
ストマスク（６）と同一パターンまたはその開孔が少し
大きいノ（ターンの第２のホトレジストマスク（９）を
形成する。つづいて第２図Ｃに示すように、この第２の
ホトレジスト・マスク（９）をマスクとして酸化膜に対
するエツチング法を施してＰＳＧ膜（５）並びに酸化膜
（２ａ）および（４）ｆエツチングしてコンタクト孔（
７）を形成する。

このとき、上述のように酸化膜に対するエツチング法を
用いるので、窒化膜（８）は実質的にエツチングされず
、その開孔００を介して酸化膜（２ａ）、（４）がエツ
チングされるので、コンタクト孔（７）は殆んど大きく
ならず精度よく形成することができる。一方、Ｐｆ９Ｇ
膜（５）は従来例と同様にサイドエツチングを受けて、
コンタクト孔（７）部において窒化膜（８）及び酸化膜
（ｚａ）、（４）に比して、図示のように後退するので
、段差の急峻さを緩和できるので、ＰＳＧ膜（５）の上
に形成されるアルミニウム配線膜の断線も防＋ｈされる
。以上のような効果を得るためには窒化膜（８）は酸化
膜（２ａ）、（４）のマスクとなるに十分な厚ささえあ
れば、薄くてよく、この窒化膜（８）が２０００八程度
以上の厚さをもつと、ストレスのため窒化膜（８）が割
れたり、能動部分に悪影響をおよほす可能性がある。ま
た、酸化膜（２ａ）、（４）の膜厚が太きく　２０００
八以上にもなればこれらから窒化膜（８）を経てＰ２Ｏ
膜（５）へ移行する部分の段差が大きくなるばかりでな
く、等分酸化膜エツチングに際して、酸化膜（２ａ）、
　（４）がサイドエツチングを受け、コンタクト孔（７
）の径が開孔０Ｇの径より０．４　ｔｔ以上も大きくな
るのでアルミニウム配線膜の断線のおそれも生じ、かつ
、コンタクト孔（７）の精度も低下する。

また、ＰＳＧ膜（５）の下に窒化膜（８）があるので、
能動領域すなわち酸化膜（２ａ）、　（４）およびシリ
コン基板（１）への不純物の浸入を防ぐことができる。

なお、ｐチャネルＦＢＴなどのｐ＋形領領域図示せず）
にコンタクトを行なうとき、ＰＳＧ膜（５）をなめらか
にする加熱工程で、ＰＳＧ膜（５）中のリンがｐ＋形領
領域入る可能性がある。従って、ＰＳＧ膜（５）をなめ
らかにする加熱工程をＰＳＧ膜（５）及び酸化膜（２ａ
　）　、　（４１，のエツチングの途中で行ない、この
加熱工程が終ってから酸化膜のエツチングを再開してコ
ンタクト孔（７）の形成を完了するようにすれば、ｐ＋
形領領域のリンの浸入を防止できろうまた、この実施例
では第１のホトレジストマスク（６）および第２のホト
レジストマスク（９）の２重にマスクを用いたのでコ°
ミの混入などによるマスクの偶発的欠陥による不用のコ
ンタクト孔の形成は防止されるつな卦、上記実施例では膜厚１０００八位の窒化膜（８）
を形成したものを示したが、酸化膜（２−ａ）ｌ（４）
及びフィールド酸化膜（２ｂ）をアンモニアガスをもち
いた高圧熱窒化などの方法により直接に数１０〜１００
八位の窒化膜を形成して、窒化膜（８）のかわりに使っ
ても同様の効果が得られる。

また、コンタクト孔（７）の形成後、窒化膜エッチを行
ないコンタクト部の酸化膜（２ａ　）　＋　（４）より
少しはり出した窒化膜（８）を取りのぞくことは、より
段？差部をなめらかにし、アルミニウム配線の断線の防ぎ、
より効果的である。

