JPH045860A - ショットキーダイオード - Google Patents
ショットキーダイオードInfo
- Publication number
- JPH045860A JPH045860A JP10697090A JP10697090A JPH045860A JP H045860 A JPH045860 A JP H045860A JP 10697090 A JP10697090 A JP 10697090A JP 10697090 A JP10697090 A JP 10697090A JP H045860 A JPH045860 A JP H045860A
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- JP
- Japan
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- diode
- periphery
- region
- schottky diode
- silicide layer
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- Pending
Links
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 2
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ショットキーダイオードに関し、特に高融点
金属のシリサイドを半導体基板が接触して形成されるシ
ョットキーダイオードに関する。
金属のシリサイドを半導体基板が接触して形成されるシ
ョットキーダイオードに関する。
従来、高融点金属のシリサイドと半導体基板が接触して
形成されるショットキーダイオードでは、ロコス端の基
板濃度が高い領域とシリサイド層が接するのを防ぎ、こ
の部分での飽和電流を小さくし、逆方向特性の良好なシ
ョットキーダイオードを得るために、活性領域の周辺部
に不純物領域を設けている。しかし、従来、活性領域の
周辺部に不純物領域を有するショットキーダイオードは
、シリコン基板にフィールド酸化膜を形成した後、ホト
リングラフイー技術を用いて活性領域の周辺部に不純物
イオンの注入を行い、全面に層間絶縁膜を堆積し、次に
全面にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジスト
をマスクとして活性領域上の層間絶縁膜を除去した後、
全面に高融点金属のシリサイドのスパッタを行い、つづ
いてアルミのスパッタを行った後、パターニングするこ
とにより形成しているため、シリサイド層とアルミとの
コンタクトは活性領域直上でとられた構造となっていた
。
形成されるショットキーダイオードでは、ロコス端の基
板濃度が高い領域とシリサイド層が接するのを防ぎ、こ
の部分での飽和電流を小さくし、逆方向特性の良好なシ
ョットキーダイオードを得るために、活性領域の周辺部
に不純物領域を設けている。しかし、従来、活性領域の
周辺部に不純物領域を有するショットキーダイオードは
、シリコン基板にフィールド酸化膜を形成した後、ホト
リングラフイー技術を用いて活性領域の周辺部に不純物
イオンの注入を行い、全面に層間絶縁膜を堆積し、次に
全面にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジスト
をマスクとして活性領域上の層間絶縁膜を除去した後、
全面に高融点金属のシリサイドのスパッタを行い、つづ
いてアルミのスパッタを行った後、パターニングするこ
とにより形成しているため、シリサイド層とアルミとの
コンタクトは活性領域直上でとられた構造となっていた
。
上述した従来のショットキーダイオードは、コンタクト
孔が活性領域直上に設けられた構造となっているため、
熱によるアルミ、とシリコンとの相違拡散によりアルミ
がシリコン基板に突きａげダイオードの特性が変動する
という欠点がある。
孔が活性領域直上に設けられた構造となっているため、
熱によるアルミ、とシリコンとの相違拡散によりアルミ
がシリコン基板に突きａげダイオードの特性が変動する
という欠点がある。
さらに、高融点金属のシリサイドと半導体基板が接触し
て形成されるショットキーダイオードでは、活性領域に
高融点金属のシリサイド層を形成した後ｍ間膜の成長を
行い、レジストをマスクにコンタクト孔を開孔しアルミ
配線を設けることにより形成する方法があるが、このコ
ンタクト孔形成の際のオーバーエツチングなどコンタク
ト形成に関するプロセスのバラツキにより、高融点金属
のシリサイド層がエツチングされショットキーダイオー
ドの特性に影響を及ぼすという欠点がある。
て形成されるショットキーダイオードでは、活性領域に
高融点金属のシリサイド層を形成した後ｍ間膜の成長を
行い、レジストをマスクにコンタクト孔を開孔しアルミ
配線を設けることにより形成する方法があるが、このコ
ンタクト孔形成の際のオーバーエツチングなどコンタク
ト形成に関するプロセスのバラツキにより、高融点金属
のシリサイド層がエツチングされショットキーダイオー
ドの特性に影響を及ぼすという欠点がある。
本発明のショットキーダイオードは、高融点金属のシリ
サイドと半導体基板が接触して形成されるショットキー
ダイオードの活性領域周辺部に中濃度又は高濃度のＰ型
不純物領域を有し、高融点金属のシリサイド層とアルミ
