JPS5951763B2 - 基板上のマイクロ波サ−キユレ−タ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板の一方の面に、整合回路網およびリード
線を有するエツチングされな共振器構造、例えば円板が
配置されており、かつ金属被覆を備えかつアース面とし
て使、われる基板の他方の面の金属被覆９切欠、き内に
、フェライト板が配置されている、基板上のマイクロ波
サーキュレータに関する。

サーキュレータの最もよく使われる構造は、分岐サーキ
ュレータである。

その際非可逆３ポートが問題となり、この：３ポートに
おいて理想的な場合高周波エネルＮの伝搬は、循環方向
にしか行われず、かつすべてのキードは、無反射で結合
された導波管系に整合されている。

従ってサーキュレータは、能動２端子−路網において例
えば信号入力端子および出力端子の減棹介のため、方向
性線路またはスイッチとして使用で゛きや。

以前からこのようなサーキュレータは集積構造で作られ
、カリプリイト回路の方式で基板上に取付けられる。

このような竺−キュレータの構造にと？で問題となるの
（よ、侍の部品に属するフェライト板の配置であり、こ
のフェライト板は、基板の面に対して垂直に磁界にさら
さ杵る。

１雑誌ＩＥＥＥ ）う、ンザクショイズ・、オン・マグ
ネ−ｆ−’、７クス、Ｍａｇ、−１１巻、５号、１９７
５年９月、！２７５頁、第８図において、導体構造を有
する面に村回するフェライト板が基板内へうめ込まれて
おり、かつこのフェライト板の表面が基板表面と同一面
内にあるようなサーキュレータが示されている。

アース側に配置された金属層は、基板およびフェライト
板上に同一平面に取付けられている。

この配置は、温度差があった際に基板またはアース面の
金属層が破壊されることがあるという欠点を有する。

さらにこの構成は、フェライト板および切欠きの製造の
際に非常にわずかな公差を必要とし、かつそれにより製
造方法を高価なものにしている。

シンポジウム１９７１年ＩＥＥＥ−ＧＭＴＴ Ｉｎｔ、
マイクロウェーブ・シンポジウム・ダイジェスト、ワ
シントン１９７１年５月、７９頁第１ａ図に示された装
置は同じ欠点を有する。

この構成においてフェライト板は、基板の切欠き内に西
装置されている。

この装置は電気的な利点を有するが、温度差がある際に
破壊する危険は回避されず、かつ切欠きおよびフェライ
ト板の製造の際の非常にわずかな公差も必要になる。

従って本発明の課題は、簡単に製造可能でありかつ良好
な電気的特性を有するサーキュレータを提供することに
ある。

本発明によればこの課題は次のようにして解決される。

すなわち共振器構造から離れた方の底面および周面を金
属被覆されかつ共振器構造に対向したフェライト板また
はフェライトリングが、このフェライト板の寸法に相応
した金属層切欠きにおいてまわりを囲んで導電接続部、
例えば溶接継目を有し、その際基板は、誘電体材料から
、例えば石英ガラス、ガラス繊維強化ポリテトラフルオ
ルエチレンまたはアルミニウム酸化物セラミックから成
ることができる。

共振器構造が円板またはリングから成ると有利である。

この構成は、安価に製造できかつもはや温度の問題が無
いという利点を有する。

本発明の実施例を以下図面によって説明する。

第１図に、本発明によるサーキュレータが断面図で示さ
れている。

誘電体材料、例えばアルミニウム酸化物セラミックから
作ることができる基板１上に、共振器板２が取付けられ
ている。

板から成るこの共振器構造２は、二の実施例において円
形であり、かつ第２図から明らかなような金属被覆から
成る。

反対側または裏面にフェライト板３が配置されており、
このフェライト板は、ちょうど共振器構造２と対向して
いる。

このフェライト板は、反対側の面３ａおよび周面３ｂに
金属被覆を有する。

基板１は、裏面に金属被覆１ａを有し、かつフェライト
板の寸法に応じてフェライト板３の端面のところにエツ
チングスペースを有スる。

フェライト板３の金属被覆３ｂは、溶接継目４によって
基板の金属被覆１ａにまわりを囲むように取付けられて
いる。

第２図に、サーキュレータの平面図が示されている。

特にこの図から共振器構造２の配置が明らかである。

この実施例において３つの接続導体５が配置されており
、これら接続導体は、それぞれ互いに１２０°の角度を
なしている。

一般的に共振器板と接続導体との間に整合回路網が取付
けられており、これら整合回路網は、公知のように例え
ばλ／４変成器として構成されている。

前記本発明は、セラミック基板の利点をサーキュレータ
を集積する簡単な可能性と結合するものである。

このことは次のようにして行われる。すなわちアルミニ
ウム酸化物セラミックから成る基板１は両面を金属被覆
され、上面に通常のエツチング技術によって共振器構造
２および整合回路網（第２図には示されていない）およ
び接続導体５が作られる。

この構造は、すでに公知の集積サーキュレータの構造と
同じである。

下面の金属被覆は、共振器構造２の下側においてエツチ
ングにより除去され、かつフェライト板３が取付けられ
る。

フェライト板３ａの周面３ｂおよび離れた方の面３ａは
、金属被覆を有する。

リング面３ａと金属被覆１ａとの間の取付けおよび電気
的接触は、リング状溶接継目４によって行われる。

基板平面に対して垂直に直流磁界用を生じる磁石系は、
同様に公知のサーキュレータに使われる系と同じである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるサーキュレータの断面図、第２
図は、同じサーキュレータの平面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・共振器構造、３・
・・・・・フェライト板、４・・・・・・溶接継目、５
・・・・・・接続導体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板の一方の面に、整合回路網およびｉ）−ド線を
   有する工゛倖ツグさ株た共振器構造、が配置されており
   、かつ金属被覆を備えた基板の他方の面に、フェライト
   板力、ｙ装置されている、基坤害のマイクロ波サーキュ
   レータにおいて、共振器構造２から離れた方の底面３ａ
   および周面３ｂ、合金属被覆されカリ共振器構造に村向
   したフェライト板３が、このフェライト板９寸法に相応
   した金属層切欠き１ａにおいてまわりを囲んで導電接続
   部４を有することを特徴件、する、基板上のマイクロ波
   サーキュレータ。 。２ 基板１が、任意の誘電体材料から成る、特許
   請求の範囲第一１項記載のマイクロ波サーキュレータ。 ３ フェライト板が、基板面に対して垂直に延びた磁界
   によってあらかじめ磁化されている、特許請求の範囲第
   １項記載のマイクロ波サーキュレータ。 ４ 共振器構造が円板から成る、特許請求の範囲第１項
   記載のマイクロ波サーキュレータ。 ５ 共振器構造がリングから成る、特許請求の範囲第１
   項記載のマイ、クロ波サーキュレータ。