第３図Ａ　−０はこの発明の第２の実施例の主要段階に
おける状態を示す断面図である。この実施例では、まず
、第３図Ａに示すようにシリコン基板（１）上にゲート
酸化膜（２ａ）、　フィールド酸化膜（２ｂ）を形成し
、ポリシリコンゲー）　電極（３）　、酸化膜（４）を
形成した後、更に第２図Ａの場合と同様に膜厚１０００
八程度の窒化膜（８）を形成し窒化膜（８）をエツチン
グ開孔することなく、その上面全体に膜厚７００ＯＡ程
度のＰＳＧ膜（ｆｉ）　を形成し、その上に第２図Ｂの
場合に形成したと同様の所望の開孔を有する第１のホト
レジストマスク（６）を形成する。つづいて、第３図Ｂ
に示すように、この第１のホトレジストマスク（６）を
介して酸化膜エツチング法を施してＰＳＧ膜（５）に開
孔ａηを形成する。このエツチング法では窒化膜（８）
は実質的にエツチングされない。

次に、第１のホトレジストマスク（６）を除去したのち
、第３図Ｃに示すように開孔０υが形成されたＰＳＧ膜
（５）の上に、その表面に沿って形成すべきコンタクト
孔の直径に等しいか少し小さい直径の開孔を有する第２
のホトレジストマスク（９）を形成し、これを用いて窒
化膜に対するエツチング法を施して窒化膜（８）に所望
の大きさの開孔（１０を形成し、つづいて、第２のホト
レジストマスク（９）と開孔αＯが形成された窒化膜（
８）とをマスクとして酸化膜エツチング法にて酸化膜（
２ａ）、（１１）をエツチングしてコンタクト孔（７）
ｆ完成する。この実施例も酸化膜（２ａ）１（４）に接
して設けられ所望の径の開孔α０が形成された窒化膜（
８）をマスクとして酸化膜（２ａ）、　（４）をエツチ
ングするので、コンタクト孔（７）は精度よく形成でき
る。

＠４図Ａ−Ｃはこの発明の第３の実施例の主要段階にお
ける状態を示す断面図である。この実施例では第２の実
施例における第３図Ａと全く同様の状態にした後、第２
の実施例ではＰＳＧ膜（５）に等発性エツチングを施し
たが、この第３の実施例では第４図Ａに示すようにＰＳ
Ｇ膜（５）に酸化膜に対する異方性エツチング法を施し
、開孔（ｌｌａ）を形成する。異方性エツチングである
からサイドエツチングは極めて小さく、開孔（ｌｌａ）
の形状は最初のホトレジストマスク（６）の開孔と殆ん
ど同一である。従って、第４図Ｂに示すようにこのｉｔ
で、ホトレジストマスク（６）と開孔（ｌｌａ、）が形
成されたＰＳＧ膜（５）とをマスクとして窒化膜エツチ
ング法を施して、窒化膜（８）に開孔αＯを形成し、引
続いて、第４図Ｃに示すようにホトレジストマスク（６
）の残った状態でそれぞれ開孔が形成されたＰＳＧ膜（
５）および窒化膜（８）をマスクとして、酸化膜エツチ
ング法を施して酸化膜（２ａ）、（４）に開孔を形成し
コンタクト孔（７）を完成する。この実施例では上述の
ようにＰＳＧ膜（５）の開孔（ｌｌａ）の形成に異方性
エツチングを用いたので、第２の実施例におけるような
第３のホトレジストマスク（２）を形成する要なく、窒
化膜（８）に正確な開孔０１を形成でき、コンタクト孔
（７）も精度よく形成できる。

コンタクト孔（７）の形成後、ホトレジストマスク（６
）を除去して、更に酸化膜エツチング法を追加すること
によってＰＳＧ膜（５）の開孔（ｌｌａ）の上部のかど
をなめらかにする。しかし、第４図Ｃの段階での酸化膜
（２ａ）、　（４）のエツチング開孔の工程をホトレジ
スト膜（６）を除去して後に行なってもよい、これによ
ってＰＳＧ膜（５）の段差部をなめらかにし、６アルミ
ニウム配線の断線を防止できる。

