JPS606889B2 - ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS606889B2 JPS606889B2 JP9465981A JP9465981A JPS606889B2 JP S606889 B2 JPS606889 B2 JP S606889B2 JP 9465981 A JP9465981 A JP 9465981A JP 9465981 A JP9465981 A JP 9465981A JP S606889 B2 JPS606889 B2 JP S606889B2
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- zinc
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規化合物であるＬＵＧａＺｎ０４で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
る六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
に関する。
従来、ＹＦｅ２０４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
する化合物は、本出願人らによって合成され、その存在
が既に知られている。
この化合物は、Ｙ３十Ｆｅ２十Ｆｅ３十０４２‐で示さ
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２
十Ｆｅ３十０４２イヒ合物のＹ３十の代わりにＬｕ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十、Ｆｅ３十の代わりにＧ
ａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提
供するにある。
れるように、鉄の２価イオンと３価イオンは、５配位の
酸素イオンによって囲まれ、イットリウム（Ｙ）は、６
配位の酸素イオンをその周わりに持っている化合物であ
り、磁性をもっている。本発明は、前記、Ｙ３十Ｆｅ２
十Ｆｅ３十０４２イヒ合物のＹ３十の代わりにＬｕ３十
、Ｆｅ２十の代わりにＺｎ２十、Ｆｅ３十の代わりにＧ
ａ３十を置きかえた新規な化合物およびその製造法を提
供するにある。
本発明のＬｕＧａＺｎ０４で示される化合物は、この０
化合物中、ルテチウムはＬｕ３十イオン、ガリウムはＧ
ａ３十、亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｌｕ３十Ｇ
ａ３十Ｚ〆＋０４２−として表わすことができる。
化合物中、ルテチウムはＬｕ３十イオン、ガリウムはＧ
ａ３十、亜鉛はＺ〆十として存在しており、Ｌｕ３十Ｇ
ａ３十Ｚ〆＋０４２−として表わすことができる。
この結晶は、第１図に示すように六方晶層状構造を持っ
ている。最大の丸は酸素、中丸はルテチウタム、最小の
黒丸はガリウムと亜鉛を示している。ＧａとＺｎは、ラ
ンダムに分布している。Ｚｎの２価イオンと、Ｇａの３
価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれている
。結晶学的には同一の位置を占めている。またＬｕは６
配位の酸素をそ０の周わり１こ持っている。陰イオンで
ある酸素は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単
位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値
を示す。
ている。最大の丸は酸素、中丸はルテチウタム、最小の
黒丸はガリウムと亜鉛を示している。ＧａとＺｎは、ラ
ンダムに分布している。Ｚｎの２価イオンと、Ｇａの３
価イオンは、５配位の酸素イオンによって囲まれている
。結晶学的には同一の位置を占めている。またＬｕは６
配位の酸素をそ０の周わり１こ持っている。陰イオンで
ある酸素は繊密構造をとっている。ｓ，ｔおよびｕは単
位格子内に於ける位置を示す。この結晶の面指数（ｈｋ
ｌ）、面間隔（ｄ（Ａ））〔ｄｏは実測、ｄｃは計算値
を示す。
〕、×−線に対す５る相対反射強度、１（％）は第１表
をとおりである。ＬＵＧａＺｎ０４ 第１表 空間群はＲ夏ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
をとおりである。ＬＵＧａＺｎ０４ 第１表 空間群はＲ夏ｍであり、その晶癖は板状晶であり、格子
定数は次のとおりである。
ａｏ＝３．４００３ ±０．０００２ （Ａ）Ｃｏ＝２
５．２５３ 十０．００３（Ａ）この化合物は、半導
多材料および触媒として有用なものである。
５．２５３ 十０．００３（Ａ）この化合物は、半導
多材料および触媒として有用なものである。
この化合物は、次の方法によって製造し得られる。
金属ルテチウム（Ｌｕ）あるいは酸化ルテチウム（Ｌ仏
０３）もしくは、加熱されることによって酸化ルテチウ
ム（Ｌｕ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、
あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱さ
れることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解され
る化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）もしくは加
熱されることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚｎ○）を生
ずる化合物とを、ルテチウム、ガリウム、亜鉛の割合が
原子比で１対１対１になるように混合して、１２０００
０以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリ
ウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態、２価イオン状態
より還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱するこ
とによって製造することが出来る。
０３）もしくは、加熱されることによって酸化ルテチウ
ム（Ｌｕ２０３）に分解される化合物と金属ガリウム、
あるいは酸化ガリウム（Ｇａ２０３）もしくは、加熱さ
れることにより酸化ガリウム（Ｇａ２０３）に分解され
る化合物と亜鉛あるいは酸化亜鉛（Ｚｎ○）もしくは加
熱されることにより分解されて酸化亜鉛（Ｚｎ○）を生
ずる化合物とを、ルテチウム、ガリウム、亜鉛の割合が
原子比で１対１対１になるように混合して、１２０００
０以上の温度で、大気中、酸化性雰囲気、あるいはガリ
ウムおよび亜鉛が各々３価イオン状態、２価イオン状態
より還元されない程度の還元雰囲気のもとで加熱するこ
とによって製造することが出来る。
本発明に用いる出発物質は、市販のものをそのまま使用
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいこい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
してもよいが、出発物質相互間の化学反応を速やかに進
行させるためには、粒径がちいこい程よく、特にｌｏＡ
ｍ以下であることが好ましい。
また磁性材料、電気材料として用いる場合には０不純物
の混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好
ましい。
の混入をきらうので、出発原料物質は純度が高いほど好
ましい。
この原料をそのまま、あるいはアルコール類もしくはア
