JPS606888B2 - ＴｍＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＴｍＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606888B2 JPS606888B2 JP9465681A JP9465681A JPS606888B2 JP S606888 B2 JPS606888 B2 JP S606888B2 JP 9465681 A JP9465681 A JP 9465681A JP 9465681 A JP9465681 A JP 9465681A JP S606888 B2 JPS606888 B2 JP S606888B2
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＴｍＧａＭざ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十Ｆｅ２十Ｆｅ３十０４２‐で示さ
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２
十Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりにＴｍ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＭず十、Ｆｅ３十の代わりにＧａ
３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供
するにある。
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２
十Ｆｅ３十０４２‐化合物のＹ３十の代わりにＴｍ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＭず十、Ｆｅ３十の代わりにＧａ
３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提供
するにある。
本発明のＴｍＧａＭｇ０４で示される化合物は、この化
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十、マグネシウムはＭｇ２十として存在しており、Ｔｍ
３十ＧａｙＭｇ２十０４２十として表わすことができる
。
合物中、ツリウムはＴｍ３十イオン、ガリウムはＧａ３
十、マグネシウムはＭｇ２十として存在しており、Ｔｍ
３十ＧａｙＭｇ２十０４２十として表わすことができる
。
この結晶は、第１図に示すように六方鼠層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小の黒丸
はガリウムとマグネシウムを示している。ガリウムとマ
グネシウムは、ランダムに分布している。Ｍｇの２価イ
オンとＧａの３価イオンは、５配位の酸素イオンによっ
て囲まれている。結晶学的には同一の位置を占めている
。またＴｍは６配位の酸素を周わりに持っている。陰イ
オンである酸素は繊密構造をとっている。Ｓ’ｔおよび
ｕは単位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数
（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは
計算値を示す。〕、×−線に対する相対反射強度、１（
％）は第１表をとおりである。ＴｍＧａＭｇ０４ 第１表 空間群はＲ夏ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ている。最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小の黒丸
はガリウムとマグネシウムを示している。ガリウムとマ
グネシウムは、ランダムに分布している。Ｍｇの２価イ
オンとＧａの３価イオンは、５配位の酸素イオンによっ
て囲まれている。結晶学的には同一の位置を占めている
。またＴｍは６配位の酸素を周わりに持っている。陰イ
オンである酸素は繊密構造をとっている。Ｓ’ｔおよび
ｕは単位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数
（ｈｋｌ）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは
計算値を示す。〕、×−線に対する相対反射強度、１（
％）は第１表をとおりである。ＴｍＧａＭｇ０４ 第１表 空間群はＲ夏ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａｏ＝３．４１６６ ±０．０００２ （Ａ）ＣＯ＝２
５．１０３ 土０．００４ （Ａ）この化合物は、光学
材料および半導体材料として有用なものである。
５．１０３ 土０．００４ （Ａ）この化合物は、光学
材料および半導体材料として有用なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属ツリウム（Ｔｍ）あるいは酸化ツリウム（Ｔｍ２０
３）もしくは、加熱されることによって酸化ツリウム（
Ｔｍ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、ある
いは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もし〈は、加熱される
ことにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグネシウム（Ｍｇ○
）もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム（Ｍｇ○）を生ずる化合物とを、ツリウム、ガリ
ウム、マグネシウムの割合が原子比で１対１対１になる
ように混合して、１３００００以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気、あるいはガリウムおよびマグネシウムが
各々３価イオン状態、２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気のもとで加熱することによって製造す
ることが出来る。
３）もしくは、加熱されることによって酸化ツリウム（
Ｔｍ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、ある
いは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もし〈は、加熱される
ことにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解される化
合物とマグネシウムあるいは酸化マグネシウム（Ｍｇ○
）もしくは加熱されることにより分解されて酸化マグネ
シウム（Ｍｇ○）を生ずる化合物とを、ツリウム、ガリ
ウム、マグネシウムの割合が原子比で１対１対１になる
ように混合して、１３００００以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気、あるいはガリウムおよびマグネシウムが
各々３価イオン状態、２価イオン状態より還元されない
程度の還元雰囲気のもとで加熱することによって製造す
ることが出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０仏
ｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいさい程よく、特に１０仏
ｍ以下であることが好ましい。
また光学材料、電気材料として用いる場合には不純物の
混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ま
しい。
混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好ま
しい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比として
１対１対１の割合である。
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ツ