なお、この発明におけるコンタクト孔の形成個所は上記
実施例の場合の他に半導体基板上の配線導体の上であっ
てもよい。また、上記各実施例では窒化膜を別個に形成
したが、その下の酸化膜の表面部を直接酸化して形成し
てもよ（、ＰＳＧ膜の代りにシリコン酸化膜を用いるこ
ともできる。更に、窒化膜と酸化膜及びＰＳＧ膜とはエ
ツチング手法が異る膜の組み合わせであれば、この組み
合わせに限定されるものではない。

以上詳述したように、この発明ではともに第１のエツチ
ング手法でエツチング可能な第１の絶縁膜と、その上方
に重ねて形成された膜厚の厚い第２の絶縁膜とを通して
コンタクト孔を形成するに当って両者の間に第１のエツ
チング手法では実質的にエツチングされず第２のエツチ
ング手法でエツチング可能な第３の絶縁膜を介在させ、
第２の絶縁膜の開孔エツチングでサイドエツチングによ
る孔径め拡大が生じても第３の絶縁膜に第２のエツチン
グ手法で精度のより開孔を形成し、この開孔を介して第
１の絶縁膜をエツチングしてコンタクト孔を完成するよ
うにしたのでコンタクト孔を精度よく形成することがで
き、集積回路装置の製造に適用すればその集積度の向上
に寄与する。

