JPS5934463Y2 - ミシン作動機構制御装置 - Google Patents

ミシン作動機構制御装置

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JPS5934463Y2
JPS5934463Y2 JP16320075U JP16320075U JPS5934463Y2 JP S5934463 Y2 JPS5934463 Y2 JP S5934463Y2 JP 16320075 U JP16320075 U JP 16320075U JP 16320075 U JP16320075 U JP 16320075U JP S5934463 Y2 JPS5934463 Y2 JP S5934463Y2
Authority
JP
Japan
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circuit
transistor
sewing machine
operating mechanism
solenoid
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Application number
JP16320075U
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English (en)
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JPS5274837U (ja
Inventor
耕一 大庭
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はミシンの作動機構、例えば、布押え上げ、ある
いは返し縫い機構を操作するソレノイドに加える電圧を
高圧から低圧へ切換える為の制御手段を改良した□シン
の作動機構制御装置に関するもので、装置の無接点化を
図り、信頼性を向上させることを目的とするものである
以下1本考案の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図はこの考案の1実施例を示す結線図である。
第2図、第3図、第4図はその動作説明図である。
第1図に於いて1は交流電源、2,3゜4.5は全波整
流回路を構成する整流素子、6は導通時に、整流素子2
.3. 4. 5及び後述の平滑コンデンサ8と共に全
波整流平滑回路を構成し、不導通時には整流素子2,5
による半波整流回路を構成する様にした双方向性サイリ
スタからなる制御極付半導体素子(以下トライアックと
称す)、7は上記トライアックのゲートに信号を与える
後述のパルストランスの2次コイル、8は上記、全波整
流平滑回路に於ける平滑コンデンサ、9はソレノイド駆
動用のスイッチ、10はソレノイドで、布押え上げある
いは返し縫い機構などの□シン作動機構を駆動するもの
である。
11はトランジスタノヘース抵抗、12は上記トランジ
スタ動作安定用の抵抗、13はソレノイドOFF時サー
ジ吸収用のダイオード、14はトランジスタのコレクタ
抵抗、15は上記スイッチが開いた時「ONJし閉じた
時「0FFjするNPNトランジスタ、16は次段PN
P )ランジスタのベース抵抗、17はPNP)ランジ
スタ動作安定用抵抗、18はPNP )ランジスタ、1
9は次段トランジスタのベース抵抗、20は次段トラン
ジスタの動作安定用抵抗、21はNPNトランジスタ、
22は抵抗、23はコンデンサ、24はツェナダイオー
ド、25はNPN)ランジスタで、抵抗22、コンデン
サ23、ツェナーダイオード24、とで時定数回路を構
成する。
26は抵抗、27はコンデンサ、28はUJT、29は
抵抗、30はパルストランス、301はこのパルストラ
ンスの1次コイルである。
なお上記26,27.2B、29.30は周知の発振回
路を構成しており、上記トランジスタ25をrONJ、
rOFFJする事によりこの発振回路は発振、もし
くは発振停止をするものである。
31は直流電源である。
次に動作順序に従い回路の動作を説明する。
第1図に於いてスイッチ9が開いている通常状態に於い
て、交流電源1と整流素子2,5により供給される直流
電圧は、抵抗11からトランジスタ15、ソレノイド1
0という回路を通って電流を流す。
今、抵抗11は高抵抗であるため流れる電流も微少であ
り、ソレノイド10を駆動する事はない。
これは、後述の抵抗14.16を流れる電流についても
同様である。
さてこの微少電流は、トランジスタ15のベース電流と
なっている。
今、トランジスタ15として増巾率が十分大きいものを
使用すれば、トランジスタ15には大きなコレクタ電流
が流れる。
つまりトランジスタ15は導通状態になっている。
従って、電源31の正極側からトランジスタ18、ベー
ス抵抗16、トランジスタ15、ソレノイド10という
回路を通って電流が流れており、この電流は、トランジ
スタ18を導通させている。
これにより抵抗19を介して、トランジスタ210ベー
スへ電流が流れ、トランジスタ21も導通している。
以上のように、述べたトランジスタ15,18.21は
ソレノイド回路と電源310回路とのインターフェイス
用としての作用を奏する。
さてトランジスタ21が導通していると、そのコレクタ
エミッタ間電圧はほぼ零となるからツェナダイオード2
4はカットオフになっており、トランジスタ250ベー
スへは電流は流れない。
よってトランジスタ25は非導通状態である。
前述の様に26.27.28,29.30はUJT発振
回路であり、トランジスタ25が非導通である時は発振
している。
つまり、トランジスタ25が非導通である時、コンデン
サ2γは電源31から抵抗26を介して電流が流れ充電
される。
従って周知のごとく抵抗26、コンデンサ27の時定数
で上記、UJT発振回路は発振して、パルストランスの
