JPS59232928A - 光フアイバ用多孔質母材の処理方法 - Google Patents
光フアイバ用多孔質母材の処理方法Info
- Publication number
- JPS59232928A JPS59232928A JP58105563A JP10556383A JPS59232928A JP S59232928 A JPS59232928 A JP S59232928A JP 58105563 A JP58105563 A JP 58105563A JP 10556383 A JP10556383 A JP 10556383A JP S59232928 A JPS59232928 A JP S59232928A
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- optical fiber
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01853—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＶＡＤ法によシ作製された光フアイバ用多孔質
母材の処理方法に関する。
母材の処理方法に関する。
第１〜２図はＶＡＤ法により作製された光フアイバ用多
孔質母材１の一般例を示しだものであり、この母材１は
コア用スート層２とその外周のクラッド用スート層３と
を備えている。
孔質母材１の一般例を示しだものであり、この母材１は
コア用スート層２とその外周のクラッド用スート層３と
を備えている。
上記におけるクラッド用スート層３は主に５ｉ０２のみ
からなることが多いが、コア用ス １− 一ト層２の場合はこれの屈折率を高めるため、Ｓ ｉ
０２に屈折率高上用のドープ材Ｇ ｅ Ｏ２が添加され
ており、当該器゛材１は高温の加熱により透明ガラス化
されて所定のプリ７オームロツドとなる。
からなることが多いが、コア用ス １− 一ト層２の場合はこれの屈折率を高めるため、Ｓ ｉ
０２に屈折率高上用のドープ材Ｇ ｅ Ｏ２が添加され
ており、当該器゛材１は高温の加熱により透明ガラス化
されて所定のプリ７オームロツドとなる。
一方、上記多孔質母材１がコア用スート層２のみからな
ることもあり、この場合は透明ガラス化後の母材外周に
クラッド用の５ｉｏ２パイプがジャケットされる。
ることもあり、この場合は透明ガラス化後の母材外周に
クラッド用の５ｉｏ２パイプがジャケットされる。
ところで、ＶＡＤ法によりシングルモード用の多孔質母
材１をつくった場合、コア用スート層２の外周付近に第
３図の（イ）で示す高屈折率部が生じるため、光フアイ
バ段階におけるコアの屈折率分布がステップ状にならな
いといっだ問題が起゛こっている。
材１をつくった場合、コア用スート層２の外周付近に第
３図の（イ）で示す高屈折率部が生じるため、光フアイ
バ段階におけるコアの屈折率分布がステップ状にならな
いといっだ問題が起゛こっている。
もちろんこのような問題が生じた場合、コアの屈折率が
定まらず、しかも上記高屈折率部（イ）でのＧｅ化合物
は揮散゛しやすく、透明ガラス化時においてそのＧｅ化
合物の一部がクラッド側へ拡散するので、コア、クラッ
ド相互の境界も不明瞭となってしまい、故にカットオフ
の計算が行なさず、そのためカットオフの制定に際して
はシリフオーム・ツ゛ドを試しに線引きし、これに基づ
いてコア径の調整を行カうといった面倒がともなってい
る。
定まらず、しかも上記高屈折率部（イ）でのＧｅ化合物
は揮散゛しやすく、透明ガラス化時においてそのＧｅ化
合物の一部がクラッド側へ拡散するので、コア、クラッ
ド相互の境界も不明瞭となってしまい、故にカットオフ
の計算が行なさず、そのためカットオフの制定に際して
はシリフオーム・ツ゛ドを試しに線引きし、これに基づ
いてコア径の調整を行カうといった面倒がともなってい
る。
本発明は光フアイバ用多孔質母材１において前述した高
屈折率部（イ）を解消することにより、ステップ状の屈
折率分布、コア、クラッド相互の境界の明瞭化１．カッ
トオフの制定易度などがはかれることを目的として種々
の検討を行ない、その目的が達成できる方法を得たもの
である。
屈折率部（イ）を解消することにより、ステップ状の屈
折率分布、コア、クラッド相互の境界の明瞭化１．カッ
トオフの制定易度などがはかれることを目的として種々
の検討を行ない、その目的が達成できる方法を得たもの
である。
以下本発明方法にいたるまでの検討事項とその方法の具
体例とを説明する。