【図面の簡単な説明】

第１　図Ａ　−０は従来のコンタクト孔形成方法の一例
の主要段階における状態を示す断面図、第２図Ａ−０．
第３図Ａ　−０および第４図Ａ　−０はそれぞれこの発
明の第１．第２および第３の実施例の主要段階における
状態を示す断面図である。図において、（１）は半導体基板、（２ａ）はゲート酸
化膜（第１の絶縁膜）　、　（３）はポリシリコンゲー
ト電極、（４）は酸化膜（第１の絶縁膜’）　、（５）
はＰ２Ｏ膜（第２の絶縁膜）　、　（６）は第１のホト
レジストマスク、（７）はコンタクト孔、（８）は窒化
膜（第３の絶縁膜）　、（９）は第２のホトレジストマ
スク、ＱＯハ第３の絶縁膜の開孔、αυ、　（ｌｌａ）
は第２の絶縁膜の開孔である。なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。代理人　葛野信　−（外１名）第１図２ａ、／第２図第３図第４図手続補正書（自発）昭和５７年１１月１０　日２、発明の名称　　半導体装置におけるコンタクト孔の
形成方法３　、　　？１ｉ　ｉｌ：、をする吉事ｆ′Ｉとの関係　　　持許出願人ｆＬ　所　　　　　東工；〔都千代田区丸の内二丁目２
番３号名　称（６０１，）　　　三菱電機株式会社代表
者片山仁八部４代理人５、補正の対象明細書の特許請求の範囲の欄、発明の詳細な説明の欄お
よび図面の簡単な説明−瞥６、補正の内容（１）明細書の特許請求の範囲を添付別紙のとおりに訂
正する。（２）　　明細書の第７頁第３行の「−一一一生じる。」の次に「異方性エツチングは酸化膜のシリコンに対す
る選択比が小さく、シリコンもエツチングされるので、
コンタクト孔の突き抜けが生じる可能性がある。」を追
加する。（３）同、第９頁第１４行および第１２頁第１９〜２０
行に「等分」とあるのを「等方」と訂正する。（４）同、第１３頁第１９行の「−一一一形成できる。」の次に「また、上述のように酸化膜（２ａ）、　＋４
１の開孔に異方性エツチング法を施さなかった理由は異
方性エツチングは酸化膜のシリコンに対する選択比が悪
く、シリコン基板ｆｉｌもエツチングされコンタクト孔
の突へ抜けが生じる可能性があるからである。」を追加
する。（６）　　同、第１４頁第１２行−に「直接酸化」とあ
るのを「直接窒化」と訂正する。（６）同、第１５頁第１８行の「（第１の絶縁膜）、」
の次にｒ　（２ｂ）はフィールド酸化膜、」を追加する
０７、添付書類の目録訂正後の特許請求の範囲を示す書面　　　　１通以上Ｉ。特許請求の範囲［１１半導体基板上に形成され第１のエツチング手法で
エツチングされ得る第１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜
の上方に重畳して形成され上記第１の絶縁膜よシ厚い膜
厚を有するとともに上記第１のエツチング手法でエツチ
ングされ得る第２の絶縁膜とに選択的にエツチングを施
して上記半導体基板の表面に達するコンタクト孔を形成
するに際して、上記第１の絶縁膜に直接液して上記第２
の絶縁膜との間に上記第１のエツチング手法では実質的
にエツチングされず第２のエツチング手法でエツチング
され得る第３の絶縁膜を形成し、上記第３の絶縁膜に上
記第２のエツチング手法による選択エツチングで形成し
た開孔を介して上記第１の絶縁膜に上記第１のエツチン
グ手法で選択エツチングを施すことを特徴とする半導体
装置におけるコンタクト孔の形成方法。（２）　　半導体基板上に第１の絶縁膜と第３の絶縁膜
とを順次形成し、第１のホトレジストマスクを介して第
２のエツチング手法で上記第３の絶縁膜に開孔を形成し
、上記第１のホトレジストマスクを除去した後に上記開
孔に露出した上記第１の絶縁膜と上記第３の絶縁膜との
上に第２の絶縁膜を形成し、上記第１のホトレジストマ
スクに対応するパターンの第２ホトレジストマスクを介
して第１のエツチング手法を上記第２および第１の絶縁
膜に施すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。（３）半導体基板上に第１の絶縁膜、第３の絶縁膜およ
び第２の絶縁膜を順次形成し、第１のホトレジストマス
クを介して上記第２の絶縁膜に第１のエツチング手法に
よる等方性エツチングを施して比較的大きい開孔を形成
し、上記第１のホトレジストマスク全除去した後に上記
開孔に露出した上記第３の絶縁膜上に所要形状の開孔を
有するとともに上記第２の絶縁膜上にわたって形成され
た第２のホトレジストマスクを介して第２のエツチング
手法を上記第３の絶縁膜に施して開孔を形成し、上記第
３の絶縁膜の上記開孔を介して上記第１のエツチング手
法を上記第１の絶縁膜に施すことを特徴とする特許ｇｔ
ｆ求の範囲第１項記載の半導体装置におけるコンタクト
孔の形成方法。（４）半導体基板上に第１の絶縁膜、第３の絶縁膜およ
び第２の絶縁膜を順次形成し、ホトレジストマスクを介
して上記第２の゛絶縁膜に第１のエツチング手法による
異方性エツチングを施して比較的稲度のよい開孔を形成
し、上記ホトレジストマスクおよび上記開孔が形成され
た上記第２の絶縁膜を介して第２のエツチング手法を上
記第３の絶縁膜に施して開孔を形成し、上記第３の絶縁
膜の上記開孔を介して上記第１のエツチング手法を上記
第１の絶縁膜に施すことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法
。（５）第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜をそれぞれ２００
ＯＡ以下の膜厚に形成することを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半導体装置
におけるコンタクト孔の形成方法Ｏ（６）半導体基板の上面が電界効果トランジスタのゲー
