JPS5927115B2 - 情報検出装置 - Google Patents
情報検出装置Info
- Publication number
- JPS5927115B2 JPS5927115B2 JP752141A JP214175A JPS5927115B2 JP S5927115 B2 JPS5927115 B2 JP S5927115B2 JP 752141 A JP752141 A JP 752141A JP 214175 A JP214175 A JP 214175A JP S5927115 B2 JPS5927115 B2 JP S5927115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current paths
- magnetic field
- output
- magnetoelectric transducer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic System
- C07F9/66—Arsenic compounds
- C07F9/70—Organo-arsenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
- G01P3/42—Devices characterised by the use of electric or magnetic means
- G01P3/44—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed
- G01P3/48—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage
- G01P3/481—Devices characterised by the use of electric or magnetic means for measuring angular speed by measuring frequency of generated current or voltage of pulse signals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/07—Hall effect devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K7/00—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
- G06K7/08—Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
- H03K17/9517—Proximity switches using a magnetic detector using galvanomagnetic devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁界の方向に応じた大きさの電気信号を得る磁
電変換素子を用いた情報検出装置に関するものである。
電変換素子を用いた情報検出装置に関するものである。
従来より、例えは複数の金属片をシート面上に、情報内
容に応じて配設し、これらの金属片の有無を、光電変換
素子、磁電変換素子等により検出することにより、情報
を読み出す方法が知られている。
容に応じて配設し、これらの金属片の有無を、光電変換
素子、磁電変換素子等により検出することにより、情報
を読み出す方法が知られている。
しかしながらこれらの方法は精度、価格等の点で問題が
あり、また読み出し装置の構成も複雑なものとなる等の
欠点があつた。本発明は上記の問題及び欠点を除去する
ためのもので、（ａ）夫々磁気抵抗の異方性効果を有す
る強磁性体から成る第１及び第２の電流通路を直列に接
続したこと。
あり、また読み出し装置の構成も複雑なものとなる等の
欠点があつた。本発明は上記の問題及び欠点を除去する
ためのもので、（ａ）夫々磁気抵抗の異方性効果を有す
る強磁性体から成る第１及び第２の電流通路を直列に接
続したこと。
（ｂ）前記第１及び第２電流通路の主電流通路を夫々互
いに略直交する如く配したこと。（ｃ）前記第１及び第
２の電流通路の接続点に出力端子を設けたこと。（ｄ）
前記第１及び第２の電流通路の他端側には電流供給端子
を設けたこと。から成る磁電変換素子に所定の角度でバ
イアス磁界を加えて、この磁電変換素子を、導磁性物質
を情報の内容に応じて適宜間隔を以つて複数個配設した
情報記録媒体に近接対向させ、両者を相対的に移動させ
ることにより、上記磁電変換素子より、上記導磁性物質
の有無に応じた検出信号を得るようにした情報検出装置
を提供するものである。
いに略直交する如く配したこと。（ｃ）前記第１及び第
２の電流通路の接続点に出力端子を設けたこと。（ｄ）
前記第１及び第２の電流通路の他端側には電流供給端子
を設けたこと。から成る磁電変換素子に所定の角度でバ
イアス磁界を加えて、この磁電変換素子を、導磁性物質
を情報の内容に応じて適宜間隔を以つて複数個配設した
情報記録媒体に近接対向させ、両者を相対的に移動させ
ることにより、上記磁電変換素子より、上記導磁性物質
の有無に応じた検出信号を得るようにした情報検出装置
を提供するものである。
先ず本発明に用いられる磁電変換素子の概略を説明する
。尚この磁電変換素子は本出願人が先に特願昭４８−第
７９６５５号（特開昭５０一０２８９８９号）として提
案したものである。第１図は構造を示すもので、ガラス
等より成る基板１の表面に、ニッケルコバルトのような
磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体Ａ、Ｂの薄膜が
形成されており、この強磁性体Ａ、Ｂは強磁性材料をパ
ターン状に蒸着し、又は全面に蒸着した後エッチングし
て形成されている。この強磁性体Ａ、Ｂは主電流通路と
