JPS5959667A - イミダゾリジン−２−オン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なイミダゾリジン−２−オン誘導体、そ
の製造法及び該誘導体を有効成分とする除草剤に関する
。

本発明のイミダゾリジン−２−オン誘導体は文献未載の
新規化合物であって、下記一般式［Ｉ］で示される。

〔式中Ｒは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルキル基、ベンジル基又は低級アルコキシカルボニル低級アルキル基を示す。Ａｒはフェニル基、フェノキシフェニル基又はアラルキルオキシフェニル基を示し、これらの基のそれぞれにはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロアルキル基が置換していてもよい。〕

本明細書において、低級アルキル基としては例えばメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、５ｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基等を挙げることができる。低級アルコキシ
低級アルキル基としては例えばメトキシメチル基、メト
キシエチル基、メトキシプロピル基、ブトキシメチル基
等を挙げることができる。低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基としては例えばメトキシカルボニルメチル
基、１１−キシカルボニルメチル基、プロピルオキシカ
ルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エト
キシカルボニルエチル基、プロピルオキシカルボニルエ
チル基等を挙げることができる。

アラルキルオキシフェニル基としては例えばベンジルオ
キシフェニル基、フェネチルオキシフェニル基等を挙げ
ることができる。ハロゲン原子としては例えば弗素、塩
素、臭素、沃素原子等を挙げることかできる。低級アル
コキシ基としては門えばメｌ〜キシ基、Ｉ　ｌ−キシ基
、Ｏ−プロピルオキシ基、イソブロビルイキシ基、ロー
１１−キシ基等を挙げることができる。ハロアルキル基
としては例えばエノクロルメチル基、モノブロムエチル
基、モノクロルブ［Ｊビル基、ジクロルエチル基、モノ
ブロムメチル外、モノブロムエチル基、モノブロムエチ
ル基、モノフルオロメチル基、１−リフルオ【］メヂｌ
し基、（・リフルオロエチル基等を挙げることができる
。ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
はハロアルキル基を置換基としてｈするフェニルｉとし
ては例えば２−クロシフ１ニル基、３−クロルフェニル
基、３，４−ジクロルフエニ＋１，１．２〜フルオロフ
エニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
ｉ、７１−メヂルフＴニル基、３．４〜ジメチルフエニ
ル基、２−イソプロピルフェニル基、２−メ（−キシフ
ェニル林、３−メ１−キシフェニルＷ、２−ｎ−プロピ
ルＡキシフェニル与、２−イソプロピルオキシフェニル
基、３−ｔ〜リフルオロメチルフェニル基等を挙けるこ
とができる。ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基又はハロアルキル基を置換基と１〕で右４−る
ノエノキシフェニル基としては例えば２−クロルフェノ
キシフ１ニル基、３−クロルフェノキシフェニル基、２
−メチルフェノキジフェニル基、４−メチルフェノキジ
フェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシフェー
ル基、２〜メ１ヘキシフエノキシフエニル基、４〜メｌ
〜キシフエノキシフエニル基等を挙げることができる。

ハ【」ゲン原子、低級アル４ニル基、低級アルコキシ基
又はハロアルキル基を置換基として右するアラルキルオ
キシフェニル基としては例えば２−クロルベンジルオキ
シフェニル基、４−クロルベンジルオキシフェニル基、
４−メチルｌ＼ンジルオキシフェニル基、２−メチルベ
ンジルオキシノエニル塁、４〜メトキシベンジルオギシ
フエニル基、３−トリフルオｔ］メチル７＼ン・ジルＡ
−キシフェニル基、２−クロルフエネヂルオキシフェニ
ル基、４−メチルフエネヂルオキシフェニル基、４−メ
［・キシフエネヂルオキシフェニル基、３−１へリフル
オロエチル基 等を挙げることができる。

ト記一般式［Ｉ］で表わさ１］る本発明の化合物４は種
々の方法により製造されるが、その好ましい一例を挙げ
れば上記反応式に従い製造される。

（ｎ）　　　　　　　　　　　　（Ｉａ）（）　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　０Ｃ１ｔリ　　　　　　　　　　　
　［，１１）〕〔式中［犬′　は低級アルキル基、低級
アルコキシ低級アルキル基、ベンジル基又は低級アルコ
キシカルボニル低級アルキル基を示す。Ｘはハロゲン原
子を示す。Ａｒは面記に同じ。コ上記反応式にＪ３いて
、原料としＣ用いられる一般式［ＩＩ］で示されるヒダ
ン１〜イン誘導体は公知化合物であり、例えばＮ〜メメ
チグリシンとアリルイソシアネ−１・より常法で得るこ
とができる。

