JPS5951945B2 - グアニジン誘導体の製造法 - Google Patents
グアニジン誘導体の製造法Info
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- JPS5951945B2 JPS5951945B2 JP56008239A JP823981A JPS5951945B2 JP S5951945 B2 JPS5951945 B2 JP S5951945B2 JP 56008239 A JP56008239 A JP 56008239A JP 823981 A JP823981 A JP 823981A JP S5951945 B2 JPS5951945 B2 JP S5951945B2
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Links
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Landscapes
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、グアニジン誘導体、特に下記〔Ｉ゛〕式で示
されるＮ−メチルーマーシアノ−Ｖ−〔２一（（ｌ−パ
ラトルエンスルホニルー５−メチルー４−イミダゾリル
）−メチルチオ）一エチル〕グアニジンの製造法に関す
る。
されるＮ−メチルーマーシアノ−Ｖ−〔２一（（ｌ−パ
ラトルエンスルホニルー５−メチルー４−イミダゾリル
）−メチルチオ）一エチル〕グアニジンの製造法に関す
る。
ＣＨ３ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−Ｃ−ＮＨＣＨ、；
ニーＣＮｏ〕 Ｔｓ゛ゝ” 〔式中、Ｔｓ一はＣＨ８凸蕃一を表わ す〕 本発明に係る上記グアニジン誘導体は、従来−般名をシ
メチジン（Ｃｉｍｅｔｉｄｉｎｅ）として知られるヒス
タミン−Ｈ２−レセプタ一に対する阻害作用薬であるグ
アニジン誘導体、すなわち下言Ｉ式で示されるＮ−メチ
ル− Ｎ−シアノーマ一〔２−｛（５−メチル− ４
−イミダゾリル）−メチルチオ｝一エチル〕グアニジン
と同じく、胃酸分泌抑制作用を有する抗潰瘍剤として有
用である。
ニーＣＮｏ〕 Ｔｓ゛ゝ” 〔式中、Ｔｓ一はＣＨ８凸蕃一を表わ す〕 本発明に係る上記グアニジン誘導体は、従来−般名をシ
メチジン（Ｃｉｍｅｔｉｄｉｎｅ）として知られるヒス
タミン−Ｈ２−レセプタ一に対する阻害作用薬であるグ
アニジン誘導体、すなわち下言Ｉ式で示されるＮ−メチ
ル− Ｎ−シアノーマ一〔２−｛（５−メチル− ４
−イミダゾリル）−メチルチオ｝一エチル〕グアニジン
と同じく、胃酸分泌抑制作用を有する抗潰瘍剤として有
用である。
本発明化合物〔Ｉ〕は、下記〔〕式：〔式中、Ｔｓ−は
ＣＨ３？尽−を表わ す〕 で示される１−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキ
シメチル−５−メチルイミダゾールと、下記〔酌式：〔
式中、Ｘはフツ素原子、Ｙは酸の残基を表わす〕で示さ
れる２−置換−ｌ−メチルピリジニウム塩を反応させ、
その反応生成物と、下記〔ｖ〕式：で示されるＮ−メチ
ルーマーシアノ一Ｖ−（２−メルカプトエチル）−グア
ニジンを反応させることにより得られる。
ＣＨ３？尽−を表わ す〕 で示される１−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキ
シメチル−５−メチルイミダゾールと、下記〔酌式：〔
式中、Ｘはフツ素原子、Ｙは酸の残基を表わす〕で示さ
れる２−置換−ｌ−メチルピリジニウム塩を反応させ、
その反応生成物と、下記〔ｖ〕式：で示されるＮ−メチ
ルーマーシアノ一Ｖ−（２−メルカプトエチル）−グア
ニジンを反応させることにより得られる。
上記反応は、溶媒の存在下、窒素ガス等の不活性ガス雰
囲気中室温（約１０〜３０℃）の温度にて行なうことが
できる。
囲気中室温（約１０〜３０℃）の温度にて行なうことが
できる。
溶媒としてはクロロホルム、ジクロルメタン、アセトニ
トリルなどが好ましく用いられる。反応時間は約５〜１
２時間程度でよい。また、この反応を第三級アミン、例
えばトリエチルアミンの存在下に行なうことにより、反
応を円滑に促進させることができる。本発明に用いられ
る化合物〔〕は、例えば４−ヒドロキシメチル−５−メ
チルイミダゾールと、パラトルエンスルホニルクロライ
ドを、ピリジン等の溶媒の存在下、室温〜０℃で反応さ
せることにより得られる。
トリルなどが好ましく用いられる。反応時間は約５〜１
２時間程度でよい。また、この反応を第三級アミン、例
えばトリエチルアミンの存在下に行なうことにより、反
応を円滑に促進させることができる。本発明に用いられ
る化合物〔〕は、例えば４−ヒドロキシメチル−５−メ
チルイミダゾールと、パラトルエンスルホニルクロライ
ドを、ピリジン等の溶媒の存在下、室温〜０℃で反応さ
せることにより得られる。
また、２−置換−ｌ−メチルピリジニウム塩〔〕として
は、例えばベンゼンスルホン酸塩、パラトルエンスルホ
ン酸塩、メタンスルホン酸塩などが好ましく用いられる
。
は、例えばベンゼンスルホン酸塩、パラトルエンスルホ
ン酸塩、メタンスルホン酸塩などが好ましく用いられる
。
次に実施例を挙げて本発明について具体的に説明する。
（参考例）
１−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキシメチル−
５−メチルイミダゾールの製造：４−ヒドロキシメチル
−５−メチルイミダゾール１］．２ｆ７（ ０．１モル
）をピリジン２００ｍ１に溶解した溶液を、温度１０℃
以下に保持し、これにパラトルエンスルホニルクロライ
ド１９．１ｆ（０．１モル）を含むピリジン１００ｍｊ
溶液を滴加する。
５−メチルイミダゾールの製造：４−ヒドロキシメチル
−５−メチルイミダゾール１］．２ｆ７（ ０．１モル
）をピリジン２００ｍ１に溶解した溶液を、温度１０℃
以下に保持し、これにパラトルエンスルホニルクロライ
ド１９．１ｆ（０．１モル）を含むピリジン１００ｍｊ
溶液を滴加する。
約３時間室温で撹拌する。反応後、該反応液に水２１を
