JPS6139541A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は半導体装置の製造方法に関し、とくに半導体チ
ップのグレード判別方法に関する。

（従来技術） 各種半導体集積回路の、ウェハー状態での電気的特性の
測定において、従来から、良品チップと不良品チップと
の区別をつけるため、ウニノ１−上の谷チップ上に目視
での判別が可能な如くマークが付され、測定終了後組立
工程にて、マーキングの有無によって良品チップの選別
を行なうという方法が一般的にとられてきた。

また、最近、半導体集積回路の持つ機能が複雑になるに
つれて、ウェハー状態での電気的特性の測定内容も複雑
になシ、測定項目も多くなってきている。比べて、各チ
ップの電気的特性による分類の方法は、定められた規格
を満足するか否かによりて、前記マーキング等の方法に
よシ、良品チップ、不良品チップの判定をするというの
が大部分でめった。

加えて半導体集積回路の機能が多岐にｌシ、定められた
規格に対して各半導体装置の持つ電気的特性のいくつか
の項目、例えば、スピードや消費電力で半導体装置をグ
レード分類することが多くなってきた。

これに対して従来から、組立終了後、製品での良品検査
工程において、規格内の良品をさらにいくつかの項目に
よってグレード分類を行なっているのが現実である。従
って製品での良品検査工程において始めて各グレードの
派生が明らかＫなシ、逆に言えば最終工程まで進まない
とその製品のグレードが明らかにならなかった。従って
、組立工程を経ることによって、ウェハ一段階での各チ
ップのグレードがどれくらい劣化するのかという詳しい
情報を入手するのも困難であった。

一方、ウェハー状態で各チップをいろいろな電気的特性
によってグレード分類し、そのグレード単位で組立が可
能であれば、組立工程の技術向上が期待され、加えてウ
ェハー状態でのグレードと組立後の製品でのグレードと
の対応をとることによって、ウェハー状態でのグレード
の派生の状況によシ製品でのグレードの派生を推測する
ことが可能になるという利点がある。

（発明の目的） 本発明は上にグレード判別を容易に行なえる方法を提供
することを目的とする。

（発明の構成） 本発明はウェハー状態での電気的特性の測定で得た情報
を必要な項目によってグレード分類し、結果をメモリに
記憶しておいて組立工程まで反映するようＫしたことを
特徴とするものである。

（実施例の説明） 以下、本発明の一実施例を図面に従い説明する。

ウェハー状態での電気的特性の測定時に、例えば、Ａ、
　Ｂ、　Ｃ，Ｄという４つの項目によってグレードを分
類すると仮定する。次に測定器（以下、テスターと称す
）のメモリにウェハー内の各素子（チップ）の位置をあ
らかじめ記憶させておき、各電気的特性の測定を行なう
。測定時に、記憶させたある番地のチップが、電気的特
性上、Ａ、　Ｂ。

Ｃ，Ｄのどのグレードに属するのかを、各チップ毎に記
憶する。記憶された各チップのグレードの分布が第１図
の如くになるとする。図上Ｘ印は、不良チップである。

第１図の各チップに対するグレードの情報を、フロッピ
ーディスク、または、Ｐ−ＲＯＭ等に書き換え、ウェハ
ーと対応力ゞ°つくようにして組立工程へ進む。

組立工程では、マウント時に第１図のフェノ・−の各チ
ップのグレードの情報を、マウンター内に取シ込み、Ａ
、　Ｂ、　Ｃ，Ｄのグレードの内、必要なグレードだけ
選び出すことによって同一グレードのチップのセレクト
して組立てることによって、ウェハ一時での電気的特性
の結果を組立後の製品での良品検査測定にまで反映する
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための模式図であ
る。 図においてＡ、　Ｂ、　Ｃ，Ｄはウェハー状態で測定さ
れた電気的特性のグレードを表わし、ｘ印は、前記測定
で不良となったチップを表わす。 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハーの電気的特性の測定において、ウェハ
   ー上の各チップの位置とそのチップの電気的特性の情報
   を夫々対応して記憶し、組立工程において前記情報に従
   ってチップを選択分類することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。