一般式［ｎｌて示される化合物を還元して−・般式［１
ａ１で示される化合物を得る反応は、溶媒中で行なうこ
とができる。使用される溶媒としては、例えば水、メチ
ルアルニ」−ル、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコール等のアルコール類、又はジエチル
１−デル、ジブチルニーデル、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン等のエーブル類と前記アルコール類との混合溶
媒を挙げることができる。一般式［ＩＩ］で示される化
合物を還元して一般式［Ｉａ　］で示される化合物を得
る反応での還元剤としては、例えば水素化ホウ素プ］−
リウムが使用される。一般式［ｎｌで示される化合物と
水素化ホウ素す１−リウムどの使用割合としでは、特に
限定がなく広い範囲内から適宜選択できるが、通常前者
に対して後者を０．１〜５倍モル程度、好ましくは０．
２５〜等モル程度使用覆るのがよい。該反応の反応温度
としては特に制限されないが、通常−５０〜１００℃程
度、好ましくはＯ〜５０℃程度にて反応が好適に進行し
、一般に１〜５詩間稈度で反応は終了する。

−ｆｉ・式［Ｉａ　］で示される化合物と一般式［Ｉ［
［］で示されるハロゲン化アルキルとの反応は、無溶媒
下又は適当な溶媒中で行なうことができる。溶媒としそ
は、例えば水、メチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール、ブヂルアル］−ル等のアルコール
類、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチル
エーテル、デトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル類、塩化メヂレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化
水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼ
ン、二ｌ−ロベンゼン等の芳香族系溶媒、ピリジン、酢
酸エチル、アセト二１〜リル、ジメチルホルムアミド等
を挙げることができる。一般式［Ｉａ　］で示される化
合物と一般式［］Ｔｌ］で示される化合物との使用割合
としては、特に限定がなく広い範囲内から適宜選択でき
るが、通常前者に対して後者を等モル−５倍モル程度、
好ましくは等モル−２倍モル程度使用するのがよい。一
般式［Ｉａ　］で示される化合物と一般式［１［［］で
示される化合物との反応では、Ｉ］ｊ２１１’４１する
ハロゲン化水素を捕集するため塩基が用いられる。使用
される塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、炭酸す１〜リウム、炭酸カリウム、トリエチ
ルアミン、トリブチルアミン等の第三級ア、ミン、ピリ
ジン、ピコリン、ルチジン等のピリジン類、金属ナトリ
ウム、水素化す１−リウム、Ｊ−トリウムアルコラード
等を挙げることができる。一般式［Ｉａ　］で示される
化合物とハロゲン化水素捕集剤との使用割合としては、
特に限定がなく広い範囲内から適宜選択できるが、通常
前者に対して後者を等モル−５倍モル程度、好ましくは
等モル−２倍モル程度使用するのがよい。該反応の反応
温度としては特に制限されないが、通常○〜１００℃程
度にて反応が好適に進行し、一般に５〜１０ｆｌ￥間程
度で反応は完結する。

得られた（ヒ合物は掌性の手段、例えば再結晶、溶媒抽
出、カラムクロマ１〜グラフイー答で精製される。

」二記の方法で得られる本発明の化合物を例示するど以
下の通りである。

１−メチル−３−フェニル−４−ヒドロキシイミダゾリ
ジン−２−オン １−メチル−３−（２−クロルフェニル）−４−ヒドロ
キシイミダゾリジン−２−オン １−メチル−３−（３，４−ジクロルフェニル）−４−
ヒドロキシ−ｒミダゾリジン−２−オン１−メチル−３
−（３−メチルフェニル）−４−ヒドロキシイミダゾリ
ジン−２−オン １−メチル−３−〈４−メトキシフェニル）−４−ヒド
ロキシイミダゾリジン−２−オン１−メチル−３−（４
−ｌ＼ンシルオ↓ジフェニル）−４−ヒドロキシイミダ
ゾリジン−２−オン１−メチル−３−（４−フェノキシ
フェニル）−４〜ヒドロキシイミダゾリジン−２−オン
１−メチル−３−（３，４−ジクロルフェニル）−４−
メ１〜キシイミダゾリジンー２−オン１−メチル−３−
（３，４−ジクロルフェニル）−４−ベンジルオキシイ
ミダゾリジン−２−オン１−７メヂルー３−　（３，４
−ジクロルフェニル）−４−工トキシカルボニルメチル
オキシイミダゾリジン− １−メチル−３−（３．４−ジクロルフェニル）−４−
メトキシメチルオキシイミダゾリジン−２−オン 本発明はまた前記一般式［Ｉ］で示されるイミダゾリジ
ン−２−オン誘導体を有効成分とする除草剤に関する。