リウム、ガリウム、マグネシウムの割合が原子比として
１対１対１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよびマグネシウムが３価イオン状態およ
び２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
のもとで、１３００００以上の温度で加熱する。加熱時
間は、１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度は制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかある
いは大気中に急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａ
Ｍｇ０４化合物は、無色透明を示し、粉末×線回析法に
よって結晶構造を有することがわかった。その結晶構造
は、既に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であること
がわかった。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよびマグネシウムが３価イオン状態およ
び２価イオン状態から還元され得ない程度の還元雰囲気
のもとで、１３００００以上の温度で加熱する。加熱時
間は、１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速
度は制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかある
いは大気中に急激にひきだせばよい。得られたＴｍＧａ
Ｍｇ０４化合物は、無色透明を示し、粉末×線回析法に
よって結晶構造を有することがわかった。その結晶構造
は、既に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であること
がわかった。
出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密に秤量し、
得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（０ａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化マグネシウム（Ｍｇ○）粉
末を、モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエ
チルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒蚤数山ｍ
の微粉末を得た。
得られた試料の化学量論数を決定した。実施例 純度９９．９％以上のツリウム酸化物（Ｔｍ２０３）粉
末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（０ａ２０３）
粉末、および試薬特級の酸化マグネシウム（Ｍｇ○）粉
末を、モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエ
チルアルコールを加えて充分に混合し、平均粒蚤数山ｍ
の微粉末を得た。
該混合物を白金ルッボ内にみたして、１４５０ｏｏに設
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られたＴｍＧａＭｇ０４であり、既に報告されて
いるＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であることが粉
末Ｘ線回析法によって確認された。試料重量が加熱前後
で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が決定さ
れた。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示した。
定された箱型のシリコニツト炉内に入れ、３日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られたＴｍＧａＭｇ０４であり、既に報告されて
いるＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であることが粉
末Ｘ線回析法によって確認された。試料重量が加熱前後
で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が決定さ
れた。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示した。
図面は、本発明のＴｍＧａＭｇ０４結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はツリウム、最小黒丸はガリウム
とマグネシウムを示す。孫１図
とマグネシウムを示す。孫１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＴｍＧａＭｇＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ツリウム（Ｔｍ）あるいは酸化ツリウム（Ｔｍ
＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより酸化ツリ
ウム（Ｔｍ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、金属ガ
リウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウム（Ｇａ＿２Ｏ＿３
）もしくは、加熱されることにより酸化ガリウム（Ｇａ
＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、マグネシウム（Ｍ
ｇ）あるいは酸化マグネシウム（ＭｇＯ）もしくは、加
熱されることにより分解されて酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ）を生ずる化合物を生ずる化合物とをツリウム、ガリ
ウム、マグネシウムの割合が原子比で１対１対１になる
ように混合して、１３００℃以上の温度で大気中、酸化
性雰囲気あるいはガリウムおよびマグネシウムが各々３
価イオン状態、２価イオン状態より還元されない程度の
還元雰囲気のもとで加熱することを特徴とするＴｍＧａ
ＭｇＯ＿４で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465681A JPS606888B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465681A JPS606888B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209825A JPS57209825A (en) | 1982-12-23 |
| JPS606888B2 true JPS606888B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14116292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9465681A Expired JPS606888B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＴｍＧａＭｇＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606888B2 (ja) |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9465681A patent/JPS606888B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209825A (en) | 1982-12-23 |
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