JPH04164836A - 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents

光フアイバ用ガラス母材の製造方法

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JPH04164836A
JPH04164836A JP28995190A JP28995190A JPH04164836A JP H04164836 A JPH04164836 A JP H04164836A JP 28995190 A JP28995190 A JP 28995190A JP 28995190 A JP28995190 A JP 28995190A JP H04164836 A JPH04164836 A JP H04164836A
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JP
Japan
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glass
iodine
heat
optical fiber
inert gas
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JP28995190A
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English (en)
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Shinji Ishikawa
石川 眞二
Yuichi Oga
裕一 大賀
Hiroo Kanamori
弘雄 金森
Hiroshi Yokota
弘 横田
Tatsuhiko Saito
達彦 斎藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01446Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、特に1.3μmから16μmの波長領域にお
いて、低損失の光ファイバを製造するためのガラス母材
の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、火炎加水分解法により多孔質ガラス(以下、スー
トと称する)を堆積した後、これを高温加熱して透明ガ
ラス化する光ファイバ用ガラス母材の製造方法として、
スート堆積後にスートが収縮しない温度領域である80
0℃乃至1150℃ で塩素乃至塩素含有化合物、例え
ば5OcL4. Cct4あるいは5ic4.を含む不
活性ガス雰囲気中て熱処理し、スート母材中の水分を離
脱した後、He等の雰囲気で1450℃乃至1650℃
で透明ガラス化する方法がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
この方法により合成したS i O2ガラスはlO乃至
16μmの波長で1dB//KIf1 以下の伝送損失
の光ファイバが得られ、特にSiO□がラスをコアとし
て用いた場合153乃至1.57μmては017乃至0
18dルbが得られている。
ところで、さらにこの損失を減少するための他の手段が
開発されておらず、限界とされていた。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、この課題を解決するための手段を提供するも
のであり、その要旨は (1)  火炎加水分解法によって得られるS Io 
2を主成分とする多孔質ガラス体を熱処理した後、透明
ガラス化する光ファイバ用ガラス母材の製造方法におい
て、 前記 熱処理がシュウ素、又はヨウ素を含む不活性ガス
雰囲気で行うことを特徴とする光ファイバ用ガラス母材
の製造方法。
(2)  多孔質ガラス体の熱処理がシュウ素、又はヨ
ウ素と塩素を含む不活性カス雰囲気で行うことを特徴と
する請求項(1)に記載した光ファイバ用ガラス母材の
製造方法。
(3)  多孔質ガラス体を熱処理するに先立ち、塩素
を含む不活性ガス雰囲気で行うことを特徴とする請求項
(1)に記載した光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
にある。
〔作 用〕
(1)  スート母材の熱処理がシュウ素、又はヨウ素
雰囲気である場合 ■ がラス体からの脱ハロゲン反応を塩素に比べ起しゃ
すいシュウ素、又はヨウ素を含む不活性雰囲気てスート
母材を熱処理をすると母材の中心部まで作用するので次
の反応式に示す脱水作用と酸素欠乏型がラスを生成する
さSi −OH+Br24ンsi −Er+HBr+l
/202/ 2ΣSi −Br →Σ5i−8i乙+Br2   ↑
/          /       \■ さらに
、この酸素欠乏型がラスSi −8iは周囲の酸素過剰
型ガラス5i−0−0−8i から過剰の酸素を吸収す
るため1.5μm帯の吸収損失を減少する。
一8i −8+ −+−8i −0−0−8+ −/ 
      \  /             \→
2−8i −0−8L− /           \ 酸素過剰型の欠陥は、ファイバの線引、又はケーブリン
グ後のH2のガラス中への拡散により1.4〜16μm
帯に吸収損を持つことが知られている(日本電子vol
 27 、No、2長沢可也他)。それゆえ、酸素過剰
型の欠陥を抑制することが、低損失化へ大きな働きを持
つ。
(2) スート母材の熱処理が塩素とシュウ素、又はヨ
ウ素の両者による場合 ■ 脱水、高純度化の作用に秀れている塩素雰囲気でス
ート母材を熱処理すると ΣS i −OH+ Cz2→ΣS i −C7+HC
z+し202/                  
/となり、添加されたC42は不活性ガス雰囲気中で透
明ガラス化する際 2−8i −CL 478i−8tて+Ct2/ なる離脱を起す。
■ この脱塩素反応によって生成する酸素欠乏型がラス
5i−8iはスート母材表面付近では離脱したCL2が
除去されるので、この反応は進行する。
一方、スート母材の中心部分てはCL2の除去が阻害さ
れるので、その結果、反応が停止し酸素欠乏型ガラスの
生成が中止する。
■ そこで、ガラス体からの脱ハロゲン反応が塩素に比
べ起しやすい、すなわち、Slとの結合エネルギーが小
さいシュウ素、又はヨウ素を塩素による熱処理後、又は
同時にハロゲン置換ガスとして用いるとがラス母材の中
心部まで脱ハロゲン反応による酸素欠乏型ガラスが生成
される。
即ち、 ↑ 2−8i+Cz+Br、、  −+  27Si  −
Br+Cz2/ ■ この酸素欠乏型ガラスは前述と同様に周囲の酸素過
