JPH039910B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
Description
本発明は、新規なイミダゾリジン−2−オン誘
導体、その製造法及び該誘導体を有効成分とする
除草剤に関する。 本発明のイミダゾリジン−2−オン誘導体は文
献未載の新規化合物であつて、下記一般式[]
で示される。 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ低級アルキル基又は低級アルコキシカル
ボニル低級アルキル基を示す。Arはフエニル基
を示し、フエニル基にはハロゲン原子、ニトロ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級
ハロアルキル基が置換していてもよい。〕 本明細書において、低級アルキル基としては例
えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、イ
ソブチル基、tert−ブチル基等を挙げることがで
きる。低級アルコキシ低級アルキル基としては例
えばメトキシメチル基、メトキシエチル基、メト
キシプロピル基、ブトキシメチル基等を挙げるこ
とができる。低級アルコキシカルボニル低級アル
キル基としては例えばメトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルメチル基、プロピルオキ
シカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチ
ル基、エトキシカルボニルエチル基、プロピルオ
キシカルボニルエチル基等を挙げることができ
る。ハロゲン原子としては例えば弗素、塩素、臭
素、沃素原子等を挙げることができる。低級アル
コキシ基としては例えばメトキシ基、エトキシ
基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ
基、n−ブトキシ基等を挙げることができる。低
級ハロアルキル基としては例えばモノクロルメチ
ル基、モノクロルエチル基、モノクロルプロピル
基、ジクロルエチル基、モノブロムメチル基、モ
ノブロムエチル基、モノブロムプロピル基、モノ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリ
フルオロエチル基等を挙げることができる。ハロ
ゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級アル
コキシ又は低級ハロアルキル基を置換基として有
するフエニル基としては例えば2−クロルフエニ
ル基、3−クロルフエニル基、3,4−ジクロル
フエニル基、2−フルオロフエニル基、2−ニト
ロフエニル基、3−ニトロフエニル基、2−メチ
ルフエニル基、3−メチルフエニル基、4−メチ
ルフエニル基、3,4−ジメチルフエニル基、2
−イソプロピルフエニル基、2−メトキシフエニ
ル基、3−メトキシフエニル基、2−n−プロピ
ルオキシフエニル基、2−イソプロピルオキシフ
エニル基、3−トリフルオロメチルフエニル基等
を挙げることができる。 上記一般式[]で表わされる本発明の化合物
は種々の方法により製造されるが、その好ましい
一例を挙げれば下記反応式に従い製造される。 〔式中R′は低級アルキル基、低級アルコキシ
低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基を示す。Xはハロゲン原子を示す。
Arは前記に同じ。〕 上記反応式において、原料として用いられる一
般式[]又は[]で示されるヒダントイン誘
導体は公知化合物であり、例えば1−メチルヒダ
ントイン及び3−メチルヒダントインとアリルイ
ソシアネートより常法で得ることができる。 1−メチルヒダントインとアリルイソシアネー
ト及び3−メチルヒダントインとアリルイソシア
ネートの反応は同条件でよく、無溶媒下又は溶媒
中で行なわれる。使用される溶媒としては、反応
に悪影響を与えない溶媒であれば可能であるが、
例えばトルエン、キシレン、クロルベンゼン等の
芳香族系溶媒が使用される。メチルヒダントイン
とアリルイソシアネートとの使用割合としては、
特に限定されず広範囲内で適宜選択することがで
きるが、通常前者に対して後者を等モル〜10倍モ
ル量程度、好ましくは等モル〜3倍モル量程度と
するのがよい。該反応の反応温度としては特に制
限されないが、通常100〜200℃程度で反応が好適
に進行し、一般に3〜5時間程度で反応は完結す
る。 一般式[]で示される化合物を還元して一般
式[a]で示される化合物を得る反応及び一般
式[]で示される化合物を還元して一般式[
b]で示される化合物を得る反応は、溶媒中で行
なうことができる。使用される溶媒としては、例
えば水、メチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアル
コール類、又はジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類と前記アルコール類との混合溶媒を挙げる
ことができる。一般式[]又は[]で示され
る化合物を還元して一般式[a]又は[b]
で示される化合物を得る反応での還元剤として
は、例えば水素化ホウ素ナトリウムが使用され
る。一般式[]又は[]で示される化合物と
水素化ホウ素ナトリウムとの使用割合としては、、
特に限定がなく広い範囲内から適宜選択できる
が、通常前者に対して後者を0.1〜5倍モル程度、
好ましくは0.25〜等モル程度使用するのがよい。
該反応の反応温度としては特に制限されないが、
通常−50〜100℃程度、好ましくは0〜50℃程度
にて反応が好適に進行し、一般に1〜5時間程度
