JPH02134848A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02134848A JPH02134848A JP28942988A JP28942988A JPH02134848A JP H02134848 A JPH02134848 A JP H02134848A JP 28942988 A JP28942988 A JP 28942988A JP 28942988 A JP28942988 A JP 28942988A JP H02134848 A JPH02134848 A JP H02134848A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
従来の半導体基板表面の不純物拡散層と金属配線、ある
いは配線と他の配線の接続について図面を用いて説明す
る。
いは配線と他の配線の接続について図面を用いて説明す
る。
第５図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の第１の例の
平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である。
平面図及びＤ−Ｄ’線断面図である。
シリコン基板１に素子分離のためのフィールド酸化膜２
を形成した後、素子領域に拡散層３を形成し、絶縁膜４
で覆う。ホトリソグラフィ技術を用いて絶縁膜４に開孔
を設け、配線９を形成する。
を形成した後、素子領域に拡散層３を形成し、絶縁膜４
で覆う。ホトリソグラフィ技術を用いて絶縁膜４に開孔
を設け、配線９を形成する。
第５図に示す構造は、絶縁膜４の開孔部中に金属配線９
となる金属を形成するので開孔部側壁の金属が薄くなり
、開孔部の幅Ｗに対して絶縁層厚ＺがＺ／Ｗ＞ １とな
ると金属配線９が断線する欠点があった。
となる金属を形成するので開孔部側壁の金属が薄くなり
、開孔部の幅Ｗに対して絶縁層厚ＺがＺ／Ｗ＞ １とな
ると金属配線９が断線する欠点があった。
また、配線９は目ずれ寸法変化を考慮して開孔部端から
幅Ｘだけ外側に広げる必要があり、接続領域が並ぶ場合
には配線９の分離に距離ｙだけ必要であるとすると、開
孔部の間隔は２ｘ＋ｙ必要となり、面積を増大させてい
た。
幅Ｘだけ外側に広げる必要があり、接続領域が並ぶ場合
には配線９の分離に距離ｙだけ必要であるとすると、開
孔部の間隔は２ｘ＋ｙ必要となり、面積を増大させてい
た。
第６図＜ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の第２の例の
平面図及びＥ−Ｅ’線断面図である。
平面図及びＥ−Ｅ’線断面図である。
絶縁膜４に開孔部における段差のために生ずる配線９の
断線を防止するため、開孔部をタングステンなどの導体
層８で埋めて、絶縁膜４の上面と導体層８の上面とを揃
えて表面平坦化した後、配線９を形成する。
断線を防止するため、開孔部をタングステンなどの導体
層８で埋めて、絶縁膜４の上面と導体層８の上面とを揃
えて表面平坦化した後、配線９を形成する。
しかしながら、第２の例の場合、導体層８の形成方法と
して選択気相成長法を用いると、下地である絶縁膜４及
び拡散層３との密着性が悪い場合があり、製造中に導体
Ｍ８が剥れてしまう危険性があり、接続領域がオープン
になる可能性があった。
して選択気相成長法を用いると、下地である絶縁膜４及
び拡散層３との密着性が悪い場合があり、製造中に導体
Ｍ８が剥れてしまう危険性があり、接続領域がオープン
になる可能性があった。
上述した様に従来の接続領域は、第１の例の構造の場合
には配線の断線の危険性と、面積の増大をもたらす欠点
があった。
には配線の断線の危険性と、面積の増大をもたらす欠点
があった。
また、第２の例の構造の場合には、導体層の密着不良に
よって接続領域が非接続になる可能性があった。
よって接続領域が非接続になる可能性があった。
本発明の半導体装置は、半導体基板表面に形成された不
純物拡散層による導電領域または半導体基板上に形成さ
れた絶縁膜の上に設けられた金属または多結晶シリコン
層による導電領域と、前記導電領域上に第１開孔部を有
し他の領域の表面を覆う第１の絶縁膜と、前記第１開孔
部内に該第１開孔部より小さい面積の第２開孔部を有し
て前記第１の絶縁膜の上に形成されかつ前記第１の絶縁
膜よりエツチング速度が遅い第２の絶縁膜と、前記第１
開孔部と第２開孔部を埋める導体層と、該導体層と接続
して形成される配線とを含んで構成される。
純物拡散層による導電領域または半導体基板上に形成さ
れた絶縁膜の上に設けられた金属または多結晶シリコン
層による導電領域と、前記導電領域上に第１開孔部を有
し他の領域の表面を覆う第１の絶縁膜と、前記第１開孔
部内に該第１開孔部より小さい面積の第２開孔部を有し
て前記第１の絶縁膜の上に形成されかつ前記第１の絶縁
膜よりエツチング速度が遅い第２の絶縁膜と、前記第１
