JPS5957442A - 集積回路チツプの選別方法 - Google Patents

集積回路チツプの選別方法

Info

Publication number
JPS5957442A
JPS5957442A JP16791782A JP16791782A JPS5957442A JP S5957442 A JPS5957442 A JP S5957442A JP 16791782 A JP16791782 A JP 16791782A JP 16791782 A JP16791782 A JP 16791782A JP S5957442 A JPS5957442 A JP S5957442A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
measurement
chips
coordinate
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16791782A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Iizuka
恒夫 飯塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP16791782A priority Critical patent/JPS5957442A/ja
Publication of JPS5957442A publication Critical patent/JPS5957442A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の技術分り!を 本発明は半導体集積回路千ノブ(以下ICチップという
)のj巽別方法、詳しくはICチップ計f曲のためにな
される測定においてIcチップを容易かつ正(i(l“
に同定するための方法に関する。
(2)技術の背景 例えば半導体集積回路パッケージは、ウェハに対しウェ
ハプロセスをなし、このウニハタ分割して個々のICチ
ップとなし、このICチップをパッケージに組め立て封
止して形成される。そのためウェハには分割されて個々
のICチップとなる領域毎に集fr’を回!/3が形成
されている。
分割に先立って個々の10千ノゾに対し試験のための測
定がなされ、そのためには第1図の模式的配置図に示さ
れるプ1:1バーか用いられる。なお同図に才几)で、
101はステージ、102はステージ+01の−1−に
ヒツトされたウコーハ、103はゾ1=1−ブカーF、
104はブC1−ブニーl°ル、105はブli+ −
ブカード103に接続されたテスターである。測定に際
しては、プローブニーlル104がICチップに形成さ
れたバンドと接触し、■にデツプに関する情(・μがテ
スター105に送られて試験される。
」二層の1llllI定のためにはウェハの各ICチッ
プを同定しζおく必要があり、そのためにマソブカ法が
用いられる。ごのマ・ップカ法においてシ、1、第2図
のウェハ102の模式的平面図に示されるよ)に(なお
第2図以下において、既に図示した(11じjと同じ部
分は同−符1・(をイ」シて不ず)、はぼウエノ\の中
心をノ+−1l″一点とし、ブIIバーによゲζ特定の
ICチップに至るXY方向の移動信号をカランI・し、
このカウントを当該1cチツプの座標番1号としていた
例えば第2図においてICチップ102bのj車標4J
: (2。
3)として示されることになる。
(3)iiL来技両技術題点 上記した従来技術において、X、Yの信号のカラン1−
の誤りにより座標にずれが発η−することがあり、その
ような事態に対処するため、マツプ方法による自動選別
には、マツプに加えマーキンクを施ずなどの手段をとら
ざるをえず、その結果作業性の+1rLl:が妨げられ
ることになった。
また、自動選別をするためにウェハを各チップに分割す
るときに、チップの位置はもとのままにしておかなけれ
ばならず、それが乱されるとウェハ1枚のすべてのチッ
プを不良にしなければならぬことになる。
更に、第2121に見られる如く、基準点102a4よ
ウェハのほぼ中央の、不良品の発生ずる6(f立が最も
小なるとごろに位置し、その部)))が基1115点と
してしか利用されないことは製造ノ1テ留り向上の見地
から好ましくない。
(4)発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑の、ウェハの個々のIC
デツプに座標が与えられうる点に着「1し、ICチップ
の判定におい゛ζ正Mtiな自りJ選別を可能にする方
法を提供するごとをL1的とする。
(5)発明の構成 そしてこの目的は本発明によると、ウェハに形成された
集Ji’l I+旧!■チップのそれぞれに独自の座標
記号をセンザー千1々により識別nJ能な如くに形成し
、各築稍回路チップの測定に際しては、前記1=lE標
記1号を読み取り、当該座標記号の伺された集f’j’
1回路チップの測定をなし、読み取ったj・)・標記号
と前記測定の結果とをメモリ手段に格納することを特徴
とするM5.積回路チップの選別方法を提供するごとに
よって達成される。
(6)発明の実施例 以下本実施例を図面によっ′(訂説する6第3図はつ土
ハ102上のICチップの配置を示−4ための5模i(
的平面1;′!、Iで、実際にはより多くのICチップ
が形成されるものである。■、■00.■の数値は変数
領域を、各変数領域の右上の隅の11゜12、、、32
の数字は座Ji;iを、またx、yをイ′、jした矢1
11はx、Y座標をンJ<ず。従って、個々のICチッ
プは変数領域または座標のいずれかで同定しうる。
現実に変数領域は後述するメモリ手段に設けられイ)も
のであって、それがICチップ」二に表示さ41、るご
とはなく 、1=li標のめが、例えばアルミニウム(
AI2)を用いてイ」りられる。それには電子ビーJ、
を用いCii’+°1画し、座標の認識は例えば光学的
セン9・−によってな10 ANを用いる座標の(−J
