JPS5935414A - 磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5935414A JPS5935414A JP14603882A JP14603882A JPS5935414A JP S5935414 A JPS5935414 A JP S5935414A JP 14603882 A JP14603882 A JP 14603882A JP 14603882 A JP14603882 A JP 14603882A JP S5935414 A JPS5935414 A JP S5935414A
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- JP
- Japan
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- solder
- film
- electrode film
- dielectric
- electrode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁器コンデンサの製造方法、更に詳しくは
、磁器誘電体を用いたコンデンサ素子に対する電極膜の
形成およびこの電極膜にリード端子を半田付する方法に
関するものである。
、磁器誘電体を用いたコンデンサ素子に対する電極膜の
形成およびこの電極膜にリード端子を半田付する方法に
関するものである。
例えばセラミックを用いた磁器コンデンサは、誘電体の
両面に電極膜を設け、この電極膜に各々リード端子を半
田付によ多接続した構造である。
両面に電極膜を設け、この電極膜に各々リード端子を半
田付によ多接続した構造である。
従来、上記のような磁器コンデンサの製造方法は、第１
図に示す工程を経て行なわれている。
図に示す工程を経て行なわれている。
即ち、セラミックを焼成した誘電体１の外周面全体に銅
やニッケルの電極膜２を無電解メッキの手段で設け、（
第１図Ａ）この電極膜２０表面両側にエツチングレジス
ト膜８を印刷し、（第１図Ｂ）この後誘電体１にエツチ
ングを施して電極膜２のエツチングレジスト膜８から露
出する部分を除去し、（第１図Ｃ）次にエツチングレジ
スト膜８を剥離し、残った電極膜２を露出させて一対の
電極２ａ、２ｂを形成しく第１図Ｄ）この後全体を溶融
した半田に浸漬し、電極２ａ、２ｂの全面を半田４で覆
ってリード端子５．５を取付けるものである。（第１図
Ｅ） このようにして形成された磁器コンデンサの出来上シ後
の構造を第２図と第８図に示している。
やニッケルの電極膜２を無電解メッキの手段で設け、（
第１図Ａ）この電極膜２０表面両側にエツチングレジス
ト膜８を印刷し、（第１図Ｂ）この後誘電体１にエツチ
ングを施して電極膜２のエツチングレジスト膜８から露
出する部分を除去し、（第１図Ｃ）次にエツチングレジ
スト膜８を剥離し、残った電極膜２を露出させて一対の
電極２ａ、２ｂを形成しく第１図Ｄ）この後全体を溶融
した半田に浸漬し、電極２ａ、２ｂの全面を半田４で覆
ってリード端子５．５を取付けるものである。（第１図
Ｅ） このようにして形成された磁器コンデンサの出来上シ後
の構造を第２図と第８図に示している。
ところで、誘電体１０両面に形成した電４ｉ ２ ａ、
２ｂの全面を溶融半田に浸漬してリード端子５、５を取
付けると、電極２ａ、２ｂと溶融半田の接触面積が多く
なシ、電極２ａ、２ｂを形成する銅（Ｃｕ）によシ半田
槽中の半田が急速に汚染され、５ｎ−Ｃｕの金属間化合
物が析出し、これが原因で半田ゴブ、ツノ、グリッジ等
の半田付不良が発生する。
２ｂの全面を溶融半田に浸漬してリード端子５、５を取
付けると、電極２ａ、２ｂと溶融半田の接触面積が多く
なシ、電極２ａ、２ｂを形成する銅（Ｃｕ）によシ半田
槽中の半田が急速に汚染され、５ｎ−Ｃｕの金属間化合
物が析出し、これが原因で半田ゴブ、ツノ、グリッジ等
の半田付不良が発生する。
また、電極２ａ、２ｂの全面を半田で覆うので製品への
半田の付着量が多くなシ、全体を樹脂で外装してプリン
ト基板へのセット時等に、製品内部の半田が溶融して半
田が製品（外装樹脂）外部へ吹き出したり、電極膜れに
よって容量がダウンしやすいという問題が生じる。
半田の付着量が多くなシ、全体を樹脂で外装してプリン
ト基板へのセット時等に、製品内部の半田が溶融して半
田が製品（外装樹脂）外部へ吹き出したり、電極膜れに
よって容量がダウンしやすいという問題が生じる。
この発明は、上記のような問題を解消するためになされ
たものであシ、溶融半田への浸漬時における電極と半田
の接触量が少なく、リード端子の半田は不良の発生を防
ぎ、製品の半田耐熱性が向上した磁器コンデンサを製造
できる方法を提供することを目的とする。
たものであシ、溶融半田への浸漬時における電極と半田
の接触量が少なく、リード端子の半田は不良の発生を防
ぎ、製品の半田耐熱性が向上した磁器コンデンサを製造
できる方法を提供することを目的とする。
