JPS5943420B2 - ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS5943420B2 JPS5943420B2 JP56065045A JP6504581A JPS5943420B2 JP S5943420 B2 JPS5943420 B2 JP S5943420B2 JP 56065045 A JP56065045 A JP 56065045A JP 6504581 A JP6504581 A JP 6504581A JP S5943420 B2 JPS5943420 B2 JP S5943420B2
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- iron
- layered structure
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＹｂＦｅＭｇＯ４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによつて合成されその存在が
既に知られている。
する化合物は、本出願人らによつて合成されその存在が
既に知られている。
この化合物は、Ｙ３＋Ｆｅ２＋Ｆｅ３＋０４２−で示さ
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによつて囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持つている化合物であ
り、磁性を持つている。本発明は前記、Ｙ゜＋Ｆｅ”＋
Ｆｅ゜＋００゛一化合物のＹ３＋の代わりにＹｂ３＋、
Ｆｅ２＋の代わりにＭｇ２＋を置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによつて囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持つている化合物であ
り、磁性を持つている。本発明は前記、Ｙ゜＋Ｆｅ”＋
Ｆｅ゜＋００゛一化合物のＹ３＋の代わりにＹｂ３＋、
Ｆｅ２＋の代わりにＭｇ２＋を置きかえた新規な化合物
およびその製造法を提供するにある。
本発明のＹｂＦｅＭｇ０４で示される化合物は、この化
合物中、鉄はＦｅ３＋イオン、イッテルビウムはＹｂ３
＋ ・マグネシウムはＭｇ２＋として存在しておりＹｂ
３＋Ｆｅ３＋Ｍｇ２＋０４２−として表わすことができ
る。
合物中、鉄はＦｅ３＋イオン、イッテルビウムはＹｂ３
＋ ・マグネシウムはＭｇ２＋として存在しておりＹｂ
３＋Ｆｅ３＋Ｍｇ２＋０４２−として表わすことができ
る。
この結晶は第１図に示すように六方晶層状構造を持つて
いる。最大の丸は酸素、中丸はＹｂ、最小の黒丸は、Ｆ
ｅとＭｇを示している。ＦｅとＭｇは、ランダムに分布
している。マグネシウムの２価イオンと鉄の３価イオン
は、５配位の酸素イオンによつて囲まれている。結晶学
的には同一の位置を占めている。またＹｂは６配位の酸
素をその周わりに持つている。陰イオンである酸素は、
緻密構造をとつている。ｓ、をおよびｕは単位格子内に
於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間
隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す。
いる。最大の丸は酸素、中丸はＹｂ、最小の黒丸は、Ｆ
ｅとＭｇを示している。ＦｅとＭｇは、ランダムに分布
している。マグネシウムの２価イオンと鉄の３価イオン
は、５配位の酸素イオンによつて囲まれている。結晶学
的には同一の位置を占めている。またＹｂは６配位の酸
素をその周わりに持つている。陰イオンである酸素は、
緻密構造をとつている。ｓ、をおよびｕは単位格子内に
於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋｌ）、面間
隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値を示す。
〕、Ｘ線に対する相対反射強度Ｉ（＄）は第１表のとお
りである。Ｙｂ（ＦｅＭｇ）０４ｄｏ〔Ａ〕 ｄｃＣＡ
〕 ＩＣ％〕 ８．４１５８．３８７８５ ４．２００４．１９４４８ ２．９５３２．９４９１００ ２．８９２２．８９０７ ２．７９６２．７９６４０ 空間群は、Ｙ＜；３ｍであり、その晶癖は板伏晶であり
、格子定数は次のとおりである。
りである。Ｙｂ（ＦｅＭｇ）０４ｄｏ〔Ａ〕 ｄｃＣＡ
〕 ＩＣ％〕 ８．４１５８．３８７８５ ４．２００４．１９４４８ ２．９５３２．９４９１００ ２．８９２２．８９０７ ２．７９６２．７９６４０ 空間群は、Ｙ＜；３ｍであり、その晶癖は板伏晶であり
、格子定数は次のとおりである。
〜
この化合物は、磁性材料、半導体材料および触媒として
有用なものである。
有用なものである。
この化合物は、次の方法によつて製造し得られる。
金属イツテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イツテルビウ
ム（Ｙｂ２Ｏ３）もしくは、加熱されることによつて酸
化イツテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３）に分解される化合物と
、金属鉄、あるいは酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）もしくは加熱
されることにより酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグ不シウム（ＭｇＯ
）もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）を生ずる化合物とを、イツテルビウム
、鉄、マグネシウムの割合が原子比で１対１対１になる
ように混合して、１２００℃以上の温度で、大気中、酸
化性雰囲気、あるいは鉄およびマグネシウムが各々３価
イオン伏態、２価イオン伏態より還元されない程度の還
元雰囲気のもとで加熱することによつて製造することが
出来る。
ム（Ｙｂ２Ｏ３）もしくは、加熱されることによつて酸
化イツテルビウム（Ｙｂ２Ｏ３）に分解される化合物と
、金属鉄、あるいは酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）もしくは加熱
されることにより酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグ不シウム（ＭｇＯ
）もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）を生ずる化合物とを、イツテルビウム
、鉄、マグネシウムの割合が原子比で１対１対１になる
ように混合して、１２００℃以上の温度で、大気中、酸
化性雰囲気、あるいは鉄およびマグネシウムが各々３価
イオン伏態、２価イオン伏態より還元されない程度の還
元雰囲気のもとで加熱することによつて製造することが
出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０Ｉ
ｔｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０Ｉ
ｔｍ以下であることが好ましい。
また磁性材料、電気材料として用いる場合には不純物の
混入をきらうので、出発原料物質は、純度が高いほど好