開孔部と第２開孔部を埋める導体層と、該導体層と接続
して形成される配線とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図である。
及びＡ−Ａ’線断面図である。
シリコン基板１にフィールド酸化膜２．拡散層３、絶縁
膜４を形成することは、第５図及び第６図で示した従来
例と同じである。本発明においては、絶縁膜４の上に、
この絶縁膜４よりもエツチング速度の遅い絶縁ＪＩｉ５
を設ける。例えば、絶縁膜４にリンを含む珪酸ガラス、
絶縁膜５にリンを含まない珪酸ガラスを用いる。エツチ
ング速度の差を利用して絶縁膜４に第１開孔部６を・設
け、絶縁膜５に第１開孔部６より小さい第２開孔部７を
設ける。そして、気相成長法を用いて第１及び第２開孔
部６，７を導体層８で埋める。導体層８には例えばタン
グステンを用いる。
膜４を形成することは、第５図及び第６図で示した従来
例と同じである。本発明においては、絶縁膜４の上に、
この絶縁膜４よりもエツチング速度の遅い絶縁ＪＩｉ５
を設ける。例えば、絶縁膜４にリンを含む珪酸ガラス、
絶縁膜５にリンを含まない珪酸ガラスを用いる。エツチ
ング速度の差を利用して絶縁膜４に第１開孔部６を・設
け、絶縁膜５に第１開孔部６より小さい第２開孔部７を
設ける。そして、気相成長法を用いて第１及び第２開孔
部６，７を導体層８で埋める。導体層８には例えばタン
グステンを用いる。
第１開孔部の幅をａ、第２開孔部の幅をｂとするとき、
ａ）ｂの関係を持たせると、導体層８とシリコン基板１
との密着性が悪くても、絶縁膜５が導体層８の周縁を押
えているから、導体層８の剥れを防ぐことができ、絶縁
不良を無くすことができる。
ａ）ｂの関係を持たせると、導体層８とシリコン基板１
との密着性が悪くても、絶縁膜５が導体層８の周縁を押
えているから、導体層８の剥れを防ぐことができ、絶縁
不良を無くすことができる。
また、絶縁層上面を平坦化できるので配線８の＠Ｃを製
造上の最小寸法にすることができる。ここで仮にＣ≦ｂ
にできるなら並列する２つの接続領域の間隔を開孔部２
の分離に必要な間隔ｄとすることができる。ここで、第
５図に示すｙがｙ＝ｄであるならば第１の実施例では２
Ｘの間隔が減少できることになる。
造上の最小寸法にすることができる。ここで仮にＣ≦ｂ
にできるなら並列する２つの接続領域の間隔を開孔部２
の分離に必要な間隔ｄとすることができる。ここで、第
５図に示すｙがｙ＝ｄであるならば第１の実施例では２
Ｘの間隔が減少できることになる。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は第１図（ａ）、（ｂ）に示す実
施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、シリコン基板１にフ
ィールド酸化膜２を形成して素子領域を区画し、絶縁分
離する。そして拡散層３を形成する。この上にリンを含
む酸化シリコンの絶縁膜４を堆積し、その上にリンを含
まない酸化シリコンの絶縁膜５を堆積する。絶縁膜４と
５は、絶縁膜５の方が絶縁膜４よりもエツチング速度が
遅いことが必要である。
ィールド酸化膜２を形成して素子領域を区画し、絶縁分
離する。そして拡散層３を形成する。この上にリンを含
む酸化シリコンの絶縁膜４を堆積し、その上にリンを含
まない酸化シリコンの絶縁膜５を堆積する。絶縁膜４と
５は、絶縁膜５の方が絶縁膜４よりもエツチング速度が
遅いことが必要である。
ホトレジスト１０のマスクを形成し、異方性エツチング
により絶縁Ｍ４，５をエツチングして第２開孔部７を形
成する。
により絶縁Ｍ４，５をエツチングして第２開孔部７を形
成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、等方性工・ノチング
法を用いて開化部に対して横方向のエツチングを行なう
。酸化シリコンの工・ンチング速度はリンを含む酸化シ
リコンより遅いためエツチング後の形状は、第２図（ｂ
）に示す様に、段差がついたものとなる。この後、ホト
レジスト１０を除去する。
法を用いて開化部に対して横方向のエツチングを行なう
。酸化シリコンの工・ンチング速度はリンを含む酸化シ
リコンより遅いためエツチング後の形状は、第２図（ｂ
）に示す様に、段差がついたものとなる。この後、ホト
レジスト１０を除去する。
次に、第２図（ｃ）に示すように、六フッ化タングステ
ンをシランにより還元する方法を用いて開孔部中の拡散
層３上に選択的にタングステンの導体層８を成長させる
。
ンをシランにより還元する方法を用いて開孔部中の拡散
層３上に選択的にタングステンの導体層８を成長させる
。
この後、例えばアルミニウムを用いて配線９を形成し、
接続領域を完成させる。
接続領域を完成させる。
第３図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
