JPS5950038A - ＴｉＯ↓２含有光フアイバの製造方法 - Google Patents
ＴｉＯ↓２含有光フアイバの製造方法Info
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- JPS5950038A JPS5950038A JP15791682A JP15791682A JPS5950038A JP S5950038 A JPS5950038 A JP S5950038A JP 15791682 A JP15791682 A JP 15791682A JP 15791682 A JP15791682 A JP 15791682A JP S5950038 A JPS5950038 A JP S5950038A
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- fiber
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- optical fiber
- tio2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/40—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03B2201/42—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn doped with titanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＴｉＯ２を含有する光ファイバの製造方法に関
する。
する。
従来、例えば石英系光ファイバでコア・クラッド間に大
きな屈折率差を得ることは、コア・クラッド間で膨張係
数や粘性等の物性値をうまく適合させることができない
等の理由により一般に困難とされ、この点Ｔｉ ０２を
ドープ剤として使用する方法は、コア・クラッド間で物
性値を適合させかつ大きな屈折率差を得ることができる
点で秀れているが、該ＴｉＯ２ドープ剤シマ光ファイバ
の吸収損失を増大させその低減化を図ることが容易でな
かった。Ｔｉ○２ドープ剤を使用せる光ファイバの吸収
損失を低減させるべくこれ迄種々の方法が提案されてい
るが（例えば特開昭４９−１８９０９号および特開昭４
６−６４２３号）いずれも十分低損失な光ファイバを得
ることには成功していない。
きな屈折率差を得ることは、コア・クラッド間で膨張係
数や粘性等の物性値をうまく適合させることができない
等の理由により一般に困難とされ、この点Ｔｉ ０２を
ドープ剤として使用する方法は、コア・クラッド間で物
性値を適合させかつ大きな屈折率差を得ることができる
点で秀れているが、該ＴｉＯ２ドープ剤シマ光ファイバ
の吸収損失を増大させその低減化を図ることが容易でな
かった。Ｔｉ○２ドープ剤を使用せる光ファイバの吸収
損失を低減させるべくこれ迄種々の方法が提案されてい
るが（例えば特開昭４９−１８９０９号および特開昭４
６−６４２３号）いずれも十分低損失な光ファイバを得
ることには成功していない。
本発明は上記従来の欠点を除去すべくなされたもので、
このため本発明はＶＡＤ法、外付ＣＶＤ法等により作成
したＴｉ ０２含有ス一ト体を水分含有雰囲気炉内に保
持して溶融透明ガラス化して残留水分量の大きなガラス
体を合成し、該ガラス体を用いてファイバ用母材を構成
し、該母材を加熱。
このため本発明はＶＡＤ法、外付ＣＶＤ法等により作成
したＴｉ ０２含有ス一ト体を水分含有雰囲気炉内に保
持して溶融透明ガラス化して残留水分量の大きなガラス
体を合成し、該ガラス体を用いてファイバ用母材を構成
し、該母材を加熱。
線引きすることにより所定外径のファイバを形成し、さ
らに該ファイバを熱処理することを特徴とする。
らに該ファイバを熱処理することを特徴とする。
本発明においては、基本的に次の０式および０式の反応
を利用する。
を利用する。
Ｔｉ ２０３ ＋ ８２０ ＝ ２Ｔｉ０２＋ Ｈ２・
・・・・・■２Ｔｉ○２ ＝ Ｔｉ ２０３＋＋Ｏｚ・
・・・・・・・・・・・■これらの反応を効果的に生じ
させることにより光の吸収損失に大きな影響をもつＴ
ｉ３＋の生成を抑制することを特徴とする。すなわち、
ＶＡＤ法などにより、予め合成しＡＴｉ○２含有スート
体を水分含有雰囲気炉内で透明ガラス化することにより
、■式におけるＨ２０分圧を大きくし右辺生成量を増し
、Ｔｉ２Ｏ３量を低減させる。この際同時にＨ２Ｏを比
較的高濃度にガラス中に残存させておくことが、本発明
