JPS5929456A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5929456A JPS5929456A JP14027382A JP14027382A JPS5929456A JP S5929456 A JPS5929456 A JP S5929456A JP 14027382 A JP14027382 A JP 14027382A JP 14027382 A JP14027382 A JP 14027382A JP S5929456 A JPS5929456 A JP S5929456A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- schottky
- electrode
- metal
- ohmic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 14
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、とくにショットキー電極として多
層金属を有する半導体装直に関するものである。
層金属を有する半導体装直に関するものである。
近年、超高周波装置のマイクロ波ＩＣ化に伴い、複数個
のダイオード全集積化するのに便オリなように矩形状の
オーミック電極と、これらオーミック電極間に位置する
矩形状のショットキー電極とを同一平面上に形成した、
横形のショットキーダイオードが提案されている（昭和
５４年実用新案登録願４９７０１号）。このような構造
をもつダイオードの１ｕ列抵抗は、ショットキー電極か
らオーミック電極への広がり抵抗が主となり、電極間隔
が短かく、かつショットキー電極の周囲長が長いものほ
どそれが小さくなるという特徴がある。又一方、ショッ
トキーダイオードに要求される特性は、益々高周波化広
帯域化の様相を呈しておυ、そのために半導体結晶内の
直列抵抗、電極Ｔｌｊ 極のＭＯ８’Ｊｇｔ［性引き出
し用オリード線のインダクタンス、及びパッケージの金
属間に存在する漂遊客月等の寄生菓子（バラスティク・
エレメント）全できるたり小さくすることが必要となっ
ている。
のダイオード全集積化するのに便オリなように矩形状の
オーミック電極と、これらオーミック電極間に位置する
矩形状のショットキー電極とを同一平面上に形成した、
横形のショットキーダイオードが提案されている（昭和
５４年実用新案登録願４９７０１号）。このような構造
をもつダイオードの１ｕ列抵抗は、ショットキー電極か
らオーミック電極への広がり抵抗が主となり、電極間隔
が短かく、かつショットキー電極の周囲長が長いものほ
どそれが小さくなるという特徴がある。又一方、ショッ
トキーダイオードに要求される特性は、益々高周波化広
帯域化の様相を呈しておυ、そのために半導体結晶内の
直列抵抗、電極Ｔｌｊ 極のＭＯ８’Ｊｇｔ［性引き出
し用オリード線のインダクタンス、及びパッケージの金
属間に存在する漂遊客月等の寄生菓子（バラスティク・
エレメント）全できるたり小さくすることが必要となっ
ている。
しかしながら第２図に示すような従来の横型ショットキ
ーダイオードでは、ショットキーバリアー形成用金属及
び電極金属によるＭＯＳ容おが比較的太きいため高周波
特性が劣化したり、周波数帯域が狭くなったシする現象
が発生し所望の特性を得るに困難であった。
ーダイオードでは、ショットキーバリアー形成用金属及
び電極金属によるＭＯＳ容おが比較的太きいため高周波
特性が劣化したり、周波数帯域が狭くなったシする現象
が発生し所望の特性を得るに困難であった。
即ち、第１図に平面図を示すようにショットキー電極１
２とオーミック電極１３と全櫛歯状に並べた従来のショ
ットキーダイオードにおいて、その酊１面１ン１は第２
図のようになっている。今、断面図をみてその構造全説
明すると、ＱａＡｓ基板３上にＧａＡｓ動作層（エピタ
キシャル層）２が設けられ、その表面に５ｉ０２膜１が
形成される。ＧａＡｓ動作層２けショットキー接触部１
０とポーミック接触領域（高不純物画度領域）１４とを
有しており、オーミック電極１３としてオーミック金属
７が、甘だショットキー電極１２としてショットキ−金
属５および場合によってはその上にさらにショットキー
金属保設用の金属層６が夫々設けられる。一般に、ブヨ
ットキー金視５とオーミック金属７とは別々の窓あけ工
程で形成され、いづれも５ｉＯｚ膜１」二に延在された
形で作成される。オーミック金属７に関してはその下に
広い領域にわたってこれと同電位関係にあるオーミック
接触領域１４が設けられているので、オーミック金属７
の周囲が５ｉ０２膜１上にはみ出したとしても、そのは
み出し部分直下には寄生ＭＯ３Ｏ３容量じる心配はない
。しかしながら、ショットキー金属、５に関しては、シ
ョットキー接触はショットキー金属とＧａＡｓ動作層と
の接触ｆａｌｌ １０にほぼ限定されるため、ショット
キー金属５が８１０２膜１上にはみ出した部分１１にお
いて、その直下の５ｉ０２膜がＲ１１ｔ５体として働き
、そこに寄生ＭＯ８容量が発生してしまう。甘た、第２