本発明の化合物は、タカサブロウ、アオビユ、クサネム
、スズメノテツボウ、タデ、ヨモギ、オオアレチノギク
、ギシギシ、アゼナ、キカシグサ、ノヒエ、メヒシバ、
オヒシバ、カヤツリグサ等の雑草に対して強力な除草効
果を示づので、それらの雑草の生育が有害となるミカン
、リンゴ、クイズ、トウモロコシ、桑、茶、水稲等の農
作物の生産や景観上有害な雑草の防除に有用である。

本発明化合物を除草剤として旋用するに当っては、本発
明化合物をそのまま用いてもよいが、一般には通常農桑
の製剤上使用される補助剤と混合していずれの剤型とし
ても使用することが′ｃ′きる。

その中でも乳剤、水和剤、粒剤の形□が好適に用いられ
る。この際、効果の安定性及び効果の向上をｍするため
の補助剤どしでは、例えばケーイソウ土、力Ａリン、ク
レー、ベントナイト カーボン、タルク等の増０斉しポリオキシ王ブーレンア
ル１ル丁−−アル、ポリＡキシエブレンフ′ルキルフニ
丁二フル］−デル、ポリオキシＪヂレンソルじタン脂肪
酸［スプル、ポリオ＝１−シーＩーチレン脂肪ｎ１Ｊ］
ステル、アル４ニルヘンＵンスルホン酸すｉ−リウＩい
リダニンスルボン酸ノー１ーリウム、アルキル硫酸プ］
−リウム、ポリオキシエチレンアルキルｆｉＡＩ’ｔ’
２ノ］・リウへ等の非（′Ａン系あるい（１１陰（オン
系Ｗ面活性剤、キシ［］−ル、アセトン、メタノール、
エタノール、イソプロパツール、ジオキリン、ジメチル
ボル１＼）７ミ１〜、ジメチルスルホキリ−イド、四基
１に炭素等の布間溶媒等が使用される。

本発明の除草剤組成物の配合としては、有効成分が約１
〜９０重量％、好ましくは約５へ一７０車蚤％になるよ
うに補助剤を添加することによつＣ製剤される。施用適
量は薬剤の製剤形態、施用方法、施用時期、対象雑苗の
種類ならびに特に除草効果（こ影響を与えやすい気象条
件、土壌条件等によーってそれぞれ異なるものであり、
広い範囲内から適宜選択されるが、一般的には右動成分
量として約５〜４００ｇ／ａＰｉ！度、好ましくは約１
０−１００ｏ　／ａ程度が散布される。

以下に実施例、処方例及び試験例を挙げて本発明を史に
詳し・く説明覆る。尚、試験例における供試化合物番号
は実施例の番号に対応する。

実施例　１ １−メチル−３−　（３．４−ジクロルフェニル）−４
−ヒドロキシイミダゾリジン−１−７１ンの製造 １−メチル−３−（３．４−ジク［１ルフ−Ｌ−ル）ヒ
ダントイン　１０．ｌ　　（０．０４−’Ｅル）をメタ
、ノール８０＋ｎｌに懸濁した。１０℃に冷却後、撹拌
下で水素化ホウ素ノー１〜リウム１．５ｇを加えた。３
０分撹拌後、室温に戻し、更に２時間撹拌した。反応終
了後、反応液を濃縮し、残渣に水を加えて結晶を析出さ
せた。結晶を濾過後エタノールより再結晶し、白色結晶
９，２Ｑ　（収率８Ｂ％）をＩＪだ。

融点　１８５−１８６℃ 結晶のＤｆｖｌＳＯｄｅ中でのＮ　Ｍ　Ｒは次のように
示した。

δ　２．８５１］Ｄｍ　（　　３Ｈ　）　　、　δ　３
．２８ｐｐｍ　＜　　ＩＨ　）δ　３．６５ｐｐｍ　（
　　１Ｈ　）　　、　δ　５，５７１）Ｉ）ｍ（　　１
１−１）δ　６．４５ｐｐｍ　（　　月−（）、　　δ
　７，３６１）Ｅｌｍ（　　ＩＨ）δ　　　７，６８ｐ
ｐｍ　　（　　　　１　　ト（）　　　、　　５　　　
　７．９７ｐｐｍ（　　　　ＩＨ）元素分析伯（Ｃ　Ｈ
　Ｎ２０２Ｃ１２として）１０　　　、ＬＯ 分析値％　Ｃ４６．０４，　　ｌ−１３，７７、　　Ｎ
Ｉｏ，６９１里　Ｎ−　旬１　％　　　　Ｃ４６．００
，　　　　　Ｈ　　　３，８Ｇ，　　　　　ＮＩｏ．７
３以上の結果より を確認した。