この発明の構成は、コンデンサ素子の外周面全面に電極
膜が施された誘電体の両面にリング状のソルダーレジス
ト膜を設け、このレジスト膜で囲まれた電極膜上にエツ
チングレジストを塗布し、この後エツチングを施してＷ
、極膜の露出部分を除去し、この後エツチングレジスト
を剥離して露出した電極膜上にリード端子を半田付で取
付けるようにし、電極と溶融半田をソルダーレジスト膜
のリング内周の内側で局部的に部分接触させるようにし
たものである。
膜が施された誘電体の両面にリング状のソルダーレジス
ト膜を設け、このレジスト膜で囲まれた電極膜上にエツ
チングレジストを塗布し、この後エツチングを施してＷ
、極膜の露出部分を除去し、この後エツチングレジスト
を剥離して露出した電極膜上にリード端子を半田付で取
付けるようにし、電極と溶融半田をソルダーレジスト膜
のリング内周の内側で局部的に部分接触させるようにし
たものである。
以下、この発明の一実施例を添付図面の第４図ないし第
６図にもとづいて説明する。
６図にもとづいて説明する。
第４図ＡないしＦの各々は、この発明に係る製造方法の
工程を示し、第５図と第６図は出来上ったコンデンサを
示している。
工程を示し、第５図と第６図は出来上ったコンデンサを
示している。
磁器：Ｉ ｙデンサの製造方法は、セラミック等を用い
て焼成した誘電体１１の外周面全体に電極膜１２を施す
。（第４図Ａ）電極膜１２の形成は、無電解メッキ、イ
オンスパッタリング、蒸着等の方法によって行なえると
共に、電極膜１２の材料は銅のはか、ニッケル、亜鉛等
を用いることができる。
て焼成した誘電体１１の外周面全体に電極膜１２を施す
。（第４図Ａ）電極膜１２の形成は、無電解メッキ、イ
オンスパッタリング、蒸着等の方法によって行なえると
共に、電極膜１２の材料は銅のはか、ニッケル、亜鉛等
を用いることができる。
次に、Ｎ、ｉｆＭ膜１２の付与された誘電体１１の両面
にソルダーレジスト膜１８をリング状に印刷形成して乾
燥する。（第４図Ｂ） この後、ソルダーレジスト膜１８のリング内周に囲まれ
た部分に露出する電極膜１２上にエツチングレジスト１
４を印刷塗布して乾燥しく第４図Ｃ）次にこの誘電体１
１を硝酸あるいは塩化第二鉄等の溶液に浸漬して化学エ
ツチングを施す。電極膜１２は、ソルダーレジスト膜１
８およびエツチングレジスト１４で覆われた部分がその
ま＼残シ、ソルダーレジスト膜１８から露出する部分が
除去され、一対の電極１２ａ、１２ｂが形成される。（
第４図Ｄ） エツチング後にコンデンサ素子１１を水Ｊ堅トリウム溶
液やアルコール等に浸漬してエツチングレジスト１４を
剥離除去し、（第４図Ｅ）ソルダーレジスト膜１８社そ
のま覧残した状態で、誘電体１１を溶融した半田に浸漬
し、エラチンブレジス） １４ｔｈ夫したＮＷｌ ２ａ
、１２ ｂｖ）Ｊ！ｌ！出部分に、半田１５でリード端
子１６．１６を取付ける。（第４図Ｆ） 誘電体１１を半田溶液に浸漬したとき、両側の′ｒ！ｌ
極１２ａ、１２ｂは大半がソルダーレジスト膜１８で覆
われているので、半田溶液に対する電極１２ａ、１２１
）の接触伏ソμダーレジスト膜１Ｂのリング内周に露出
する部分だけとなり、接触面積が極めて少くなシ、銅電
極の場合の半田溶液中への拡散が減少し、５ｎ−Ｃｕ金
属間化合物による半田付不良の発生を防止できる。
にソルダーレジスト膜１８をリング状に印刷形成して乾
燥する。（第４図Ｂ） この後、ソルダーレジスト膜１８のリング内周に囲まれ
た部分に露出する電極膜１２上にエツチングレジスト１
４を印刷塗布して乾燥しく第４図Ｃ）次にこの誘電体１
１を硝酸あるいは塩化第二鉄等の溶液に浸漬して化学エ
ツチングを施す。電極膜１２は、ソルダーレジスト膜１
８およびエツチングレジスト１４で覆われた部分がその
ま＼残シ、ソルダーレジスト膜１８から露出する部分が
除去され、一対の電極１２ａ、１２ｂが形成される。（
第４図Ｄ） エツチング後にコンデンサ素子１１を水Ｊ堅トリウム溶
液やアルコール等に浸漬してエツチングレジスト１４を
剥離除去し、（第４図Ｅ）ソルダーレジスト膜１８社そ
のま覧残した状態で、誘電体１１を溶融した半田に浸漬
し、エラチンブレジス） １４ｔｈ夫したＮＷｌ ２ａ
、１２ ｂｖ）Ｊ！ｌ！出部分に、半田１５でリード端
子１６．１６を取付ける。（第４図Ｆ） 誘電体１１を半田溶液に浸漬したとき、両側の′ｒ！ｌ
極１２ａ、１２ｂは大半がソルダーレジスト膜１８で覆
われているので、半田溶液に対する電極１２ａ、１２１
）の接触伏ソμダーレジスト膜１Ｂのリング内周に露出
する部分だけとなり、接触面積が極めて少くなシ、銅電
極の場合の半田溶液中への拡散が減少し、５ｎ−Ｃｕ金
属間化合物による半田付不良の発生を防止できる。
リード端子１６．１６の電１１２ａ、１２ｂへの半田付
は、第５図と第６図のように、ソルダーレジスト膜１８
のリング内周で囲まれた部分的となシ、半田１５の付着
量を少くすることができる。
は、第５図と第６図のように、ソルダーレジスト膜１８
のリング内周で囲まれた部分的となシ、半田１５の付着
量を少くすることができる。