着才夕よび)・1を標の読取りは、)1n常の技術を用
いて適宜なすことができる。かかる座標記号の何着によ
っ−CそれぞれのICチップは他と識別可能に同定され
る。I!Ij 448i記号は例えばfh j、tを用
いて作成することができる。
かかる1!1り標の((JされたICチップの測定には
第4し1に示−]°装置を月1い、この装置は第1図の
装置にパターン認^1jti装置106を加えたちのC
ある。測定に際し−Cは、ウェハ2をステージl上に載
)i:^しくプレアラインメント)、次に正しく位置ぎ
めしくアラインメント)、シかる後にパターン認識装置
17106のセンザ一手段によっ゛C測定されるICチ
ップの座標記号を読み取る。次いで、テスター105か
らの測定開始の信号によっCl来技術の場合と1111
様にICチップの測定を行い、)4へ標記号と測)百−
1果をメモリ手段の変数領域に111き込む。以下11
1次ウコつハのICチップを測定する。この上程を要約
すると次の如くになる、ずなわら、ゾL/−j’ライン
メント→アラインメント−・)I)↑標のパターンHg
l’h ’う一スクーからの測定開始信号−結果のメ゛
むIJ ’J一段一・の書込め。
上記した書込みは第3図のウェハを例にとると一■・記
の如くになる。ここで、(i、(3)、(ωは良品(I
IASS) 、他は不良品(li/IIL)とし、I’
 A S Sは1でまノこPAILは3で表ずものとす
る。
変も!lイ拍域         庄(票      
   1)八SS/ l+八へL■       11
1 (2ノ            12        
    3■        13         
t■         21          J■
         223 ((ジ         233 ■         001 0θ         32        1■  
       001 なお十記庄標の+:i’i目°乙00はI!lE標記号
が欠り′Cいる場合を示す。
」−記)!−夕は第5図のウェハマツプとして表現され
・)るもので(なお同図におい゛乙1)はllAs5゜
1・゛は1iAILを示ず)、かかるマツプはリニア・
プログラム(Lll)に出力しうる。
以j−に説明した方法においては、ICチップの座標を
Ue’)取り、その記号を使用するので、座標ずれが発
生ずることがなく、従来技術で採用されたマーキング等
が不要になる。自動選別する場合、ウェハを各1cチノ
プイσに分割し、ICチップの位置関係がバラバラにな
ったとしてもなんら支障はない。更には、パターン認識
装jI′+1のノ!ンーリー31段により、Icチップ
の1!1り標記号を読め取り、ICチップデータと比較
し、選別を行・)ごとが可能となり、1!1糺標ずれに
よる誤選別のおそれはない。
本発明の方法の応用例は第6図に示され、同図において
、107ばテープ、l)I、 +32は第1および第2
のウェハのIcチップのデータ、ill、 112.、
n−1,nは分割したICチップを示ず。分11すした
Icチップ111.112は図示の如くテープ107−
1−に配置61シ、111. L12には第1、第2の
ウェハそれぞれのICチップのデータ(試験結果)が人
力(+11込め)されている。そして、10ソトのウェ
ハについてかかるテープを1本作成する。
ICチップの組立を行う場合、第61ヌ1のテープを自
動組立機械に取り伺り、先ず第1のウニ/’1分のIC
チップデータを、パターン認織装jM(106(第4図
)の変数領域に書き込む。次に、う−−プを送り、各I
Cチップの座標記号(11,12,13,、、、第2図
)を読め取り、良品ののを選別しく第5図の1))、こ
れをパッケージ内に自動的に(=J着する。不良品(I
?)の場合に番、!、それは飛ばして次のICチップへ
進ム。かくして、ウェハのずべてのICチップの自動選
別および組立がなされうる。現在、ウェハをチップに分
i’、i’J シ、良品のめを人三丁によりまたは自動
手段によりチップ1−レーに移しているが、かかる作業
は不要となり、完全自動化が可能となる。また、ICチ
ップデータは多様に人力可能であるので、従)1!、の
1゛、1・゛に加え、特定[狙杓にPとか1嘔というよ
うな多う)頬の自動化も可能となる。
(7)発明の効果 以−1−4、n′rflllに説明したように、本発明
の方法によるときは、ウェハの評価段階におAJるIC
チップの選別において、各1Gチツプにj!1(標記号
を伺り゛(おき、測定時にICチップの座標および測定
結果を読めII!す、その結果を格納し、その結果によ
っ’CIC−,J’ソゾの選別が行われるので、従来の
方l〕、の場合におりるIJl−標ずれの問題がI’+
ii決され、lCチップの自dil+ 選別がill能
となり、ICチップの4(す定および1111立が完全
自動化され、ICCソノージの製造歩’l’//りの向
上に効果大であり、加えて、ICチップの多分lコ1選
別の自動化もill能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は(メL来のプロバーの1v壮H1υ1而図、第
2図は1(:チップを示ずつ上ハのイル)式的平11旧
ツ1、第3図は本発明の方法によりr□+・標記号を(
ス1りられた1にヂノゾを示ずウェハの模式的平面図、
第4図は本発明の方法を実施するためのプl」バーのl
l!K +n1口IJi illi図、第5図は測定つ
J−ハのマツプを示ず1ンイ1、第61ソ1は本発明の
応用に用いるテープのlli’t l”B・1・、面図
てンbる。 +01−−スラー−ジ、102  ウコニハ、103−
プローブカー1・、104−プローブニー1ル、105
−テスター、HIG ’−/” タフ 8Q R’°包
装置、107 −テープ、l02a−基lll′、点、
IO21+、 III。 112 、、、、、 n −1、n −チップ第1図 +05 第2図 第3図 第4図 第51″″4 I)61’2J