体例とを説明する。
ＶＡＤ法によりＧｅを含むＳｉＯ２スートをつくる場合
、生成原因は定か、では寿いが、Ｇｅ化合物の代表的な
ものとしてＧｅ−０−８ｔ。
、生成原因は定か、では寿いが、Ｇｅ化合物の代表的な
ものとしてＧｅ−０−８ｔ。
Ｇｅｍ、が生成される。
Ｇｅ−３ｉの２元系で作製されたスートの一部を径方向
にサンプリングし、赤外吸収を測定したところ、ＧｅＯ
２によるとみられる波長１１．５μｍ付近の吸収が、第
４図のごとくコアの外周部に大きくあられれた。
にサンプリングし、赤外吸収を測定したところ、ＧｅＯ
２によるとみられる波長１１．５μｍ付近の吸収が、第
４図のごとくコアの外周部に大きくあられれた。
一方、多孔質母材１の焼結（透明ガラス化）後、これの
バルクをＥＰＭＡにより測定したところ、Ｇｅの分布は
第１図の廟折率分布と同じであった。
バルクをＥＰＭＡにより測定したところ、Ｇｅの分布は
第１図の廟折率分布と同じであった。
こうした結果から鑑みた場合、前述した高屈折率部（イ
）はＧｅＯ２によると推定でき、したがって多孔質母材
製造時にＧｅＯ２を生成させないようにすればよいが、
これは現状の技術では困難である。
）はＧｅＯ２によると推定でき、したがって多孔質母材
製造時にＧｅＯ２を生成させないようにすればよいが、
これは現状の技術では困難である。
ここでＧｅＯ２の蒸気圧について説明すると、ＧｅＯ２
の蒸気圧は１２００℃でＱ、 ６ ｍｍ、Ｈｇ 。
の蒸気圧は１２００℃でＱ、 ６ ｍｍ、Ｈｇ 。
１４００℃で２．５ ｍｍＨｇであって酸化物の中では
大きく、ＧｅＯ２は前記焼結時にこれの一部が揮散する
。
大きく、ＧｅＯ２は前記焼結時にこれの一部が揮散する
。
さらＫＧｅＯ２は高温において２’ＧｅＯ２繁２ＧｅＯ
＋０２の可逆反応も起きる。
＋０２の可逆反応も起きる。
これに対し蒸気圧が８００℃で３００ ｍｍＨｇとなる
ＧｅＯの場合は、ＧｅＯ２に比べその蒸気圧がかなり高
いが、可逆反応速度が遅いため容易にＧｅＯにはならな
い。
ＧｅＯの場合は、ＧｅＯ２に比べその蒸気圧がかなり高
いが、可逆反応速度が遅いため容易にＧｅＯにはならな
い。
本発明の方法は上記の検討事項に基づきなされたもので
あり、以下その要旨を説明すると、コア用スート層２が
少なくともＧ ｅ、０２と８ｉ０２とからなる光フアイ
バ用多孔質母材を、ＣＯガスによる還元雰囲気にて熱処
理することにより、上記コア用スート層２中のＧｅＯ２
をＧｅＯに還元して蒸発除去するようにしだものである
。
あり、以下その要旨を説明すると、コア用スート層２が
少なくともＧ ｅ、０２と８ｉ０２とからなる光フアイ
バ用多孔質母材を、ＣＯガスによる還元雰囲気にて熱処
理することにより、上記コア用スート層２中のＧｅＯ２
をＧｅＯに還元して蒸発除去するようにしだものである
。
上記を特徴としている本発明方法の場合、Ｇｅｍ２は高
温還元雰囲気において容易にＧｅ０１Ｇ、ｅに還元され
、この還元作用によりＧｅＯの生成が促進され、光フア
イバ用多孔質母材１のコア層２からはソ完全にＧｅＯ２
が除去される。
温還元雰囲気において容易にＧｅ０１Ｇ、ｅに還元され
、この還元作用によりＧｅＯの生成が促進され、光フア
イバ用多孔質母材１のコア層２からはソ完全にＧｅＯ２
が除去される。
その結果、前述した高屈折率部（イ）が解消され、目的
とするステップ状の屈折率分布が確保できる。
とするステップ状の屈折率分布が確保できる。
具体例として、Ｓ ｉ ０２−ＧｅＯ２の２元組成から
なるシングルモード伝送型光ファイバ用多孔質母材１を
、ＣＯガスによる還元雰囲気において８００℃、２時間
熱処理し、その後、該母材１を透明ガラス化してこれの
屈折率分布を測定したところ、期待した通り、高屈折率
部（イ）のないステップ状の屈折率分布が得られた。
なるシングルモード伝送型光ファイバ用多孔質母材１を
、ＣＯガスによる還元雰囲気において８００℃、２時間
熱処理し、その後、該母材１を透明ガラス化してこれの
屈折率分布を測定したところ、期待した通り、高屈折率
部（イ）のないステップ状の屈折率分布が得られた。
比較のため、上記における還元雰囲気をＳＯ２により形
成したところ、透明ガラス化後の母材屈折率分布は無処
理のものと変わらず、処理効果が認められなかった。
成したところ、透明ガラス化後の母材屈折率分布は無処
理のものと変わらず、処理効果が認められなかった。
その他の比較例として、上記還元雰囲気をＨ２により形
成したところ、透明ガラス化後において母材１からは高
屈折率部（イ）が解消されたが、必要な部分の屈折率ま