この実施例では、絶縁膜４にリンを高濃度に含んだ酸化
シリコンを用い、絶縁膜５にリンを低濃度に含んだ酸化
シリコンを用いることによってエツチング速度に差をつ
けている。
シリコンを用い、絶縁膜５にリンを低濃度に含んだ酸化
シリコンを用いることによってエツチング速度に差をつ
けている。
第１及び第２開孔部の形成方法は、第２図（ａ）〜（ｃ
）で説明したのと同様である。
）で説明したのと同様である。
第１及び第２開孔部形成後、拡散層３と同導電型の不純
物をイオン注入して拡散Ｍ３より深い接合部分を形成す
る。
物をイオン注入して拡散Ｍ３より深い接合部分を形成す
る。
次に、９００℃の窒素雰囲気中で熱処理して絶縁膜４，
５を軟化させ、開孔部に丸味を帯びさせる。
５を軟化させ、開孔部に丸味を帯びさせる。
第１の実施例では、タングステン層形成の際、絶縁層の
段差部にタングステンが形成されない危険性があるが、
第２の実施例では、段差部の形状が改善されるのでタン
グステンの形成が確実なものとなる。また、開孔部上部
の形状も改善されるのでタングステンを絶縁膜５の上部
まで形成せずとも良い。
段差部にタングステンが形成されない危険性があるが、
第２の実施例では、段差部の形状が改善されるのでタン
グステンの形成が確実なものとなる。また、開孔部上部
の形状も改善されるのでタングステンを絶縁膜５の上部
まで形成せずとも良い。
第４図（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施例の平面図
及びｃ−ｃ’線断面図である。
及びｃ−ｃ’線断面図である。
この実施例は、シリコン基板１を覆う絶縁膜１１の上に
形成された多結晶シリコン配線１２に本発明を適用した
ものである。第１及び第２の実施例と同様に、エツチン
グ速度の速い絶縁膜４゜エツチング速度の遅い絶縁膜５
を設け、エツチング速度差を利用して下部の第１開孔部
の方が上部の第２開孔部より大きい開孔を形成する。導
体層８で開孔部を埋めてから配線９を形成する。これち
第１及び第２の実施例と同様に行う。
形成された多結晶シリコン配線１２に本発明を適用した
ものである。第１及び第２の実施例と同様に、エツチン
グ速度の速い絶縁膜４゜エツチング速度の遅い絶縁膜５
を設け、エツチング速度差を利用して下部の第１開孔部
の方が上部の第２開孔部より大きい開孔を形成する。導
体層８で開孔部を埋めてから配線９を形成する。これち
第１及び第２の実施例と同様に行う。
以上、説明したように、本発明は、開孔部に導体層を埋
め込む接続領域において開孔部上部の幅を開孔部底部の
幅より小さくすることで導体層の剥れを防ぎ、また上部
を通る配線幅を細くすることで集積度を向上できる効県
がある。
め込む接続領域において開孔部上部の幅を開孔部底部の
幅より小さくすることで導体層の剥れを防ぎ、また上部
を通る配線幅を細くすることで集積度を向上できる効県
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は第１の
実施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導
体チップの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第
２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）は本発明の第３の実施例の平面図及びｃ−ｃ
’線断面図、第５図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置
の第１の例の平面図及びＤ−Ｄ’線断面図、第６図（ａ
）、（ｂ）は従来の半導体装置の第２の例の平面図及び
Ｅ−Ｅ’線断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・拡散層、４．５・・・絶縁膜、６・・・第１開孔
部、７・・・第２開孔部、８・・・導体層、９・・・配
線、１０・・・ホトレジスト、１１・・・絶縁膜、１２
・・・多結晶シリコン配線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第７図 第３ 図 第２図 第４図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は第１の
実施例の製造方法を説明するための工程順に示した半導
体チップの断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は本発明の第
２の実施例の平面図及びＢ−Ｂ′線断面図、第４図（ａ
）、（ｂ）は本発明の第３の実施例の平面図及びｃ−ｃ
’線断面図、第５図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置
の第１の例の平面図及びＤ−Ｄ’線断面図、第６図（ａ
）、（ｂ）は従来の半導体装置の第２の例の平面図及び