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハに形成された集積回1/IGチップのそれぞれに
    独1゛巨υEK Jillj記叶をセンリ°一手段によ
    り識別再開な如くに形成し、各集積回路チップの測定に
    際しては、前記座標記号を読み取り、当該座標紀汀の(
    =Iされた集、積回路−f・ツブの測定をなし、読め取
    った1、−1p +ff+記号と前記測定の結果とをメ
    モリ]°段に格納することを特徴とする集積回路チップ
    の選別方法。
JP16791782A 1982-09-27 1982-09-27 集積回路チツプの選別方法 Pending JPS5957442A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16791782A JPS5957442A (ja) 1982-09-27 1982-09-27 集積回路チツプの選別方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16791782A JPS5957442A (ja) 1982-09-27 1982-09-27 集積回路チツプの選別方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5957442A true JPS5957442A (ja) 1984-04-03

Family

ID=15858441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16791782A Pending JPS5957442A (ja) 1982-09-27 1982-09-27 集積回路チツプの選別方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5957442A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637156A (ja) * 1992-07-14 1994-02-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5587452A (en) * 1978-12-26 1980-07-02 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5587452A (en) * 1978-12-26 1980-07-02 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637156A (ja) * 1992-07-14 1994-02-10 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100610175B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 칩 식별 정보의 기록 방법
US5691570A (en) Integrated circuits having patterns of mirror images and packages incorporating the same
US11669957B2 (en) Semiconductor wafer measurement method and system
KR100208111B1 (ko) 웨이퍼를 프로파일링하고 그 위에 다이의 위치를 설정하기 위한 방법 및 장치
JPS5957442A (ja) 集積回路チツプの選別方法
KR100716552B1 (ko) 다이 어태치 방법
JPH065690B2 (ja) 半導体ウエハプローブ方法
EP0580895A2 (en) Method of mapping a tested semiconductor device
JPS6139541A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6247142A (ja) 半導体装置のマ−キング法
JPH0195529A (ja) ウエーハのテスト方法
JPS6184029A (ja) 半導体検査装置
JPS6171691A (ja) 分割用プリント基板の分割溝配設もれ検出方法
JPS5857780A (ja) プリント基板の検査方法とその装置
JPS5817632A (ja) Icチツプの選別方法
JPH01277781A (ja) 集積回路試験装置
JP2657298B2 (ja) 半導体ウエハの検査方法
JPS604234A (ja) 集積回路装置
JPS6170735A (ja) 電気測定用アライメントマ−クを有するウエハまたはチツプ
JPS60103639A (ja) ウエハチツプの選別方法
JPH10178072A (ja) 半導体検査方法
JP2979682B2 (ja) マップを利用した半導体装置の組立方法
JPH0471247A (ja) 半導体ウエハの試験方法
JPH01194331A (ja) マーキングによるダイボンディング方法
JPH0964127A (ja) ウェーハプロービングマシン