加え、酢酸エチル５００ｍｉで抽出する。酢酸エチル層
を十分水洗し、乾燥したのち、溶媒を留去し、雑渣をエ
ーテルでトリチユレートすることにより、ｌ−パラトル
エンスルホニル−４−ヒドロキシメチル−５−メチルイ
ミダゾールの白色結晶を得る。融点１２３〜１２７℃。
実施例 １−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキシメチル−
５ −メチルイミダゾール２６．６，（０．１モル）
をクロロホルム２００ゴに懸濁させる。
加え、酢酸エチル５００ｍｉで抽出する。酢酸エチル層
を十分水洗し、乾燥したのち、溶媒を留去し、雑渣をエ
ーテルでトリチユレートすることにより、ｌ−パラトル
エンスルホニル−４−ヒドロキシメチル−５−メチルイ
ミダゾールの白色結晶を得る。融点１２３〜１２７℃。
実施例 １−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキシメチル−
５ −メチルイミダゾール２６．６，（０．１モル）
をクロロホルム２００ゴに懸濁させる。
これにトリエチルアミン３０．３Ｖ（ ０．３モル）を
加え、窒素気流中、２−フルオロ−ｌ−メチルピリジニ
ウムパラトルエンスルホネート２８．３Ｖ（ ０．１モ
ル）を加える。約ｌ時間室温で撹拌したのち、Ｎ−メチ
ル− Ｒ−シアノ−Ｎ−（２−メルカプトエチル）−グ
アニジン１８．９Ｖ（ ０．１２モル）を加え、さらに
室温で５時間反応させる。その後、反応液を５％炭酸ナ
トリウム水溶液で洗浄レ さらに水洗して乾燥する。つ
いで減圧下に反応液を濃縮し、濃縮残渣にエーテルを加
えて結晶を析出させることにより、Ｎ−メチル−〜−シ
アノ−Ｖ−〔２−｛（１−パラトルエンスルホニル−５
−メチル−４−イミダゾリル）−メチルチオ｝一エチル
〕グアニジンの白色結晶３３．０ｒ（収率８１．３％）
を得る。融点：１５４〜１５７℃ １Ｒスペクトル：３２６０，２１７０，１６００，１５
７０，１２００，１１８０，１１００，１０４０，６８
０，５９０ｃ！ｎ−１。
加え、窒素気流中、２−フルオロ−ｌ−メチルピリジニ
ウムパラトルエンスルホネート２８．３Ｖ（ ０．１モ
ル）を加える。約ｌ時間室温で撹拌したのち、Ｎ−メチ
ル− Ｒ−シアノ−Ｎ−（２−メルカプトエチル）−グ
アニジン１８．９Ｖ（ ０．１２モル）を加え、さらに
室温で５時間反応させる。その後、反応液を５％炭酸ナ
トリウム水溶液で洗浄レ さらに水洗して乾燥する。つ
いで減圧下に反応液を濃縮し、濃縮残渣にエーテルを加
えて結晶を析出させることにより、Ｎ−メチル−〜−シ
アノ−Ｖ−〔２−｛（１−パラトルエンスルホニル−５
−メチル−４−イミダゾリル）−メチルチオ｝一エチル
〕グアニジンの白色結晶３３．０ｒ（収率８１．３％）
を得る。融点：１５４〜１５７℃ １Ｒスペクトル：３２６０，２１７０，１６００，１５
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０，５９０ｃ！ｎ−１。
元素分析値（Ｃｌ，Ｈ２２Ｎ６Ｏ２Ｓ２として）実測値
（株）：Ｃ５Ｏ．５、Ｈ５．６、Ｎ２Ｏ．４。
（株）：Ｃ５Ｏ．５、Ｈ５．６、Ｎ２Ｏ．４。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 式： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｔｓ−は▲数式、化学式、表等があります▼を
表わす〕 で示される１−パラトルエンスルホニル−４−ヒドロキ
シメチル−５−メチルイミダゾールと、式：▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘはフッ素原子、Ｙは酸の残基を表わす〕で示
される２−置換−１−メチルピリジニウム塩を反応させ
、その反応生成物と、式：▲数式、化学式、表等があり
ます▼ で示されるＮ−メチル−Ｒ−シアノ−Ｎ″−（２−メル
カプトエチル）−グアニジンを反応させて、式▲数式、
化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｔｓ−は前記と同義〕 で示されるＮ−メチル−Ｎ′−シアノ−Ｎ″−〔２−｛
（１−パラトルエンスルホニル−５−メチル−４−イミ
ダゾリル）−メチルチオ｝−エチル〕グアニジンを得る
ことを特徴とするグアニジン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008239A JPS5951945B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | グアニジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56008239A JPS5951945B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | グアニジン誘導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120573A JPS57120573A (en) | 1982-07-27 |
| JPS5951945B2 true JPS5951945B2 (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=11687589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56008239A Expired JPS5951945B2 (ja) | 1981-01-21 | 1981-01-21 | グアニジン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951945B2 (ja) |
-
1981
- 1981-01-21 JP JP56008239A patent/JPS5951945B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120573A (en) | 1982-07-27 |
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