図のようにショットキー金属５をさらに他の金属６でカ
バーずれは、その分さらに寄生ＭＯ８容量は増加する。
２とオーミック電極１３と全櫛歯状に並べた従来のショ
ットキーダイオードにおいて、その酊１面１ン１は第２
図のようになっている。今、断面図をみてその構造全説
明すると、ＱａＡｓ基板３上にＧａＡｓ動作層（エピタ
キシャル層）２が設けられ、その表面に５ｉ０２膜１が
形成される。ＧａＡｓ動作層２けショットキー接触部１
０とポーミック接触領域（高不純物画度領域）１４とを
有しており、オーミック電極１３としてオーミック金属
７が、甘だショットキー電極１２としてショットキ−金
属５および場合によってはその上にさらにショットキー
金属保設用の金属層６が夫々設けられる。一般に、ブヨ
ットキー金視５とオーミック金属７とは別々の窓あけ工
程で形成され、いづれも５ｉＯｚ膜１」二に延在された
形で作成される。オーミック金属７に関してはその下に
広い領域にわたってこれと同電位関係にあるオーミック
接触領域１４が設けられているので、オーミック金属７
の周囲が５ｉ０２膜１上にはみ出したとしても、そのは
み出し部分直下には寄生ＭＯ３Ｏ３容量じる心配はない
。しかしながら、ショットキー金属、５に関しては、シ
ョットキー接触はショットキー金属とＧａＡｓ動作層と
の接触ｆａｌｌ １０にほぼ限定されるため、ショット
キー金属５が８１０２膜１上にはみ出した部分１１にお
いて、その直下の５ｉ０２膜がＲ１１ｔ５体として働き
、そこに寄生ＭＯ８容量が発生してしまう。甘た、第２
図のようにショットキー金属５をさらに他の金属６でカ
バーずれは、その分さらに寄生ＭＯ８容量は増加する。
本発明の目的は寄生容量全低減した半導体装ＩＩ（全提
供す、ることにある。
供す、ることにある。
本発明の半導体装置は半導体基体と接触するショットキ
ー金属を有し、このショットキー金属の少なくとも側面
全体が絶縁層で覆われ、当該ショットキー金属の側面に
他の金属が直接接触しないようにしたことを特徴とする
。
ー金属を有し、このショットキー金属の少なくとも側面
全体が絶縁層で覆われ、当該ショットキー金属の側面に
他の金属が直接接触しないようにしたことを特徴とする
。
本発明によれば、絶縁層の上にショットキー金属がはみ
出す構造ではなく、シＨットキー金Ａ・ｉｌを絶縁層に
よって包み込む構造としている。即ち、ショットキー金
属の側面はショットキー接触部の周囲に沿って設けられ
、ショットキー接触外に相当する位置には設けられてい
ない。従って従来に比べて寄生容Ｊ斗を大きく減少する
ことができ、高周波特性、全格段と向上させることがで
きる。
出す構造ではなく、シＨットキー金Ａ・ｉｌを絶縁層に
よって包み込む構造としている。即ち、ショットキー金
属の側面はショットキー接触部の周囲に沿って設けられ
、ショットキー接触外に相当する位置には設けられてい
ない。従って従来に比べて寄生容Ｊ斗を大きく減少する
ことができ、高周波特性、全格段と向上させることがで
きる。
以下に本発明の一実施例について、その好適々製造方法
にそって図面音用いて説明する。
にそって図面音用いて説明する。
使用される製法の概略を説明すると、−導電型を呈する
半導体基板に他の４ Ｍｉ、型金呈するエピタキシャル
層を形成する工程と、該エピタキシャル層上にショット
キーバリアー形成用パターンに加工されたショットキー
金属層ケ形成する工程と、該ショットキー金属層と前記
エピタキシャル層と全綱１の絶縁層で被覆保護する工程
と、該第１の絶ＦＭ Ｉｃｉの−）■をエツチング除去
してオーミック用窓全開孔し前記エピタキシャル層ヲ坏
出させる工程と、前記第１の絶縁層全マスクとして他の
導電型全車する不純物をイオン注入により打込みオーミ
ック拡散層を形成する工程と、前Ｒｊ７第１の絶縁層と
前記オーミック用窓を第２の絶縁層で被僚保時する工程
と、高温で熱処理しショットキー接触の形成と、イオン
注入層のアニールと全同時に行なう工程と、前記第２の
絶縁層の一部全エノヂング除去して、ショットキー電極
数９出し用窓とオーミック電極取り出し用窓を開孔し、
前記ショットキー金属層の表面の一部とオーミック拡散
層とを露出させる工程と、上面よシー電極金属を蒸着し
、ショットキー電極とオーミック電極とを形成する工程
ケ含む。
半導体基板に他の４ Ｍｉ、型金呈するエピタキシャル
層を形成する工程と、該エピタキシャル層上にショット
キーバリアー形成用パターンに加工されたショットキー
金属層ケ形成する工程と、該ショットキー金属層と前記
エピタキシャル層と全綱１の絶縁層で被覆保護する工程
と、該第１の絶ＦＭ Ｉｃｉの−）■をエツチング除去
してオーミック用窓全開孔し前記エピタキシャル層ヲ坏
出させる工程と、前記第１の絶縁層全マスクとして他の
導電型全車する不純物をイオン注入により打込みオーミ
ック拡散層を形成する工程と、前Ｒｊ７第１の絶縁層と
前記オーミック用窓を第２の絶縁層で被僚保時する工程
と、高温で熱処理しショットキー接触の形成と、イオン
注入層のアニールと全同時に行なう工程と、前記第２の
絶縁層の一部全エノヂング除去して、ショットキー電極