剰、型ガラスから酸素を吸収し過剰酸素による15μm
帯の吸収損失を減少することとなる。
〔実 施 例〕
実施例l 5ICt4を原料として気相軸付法により、外径120
m、長さ400■、重量850!1の5LO2スート母
材を製造した。
このスート母材を第1図に示す加熱炉により、ヒーター
温度を1060℃に設定し、 He : 10 ’4、
Cl2: 300 CC4の雰囲気中にlO(分の速度
を導入して脱水を行った。
次に、He : 10t/9、SiBr4: 100”
/9に変更し、ヒーター温度を1060℃において、ス
ート母材を8(分の速度て熱処理して添加ガスの置換を
行った。
次に、ヒーター温度を1600nまて上げ、He:10
27分 の雰囲気とし、スート母材は3gm15+の速
度で移動して透明ガラス化した。
得られたガラス母材は外径48箇、長さ180mであっ
た。
このガラス母材の半径方向の5i−8iガラスによる2
50−帯の吸収の測定結果を第2図に示す。
中心部の吸収と外周部の吸収量は1:2であった。
同様の処理により製造したガラス母材を6−延伸し、無
水の石英がラスロッドとした。
このS r 02  ガラスロッドをS r 02に対
し、比屈折率差で0.35%低いフッ素添加S r 0
2ガラスパイプに挿入し、加熱処理して一体化しコア/
クラツド比”/12.5 の光ファイバ母材を製造した
この母材を線経125μmφに線引し純石英コアのシン
グルモードファイバとした。
伝送損失は、1.55μ711の波長でo、168dB
/rJ11であった。さらに、この方法によって作製し
た20本の母材について損失を測定した結果、1.55
μm波長で平均0.169 dB/、てあった。
また、各波長について損失を測定した力S、 NBOH
Cに寄因する0、63μm帯における吸収、PRによる
15μm帯の吸収は第3図の如くみられなかった。
実施例2 実施例1と同じ手法で製造したS + 02スートを、
I 2 熱処理雰囲気をS i I 4100 ”7g
 He 10’4に変えた条件で透明ガラス化を行った
。このガラス母材を折抗加熱炉を用い、6.51径に延
伸し無水石英ガラスロッドとした。実施例1と同様のロ
ッドインチューブ法にて、比屈折率差0.35チ、コア
/クラツド比i/、 2.4〜126倍のプリフォーム
を製造した。このプリフォームを線引し、ガラス径12
5μm の純S r 02コアシンクルモードファイバ
をした。ファイバ10−の伝送損失は、1.55μ71
1にて、0.167dF3/KJ、であり、20本のフ
ァイバの平均損失値は、1.55μmにて0.1695
”/4であった。
比較例 実施例1,2の加熱プロセス中第2熱処理をCt2/H
e=0・3/1o(t/+)とした。C(7) h−ラ
スヲコア材トした純S r 02  コアシングルモー
ドファイバ40本の平均損失は、0.1742”’/−
であった。
損失中実施例1,2のファイバと比較し、1.5μm帯
に吸収損がみられた。これは、PR(過剰腋素)による
ものと考えられる。
実施例3 実施例1の加熱プロセスにて、第1処理、第条件で、B
rドープSiO□ガラスを作製した。このガラスをコア
材としで、5L02コアのシングルモードファイバを作
製した。ファイバ20本ノ平均損失値は、0.1760
dB/fJ、lであった。実施例1に比べ損失が高くな
っている原因として、脱OH。
脱不純物の効果がCl3に比べ不充分であったためであ
る。
実施例4 実施例1の加熱プロセスにて、第1処理、第2処理をS
iI4: xoocc7g、He ’、 1ot7s;
、にした条件で透明ガラス化を行った。この力゛ラスを
コア材として5102コアのンンクルモードファイバを
作製した。ファイバ20本の平均損失は、旧780d−
であり、OHに寄因する1、38μmの吸収損失が2〜
5dB/fj、lとC42を脱水剤として用いた場合に
比較しても2倍から5倍の量となっており、脱OHが不
充分であったことが示された。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本手法によりS + 02がラス
ロッド全体を還元状態にすることが可能であり、従来か
らあるファイバにみられる、酸素過剰型の欠陥を極限ま
で減少することが出来る。
それにより、長距離光伝送帯である13〜1.6μm帯
にて低損失な光ファイバ用ガラスの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図二本発明に用いた熱処理炉 第2図ニガラス母材の半径方向の245■帯の吸収分布
図 第3図:試作ファイバの伝送損失を表わし、ここて、l
は支持棒、2はヒーター、3は炉心管、4は炉本体、5
はスート、6はガス導入管である。 第1図 3ツ目ボン でッ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)火炎加水分解法によって得られるSiO_2を主
    成分とする多孔質ガラス体を熱処理した後、透明ガラス
    化する光ファイバ用ガラス母材の製造方法において、 前記熱処理がシュウ素、又はヨウ素を含む不活性ガス雰
    囲気で行うことを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の
    製造方法。
  2. (2)多孔質ガラス体の熱処理がシュウ素、又はヨウ素
    と塩素を含む不活性ガス雰囲気で行うことを特徴とする
    請求項(1)に記載した光ファイバ用ガラス母材の製造
    方法。
  3. (3)多孔質ガラス体を熱処理するに先立ち、塩素を含
    む不活性ガス雰囲気で行うことを特徴とする請求項(1
    )に記載した光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
  4. (4)シュウ素がBr_2もしくはSiBr_4であり
    、又ヨウ素がI_2もしくはSiI_4であることを特
    徴とする請求項(1)乃至(3)に記載した光ファイバ
    用ガラス母材の製造方法。
  5. (5)多孔質ガラス体の熱処理が800℃乃至1150
    ℃であることを特徴とする請求項(1)乃至(3)に記
    載した光ファイバ用ガラス母材の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012002959A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Kohoku Kogyo Co Ltd 光ファイバ及びその製造方法
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