で反応は終了する。 一般式[a]又は[b]で示される化合物
との般式[]で示されるハロゲン化アルキルと
の反応は、無溶媒下又は適当な溶媒中で行なうこ
とができる。溶媒としては、例えば水、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコール等のアルコール類、ジエチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族
系溶媒、ピリジン、酢酸エチル、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド等を挙げることができ
る。一般式[a]又は[b]で示される化合
物と一般式[]で示される化合物との使用割合
としては、特に限定がなく広い範囲内から適宜選
択できるが、通常前者に対して後者を等モル〜5
倍モル程度、好ましくは等モル〜2倍モル程度使
用するのがよい。一般式[a]又は[b]で
示される化合物と一般式[]で示される化合物
との反応では、脱離するハロゲン化水素を捕集す
るため塩基が用いられる。使用される塩基として
は、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン等の第三級アミン、ピリジ
ン、ピコリン、ルチジン等のピリジン類、金属ナ
トリウム、水素化ナトリウム、ナトリウムアルコ
ラート等を挙げることができる。一般式[a]
又は[b]で示される化合物とハロゲン化水素
捕集剤との使用割合としては、特に限定がなく広
い範囲内から適宜選択できるが、通常前者に対し
て後者を等モル〜5倍モル程度、好ましくは等モ
ル〜2倍モル程度使用するのがよい。該反応の反
応温度としては特に制限されないが、通常0〜
100℃程度にて反応が好適に進行し、一般に5〜
10時間程度で反応は完結する。 得られた化合物は常法の手段、例えば再結晶、
溶媒抽出、カラムクロマトグラフイー等で精製さ
れる。 上記の方法で得られる本発明の化合物を例示す
ると以下の通りである。 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキキシ−(3′−クロルアニリ
ド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′,4′−ジクロルア
ニリド) 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−メトキシアニリ
ド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−トリフルオロメ
チルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−ニトロアニリド) 3−メチル−4−メトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−エトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−メトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−5−エトキシカルボニルメチルイミ
ダゾリジン−2−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−メトキシメトキシイミダゾリジ
ン−2−オン−1−カルボキシアニリド 本発明はまた前記一般式[]で示されるイミ
ダゾリジン−2−オン誘導体を有効成分とする除
草剤に関する。 本発明の化合物は、タカサブロウ、アオビユ、
クサネム、スズメテツポウ、タデ、ヨモギ、オオ
アレチノギク、ギシギシ、アゼナ、キカシグサ、
ノビエ、メヒシバ、オヒシバ、カヤツリグサ等の
雑草に対して強力な除草効果を示すので、それら
の雑草の生育が有害となるミカン、リンゴ、ダイ
ズ、トウモロコシ、桑、茶、水稲等の農作物の生
産や景観上有害な雑草の防除に有用である。 本発明化合物を除草剤として施用するに当つて
は、本発明化合物をそのまま用いてもよいが、一
般には通常農薬の製剤上使用される補助剤と混合
していずれの剤型、としても使用することができ
る。その中でも乳剤、水和剤、粒剤の形態が好適
に用いられる。この際、効果の安定性及び効果の
向上を期するための補助剤としては、例えばケイ
ソウ土、カオリン、クレー、ベントナイト、ホワ
イトカーボン、タルク等の増量剤、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンア
ルキルフエニルエーテル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂
肪酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸ナト
リウム、リグニンスルホン酸ナトリウム、アルキ
ル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキル
硫酸ナトリウム等の非イオン系あるいは陰イオン
系界面活性剤、キシロール、アセトン、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサ
イド、四塩化炭素等の有機溶媒等が使用される。 本発明の除草剤組成粉の配合としては、有効成
分が約1〜90重量%、好ましくは約5〜70重量%
になるように補助剤を添加することによつて製剤
される。施用適量は薬剤の製剤形態、施用方法、
施用時期、対象雑草の種類ならびに特に除草効果
に影響を与えやすい気象条件、土壌条件等によつ
てそれぞれ異なるものであり、広い範囲内から適
宜選択されるが、一般的には有効成分量として約
5〜400g/a程度、好ましくは約10〜100g/a