数９出し用窓とオーミック電極取り出し用窓を開孔し、
前記ショットキー金属層の表面の一部とオーミック拡散
層とを露出させる工程と、上面よシー電極金属を蒸着し
、ショットキー電極とオーミック電極とを形成する工程
ケ含む。
第３図乃至第６図はその一実施例金子す製造工程断面図
で、とくにショットキー電極とその近傍のオーミック１
１を極の部分を示している。
で、とくにショットキー電極とその近傍のオーミック１
１を極の部分を示している。
甘ず、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板月基板上０３上
と逆導電型金示すエピタキシャル層１０２を成長した後
、モリブデン層１０５ ’に形成する。次に通常の写真
蝕刻法によｐＸ該モリブデン／ｅ１０５にショットキー
バリアー形成用パターン（ショットキー接触領域として
望まれる形状）に加工した後（第３図）、全面全酸化膜
層１０４で被覆する。次に通常の写真蝕刻法によりオー
ミック用窓全開孔し、エヒリギシャル層１０２を露出し
た後、」二面より一、ｆｆ、ドーズイオン注入を行ない
、オーミック拡散層１０８孕形成する。（第４図）。次
に全面を再び酸化膜一層１０９で被覆した後、高温で熱
処理することにより、モリブデンシリザイド層１１０？
形成すると同時に前記イオン注入層のアニールを行ない
オーミック接触細織全形成−ノーる。次にモリブデン層
１０５−ヒ及びオーミックイオン注入層１０８上の酸化
膜層１０９の一部を除去し、ショットキー霜゛、極取り
出し用窓とオーミック電極取り出し用窓全開孔した後（
第５図〕、電極となる金属を上面よシ蒸着してショット
キー電極１０Ｇ とオーミック電極１０フイ形成する（
第６図）。
と逆導電型金示すエピタキシャル層１０２を成長した後
、モリブデン層１０５ ’に形成する。次に通常の写真
蝕刻法によｐＸ該モリブデン／ｅ１０５にショットキー
バリアー形成用パターン（ショットキー接触領域として
望まれる形状）に加工した後（第３図）、全面全酸化膜
層１０４で被覆する。次に通常の写真蝕刻法によりオー
ミック用窓全開孔し、エヒリギシャル層１０２を露出し
た後、」二面より一、ｆｆ、ドーズイオン注入を行ない
、オーミック拡散層１０８孕形成する。（第４図）。次
に全面を再び酸化膜一層１０９で被覆した後、高温で熱
処理することにより、モリブデンシリザイド層１１０？
形成すると同時に前記イオン注入層のアニールを行ない
オーミック接触細織全形成−ノーる。次にモリブデン層
１０５−ヒ及びオーミックイオン注入層１０８上の酸化
膜層１０９の一部を除去し、ショットキー霜゛、極取り
出し用窓とオーミック電極取り出し用窓全開孔した後（
第５図〕、電極となる金属を上面よシ蒸着してショット
キー電極１０Ｇ とオーミック電極１０フイ形成する（
第６図）。
以上の実施例かられかるように本発明全適用したショッ
トキーダイオードにおいては、第２図に示す従来のよう
にモリブデン層及び電極金属層が酸化膜層合弁して半導
体基板とＭＯ８容量を形成する部分１１がない、即ち寄
生素子全作ってしまう構造’ｔ ｉ＋ｔけているので寄
生容量音大きく減少させることが可能となる。せブこ、
ブヨットキー金属を形成するだめの窓あけ］二程がない
ので、・ン曹ットキー金属とオーミック金属との相対的
位置相席が向上し、両電極間隔金狭くすることができる
ので、高周波特性及び周波数イＩＶ域＋１１が犬１１］
に改善された。さらに又、？ｌｉｌ全極１０６がモリブ
デン層と接触する１］、すなわち露出したモリブデン層
の＋ｌＪが従来の１／２〜１／４程度と非常に狭くなっ
ているので、電極パターン形成時にしばしば発生したモ
リブデン層の露出によるやられ不ｊλを全くなくすこと
がＵ」能となり、ウエノ・−歩留、Ｐ／’、Ｖ’ｃ大巾
に向上させることができるようになった。尚第６図のシ
ョットキーダイオードでは、モリブデン層と電極金属の
間に、新たにＭＯ３構造が形成されるが、同゛口を位で
あるのでこの部分が寄生容量とはならない。
トキーダイオードにおいては、第２図に示す従来のよう
にモリブデン層及び電極金属層が酸化膜層合弁して半導
体基板とＭＯ８容量を形成する部分１１がない、即ち寄
生素子全作ってしまう構造’ｔ ｉ＋ｔけているので寄
生容量音大きく減少させることが可能となる。せブこ、
ブヨットキー金属を形成するだめの窓あけ］二程がない
ので、・ン曹ットキー金属とオーミック金属との相対的
位置相席が向上し、両電極間隔金狭くすることができる
ので、高周波特性及び周波数イＩＶ域＋１１が犬１１］
に改善された。さらに又、？ｌｉｌ全極１０６がモリブ
デン層と接触する１］、すなわち露出したモリブデン層
の＋ｌＪが従来の１／２〜１／４程度と非常に狭くなっ
ているので、電極パターン形成時にしばしば発生したモ
リブデン層の露出によるやられ不ｊλを全くなくすこと
がＵ」能となり、ウエノ・−歩留、Ｐ／’、Ｖ’ｃ大巾
に向上させることができるようになった。尚第６図のシ
ョットキーダイオードでは、モリブデン層と電極金属の
間に、新たにＭＯ３構造が形成されるが、同゛口を位で
あるのでこの部分が寄生容量とはならない。