で重要な点である。この過程では■の反応は十分に左辺
に傾いている。次に、上記ガラス体を用いてファイバ用
母材を構成し該母材を加熱、線引きする過程で母材は焼
結時より一層高温に加熱され（焼結温度は通常１６００
℃程度、線引温度は１９００℃以上）このときこの高温
化により０式の反応が平衝が僅か右辺にずれ、Ｔｉ２Ｏ
３即ちＴｉ３＋が一部生成する。所が、本発明において
は上述したように焼結過程でガラス中にＨ２Ｏを高濃度
に残存させであるので、ここで再び■式の平衡を右辺へ
傾けることができ光の吸収損失に大きな影響をもつＴｉ
１Ｏ，＋即ちＴ ｉ３＋の増加を抑制することができる
。このようにして所定径のファイバを得た後の熱処理で
は■式右辺のＨ２をファイバガラス中で拡散させ系外に
出すことができ■式右辺の生成量をさらに増加させる作
用を行わしめる。該熱処理の条件としては、高温であれ
ばある程短時□間でよいが、線引時に受ける加熱温度及
び時間では十分ではなく上述したようにＨ２を拡散放出
し’］’ｉ３＋量の一層の低減を行わしめる程度とする
。
・・・・・■２Ｔｉ○２ ＝ Ｔｉ ２０３＋＋Ｏｚ・
・・・・・・・・・・・■これらの反応を効果的に生じ
させることにより光の吸収損失に大きな影響をもつＴ
ｉ３＋の生成を抑制することを特徴とする。すなわち、
ＶＡＤ法などにより、予め合成しＡＴｉ○２含有スート
体を水分含有雰囲気炉内で透明ガラス化することにより
、■式におけるＨ２０分圧を大きくし右辺生成量を増し
、Ｔｉ２Ｏ３量を低減させる。この際同時にＨ２Ｏを比
較的高濃度にガラス中に残存させておくことが、本発明
で重要な点である。この過程では■の反応は十分に左辺
に傾いている。次に、上記ガラス体を用いてファイバ用
母材を構成し該母材を加熱、線引きする過程で母材は焼
結時より一層高温に加熱され（焼結温度は通常１６００
℃程度、線引温度は１９００℃以上）このときこの高温
化により０式の反応が平衝が僅か右辺にずれ、Ｔｉ２Ｏ
３即ちＴｉ３＋が一部生成する。所が、本発明において
は上述したように焼結過程でガラス中にＨ２Ｏを高濃度
に残存させであるので、ここで再び■式の平衡を右辺へ
傾けることができ光の吸収損失に大きな影響をもつＴｉ
１Ｏ，＋即ちＴ ｉ３＋の増加を抑制することができる
。このようにして所定径のファイバを得た後の熱処理で
は■式右辺のＨ２をファイバガラス中で拡散させ系外に
出すことができ■式右辺の生成量をさらに増加させる作
用を行わしめる。該熱処理の条件としては、高温であれ
ばある程短時□間でよいが、線引時に受ける加熱温度及
び時間では十分ではなく上述したようにＨ２を拡散放出
し’］’ｉ３＋量の一層の低減を行わしめる程度とする
。
なお、焼結時に使用する水分を含有した雰囲気炉として
は、キャリヤガスを水中にバブリングさせて炉内に導入
することができる。該キャリヤガスとしてはガラスを透
明化するためにＨｅを使用することが望ましい。又、０
２を添加して焼結すると、Ｔｉ２ｏ３の残留量を予め低
減させておくことができ、好ましい。
は、キャリヤガスを水中にバブリングさせて炉内に導入
することができる。該キャリヤガスとしてはガラスを透
明化するためにＨｅを使用することが望ましい。又、０
２を添加して焼結すると、Ｔｉ２ｏ３の残留量を予め低
減させておくことができ、好ましい。
次に本発明方法の実施例につき述べると、Ｓｉ Ｃ２４
，Ｔｉ Ｃ−８４をカラス合成用原料とし、酸水素フレ
ーム中に該原料を導びきＶＡＤ方式にてＴｉ○２含有Ｓ
ｉ ０２スート休を合成した。次に、とのスート体を約
１６００℃に保持した高温炉中に３罷／分の速度にて導
入した。このとき炉内雰囲気としてはＨｅをキャリヤガ
スとしてこれを５１／分の量で８０℃の水中をバブリン
グさせて炉内に導き、これに別途Ｈｅを５２／分の量で
添加して炉内雰囲気とした。このようにして得られたガ
ラス体を直径１５朋に引き伸し、これをシリカパイプと
組合せて約２０００℃の炉体によりロッドインチューブ
法にて線引きし、コア径１００μｍクラツド径１４０μ
ｍのファイバを形成し、さらにこのファイバを８００℃
にて約５時間熱処理した。その結果、１μｍ程度の波長
に対し１５ｄＢ／ｋｍ以下の吸収損失の光ファイバが得
られた。
，Ｔｉ Ｃ−８４をカラス合成用原料とし、酸水素フレ
ーム中に該原料を導びきＶＡＤ方式にてＴｉ○２含有Ｓ
ｉ ０２スート休を合成した。次に、とのスート体を約
１６００℃に保持した高温炉中に３罷／分の速度にて導
入した。このとき炉内雰囲気としてはＨｅをキャリヤガ
スとしてこれを５１／分の量で８０℃の水中をバブリン
グさせて炉内に導き、これに別途Ｈｅを５２／分の量で