程度が散布される。 以下に参考例、実施例、処方例及び試験例を挙
げて本発明を更に詳しく説明する。尚、試験例に
おける供試化合物番号は実施例の番号に対応す
る。 参考例 1 3−メチルイミダゾリジン−2,4−ジオン−
1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルヒダントイン5.7g(0.05モル)と
イソシアン酸フエニル5.9gを油浴中、150℃で3
時間溶融した。溶融物をジメチルホルムアミドで
再結晶し、無色結晶9.0g(収率78%)を得た。 融点 219〜220℃ 結晶のDMSO−d6中でのNMRは次のように示
した。 δ3.00ppm(3H)、δ4.33ppm(2H) δ7.00〜7.60ppm(5H) 元素分析値(C11H11N3O3として) 分析値% C56.90 H4.75 N18.10 理論値% C56.89 H4.77 N18.09 以上の結果より を確認した。 参考例 2 3−メチルイミダゾリジン−2,5−ジオン−
1−カルボキシアニリドの製造 1−メチルヒダントイン5.7g(0.05モル)と
イソシアン酸フエニル5.9g(0.05モル)を油浴
中、180℃で3時間溶融した。溶融物をよく水洗
した後、エタノールで再結晶し、無色結晶3.7g
(収率32%)を得た。 融点 160〜160.5℃ 結晶のDMSO−d6中でのNMRは次のように示
した。 δ3.03ppm(3H)、δ4.00ppm(2H) δ7.00〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H11N3O3として) 分析値% C56.91 H4.76 N18.07 理論値% C56.89 H4.77 N18.09 以上の結果より を確認した。 実施例 1 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルイミダゾリジン−2,4−ジオン−
1−カルボキシアニリド7.0g(0.03モル)をメ
タノール50mlに懸濁した。10℃に冷却後、攪拌下
で水素化ホウ素ナトリウム1.2gを加えた。30分
攪拌後、室温に戻し、更に10時間攪拌した。反応
終了後、反応液を濃縮し、残渣に水を加えて結晶
を析出させた。結晶を濾過後エタノールより再結
晶し、無色結晶5.4g(収率76%)を得た。 融点 156〜157℃ 結晶の重クロロホルム中でのNMRは次のよう
に示した。 δ2.70ppm(3H)、δ3.85ppm(2H) δ5.00ppm(1H)、δ7.00〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H13N3O3として) 分析値% C56.13 H5.59 N17.87 理論値% C56.16 H5.57 N17.86 以上の結果より を確認した。 実施例 2 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルイミダゾリジン−2,5−ジオン−
1−カルボキシアニリド7.0g(0.03モル)をメ
タノール50mlに懸濁した。10℃に冷却後、攪拌下
で水素化ホウ素ナトリウム1.2g(0.03モル)を
加えた。30分攪拌後、室温に戻し、更に2時間攪
拌した。反応終了後、反応液を濃縮し、残渣に水
を加えて結晶を析出させた。結晶を濾過後エタノ
ールより再結晶し、無色結晶6.4g(収率90%)
を得た。 融点 178〜178.5℃ 結晶の重クロロホルム中でのNMRは次のよう
に示した。 δ2.90ppm(3H)、δ3.30ppm(1H) δ3.65ppm(1H)、δ4.47ppm(1H) δ6.00ppm(1H)、δ7.10〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H13N3O3として) 分析値% C56.18 H5.54 N17.89 理論値% C56.16 H5.57 N17.86 以上の結果より を確認した。 実施例 3 3−メチル−5−メトキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3−メチルアニリ
ド)の製造 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシ−(3−メチルアニリ
ド)2.5g(0.01モル)をジメチルホルムアミド
40mlに溶解した。10℃に冷却後、攪拌下で水素化
ナトリウム0.5g(0.01モル)を加えた。30分攪
拌後、沃化メチル1.5g(0.01モル)を滴下した。
室温で2時間攪拌後、反応液に水を加え、結晶を
析出させた。結晶を濾過後、エタノールより再結
晶し、無色結晶2.0g(収率76%)を得た。 融点 104〜105℃ 得られた結晶の重クロロホルム中でのNMRは
次のように示した。 δ2.32ppm(3H)、δ2.90ppm(3H) δ3.24ppm(1H)、δ3.52ppm(3H) δ3.60ppm(1H)、δ5.65ppm(1H) δ6.97ppm(1H)、δ7.20〜7.50ppm(3H) 元素分析値(C13H17N3O3として) 分析値% C59.28 H6.54 N15.98 理論値% C59.30 H6.51 N15.96 以上の結果より を確認した。 実施例 4〜18 実施例1〜3と同様の操作により実施例4〜18
の化合物を合成した。物性及びNMRデーターを
第1表に示した。
導体、その製造法及び該誘導体を有効成分とする
除草剤に関する。 本発明のイミダゾリジン−2−オン誘導体は文
献未載の新規化合物であつて、下記一般式[]
で示される。 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ低級アルキル基又は低級アルコキシカル