1次コイル301に発振電圧が印加される。
この発振電圧の周波数は、電源周波数より十分高くなる
様に上記抵抗26、コンデンサ2Tの値が選択されてい
る。
第2図に発振電圧波形の一例を示す。
さて、上記発振電圧はパルストランスの2次コイル7へ
2次電圧として誘起され、トライアック6のゲートに電
流が流れる事になる。
するとトライアック6は導通して整流素子2. 3.
4. 5及びコンデンサ8によって全波整流平滑回路が
構成される。
上述の様にスイッチ9を開いている通常の状態では、ソ
レノイド回路の電圧は全波整流平滑電圧(以下「高電圧
」と称す)となって−いる。
次にスイッチ9を閉じた場合、当初は上記高電圧がソレ
ノイド10へ印加される事になる。
さて、スイッチ9を閉じるとスイッチの両端電位差は零
となるから抵抗11及びトランジスタ150ベースへは
、電流は流れなくなる。
従ってトランジスタ15は非導通になる。
これによりトランジスタ21へのベース電流も流れなく
なるから、トランジスタ21も非導通になる。
すると、22,23,24゜25で構成される時定数回
路が動作を始める事になる。
つまり、電源31から抵抗22を介してコンデンサ23
に充電が始まり、コンデンサ23の電圧は上昇してゆく
しかる後にこの電圧がツェナダイオード24のツェナ電
圧より高くなると、ツェナダイオード24が導通してト
ランジスタ250ベースに電流が流れる。
したがってトランジスタ25が導通する。
上記、コンデンサ23に充電が始まり、次にツェナダイ
オードが導通するまでの時間は、抵抗22とコンデンサ
23とにより適当な時間に設定出来、本実施例ではソレ
ノイド10が吸引を終るに十分な時間T1になる様に抵
抗22とコンデンサ23の値が設定される。
この時間T1を第3図に示す。
さて、上記トランジスタ25が導通すると、UJT28
のE−B2間の電位はほぼ零になる。
もしスイッチ9を閉じたままであれば(ソレノイド10
を吸引させたままであれば)上記説明通りUJT28の
E−B2間の電位はほぼ零のままであるからコンデンサ
27は充電される事はない。
従ってUJT28の発振は停止する。
従ってパルストランスの1次コイル301への発振電圧
の印加もなくなり、トライアック6へのゲート電流も流
れなくなるからトライアック6も不導通となる。
すると、今まで構成されていた全波整流平滑回路は整流
素子2,5により構成される半波整流回路となってしま
う。
従ってソレノイド10へは半波整流電圧(低電圧)が印
加される。
以上のごとく抵抗22とコンデンサ23を適当に設定す
る事によってスイッチ9を閉じると、ソレノイド10へ
は最初、高電圧(第4図イ)が印加されてソレノイド1
0の吸引動作が速やかに行なわれ、ソレノイドの吸引が
終るに十分な時間TI経過したら印加重臣は低電圧(第
4図口)に切換る様になっている。
以上述べたごとく本考案によると全波半波切換え回路は
スイッチ9を除き全て無接点化されており、従来のマイ
クロスイッチ、及びリレーによる切換え回路に比べて振
動の多いミシンに使用しても信頼性及び寿命の点で浸れ
ており、さらに制御極付半導体素子として双方向性サイ
リスタを使用すれば、全波整流時には完全な平滑重臣(
高電[iE)となるのでソレノイドの始動時には十分な
エネルギーを供給する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例を示す接続図、第2図は発振
回路の発振電圧波形を示す図、第3図は遅延用のコンデ
ンサの充電型正波形を示す図、第4図はソレノイドに供
給される電圧の波形を示す図である。 図において、2. 3. 4. 5及び6は整流素子及
び制御極付半導体素子、9はスイッチ、10はソレノイ
ド、22,23,24及び25は時定数回路を構成する
抵抗、コンデンサ、ツェナーダイオード及びトランジス
タ、26,27,28,29及び30は発振回路を構成
する抵抗、コンデンサ、UJT、抵抗、及びパルストラ
ンスである。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ミシン作動機構の制御をソレノイドに対する通電によっ
    て行う□シン作動機構制御装置において該装置は、外部
    操作用のスイッチと、制御極付半導体素子と、パルスト
    ランスと、整流回路と、時定数回路と、発振回路とを各
    々含み、 前記スイッチはソレノイドに対して直列に接続されてお
    り、 前記制御極付半導体素子は、導通すると前記整流回路が
    全波整流回路として動作し、導通しないと前記整流回路
    が半波整流回路として動作するように、整流回路に対し
    て接続されており、前記時定数回路は、前記スイッチの
    投入により動作を開始するとともに、少なくとも前記ミ
    シン作動機構の動作に必要な時間の計時を行い、前記発
    振回路は、前記整流回路の入力電源周波数よりも高い周
    波数で発振するとともに、前記時定数回路の計時終了と
    ともに発振を停止し、前記パルストランスは、前記発振
    回路の発振出力を前記制御極付半導体素子の制御極に人
    力して制御極付半導体素子を導通させることを特徴とす
    るミシン作動機構制御装置。
JP16320075U 1975-12-03 1975-12-03 ミシン作動機構制御装置 Expired JPS5934463Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS5274837U JPS5274837U (ja) 1977-06-04
JPS5934463Y2 true JPS5934463Y2 (ja) 1984-09-25

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