とのコンタクトは周辺部の中濃度又は高濃度のＰ型不純
物領域の上に設けられた構造を有している。
サイドと半導体基板が接触して形成されるショットキー
ダイオードの活性領域周辺部に中濃度又は高濃度のＰ型
不純物領域を有し、高融点金属のシリサイド層とアルミ
とのコンタクトは周辺部の中濃度又は高濃度のＰ型不純
物領域の上に設けられた構造を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の製造方法を示す縦断面図で
ある。ｎ型シリコン基板１０１にフィールド酸化膜１０
２を形成した後、例えば気相成長法を用いて２００〜５
００人程度の薄い変形膜の成長を行い、ホトリソグラフ
ィ技術を用いてダイオード形成部の酸化膜を除去する。
ある。ｎ型シリコン基板１０１にフィールド酸化膜１０
２を形成した後、例えば気相成長法を用いて２００〜５
００人程度の薄い変形膜の成長を行い、ホトリソグラフ
ィ技術を用いてダイオード形成部の酸化膜を除去する。
次に、全面に例えば１００ＯＡ程度のＴｉ１０３のスパ
ッタを行う（第１図（ａ））。その後、ランプアニール
を用いて５００〜９００℃程度の温度で数十秒のアニー
ルを行い、選択的にＴｉシリサイド層１０４を形成する
。次にホトレジス）１０５を塗布し、露光・現像を行う
ことにより、ダイオード活性領域の周辺部のレジストを
除去する。次に、全面に例えば注入量１０１３〜１０１
６ｃｍ−２程度のＢイオンの注入１０６を行い、ダイオ
ードの周辺部にのみＰ型拡散層領域１０７を形成する。
ッタを行う（第１図（ａ））。その後、ランプアニール
を用いて５００〜９００℃程度の温度で数十秒のアニー
ルを行い、選択的にＴｉシリサイド層１０４を形成する
。次にホトレジス）１０５を塗布し、露光・現像を行う
ことにより、ダイオード活性領域の周辺部のレジストを
除去する。次に、全面に例えば注入量１０１３〜１０１
６ｃｍ−２程度のＢイオンの注入１０６を行い、ダイオ
ードの周辺部にのみＰ型拡散層領域１０７を形成する。
次に居間絶縁膜１０８を堆積し、コンタクト孔を形成す
る。つづいてアルミ配線１０９を設ければ、活性領域の
周辺部のＰ型拡散層領域上にコンタクトを有する。
る。つづいてアルミ配線１０９を設ければ、活性領域の
周辺部のＰ型拡散層領域上にコンタクトを有する。
Ｔｉシリサイドからなるショットキーダイオードを形成
することができる。
することができる。
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
ここでは、高融点金属のシリサイドとしてＷシリサイド
を用いている。
を用いている。
以上説明したように本発明は、高融点金属のシリサイド
と半導体基板が接触して形成されるショットキーダイオ
ードにおいて、活性領域の周辺部に中濃度又は高濃度の
Ｐ型不純物領域を有し、アルミ配線と高融点金属のシリ
サイド層とのコンタクトをこの中濃度又は高濃度のＰ型
不純物領域上に設けることにより、アルミが高融点金属
のシリサイド層を突き抜けてもダイオード特性が変動す
るのを防ぐことができるという効果を有する。
と半導体基板が接触して形成されるショットキーダイオ
ードにおいて、活性領域の周辺部に中濃度又は高濃度の
Ｐ型不純物領域を有し、アルミ配線と高融点金属のシリ
サイド層とのコンタクトをこの中濃度又は高濃度のＰ型
不純物領域上に設けることにより、アルミが高融点金属
のシリサイド層を突き抜けてもダイオード特性が変動す
るのを防ぐことができるという効果を有する。
これは、コンタクト部でアルミが一部シリサイド層を突
き抜けても、下にはＰ型不純物領域があり、基板とＰ型
不純物領域とからなるＰＮダイオードの■アは０．９ｖ
程度であるため、先にｖＦの小さい高融点金属のシリサ
イドからなるショットキーダイオードの特性が見えてく
るためである。
き抜けても、下にはＰ型不純物領域があり、基板とＰ型
不純物領域とからなるＰＮダイオードの■アは０．９ｖ
程度であるため、先にｖＦの小さい高融点金属のシリサ
イドからなるショットキーダイオードの特性が見えてく
るためである。
さらに、このことはコンタクト部での高融点金属のシリ
サイド層の膜厚のバラツキなどがショットキーダイオー
ドの特性に影響を及ぼしにくくする効果がある。実際、
耐熱性に関しては第３図に示す様にア四イ温度を４００
℃から４５０℃にあげると従来３０％程度のｖＦの変動
があったものが本発明のショットキーダイオードでは１
％程度の変動におさえることができている。
サイド層の膜厚のバラツキなどがショットキーダイオー
ドの特性に影響を及ぼしにくくする効果がある。実際、
耐熱性に関しては第３図に示す様にア四イ温度を４００
℃から４５０℃にあげると従来３０％程度のｖＦの変動
があったものが本発明のショットキーダイオードでは１
％程度の変動におさえることができている。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第一の実施例を工程毎
に示した縦断面図であり、第２図は本発明の第二の実施
例の縦断面図、第３図は本発明のショットキーダイオー
ドのアロイ温度と■、の変動量の関係を示すグラフであ
る。 １０１・・・・・・ｎ型シリコン基板、１０２・・・・
・・フィールド酸化膜、１０３・・・・・・Ｔｉ、１０
４・・・・・Ｔｉシリサイド層、１０５・・・・・・ホ
トレジスト、１０６・・・・・・Ｂイオン注入、１０７
・・・・・・Ｐ型不純物領域、１０８・・・・・・層間