ボニル低級アルキル基を示す。Arはフエニル基
を示し、フエニル基にはハロゲン原子、ニトロ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級
ハロアルキル基が置換していてもよい。〕 本明細書において、低級アルキル基としては例
えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソ
プロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、イ
ソブチル基、tert−ブチル基等を挙げることがで
きる。低級アルコキシ低級アルキル基としては例
えばメトキシメチル基、メトキシエチル基、メト
キシプロピル基、ブトキシメチル基等を挙げるこ
とができる。低級アルコキシカルボニル低級アル
キル基としては例えばメトキシカルボニルメチル
基、エトキシカルボニルメチル基、プロピルオキ
シカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチ
ル基、エトキシカルボニルエチル基、プロピルオ
キシカルボニルエチル基等を挙げることができ
る。ハロゲン原子としては例えば弗素、塩素、臭
素、沃素原子等を挙げることができる。低級アル
コキシ基としては例えばメトキシ基、エトキシ
基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ
基、n−ブトキシ基等を挙げることができる。低
級ハロアルキル基としては例えばモノクロルメチ
ル基、モノクロルエチル基、モノクロルプロピル
基、ジクロルエチル基、モノブロムメチル基、モ
ノブロムエチル基、モノブロムプロピル基、モノ
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリ
フルオロエチル基等を挙げることができる。ハロ
ゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低級アル
コキシ又は低級ハロアルキル基を置換基として有
するフエニル基としては例えば2−クロルフエニ
ル基、3−クロルフエニル基、3,4−ジクロル
フエニル基、2−フルオロフエニル基、2−ニト
ロフエニル基、3−ニトロフエニル基、2−メチ
ルフエニル基、3−メチルフエニル基、4−メチ
ルフエニル基、3,4−ジメチルフエニル基、2
−イソプロピルフエニル基、2−メトキシフエニ
ル基、3−メトキシフエニル基、2−n−プロピ
ルオキシフエニル基、2−イソプロピルオキシフ
エニル基、3−トリフルオロメチルフエニル基等
を挙げることができる。 上記一般式[]で表わされる本発明の化合物
は種々の方法により製造されるが、その好ましい
一例を挙げれば下記反応式に従い製造される。 〔式中R′は低級アルキル基、低級アルコキシ
低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基を示す。Xはハロゲン原子を示す。
Arは前記に同じ。〕 上記反応式において、原料として用いられる一
般式[]又は[]で示されるヒダントイン誘
導体は公知化合物であり、例えば1−メチルヒダ
ントイン及び3−メチルヒダントインとアリルイ
ソシアネートより常法で得ることができる。 1−メチルヒダントインとアリルイソシアネー
ト及び3−メチルヒダントインとアリルイソシア
ネートの反応は同条件でよく、無溶媒下又は溶媒
中で行なわれる。使用される溶媒としては、反応
に悪影響を与えない溶媒であれば可能であるが、
例えばトルエン、キシレン、クロルベンゼン等の
芳香族系溶媒が使用される。メチルヒダントイン
とアリルイソシアネートとの使用割合としては、
特に限定されず広範囲内で適宜選択することがで
きるが、通常前者に対して後者を等モル〜10倍モ
ル量程度、好ましくは等モル〜3倍モル量程度と
するのがよい。該反応の反応温度としては特に制
限されないが、通常100〜200℃程度で反応が好適
に進行し、一般に3〜5時間程度で反応は完結す
る。 一般式[]で示される化合物を還元して一般
式[a]で示される化合物を得る反応及び一般
式[]で示される化合物を還元して一般式[
b]で示される化合物を得る反応は、溶媒中で行
なうことができる。使用される溶媒としては、例
えば水、メチルアルコール、エチルアルコール、
プロピルアルコール、ブチルアルコール等のアル
コール類、又はジエチルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類と前記アルコール類との混合溶媒を挙げる
ことができる。一般式[]又は[]で示され
る化合物を還元して一般式[a]又は[b]
で示される化合物を得る反応での還元剤として
は、例えば水素化ホウ素ナトリウムが使用され
る。一般式[]又は[]で示される化合物と
水素化ホウ素ナトリウムとの使用割合としては、、
特に限定がなく広い範囲内から適宜選択できる
が、通常前者に対して後者を0.1〜5倍モル程度、
好ましくは0.25〜等モル程度使用するのがよい。
該反応の反応温度としては特に制限されないが、
通常−50〜100℃程度、好ましくは0〜50℃程度
にて反応が好適に進行し、一般に1〜5時間程度
で反応は終了する。 一般式[a]又は[b]で示される化合物
との般式[]で示されるハロゲン化アルキルと
の反応は、無溶媒下又は適当な溶媒中で行なうこ
とができる。溶媒としては、例えば水、メチルア
ルコール、エチルアルコール、プロピルアルコー
ル、ブチルアルコール等のアルコール類、ジエチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエー
テル類、塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲ
ン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族
系溶媒、ピリジン、酢酸エチル、アセトニトリ
ル、ジメチルホルムアミド等を挙げることができ
る。一般式[a]又は[b]で示される化合
物と一般式[]で示される化合物との使用割合
としては、特に限定がなく広い範囲内から適宜選
択できるが、通常前者に対して後者を等モル〜5
倍モル程度、好ましくは等モル〜2倍モル程度使
用するのがよい。一般式[a]又は[b]で
示される化合物と一般式[]で示される化合物
との反応では、脱離するハロゲン化水素を捕集す
るため塩基が用いられる。使用される塩基として
は、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミ
ン、トリブチルアミン等の第三級アミン、ピリジ
ン、ピコリン、ルチジン等のピリジン類、金属ナ
トリウム、水素化ナトリウム、ナトリウムアルコ
ラート等を挙げることができる。一般式[a]
又は[b]で示される化合物とハロゲン化水素
捕集剤との使用割合としては、特に限定がなく広
い範囲内から適宜選択できるが、通常前者に対し
て後者を等モル〜5倍モル程度、好ましくは等モ
ル〜2倍モル程度使用するのがよい。該反応の反
応温度としては特に制限されないが、通常0〜
100℃程度にて反応が好適に進行し、一般に5〜
10時間程度で反応は完結する。 得られた化合物は常法の手段、例えば再結晶、
溶媒抽出、カラムクロマトグラフイー等で精製さ
れる。 上記の方法で得られる本発明の化合物を例示す
ると以下の通りである。 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−クロルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキキシ−(3′−クロルアニリ
ド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′,4′−ジクロルア
ニリド) 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−メチルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(2′−メトキシアニリ
ド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−トリフルオロメ
チルアニリド) 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3′−ニトロアニリド) 3−メチル−4−メトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−エトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−メトキシイミダゾリジン−2−
オン−1−カルボキシ−(2′−クロルアニリド) 3−メチル−5−エトキシカルボニルメチルイミ
ダゾリジン−2−オン−1−カルボキシアニリド 3−メチル−5−メトキシメトキシイミダゾリジ
ン−2−オン−1−カルボキシアニリド 本発明はまた前記一般式[]で示されるイミ
ダゾリジン−2−オン誘導体を有効成分とする除
草剤に関する。 本発明の化合物は、タカサブロウ、アオビユ、
クサネム、スズメテツポウ、タデ、ヨモギ、オオ
アレチノギク、ギシギシ、アゼナ、キカシグサ、
ノビエ、メヒシバ、オヒシバ、カヤツリグサ等の
雑草に対して強力な除草効果を示すので、それら
の雑草の生育が有害となるミカン、リンゴ、ダイ
ズ、トウモロコシ、桑、茶、水稲等の農作物の生
産や景観上有害な雑草の防除に有用である。 本発明化合物を除草剤として施用するに当つて
は、本発明化合物をそのまま用いてもよいが、一
般には通常農薬の製剤上使用される補助剤と混合
していずれの剤型、としても使用することができ
る。その中でも乳剤、水和剤、粒剤の形態が好適
に用いられる。この際、効果の安定性及び効果の
向上を期するための補助剤としては、例えばケイ
ソウ土、カオリン、クレー、ベントナイト、ホワ
イトカーボン、タルク等の増量剤、ポリオキシエ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンア
ルキルフエニルエーテル、ポリオキシエチレンソ
ルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂
肪酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸ナト
リウム、リグニンスルホン酸ナトリウム、アルキ
ル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキル
硫酸ナトリウム等の非イオン系あるいは陰イオン
系界面活性剤、キシロール、アセトン、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ジオキサ
ン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキサ
イド、四塩化炭素等の有機溶媒等が使用される。 本発明の除草剤組成粉の配合としては、有効成
分が約1〜90重量%、好ましくは約5〜70重量%
になるように補助剤を添加することによつて製剤
される。施用適量は薬剤の製剤形態、施用方法、
施用時期、対象雑草の種類ならびに特に除草効果
に影響を与えやすい気象条件、土壌条件等によつ
てそれぞれ異なるものであり、広い範囲内から適
宜選択されるが、一般的には有効成分量として約