でも低下するといった不本意な結果を招いた。
成したところ、透明ガラス化後において母材１からは高
屈折率部（イ）が解消されたが、必要な部分の屈折率ま
でも低下するといった不本意な結果を招いた。
これはＨ２の還元力が強いため、Ｇｅ−０−８ｉ結合に
おけるＧ’ｅをも還元してし１うことによるといえる。
おけるＧ’ｅをも還元してし１うことによるといえる。
、以上説明した通り、本発明方法によるときは、屈折率
分布がステップ状となり、コア、クラッド相互の境界が
明瞭化する光フアイバ用多孔質母材が提供でき、これに
基づきカットオフの制定も容易に行なえることとなる。
分布がステップ状となり、コア、クラッド相互の境界が
明瞭化する光フアイバ用多孔質母材が提供でき、これに
基づきカットオフの制定も容易に行なえることとなる。
第１図は光フアイバ用多孔質母材の正面図、第２図は同
上の平面図、第３図は処理前における」二記母材の屈折
率分布図、第４図は赤外波長の吸収状況を測定した解説
図である。 １・・・・・光フアイバ用多孔質母材 ２・・・・・コア用スート層 ７− 第１図 第２白
上の平面図、第３図は処理前における」二記母材の屈折
率分布図、第４図は赤外波長の吸収状況を測定した解説
図である。 １・・・・・光フアイバ用多孔質母材 ２・・・・・コア用スート層 ７− 第１図 第２白
Claims (1)
- コア用スート層が少なくともＳ ｉ Ｏ２とＧｅＯ２と
からなる光フアイバ用多孔質母材を、ＣＯガスによる還
元雰囲気にて熱処理することにより、上記コア用スート
層中のＧｅｍ２をＧｅＯに還元して蒸発除去する光フア
イバ用多孔質母材の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105563A JPS59232928A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光フアイバ用多孔質母材の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58105563A JPS59232928A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光フアイバ用多孔質母材の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232928A true JPS59232928A (ja) | 1984-12-27 |
Family
ID=14411001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58105563A Pending JPS59232928A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光フアイバ用多孔質母材の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126236A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバープリフォームの製造方法 |
| EP1351897A4 (en) * | 2000-12-22 | 2005-06-15 | Corning Inc | TREATMENT OF SUET PREFORMS USING A REDUCING AGENT |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP58105563A patent/JPS59232928A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01126236A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光ファイバープリフォームの製造方法 |
| EP1351897A4 (en) * | 2000-12-22 | 2005-06-15 | Corning Inc | TREATMENT OF SUET PREFORMS USING A REDUCING AGENT |
| KR100819581B1 (ko) | 2000-12-22 | 2008-04-04 | 코닝 인코포레이티드 | 환원제를 이용한 수트 예형의 처리방법 |
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