以上のように、この発明によると、誘電体の外周面全体
に電極膜を施し、この誘電体の両側外面にリング状のソ
ルダーレジスト膜およびこのレジスト膜の内周内側にエ
ツチングレジストを塗布し、電極膜の露出する部分をエ
ツチングで除去し、エツチングレジストを剥離した後、
電極膜の露出する部分に半田でリード端子を取付けるよ
うにしたので、電極膜の大半をソルダーレジスト膜で覆
うことができ、半田溶液への浸漬時における電極膜の接
触量が少くなシ、半田溶液への電極金属の溶融が減少し
、リード端子取付のための半田付は不良の発生を防止で
きる。
に電極膜を施し、この誘電体の両側外面にリング状のソ
ルダーレジスト膜およびこのレジスト膜の内周内側にエ
ツチングレジストを塗布し、電極膜の露出する部分をエ
ツチングで除去し、エツチングレジストを剥離した後、
電極膜の露出する部分に半田でリード端子を取付けるよ
うにしたので、電極膜の大半をソルダーレジスト膜で覆
うことができ、半田溶液への浸漬時における電極膜の接
触量が少くなシ、半田溶液への電極金属の溶融が減少し
、リード端子取付のための半田付は不良の発生を防止で
きる。
また、半田付着量が削減でき、製品の半田耐熱性が向上
し、半田による製品取付時の問題を解消でき、しかもソ
ルダーレジストおよびエツチングレジストの兼用によシ
エッチングレジストの使用量が少なくなシ、材料コスト
の削減をはかることができる。
し、半田による製品取付時の問題を解消でき、しかもソ
ルダーレジストおよびエツチングレジストの兼用によシ
エッチングレジストの使用量が少なくなシ、材料コスト
の削減をはかることができる。
さらに製品において、電極の表面をソルダーレジスト膜
でカバーするので、電極の耐腐触性を向上させることが
できるという効果がある。
でカバーするので、電極の耐腐触性を向上させることが
できるという効果がある。
第１図のＡないしＥの各々は、従来の製造方法を示す工
程図、第２図は従来の磁器コンデンサを示す平面図、第
８図は同上の縦断面図、第４図ＡないしＦの各々はこの
発明に係る製造方法を示す工程図、第５図は同上によっ
て製造した磁器コンデンサの平面図、第６図は同縦断面
図である。 １１・・・誘電体 １２・・・を極膜１２ａ１１２１
）−−−電極 １８・・・ソルダーレジスト膜 １４・・・エツチングレジスト １５・・・半田１６
−・・リード端子
程図、第２図は従来の磁器コンデンサを示す平面図、第
８図は同上の縦断面図、第４図ＡないしＦの各々はこの
発明に係る製造方法を示す工程図、第５図は同上によっ
て製造した磁器コンデンサの平面図、第６図は同縦断面
図である。 １１・・・誘電体 １２・・・を極膜１２ａ１１２１
）−−−電極 １８・・・ソルダーレジスト膜 １４・・・エツチングレジスト １５・・・半田１６
−・・リード端子
Claims (1)
- 誘電体の外周面全体に電極膜を施し、次に電極膜の付与
された誘電体の両側外面にソルダーレジスト膜をリング
状に設け、このソルダーレジスト膜のリングの内側に露
出する部分の電極膜上にエツチングレジストを塗布し、
次にこの誘電体にエツチングを施して電ＩＦＭ膜のソル
ダーレジスト膜から露出する部分を除去し、この後エツ
チングレジストを剥離して露出した電極膜上にリード端
子を半田で取付けることを特徴とする磁器コンデンサの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603882A JPS5935414A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14603882A JPS5935414A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935414A true JPS5935414A (ja) | 1984-02-27 |
Family
ID=15398697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14603882A Pending JPS5935414A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135691A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Tdk Corp | リード型電子部品 |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP14603882A patent/JPS5935414A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010135691A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Tdk Corp | リード型電子部品 |
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