5〜400g/a程度、好ましくは約10〜100g/a
程度が散布される。 以下に参考例、実施例、処方例及び試験例を挙
げて本発明を更に詳しく説明する。尚、試験例に
おける供試化合物番号は実施例の番号に対応す
る。 参考例 1 3−メチルイミダゾリジン−2,4−ジオン−
1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルヒダントイン5.7g(0.05モル)と
イソシアン酸フエニル5.9gを油浴中、150℃で3
時間溶融した。溶融物をジメチルホルムアミドで
再結晶し、無色結晶9.0g(収率78%)を得た。 融点 219〜220℃ 結晶のDMSO−d6中でのNMRは次のように示
した。 δ3.00ppm(3H)、δ4.33ppm(2H) δ7.00〜7.60ppm(5H) 元素分析値(C11H11N3O3として) 分析値% C56.90 H4.75 N18.10 理論値% C56.89 H4.77 N18.09 以上の結果より を確認した。 参考例 2 3−メチルイミダゾリジン−2,5−ジオン−
1−カルボキシアニリドの製造 1−メチルヒダントイン5.7g(0.05モル)と
イソシアン酸フエニル5.9g(0.05モル)を油浴
中、180℃で3時間溶融した。溶融物をよく水洗
した後、エタノールで再結晶し、無色結晶3.7g
(収率32%)を得た。 融点 160〜160.5℃ 結晶のDMSO−d6中でのNMRは次のように示
した。 δ3.03ppm(3H)、δ4.00ppm(2H) δ7.00〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H11N3O3として) 分析値% C56.91 H4.76 N18.07 理論値% C56.89 H4.77 N18.09 以上の結果より を確認した。 実施例 1 3−メチル−4−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルイミダゾリジン−2,4−ジオン−
1−カルボキシアニリド7.0g(0.03モル)をメ
タノール50mlに懸濁した。10℃に冷却後、攪拌下
で水素化ホウ素ナトリウム1.2gを加えた。30分
攪拌後、室温に戻し、更に10時間攪拌した。反応
終了後、反応液を濃縮し、残渣に水を加えて結晶
を析出させた。結晶を濾過後エタノールより再結
晶し、無色結晶5.4g(収率76%)を得た。 融点 156〜157℃ 結晶の重クロロホルム中でのNMRは次のよう
に示した。 δ2.70ppm(3H)、δ3.85ppm(2H) δ5.00ppm(1H)、δ7.00〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H13N3O3として) 分析値% C56.13 H5.59 N17.87 理論値% C56.16 H5.57 N17.86 以上の結果より を確認した。 実施例 2 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシアニリドの製造 3−メチルイミダゾリジン−2,5−ジオン−
1−カルボキシアニリド7.0g(0.03モル)をメ
タノール50mlに懸濁した。10℃に冷却後、攪拌下
で水素化ホウ素ナトリウム1.2g(0.03モル)を
加えた。30分攪拌後、室温に戻し、更に2時間攪
拌した。反応終了後、反応液を濃縮し、残渣に水
を加えて結晶を析出させた。結晶を濾過後エタノ
ールより再結晶し、無色結晶6.4g(収率90%)
を得た。 融点 178〜178.5℃ 結晶の重クロロホルム中でのNMRは次のよう
に示した。 δ2.90ppm(3H)、δ3.30ppm(1H) δ3.65ppm(1H)、δ4.47ppm(1H) δ6.00ppm(1H)、δ7.10〜7.70ppm(5H) 元素分析値(C11H13N3O3として) 分析値% C56.18 H5.54 N17.89 理論値% C56.16 H5.57 N17.86 以上の結果より を確認した。 実施例 3 3−メチル−5−メトキシイミダゾリジン−2
−オン−1−カルボキシ−(3−メチルアニリ
ド)の製造 3−メチル−5−ヒドロキシイミダゾリジン−
2−オン−1−カルボキシ−(3−メチルアニリ
ド)2.5g(0.01モル)をジメチルホルムアミド
40mlに溶解した。10℃に冷却後、攪拌下で水素化
ナトリウム0.5g(0.01モル)を加えた。30分攪
拌後、沃化メチル1.5g(0.01モル)を滴下した。
室温で2時間攪拌後、反応液に水を加え、結晶を
析出させた。結晶を濾過後、エタノールより再結
晶し、無色結晶2.0g(収率76%)を得た。 融点 104〜105℃ 得られた結晶の重クロロホルム中でのNMRは
次のように示した。 δ2.32ppm(3H)、δ2.90ppm(3H) δ3.24ppm(1H)、δ3.52ppm(3H) δ3.60ppm(1H)、δ5.65ppm(1H) δ6.97ppm(1H)、δ7.20〜7.50ppm(3H) 元素分析値(C13H17N3O3として) 分析値% C59.28 H6.54 N15.98 理論値% C59.30 H6.51 N15.96 以上の結果より を確認した。 実施例 4〜18 実施例1〜3と同様の操作により実施例4〜18
の化合物を合成した。物性及びNMRデーターを
第1表に示した。
【表】
【表】
【表】
実施例 19
実施例1〜3と同様にして式
で示される化合物を得た。
融点 139.2℃
得られた化合物の重クロロホルム中でのNMR