ト電極および／または配線導体の表面を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに
記載の半導体装置におけ□るコンタクト孔の形成方法。（７）第１の絶縁膜を酸化シリコン膜、第′２の絶縁膜
をリンケイ酸ガラス膜、第３の絶縁膜を窒化シリコン膜
で形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第６項のいずれかに記載の半導体装置におけるコンタ
クト孔の形成方法。（８）第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を酸化シリコン膜
、第３の絶縁膜を鴛化シリコン膜で形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに
記載の半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。（９）　　第３の絶縁膜は第１の絶縁膜の表面部を直接
窒化して形成することを特徴とする特許請求の範囲第７
項または第８項記載の半導体装置におけるコンタクト孔
の形成方法。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　　半導体基板上に形成され第１のエツチング手
法でエツチングされ得る第１の絶縁膜と、この第１の絶
縁膜の上方に重畳して形成され上記第１の絶縁膜より厚
い膜厚を有するとともに上記第１のエツチング手法でエ
ツチングされ得る第２の絶縁膜とに選択的にエツチング
を施して上記半導体基板の表面に達するコンタクト孔を
形成するに際して、上記第１の絶縁膜に直接液して上記
第２の絶縁膜との間に上記第１のエツチング手法では実
質的にエツチングされず第２のエツチング手法でエツチ
ングされ得る第３の絶縁膜を形成し、上記第３の絶縁膜
に上記第２のエツチング手法による選択エツチングで形
成した開孔を介して上記第１の絶縁膜に上記第１のエツ
チング手法で選択エツチングを施すことを特徴とする半
導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。
（２）半導体基板上に第１の絶縁膜と第３の絶縁膜とを
順次形成し、第１のホトレジストマスクを介して第２の
エツチング手法で上記第５の絶縁膜に開孔を形成し、上
記第１のホトレジストマスクを除去した後に上記開孔に
露出した上記第１の絶縁膜と上記第３の絶縁膜との上に
第２の絶縁、膜を形成し、上記第１のホトレジストマス
クに対応するパターンの第２ホトレジストマスクを介し
て第１のエツチング手法を上記第２および第１の絶縁膜
に施すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置におけるコンタクト孔の形成方法。
（３）半導体基板上に第１の絶縁膜、第３の絶縁膜およ
び第２の絶縁膜を順次形成し、第１のホトレジストマス
クを介して上記第２の絶縁膜に第１のエツチング手法に
よる等方性エツチングを施して比較的大きい開孔を形成
し、上記第１のホトレジストマスクを除去した後に上記
開孔に露出した上記第３の絶縁膜上に所要形状の開孔を
有するとともに上記第２の絶縁膜上にわたって形成され
た第２のホトレジストマスクを介して第２のエツチング
手法を上記第３の絶縁膜に施して開孔を形成し、上記第
３の絶縁膜の上記開孔を介して北耐融］のエツチング手
法を上記第１の絶縁膜に施すことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置におけるコンタクト孔の
形成方法。
（４）　　半導体基板上に第１の絶縁膜、第３の絶縁膜
および第２の絶縁膜を順次形成し、ホトレジストマスク
を介して上記第２の絶縁膜に第１のエツチング手法によ
る異方性エツチングを施して比較的精度のよい開孔を形
成し、上記ホトレジストマスクおよび上記開孔が形成さ
れた上記＠２の絶縁膜を介して第２のエツチング手法を
上記第３の絶縁膜に施して開孔を形成し、上記第３の絶
縁膜の上記開孔を介して上記第１のエツチング手法を上
記第１の絶縁膜に施すことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置におけるコンタクト孔の形成方
法。
（５）　　第１の絶縁膜及び第３の絶縁膜をそれぞれ２
０００八以下の膜厚に形成することを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第一４項のいずれかに記載の半導
体装置におけるコンタクト孔の形成方法。
（６）　　半導体基板の上面が電界効果トランジスタの
ゲート電極および／または配線導体の表面を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のｂずれ
かに記載の半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法
。
（７）第１の絶縁膜を酸化シリコン膜、第２の絶縁膜を
リンケイ酸ガラス膜、第３の絶縁膜を窒化シリコン膜で
形成することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第６項のめずれかに記載の半導体装置におけるコンタク
ト孔の形成方法。
（８）　　第３の絶縁膜及び第２の絶縁膜を酸化シリコ
ン膜、第３の絶縁膜を窒化シリコン膜で形成すること全
特徴とする特許請求の範囲第１項な旨し第６項のいずれ
かに記載の半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法
っ
（９）　　第３の絶縁膜は第１の絶縁膜の表面部を直接
窒化して形成することを特徴とする特許請求の範囲第７
項または第８項記載の半導体装置におけるコンタクト孔
の形成方法。