実施例　２ １−メチル−３−　（３．４−ジクロルフェニル）−４
−工１ヘキシイミダゾリジンー２ーオンの製造 １−メチル−、３−　（３．４−ジクロルフェニル）−
４−ヒドロキシイミダゾリジン−２−オン　１０．４ｇ
　（０．０４モル）をジメチルホルムアミド１００ｍｌ
に溶解した。１０℃に冷却後、撹拌下で水素化すトリウ
ム２ｇ　（０．０４モル）を加えた。３０分撹拌後、臭
化エチル４、４ｇを滴下した。室温で２時間撹拌後、反
応液に水を加え、クロロボルム抽出した。クロロホルム
抽出液を濃縮し、油状物を１ｑだ。収量９、５ｇ　（収
率８２，１％） 油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒　
ベンゼン：酢酸エチル−１：１）で精製して油状物を得
た。

得られた油状物の重クロロボルム中でのＮＭＲは次のよ
うに示した。

δ　　１．１９ｐｐｌＲ（３Ｈ）　　、　　δ　　２．
ＯＯｐｐｍ（３Ｈ）６３．３０〜３．７２ｐｐｍ　（４
ｆ−１）６５．４３ｐｐｍ（ＩＨ）、６７．３８ｐｐｍ
　（ＩＨ）δ　７，６０ｐｐｍ（ＩＨ）、５　７．９０
ｐｐｍ（ＩＨ）元素分析値（Ｃ工、Ｈｉａ　Ｎ　２０２
　Ｃ／　２どして）分析値％　Ｃ４９，７９，Ｈ４，８
１Ｎ　９．７２理論１直％　Ｃ４９，８４，１」４．８
８．　　Ｎ　９．６０以上の結果より を？１認駿だ。

実施例　３〜１Ｇ 実施例１又は２と同様の操作により実７３Ｂｉ例３〜１
６の化合物を合成した。物性及びＮ　Ｍ　Ｒデーターを
第１表に示した。

第１表 ） ） ） ） ） ） ） ） 〉 ） ） 〉 ）１ 処方例　１　（５０％水和剤） （重量部） 実施例１の化合物　　　　　　　　５０リグニンスルホ
ン酸すＩ−リウム　　　１ドデシルベンゼンスルホン醸
　　　　４ナトリウム クレー　　　　　　　　　　　　　４５処方例　２　　
（３０９６乳剤） 実施例２の化合物　　　　　　　　３０ポリオキシエチ
レンノニル　　　　１０フェニルエーテル ジメチルホルムアミド　　　　　　２０キシレン　　　
　　　　　　　　　４゜処方例　３　（１０％粒剤） 実施例３の化合物　　　　　　　　１゜リグニンスルホ
ン酸ナトリウム　　　０．５ドデシルベンゼンスルホン
ｍ　　　　　２すトリウム ケイソウ土　　　　　　　　　　　２７．５ペン１〜ナ
イト　　　　　　　　　　６０尚、水和剤の場合には、
各成分を均一に混合粉砕し、乳剤の場合には、均一に混
合溶解してそれらを得ることができる。また粉剤の調合
には、各成分を均一に混合し、水を加えて充分混線した
のら造粒し、次いで細かく切断して粒状のものとし、乾
燥して製造される。

試験例　１　（土壌処理テスｌ−） １／２０００ａのワグナ−ポットに殺菌した沖積土壌を
入れ、第２表に示す供試植物の種子を播種して、約０．
５〜１．０ｃｍｍ±した。次いで実施例に示す方法で得
た化合物を有効成分とする水和斉；を処方例１に準じて
製剤し、それぞれ有効成分が１００ｇ／ａとなるように
水で希釈し、これを土壌表面が均一に濡れるように散布
した。散布後３週間目に各植物に対する除草活性を調べ
た。

その結果を第２表に示す。尚、除草活性は肉眼観察によ
り次の基準に従って無処理の場合と対比した指数で評価
した。

（指数）　　　　（除草活性） Ｏ変化なし １　　　　１〜２４％阻害 ２　　　　２５〜４９％阻害 ３　　　　５０〜７４９６阻害 ４　　　　７５〜９０％阻害 ５　　　　　　完全枯死 第２表 Ｈ３°−”’ｒｒ”“２　イミダゾリジン−２−オン上
表において供試植物Ａ−Ｇは次の植物である。