は次のように示した。 δ2.75ppm(3H)、δ3.13ppm(1H) δ3.42ppm(1H)、δ4.56ppm(1H) δ5.76ppm(1H)、δ6.75−7.15ppm(3H) δ7.95ppm(1H)、δ10.20ppm(1H) 処方例 1(30%乳剤) (重量部) 実施例1の化合物 30 ポリオキシエチレンノニル 10 フエニルエーテル ジメチルアミド 20 キシレン 40 処方例 2(50%水和剤) 実施例2の化合物 50 リグニンスルホン酸ナトリウム 1 ドデシルベンゼンスルホン酸 4 ナトリウム クレー 45 処方例 3(10%粒剤) 実施例3の化合物 10 リグニンスルホン酸ナトリウム 0.5 ドデシルベンゼンスルホン酸 2 ナトリウム ケイソウ土 27.5 ベントナイト 60 尚、乳剤の場合には、各成分を均一に混合溶解
し、水和剤の場合には、各成分を均一に混合粉砕
してそれらを得ることができる。また粒剤の場合
には、各成分を均一に混合し、水を加えて充分混
練したのち造粒し、次いで細かく切断して粒状の
ものとし、乾燥して製造される。 試験例 1(茎葉処理テスト) 1/2000aのワグナーポツトに殺菌した沖積土
壌を入れ、第2表に示す供試植物の種子を播種
し、各植物がほぼ一定の大きさ(ほぼ2〜3葉
期)に達したとき、実施例に示す方法で得た化合
物を有効成分とする乳剤を処方例1に準じて製剤
し、それぞれ有効成分が100g/aとなるように
水で希釈したものを植物の茎葉全面が充分一様に
濡れるように散布した。散布後3週間目に各植物
に対する除草活性を調べた。その結果を第2表に
示す。尚、除草活性は肉眼観察により次の基準に
従つて無処理の場合と対比した指数で評価した。 (指数) (除草活性) 0 変化なし 1 1〜24%阻害 2 25〜49%阻害 3 50〜74%阻害 4 75〜90%阻害 5 完全枯死
は次のように示した。 δ2.75ppm(3H)、δ3.13ppm(1H) δ3.42ppm(1H)、δ4.56ppm(1H) δ5.76ppm(1H)、δ6.75−7.15ppm(3H) δ7.95ppm(1H)、δ10.20ppm(1H) 処方例 1(30%乳剤) (重量部) 実施例1の化合物 30 ポリオキシエチレンノニル 10 フエニルエーテル ジメチルアミド 20 キシレン 40 処方例 2(50%水和剤) 実施例2の化合物 50 リグニンスルホン酸ナトリウム 1 ドデシルベンゼンスルホン酸 4 ナトリウム クレー 45 処方例 3(10%粒剤) 実施例3の化合物 10 リグニンスルホン酸ナトリウム 0.5 ドデシルベンゼンスルホン酸 2 ナトリウム ケイソウ土 27.5 ベントナイト 60 尚、乳剤の場合には、各成分を均一に混合溶解
し、水和剤の場合には、各成分を均一に混合粉砕
してそれらを得ることができる。また粒剤の場合
には、各成分を均一に混合し、水を加えて充分混
練したのち造粒し、次いで細かく切断して粒状の
ものとし、乾燥して製造される。 試験例 1(茎葉処理テスト) 1/2000aのワグナーポツトに殺菌した沖積土
壌を入れ、第2表に示す供試植物の種子を播種
し、各植物がほぼ一定の大きさ(ほぼ2〜3葉
期)に達したとき、実施例に示す方法で得た化合
物を有効成分とする乳剤を処方例1に準じて製剤
し、それぞれ有効成分が100g/aとなるように
水で希釈したものを植物の茎葉全面が充分一様に
濡れるように散布した。散布後3週間目に各植物
に対する除草活性を調べた。その結果を第2表に
示す。尚、除草活性は肉眼観察により次の基準に
従つて無処理の場合と対比した指数で評価した。 (指数) (除草活性) 0 変化なし 1 1〜24%阻害 2 25〜49%阻害 3 50〜74%阻害 4 75〜90%阻害 5 完全枯死
【表】
【表】
上表において供試植物A〜Hは次の植物であ
る。 A……アオビユ B……クサネム C……ノビエ D……ダイコン E……ソバ F……アサガオ G……コムギ H……タカサブロウ 試験例 2(土壌処理テスト) 1/2000aのワグナーポツトに殺菌した沖積土
壌を入れ、第3表に示す供試植物の種子を播種し
て、約0.5〜1.0cm覆土した。次いで実施例に示す
方法で得た化合物を有効成分とする水和剤を処方
例2に準じて製剤し、それぞれ有効成分が100
g/aとなるように水で希釈し、これを土壌表面
が均一に濡れるように散布した。散布後3週間目
に各植物に対する除草活性を調べた。その結果を
第3表に示す。評価の基準は試験例1と同じであ
る。
る。 A……アオビユ B……クサネム C……ノビエ D……ダイコン E……ソバ F……アサガオ G……コムギ H……タカサブロウ 試験例 2(土壌処理テスト) 1/2000aのワグナーポツトに殺菌した沖積土
壌を入れ、第3表に示す供試植物の種子を播種し
て、約0.5〜1.0cm覆土した。次いで実施例に示す
方法で得た化合物を有効成分とする水和剤を処方
例2に準じて製剤し、それぞれ有効成分が100
g/aとなるように水で希釈し、これを土壌表面
が均一に濡れるように散布した。散布後3週間目
に各植物に対する除草活性を調べた。その結果を
第3表に示す。評価の基準は試験例1と同じであ
る。
【表】
対照化合物は第2表と同じである。また供試植
物A〜Gは第2表と同じである。 試験例 3(湛水処理テスト) 1/5000aのワグナーポツトに水田土壌を入
れ、さらにその表層にそれぞれノビエ、タマガヤ
ツリ、アゼナ及びキカシグサの種子が混入してい
る土を入れたのち、水深を3cmに保つた。次いで
実施例で示す方法で得た化合物を有効成分とする
粒剤を処方例3に準じて製剤し、それぞれ有効成
分が50g/aとなるように均一に散布し、薬剤施
用後3週間目に各植物に対する除草活性を調べ
た。結果を第4表に示す。評価の基準は試験例1
と同じである。
物A〜Gは第2表と同じである。 試験例 3(湛水処理テスト) 1/5000aのワグナーポツトに水田土壌を入
れ、さらにその表層にそれぞれノビエ、タマガヤ
ツリ、アゼナ及びキカシグサの種子が混入してい