Ｅ−Ｅ’線断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・フィールド酸化膜、３
・・・拡散層、４．５・・・絶縁膜、６・・・第１開孔
部、７・・・第２開孔部、８・・・導体層、９・・・配
線、１０・・・ホトレジスト、１１・・・絶縁膜、１２
・・・多結晶シリコン配線。 代理人 弁理士 内 原 晋 第７図 第３ 図 第２図 第４図
Claims (1)
- 半導体基板表面に形成された不純物拡散層による導電
領域または半導体基板上に形成された絶縁膜の上に設け
られた金属または多結晶シリコン層による導電領域と、
前記導電領域上に第１開孔部を有し他の領域の表面を覆
う第１の絶縁膜と、前記第１開孔部内に該第１開孔部よ
り小さい面積の第２開孔部を有して前記第１の絶縁膜の
上に形成されかつ前記第１の絶縁膜よりエッチング速度
が遅い第２絶縁膜と、前記第１開孔部と第２開孔部を埋
める導体層と、該導体層と接続して形成される配線とを
含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289429A JP2666427B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63289429A JP2666427B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02134848A true JPH02134848A (ja) | 1990-05-23 |
| JP2666427B2 JP2666427B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=17743132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63289429A Expired - Lifetime JP2666427B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2666427B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945768A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001127151A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008226989A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598357A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法 |
| JPS5968950A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60115245A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62162345A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0226020A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63289429A patent/JP2666427B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598357A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法 |
| JPS5968950A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60115245A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62162345A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0226020A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0945768A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001127151A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2008226989A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2666427B2 (ja) | 1997-10-22 |
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