Ａ・・・アオビユ　　Ｂ・・・クサネムＣ・・・ノと工
　　　Ｄ・・・ダイコンＥ・・・ソバ　　　　Ｆ・・・
アサガオＧ・・・コムギ 試験例・　２　（茎葉処理テスト） １／２０００ａのワグナ−ボットに殺菌した沖積土壌を
入れ、第３表に示す供試植物の種子を播種し、各植物が
ほぼ一定の大きさくほぼ２〜３葉期）に達した゛とき、
実施例に示す方法で得た化合物を有効成分とする乳剤を
処方例２に準じて製剤し、それぞれ有効成分が１００ｕ
／ａとなるように水で希釈したものを植物の茎葉全面が
充分一様に濡れるように散布した。散布後３週間目に各
植物に対する除草活性を調べた。その結果を第３表に示
す。評価の曇準は試験例１と同じである。

第　　３　　表 対照化合物は第２表と同じである。また供試植物Ａ〜Ｇ
は第２表と同じである。Ｈはタカサブロウである。

試験例　３　（湛水処理テスト） １１５０００ａのワグナ−ボッ］−に水田土壌を入れ、
さらにその表層にそれぞれノビエ、タマガヤツリ、アゼ
ナ及びキカシグサの種子が混入している土を入れたのち
、ウリカワ塊茎を置床し、水深を３ｃｍに保った。次い
で実施例で示す方法で得た化合物を有効成分とする粒剤
を処方例３に準じて製剤し、水稲移植後、それぞれ有効
成分が５０ｇ／ａとなるように均一に散布し、薬剤施用
後３週間目に各植物に対する除草活性を調べた。結果を
第４表に示す。評価の基準は試験例１と同じである。

第　　４　　表 対照化合物は第２表と同じである。また供試植物Ｃ，Ｉ
−１は次の通りである。

Ｃ・・・ノビエ　　　■・・・キカシグサＪ・・・アゼ
ナ　　　Ｋ・・・カヤツリし・・・ウリカワ （以　　上　　）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式中Ｒは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   低級アルキル基、ベンジル基又は低級アル」キシカルボ
   ニル低級アルキル基を示す。八ｒはフェニル基、フェノ
   キシフェニル基又はアラルキルオキシフェニル基を示し
   、これらの基のそれぞれにはハロゲン原子、低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基又はハロアルキル基が置換して
   いてもよい。） で示されるイミダゾリジン−２−オン誘導体。 ■　一般式 〔式中△ｒは）１ニル基、フェノキシフェニル基又はア
   ラルキルオキシフェニル基を示し、これらの基のそれぞ
   れにはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基又はハロアルキル基が置換していてもよい。〕 で示されるヒダンｌ〜イン誘導体を還元することにより
   一般式 （式中Ａｒは前記に同じ。） て示されるイミダゾリジン−２−オン誘導体を１ワるこ
   とを特徴とするイミダゾリジン−２−オン誘導体の製造
   法。 ■　一般式 Ｏ 〔式中Ａｒはフェニル基、フェノキシフェニル基又はア
   ラルキルオキシフェニル基を示し、これらの基のそれぞ
   れにはハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   基又はハロアルキル基が置換していてもよい。〕 で示されるイミダゾリジン−２−オン誘導体と一般式 〔式中Ｒ′は低級アルキル基、低級アルコキシ低級アル
   キル基、ベンジル基又は低級アルコキシカルボニル低級
   アルキル基を示す。Ｘはハロゲン原子を示す。〕 で示されるハロゲン化アルキルとを反応させて一般式 〔式中Ｒ′及びＡｒは前記に同じ。〕 で示されるイミダゾリジン−２−オン誘導体を得ること
   を特徴とするイミダゾリジン−２−オン誘導体の製造法
   。 ■　一般式 〔式中Ｒは水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ
   低級アルキル基、ベンジル基又は低級アルコキシカルボ
   ニル集級アルキル基を示す。Ａｒはフェニル基、フェノ
   キシフェニル基又はアラルキルオキシフェニル基を示し
   、これらの基のそれぞれにはハロゲン原子、低級アルキ
   ル基、低級アルコキシ基又はハロアルキル基が置換して
   いてもよい。） で示されるイミダゾリジン−２−オンｍ１体を有効成分
   として含有することを特徴とする除草剤。