る土を入れたのち、水深を3cmに保つた。次いで
実施例で示す方法で得た化合物を有効成分とする
粒剤を処方例3に準じて製剤し、それぞれ有効成
分が50g/aとなるように均一に散布し、薬剤施
用後3週間目に各植物に対する除草活性を調べ
た。結果を第4表に示す。評価の基準は試験例1
と同じである。
【表】
【表】
対照化合物は第2表と同じである。また供試植
物C、I〜Kは次の通りである。 C……ノビエ I……タマガヤツリ J……アゼナ K……キカシグサ
物C、I〜Kは次の通りである。 C……ノビエ I……タマガヤツリ J……アゼナ K……キカシグサ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ低級アルキル基又は低級アルコキシカル
ボニル低級アルキル基を示す。Arはフエニル基
を示し、フエニル基にはハロゲン原子、ニトロ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級
ハロアルキル基が置換していてもよい。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体。 2 一般式【式】又は 【式】 〔式中Arはフエニル基を示し、フエニル基に
はハロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低
級アルコキシ基又は低級ハロアルキル基が置換し
ていてもよい。〕 で示されるヒダントイン誘導体を還元することに
より一般式 〔式中Arは前記に同じ。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体を得
ることを特徴とするイミダゾリジン−2−オン誘
導体の製造法。 3 一般式 〔式中Arはフエニル基を示し、フエニル基に
はハロゲン原子、ニトロ基、低級アルキル基、低
級アルコキシ基又は低級ハロアルキル基が置換し
ていてもよい。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体と一
般式 R′X 〔式中R′は低級アルキル基、低級アルコキシ
低級アルキル基又は低級アルコキシカルボニル低
級アルキル基を示す。Xはハロゲン原子を示す。〕 で示されるハロゲン化アルキルとを反応させて一
般式 〔式中R′及びArは前記に同じ。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体を得
ることを特徴とするイミダゾリジン−2−オン誘
導体の製造法。 4 一般式 〔式中Rは水素原子、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ低級アルキル基又は低級アルコキシカル
ボニル低級アルキル基を示す。Arはフエニル基
を示し、フエニル基にはハロゲン原子、ニトロ
基、低級アルキル基、低級アルコキシ基又は低級
ハロアルキル基が置換していてもよい。〕 で示されるイミダゾリジン−2−オン誘導体を有
効成分として含有することを特徴とする除草剤。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17131182A JPS5962571A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | イミダゾリジン−2−オン誘導体 |
US06/619,149 US4578107A (en) | 1982-09-27 | 1983-09-27 | Herbicidal imidazolidine-2-one derivatives |
PCT/JP1983/000318 WO1984001383A1 (en) | 1982-09-27 | 1983-09-27 | Imidazolidin-2-one derivatives, process for their preparation, and herbicides containing them |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17131182A JPS5962571A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | イミダゾリジン−2−オン誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5962571A JPS5962571A (ja) | 1984-04-10 |
JPH039910B2 true JPH039910B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15920909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17131182A Granted JPS5962571A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-30 | イミダゾリジン−2−オン誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5962571A (ja) |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17131182A patent/JPS5962571A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5962571A (ja) | 1984-04-10 |
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