添加して炉内雰囲気とした。このようにして得られたガ
ラス体を直径１５朋に引き伸し、これをシリカパイプと
組合せて約２０００℃の炉体によりロッドインチューブ
法にて線引きし、コア径１００μｍクラツド径１４０μ
ｍのファイバを形成し、さらにこのファイバを８００℃
にて約５時間熱処理した。その結果、１μｍ程度の波長
に対し１５ｄＢ／ｋｍ以下の吸収損失の光ファイバが得
られた。
以上のように、本発明によるときは十分低損失なＴｉＯ
２含有光ファイバが得られる。なお、上記実施例はとく
に石英系ガラスファイバの製造に関連して述べられたが
、本発明はこれに限らずＳｂ。
２含有光ファイバが得られる。なお、上記実施例はとく
に石英系ガラスファイバの製造に関連して述べられたが
、本発明はこれに限らずＳｂ。
Ｓｎ 、Ｖ 、Ｎｂ 、Ｍｏ 、Ｔｈ 、Ｔｉ等の他の
系のガラスファイバにも適用することができる。また、
本発明は単独ドーパント含有スート体のみならず複数ド
ーパント含有スート体（例えばＣｅＯ２−Ｔｉ ０２−
８ｉ○２系）にも適用可能である。
系のガラスファイバにも適用することができる。また、
本発明は単独ドーパント含有スート体のみならず複数ド
ーパント含有スート体（例えばＣｅＯ２−Ｔｉ ０２−
８ｉ○２系）にも適用可能である。
特許出願人 住友電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＴｉＯ２含有スート体を水分を含有した雰囲気の炉内に
保持して溶融透明ガラス化し、該ガラスを用いて光フア
イバ用母材を構成し、該母材を加熱。 線引して所定外径のファイバを形成し、さらに該ファイ
バを熱処理することを特徴とするＴｉ ０２含有光フア
イバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791682A JPH0233657B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Tio2ganjuhikarifuaibanoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791682A JPH0233657B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Tio2ganjuhikarifuaibanoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950038A true JPS5950038A (ja) | 1984-03-22 |
| JPH0233657B2 JPH0233657B2 (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=15660254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15791682A Expired - Lifetime JPH0233657B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Tio2ganjuhikarifuaibanoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0233657B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107721149A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-02-23 | 江苏亨通光导新材料有限公司 | 轴向气相沉积法制备超低损耗光纤预制棒及光纤 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15791682A patent/JPH0233657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107721149A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-02-23 | 江苏亨通光导新材料有限公司 | 轴向气相沉积法制备超低损耗光纤预制棒及光纤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233657B2 (ja) | 1990-07-30 |
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