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ル
テチウム、ガリウム、タ亜鉛の割合が原子比として１対
１対１の割合である。
セトンと共に充分に混合する。これらの混合割合は、ル
テチウム、ガリウム、タ亜鉛の割合が原子比として１対
１対１の割合である。
この割合をはずすと目的とする化合物を得ることは出来
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２価イ
オン状態から還元され得０ない程度の還元雰囲気のもと
で、１２００ｑｏ以上の温度で加熱する。加熱時間は、
１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には
制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは
大気中に急激にひきだせばよい。得られたＬｕＧａＺｎ
０４化づ合物は、無色透明を示し、粉末Ｘ線回折法によ
って結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は
、既に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であることが
わかった。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密
に秤量し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施
例 純度９９．９％以上のルテチウム酸化物（Ｌｕ２０３）
粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３
）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を、
モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルア
ルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数ｒｍの微粉
末を得た。
ない。この混合物を大気中、あるいは酸化性雰囲気もし
くはガリウムおよび亜鉛が３価イオン状態および２価イ
オン状態から還元され得０ない程度の還元雰囲気のもと
で、１２００ｑｏ以上の温度で加熱する。加熱時間は、
１日もしくはそれ以上である。加熱の際の昇温速度には
制約はない。反応終了後は、０℃に急冷するかあるいは
大気中に急激にひきだせばよい。得られたＬｕＧａＺｎ
０４化づ合物は、無色透明を示し、粉末Ｘ線回折法によ
って結晶構造を有することがわかった。その結晶構造は
、既に本出願人が得たＹＦｅ２０４と同型であることが
わかった。出発混合試料と反応生成物の試料重量を精密
に秤量し、得られた試料の化学量論数を決定した。実施
例 純度９９．９％以上のルテチウム酸化物（Ｌｕ２０３）
粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａ２０３
）粉末、および試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ○）粉末を、
モル比で１対１対２の割合に秤量し、乳鉢内でエチルア
ルコールを加えて充分に混合し、平均粒径数ｒｍの微粉
末を得た。
該混合物を白金ルッボ内にみたして、１３５０ｑｏに設
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はＬｕＧａＺｎ０４であり、既に報告
されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
定された箱型のシリコニット炉内に入れ、４日間加熱し
、その後試料を炉外にとりだし、室温まで急速に冷却し
た。得られた試料はＬｕＧａＺｎ０４であり、既に報告
されているＹＦｅ２０４と結晶学的には、同型であるこ
とが粉末Ｘ線回折法によって確認された。試料重量が加
熱前後で精密に秤量され、得られた試料の化学量論数が
決定された。第１表に得られた試料の結晶学的性質を示
した。
図面は、本発明のＬＵＧａＺｎ０４結晶の図である。
最大の丸は酸素、中丸はルテチウム、最小黒丸はガリウ
ムと亜鉛を示す。髪１図
ムと亜鉛を示す。髪１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＬｕＧａＺｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ルテチウム（Ｌｕ）あるいは酸化ルテチウム（
Ｌｕ＿２Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより酸化
ルテチウム（Ｌｕ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、
金属ガリウム（Ｇａ）あるいは酸化ガリウム（Ｇａ＿２
Ｏ＿３）もしくは、加熱されることにより酸化ガリウム
（Ｇａ＿２Ｏ＿３）に分解される化合物と、亜鉛（Ｚｎ
）あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）もしくは、加熱されるこ
とにより分解されて酸化亜鉛（ＺｎＯ）を生ずる化合物
とを、ルテチウム、ガリウム、亜鉛の割合が原子比で１
対１対１になるように混合して、１２００℃以上の温度
で大気中、酸化性雰囲気あるいは、ガリウムおよび亜鉛
が各々３価イオン状態、２価イオン状態より還元されな
い程度の還元雰囲気のもとで加熱することを特徴とする
ＬｕＧａＺｎＯ＿４で示される六方晶系の層状構造を有
する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465981A JPS606889B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465981A JPS606889B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57209826A JPS57209826A (en) | 1982-12-23 |
| JPS606889B2 true JPS606889B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14116377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9465981A Expired JPS606889B2 (ja) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | ＬｕＧａＺｎＯ↓４で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606889B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148974U (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-13 |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9465981A patent/JPS606889B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61148974U (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57209826A (en) | 1982-12-23 |
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