尚、ショットキー金属としてはモリブデン以外、白金や
金、アツベニウム等信のショットキー金属でもよいし、
ショットキー金属保睦用としての金属１０Ｇはオーミッ
ク金属１０７とは異なるものでよいし、必要がなければ
設けなくともよい。さらに、本構造および製法はショッ
トキーＦＦＪ１゛へ仝他の半導体装置にも同様に適用で
きる。
金、アツベニウム等信のショットキー金属でもよいし、
ショットキー金属保睦用としての金属１０Ｇはオーミッ
ク金属１０７とは異なるものでよいし、必要がなければ
設けなくともよい。さらに、本構造および製法はショッ
トキーＦＦＪ１゛へ仝他の半導体装置にも同様に適用で
きる。
４、図面の欲１ハへ、な醜、明
第１図は、横形ショットキーダイオードの平面図、第２
図は従来製法に３１ｅ用した場合の部分断面図、第３〜
第６図は本発明の一実施例による半導体装直音その好適
な製法順に示した各工程での部分ｌｌｒ面図である。
図は従来製法に３１ｅ用した場合の部分断面図、第３〜
第６図は本発明の一実施例による半導体装直音その好適
な製法順に示した各工程での部分ｌｌｒ面図である。
１．１０２・・・・・・酸化膜層、２，１０２・・・・
・・エヒ。
・・エヒ。
タキシャル層、、３，１０３・・・・・・半導体基板、
１０４・・・・・・酸化膜ｊ９イベ ５．１０５・・・
・・・モリブデン層、６．１０６・・・・・・保諜金属
層、７，１０７・・・・・・オーミック金属、１４．１
０８・・・・・・オーミック拡散ｌＡ１０９・・・・・
・酸化膜層、１０・・・・・・モリブデンシ１ノツ゛イ
ド層、１１・・・・・・ＭＯ８容量形成部分、１２・・
・・・・ショットキー電極、１３・・・・・・オーミッ
ク電４至。
１０４・・・・・・酸化膜ｊ９イベ ５．１０５・・・
・・・モリブデン層、６．１０６・・・・・・保諜金属
層、７，１０７・・・・・・オーミック金属、１４．１
０８・・・・・・オーミック拡散ｌＡ１０９・・・・・
・酸化膜層、１０・・・・・・モリブデンシ１ノツ゛イ
ド層、１１・・・・・・ＭＯ８容量形成部分、１２・・
・・・・ショットキー電極、１３・・・・・・オーミッ
ク電４至。
代理人 弁理士 内 原 晋（・亨：ｆ］Ａ
箔１凶
第２閃
Claims (1)
- 半導体基体と接触するショットキー金属と、このショッ
トキー金属の少なくとも１１１１面を覆うように設けら
れた絶執膜とを有し、前記ショットキー金属が前記絶縁
膜上に延在しないようなｆｉ’？造にしたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14027382A JPS5929456A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14027382A JPS5929456A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929456A true JPS5929456A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15264934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14027382A Pending JPS5929456A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108676A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Internatl Rectifier Corp | Ｉｉｉ族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493031A (ja) * | 1972-03-23 | 1974-01-11 | ||
| JPS50134582A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 | ||
| JPS5119957A (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co | |
| JPS5630701A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Nippon Electric Co | Voltage nonnlinear resistor |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14027382A patent/JPS5929456A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493031A (ja) * | 1972-03-23 | 1974-01-11 | ||
| JPS50134582A (ja) * | 1974-04-10 | 1975-10-24 | ||
| JPS5119957A (ja) * | 1974-08-09 | 1976-02-17 | Nippon Electric Co | |
| JPS5630701A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Nippon Electric Co | Voltage nonnlinear resistor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108676A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Internatl Rectifier Corp | Ｉｉｉ族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器 |
| JP4686321B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2011-05-25 | インターナショナル レクティフィアー コーポレイション | Ｉｉｉ族窒化物マルチチャンネルヘテロ接合インターデジタル整流器 |
| US8441030B2 (en) | 2004-09-30 | 2013-05-14 | International Rectifier Corporation | III-nitride multi-channel heterojunction interdigitated rectifier |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6204105B1 (en) | Method for fabricating a polycide semiconductor device | |
| JPS5950567A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5860574A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS5929456A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0864801A (ja) | 炭化けい素半導体素子およびその製造方法 | |
| US5686323A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having an out diffusion preventing film | |
| JPH0283920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2974839B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6273673A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS6144473A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61140133A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5929470A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3407763B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH02122669A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6050966A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS61156837A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3280416B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS5879770A (ja) | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタ | |
| JPH01246830A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS59191384A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH045860A (ja) | ショットキーダイオード | |
| JPS58197876A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5848460A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58135638A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04206842A (ja) | パッド形成方法 |