絶縁膜、１０９・・・・・・アルミ配線、２０１・・・
・・・ｎ型シリコン基板、２０２・・・・・・フィール
ド酸化膜、２０３・・・・・・Ｐ型不純物領域、２０４
・・・・・・Ｗシリサイド層、２０５・・・・・・層間
絶縁膜、２０６・・・・・・アルミ配線。 代理人 弁理士 内 原 晋
に示した縦断面図であり、第２図は本発明の第二の実施
例の縦断面図、第３図は本発明のショットキーダイオー
ドのアロイ温度と■、の変動量の関係を示すグラフであ
る。 １０１・・・・・・ｎ型シリコン基板、１０２・・・・
・・フィールド酸化膜、１０３・・・・・・Ｔｉ、１０
４・・・・・Ｔｉシリサイド層、１０５・・・・・・ホ
トレジスト、１０６・・・・・・Ｂイオン注入、１０７
・・・・・・Ｐ型不純物領域、１０８・・・・・・層間
絶縁膜、１０９・・・・・・アルミ配線、２０１・・・
・・・ｎ型シリコン基板、２０２・・・・・・フィール
ド酸化膜、２０３・・・・・・Ｐ型不純物領域、２０４
・・・・・・Ｗシリサイド層、２０５・・・・・・層間
絶縁膜、２０６・・・・・・アルミ配線。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (2)
- （１）高融点金属のシリサイドと半導体基板が接触して
形成されるショットキーダイオードにおいて、活性領域
の周辺部に中濃度又は高濃度のＰ型不純物領域を有し、
アルミを含む金属配線と前記高融点金属のシリサイド層
とのコンタクトを前記中濃度又は高濃度のＰ型不純物領
域上に設けることを特徴とするショットキーダイオード - （２）前記高融点金属のシリサイド層はチタンシリサイ
ド層又はタングステンシリサイド層である請求項１記載
のショットキーダイオード
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10697090A JPH045860A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ショットキーダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10697090A JPH045860A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ショットキーダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH045860A true JPH045860A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14447167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10697090A Pending JPH045860A (ja) | 1990-04-23 | 1990-04-23 | ショットキーダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH045860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030216A2 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-10 | International Rectifier Corporation | Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier |
| JP2013153170A (ja) * | 2013-02-12 | 2013-08-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-04-23 JP JP10697090A patent/JPH045860A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003030216A2 (en) * | 2001-10-01 | 2003-04-10 | International Rectifier Corporation | Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier |
| WO2003030216A3 (en) * | 2001-10-01 | 2003-07-10 | Int Rectifier Corp | Process for counter doping n-type silicon in schottky device with ti silicide barrier |
| US6846729B2 (en) * | 2001-10-01 | 2005-01-25 | International Rectifier Corporation | Process for counter doping N-type silicon in Schottky device Ti silicide barrier |
| JP2013153170A (ja) * | 2013-02-12 | 2013-08-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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