JPS5943420B2 - YbFeMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
YbFeMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
- Publication number
- JPS5943420B2 JPS5943420B2 JP56065045A JP6504581A JPS5943420B2 JP S5943420 B2 JPS5943420 B2 JP S5943420B2 JP 56065045 A JP56065045 A JP 56065045A JP 6504581 A JP6504581 A JP 6504581A JP S5943420 B2 JPS5943420 B2 JP S5943420B2
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- iron
- layered structure
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるYbFeMgO4で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、YFe204で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによつて合成されその存在が
既に知られている。
する化合物は、本出願人らによつて合成されその存在が
既に知られている。
この化合物は、Y3+Fe2+Fe3+042−で示さ
れるように、鉄の2価イオンと3価イオンは、5配位の
酸素イオンによつて囲まれ、イットリウム(Y)は、6
配位の酸素イオンをその周わりに持つている化合物であ
り、磁性を持つている。本発明は前記、Y゜+Fe”+
Fe゜+00゛一化合物のY3+の代わりにYb3+、
Fe2+の代わりにMg2+を置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。
れるように、鉄の2価イオンと3価イオンは、5配位の
酸素イオンによつて囲まれ、イットリウム(Y)は、6
配位の酸素イオンをその周わりに持つている化合物であ
り、磁性を持つている。本発明は前記、Y゜+Fe”+
Fe゜+00゛一化合物のY3+の代わりにYb3+、
Fe2+の代わりにMg2+を置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。
本発明のYbFeMg04で示される化合物は、この化
合物中、鉄はFe3+イオン、イッテルビウムはYb3
+ ・マグネシウムはMg2+として存在しておりYb
3+Fe3+Mg2+042−として表わすことができ
る。
合物中、鉄はFe3+イオン、イッテルビウムはYb3
+ ・マグネシウムはMg2+として存在しておりYb
3+Fe3+Mg2+042−として表わすことができ
る。
この結晶は第1図に示すように六方晶層状構造を持つて
いる。最大の丸は酸素、中丸はYb、最小の黒丸は、F
eとMgを示している。FeとMgは、ランダムに分布
している。マグネシウムの2価イオンと鉄の3価イオン
は、5配位の酸素イオンによつて囲まれている。結晶学
的には同一の位置を占めている。またYbは6配位の酸
素をその周わりに持つている。陰イオンである酸素は、
緻密構造をとつている。s、をおよびuは単位格子内に
於ける位置を示す。この結晶の面指数(hkl)、面間
隔(d(A))〔doは実測、dcは計算値を示す。
いる。最大の丸は酸素、中丸はYb、最小の黒丸は、F
eとMgを示している。FeとMgは、ランダムに分布
している。マグネシウムの2価イオンと鉄の3価イオン
は、5配位の酸素イオンによつて囲まれている。結晶学
的には同一の位置を占めている。またYbは6配位の酸
素をその周わりに持つている。陰イオンである酸素は、
緻密構造をとつている。s、をおよびuは単位格子内に
於ける位置を示す。この結晶の面指数(hkl)、面間
隔(d(A))〔doは実測、dcは計算値を示す。
〕、X線に対する相対反射強度I($)は第1表のとお
りである。Yb(FeMg)04do〔A〕 dcCA
〕 IC%〕 8.4158.38785 4.2004.19448 2.9532.949100 2.8922.8907 2.7962.79640 空間群は、Y<;3mであり、その晶癖は板伏晶であり
、格子定数は次のとおりである。
りである。Yb(FeMg)04do〔A〕 dcCA
〕 IC%〕 8.4158.38785 4.2004.19448 2.9532.949100 2.8922.8907 2.7962.79640 空間群は、Y<;3mであり、その晶癖は板伏晶であり
、格子定数は次のとおりである。
〜
この化合物は、磁性材料、半導体材料および触媒として
有用なものである。
有用なものである。
この化合物は、次の方法によつて製造し得られる。
金属イツテルビウム(Yb)あるいは酸化イツテルビウ
ム(Yb2O3)もしくは、加熱されることによつて酸
化イツテルビウム(Yb2O3)に分解される化合物と
、金属鉄、あるいは酸化鉄(Fe2O3)もしくは加熱
されることにより酸化鉄(Fe2O3)に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグ不シウム(MgO
)もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム(MgO)を生ずる化合物とを、イツテルビウム
、鉄、マグネシウムの割合が原子比で1対1対1になる
ように混合して、1200℃以上の温度で、大気中、酸
化性雰囲気、あるいは鉄およびマグネシウムが各々3価
イオン伏態、2価イオン伏態より還元されない程度の還
元雰囲気のもとで加熱することによつて製造することが
出来る。
ム(Yb2O3)もしくは、加熱されることによつて酸
化イツテルビウム(Yb2O3)に分解される化合物と
、金属鉄、あるいは酸化鉄(Fe2O3)もしくは加熱
されることにより酸化鉄(Fe2O3)に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグ不シウム(MgO
)もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム(MgO)を生ずる化合物とを、イツテルビウム
、鉄、マグネシウムの割合が原子比で1対1対1になる
ように混合して、1200℃以上の温度で、大気中、酸
化性雰囲気、あるいは鉄およびマグネシウムが各々3価
イオン伏態、2価イオン伏態より還元されない程度の還
元雰囲気のもとで加熱することによつて製造することが
出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に10I
tm以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に10I
tm以下であることが好ましい。
また磁性材料、電気材料として用いる場合には不純物の
混入をきらうので、出発原料物質は、純度が高いほど好
ましい。この原料をそのまま、あるいはアルコール類も
しくはアセトンと共に充分に混合する。これらの混合割
合は、イツテルビウム、鉄、マグ不シウムの割合が原子
比として、1対1対1の割合である。
混入をきらうので、出発原料物質は、純度が高いほど好
ましい。この原料をそのまま、あるいはアルコール類も
しくはアセトンと共に充分に混合する。これらの混合割
合は、イツテルビウム、鉄、マグ不シウムの割合が原子
比として、1対1対1の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは鉄およびマグネシウムが3価イオン状態および2価
イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもと
で、1200℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、1
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、0℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたYbFeMgO
4化合物は、茶褐色を示し、粉末X線回折法によつて結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は、既に
本出願人が得たYFe2O4と同型であることがわかつ
た。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量
し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度99.9%以上のイツテルビウム酸化物(Yb2O
3)粉末、純度99.9(Ff)以上の酸化鉄(Fe2
O3)粉末、および試薬特級の酸化マ《ネシウム(Mg
O)粉末を、モル比で1対1対1の割合に秤量し、乳鉢
内でエチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径
数μmの微粉末を得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは鉄およびマグネシウムが3価イオン状態および2価
イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもと
で、1200℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、1
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、0℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたYbFeMgO
4化合物は、茶褐色を示し、粉末X線回折法によつて結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は、既に
本出願人が得たYFe2O4と同型であることがわかつ
た。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量
し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度99.9%以上のイツテルビウム酸化物(Yb2O
3)粉末、純度99.9(Ff)以上の酸化鉄(Fe2
O3)粉末、および試薬特級の酸化マ《ネシウム(Mg
O)粉末を、モル比で1対1対1の割合に秤量し、乳鉢
内でエチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径
数μmの微粉末を得た。
該混合物を白金のシリボ内にみたして、1400℃に設
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、3日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料は、YbFeMgO4であり、既に報
告されているYFe,O4と結晶学的には、同型である
ことが粉末X線回折法によつて確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第1表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、3日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料は、YbFeMgO4であり、既に報
告されているYFe,O4と結晶学的には、同型である
ことが粉末X線回折法によつて確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第1表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
図面は本発明のYbFeMgO4結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 YbFeMgO_4で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 2 金属イッテルビウム(Yb)あるいは酸化イッテル
ビウム(Yb_2O_3)もしくは、加熱されることに
より酸化イッテルビウム(Yb_2O_3)に分解され
る化合物と金属鉄(Fe)あるいは酸化鉄(Fe_2O
_3)もしくは、加熱されることにより酸化鉄(Fe_
2O_3)に分解される化合物と、マグネシウム(Mg
)あるいは酸化マグネシウム(MgO)もしくは、加熱
されることにより分解されて酸化マグネシウム(MgO
)を生ずる化合物とを、イッテルビウム、鉄、マグネシ
ウムの割合が原子比で1対1対1になるように混合して
、1200℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気あるい
は鉄およびマグネシウムが各々3価イオン状態、2価イ
オン状態より還元されない程度の還元雰囲気のもとで加
熱することを特徴とするYbFeMgO_4で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56065045A JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | YbFeMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56065045A JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | YbFeMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57179031A JPS57179031A (en) | 1982-11-04 |
JPS5943420B2 true JPS5943420B2 (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13275591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56065045A Expired JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | YbFeMgO↓4で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5943420B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60141611A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Daikin Ind Ltd | 炭化鉄を含有する針状粒子及びその製法 |
-
1981
- 1981-04-27 JP JP56065045A patent/JPS5943420B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57179031A (en) | 1982-11-04 |
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