ましい。この原料をそのまま、あるいはアルコール類も
しくはアセトンと共に充分に混合する。これらの混合割
合は、イツテルビウム、鉄、マグ不シウムの割合が原子
比として、１対１対１の割合である。
混入をきらうので、出発原料物質は、純度が高いほど好
ましい。この原料をそのまま、あるいはアルコール類も
しくはアセトンと共に充分に混合する。これらの混合割
合は、イツテルビウム、鉄、マグ不シウムの割合が原子
比として、１対１対１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは鉄およびマグネシウムが３価イオン状態および２価
イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもと
で、１２００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたＹｂＦｅＭｇＯ
４化合物は、茶褐色を示し、粉末Ｘ線回折法によつて結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は、既に
本出願人が得たＹＦｅ２Ｏ４と同型であることがわかつ
た。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量
し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のイツテルビウム酸化物（Ｙｂ２Ｏ
３）粉末、純度９９．９（Ｆｆ）以上の酸化鉄（Ｆｅ２
Ｏ３）粉末、および試薬特級の酸化マ《ネシウム（Ｍｇ
Ｏ）粉末を、モル比で１対１対１の割合に秤量し、乳鉢
内でエチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径
数μｍの微粉末を得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くは鉄およびマグネシウムが３価イオン状態および２価
イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気のもと
で、１２００℃以上の温度で加熱する。加熱時間は、１
日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には制
約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは大
気中に急激にひきだせばよい。得られたＹｂＦｅＭｇＯ
４化合物は、茶褐色を示し、粉末Ｘ線回折法によつて結
晶構造を有することがわかつた。その結晶構造は、既に
本出願人が得たＹＦｅ２Ｏ４と同型であることがわかつ
た。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量
し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のイツテルビウム酸化物（Ｙｂ２Ｏ
３）粉末、純度９９．９（Ｆｆ）以上の酸化鉄（Ｆｅ２
Ｏ３）粉末、および試薬特級の酸化マ《ネシウム（Ｍｇ
Ｏ）粉末を、モル比で１対１対１の割合に秤量し、乳鉢
内でエチルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒径
数μｍの微粉末を得た。
該混合物を白金のシリボ内にみたして、１４００℃に設
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料は、ＹｂＦｅＭｇＯ４であり、既に報
告されているＹＦｅ，Ｏ４と結晶学的には、同型である
ことが粉末Ｘ線回折法によつて確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料は、ＹｂＦｅＭｇＯ４であり、既に報
告されているＹＦｅ，Ｏ４と結晶学的には、同型である
ことが粉末Ｘ線回折法によつて確認された。試料重量が
加熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数
が決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を
示した。
図面は本発明のＹｂＦｅＭｇＯ４結晶の図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＹｂＦｅＭｇＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属イッテルビウム（Ｙｂ）あるいは酸化イッテル
ビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることに
より酸化イッテルビウム（Ｙｂ＿２Ｏ＿３）に分解され
る化合物と金属鉄（Ｆｅ）あるいは酸化鉄（Ｆｅ＿２Ｏ
＿３）もしくは、加熱されることにより酸化鉄（Ｆｅ＿
２Ｏ＿３）に分解される化合物と、マグネシウム（Ｍｇ
）あるいは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）もしくは、加熱
されることにより分解されて酸化マグネシウム（ＭｇＯ
）を生ずる化合物とを、イッテルビウム、鉄、マグネシ
ウムの割合が原子比で１対１対１になるように混合して
、１２００℃以上の温度で大気中、酸化性雰囲気あるい
は鉄およびマグネシウムが各々３価イオン状態、２価イ
オン状態より還元されない程度の還元雰囲気のもとで加
熱することを特徴とするＹｂＦｅＭｇＯ＿４で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56065045A JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56065045A JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57179031A JPS57179031A (en) | 1982-11-04 |
| JPS5943420B2 true JPS5943420B2 (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13275591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56065045A Expired JPS5943420B2 (ja) | 1981-04-27 | 1981-04-27 | ＹｂＦｅＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943420B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141611A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Daikin Ind Ltd | 炭化鉄を含有する針状粒子及びその製法 |
-
1981
- 1981-04-27 JP JP56065045A patent/JPS5943420B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57179031A (en) | 1982-11-04 |
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