なる複数の直線部分２Ａ、２Ｂと、これらを連結する屈
曲部３Ａ、３Ｂとから夫々形成されており、前記直線部
分２Ａ、２Ｂは互いに略直交するように配されている。
また直線部分２Ａ、２Ｂの各端部４Ａ、４Ｂは接続され
ていて強磁性体Ａ、Ｂは直列接続となつている。この接
続部に出力端子５が形成され、さらに直線部分２Ａ，２
Ｂの他端部６Ａ，６Ｂには夫々電流７Ａ，７Ｂが形成さ
れている。第２図は動作原理図で、電流端子７Ａ，７Ｂ
が電源８に接続され、且つ一方の電流端子７Ｂはアース
されており、全体として磁電変換回路９を構成している
。
。尚この磁電変換素子は本出願人が先に特願昭４８−第
７９６５５号（特開昭５０一０２８９８９号）として提
案したものである。第１図は構造を示すもので、ガラス
等より成る基板１の表面に、ニッケルコバルトのような
磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体Ａ、Ｂの薄膜が
形成されており、この強磁性体Ａ、Ｂは強磁性材料をパ
ターン状に蒸着し、又は全面に蒸着した後エッチングし
て形成されている。この強磁性体Ａ、Ｂは主電流通路と
なる複数の直線部分２Ａ、２Ｂと、これらを連結する屈
曲部３Ａ、３Ｂとから夫々形成されており、前記直線部
分２Ａ、２Ｂは互いに略直交するように配されている。
また直線部分２Ａ、２Ｂの各端部４Ａ、４Ｂは接続され
ていて強磁性体Ａ、Ｂは直列接続となつている。この接
続部に出力端子５が形成され、さらに直線部分２Ａ，２
Ｂの他端部６Ａ，６Ｂには夫々電流７Ａ，７Ｂが形成さ
れている。第２図は動作原理図で、電流端子７Ａ，７Ｂ
が電源８に接続され、且つ一方の電流端子７Ｂはアース
されており、全体として磁電変換回路９を構成している
。
今強磁性体Ａ，Ｂを飽和磁化させるに充分な強さの磁界
Ｈ（例えば５００ｅ）を、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面に
於いて、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流方
向に対して角度θを以つて加えると、強磁性体Ａ，Ｂの
各電気抵抗ρＡ、ρＢが変化し、その変化は角度θによ
り次式で表わされる。
Ｈ（例えば５００ｅ）を、強磁性体Ａ，Ｂのなす平面に
於いて、強磁性体Ａの直線部分２Ａの方向、即ち電流方
向に対して角度θを以つて加えると、強磁性体Ａ，Ｂの
各電気抵抗ρＡ、ρＢが変化し、その変化は角度θによ
り次式で表わされる。
但し、ρ１は強磁性体Ａ，Ｂを電流と垂直方向に飽和磁
化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗ρ，は同じく電
流と平行方向に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電
気抵抗である。
化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電気抵抗ρ，は同じく電
流と平行方向に飽和磁化したときの強磁性体Ａ，Ｂの電
気抵抗である。
また出力端子５の電圧Ｖθは、強磁性体Ａ，Ｂは直列接
続であるから、電源電圧をＶ。
続であるから、電源電圧をＶ。
とすれば次式で表わされる。３式に１２式を代入して整
理すると、 となり、この４式に於いて右辺第項は基準電圧を表し、
第２項は変化量を表すものとなる。
理すると、 となり、この４式に於いて右辺第項は基準電圧を表し、
第２項は変化量を表すものとなる。
従つて出力端子５の電圧Ｖθは、磁界Ｈの方向により変
化し、その出力変化は第３図のように、０よ、１８０、
で最小値、９０第、２７０うで最大値をとる正弦波形と
なる。
化し、その出力変化は第３図のように、０よ、１８０、
で最小値、９０第、２７０うで最大値をとる正弦波形と
なる。
第４図は等価回路を示すもので、強磁性体Ａ，Ｂを可変
抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向により変化するも
のとして考えることができる。
抵抗とし、その抵抗値が磁界Ｈの方向により変化するも
のとして考えることができる。
次に上述した磁電変換素子を用いた本発明による情報検
出装置の原理について、図面と共に説明する。尚以下の
説明に於いては、上記磁電変換素子をＤＭＥ（Ｄｅｖｉ
ｄｅｒＴｙｐｅＭａｇｎｅｔＯｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＥ
ｌｅｍｅｎｔ）と略称する。
出装置の原理について、図面と共に説明する。尚以下の
説明に於いては、上記磁電変換素子をＤＭＥ（Ｄｅｖｉ
ｄｅｒＴｙｐｅＭａｇｎｅｔＯｒｅｓｉｓｔａｎｃｅＥ
ｌｅｍｅｎｔ）と略称する。
第５図は本発明による検出素子１０の構造を示すもので
、この検出素子１０はＤＭＥｌｌとバイアスマグネツト
１２とより成るものである。
、この検出素子１０はＤＭＥｌｌとバイアスマグネツト
１２とより成るものである。
バイアスマグネツト１２は例えばバリウムフエライト等
を材質とする板状のもので、長さ方向にＮ−Ｓ磁極が着
磁されている。ＤＭＥｌｌはこのバイアスマグネツト１
２の片面に、この図ではＮ極側に接着されている。尚Ｄ
ＭＥｌｌはバイアスマグネット１２の全面に接着しても
よい。第５図の状態ではＤＭＥｌｌに対するバイアスマ
グネツト１２によるバイアス磁界Ｈ１の方向は、主電流
通路となる直線部分２Ｂ（第１図参照）に対して略直交
している。第６図は透磁率の高い金属片１３を被検出物
として、この金属片１３に上記検出素子１０を間隔ｄを
以つて近接対向させた状態を示すものである。
を材質とする板状のもので、長さ方向にＮ−Ｓ磁極が着
磁されている。ＤＭＥｌｌはこのバイアスマグネツト１
２の片面に、この図ではＮ極側に接着されている。尚Ｄ
ＭＥｌｌはバイアスマグネット１２の全面に接着しても
よい。第５図の状態ではＤＭＥｌｌに対するバイアスマ
グネツト１２によるバイアス磁界Ｈ１の方向は、主電流
通路となる直線部分２Ｂ（第１図参照）に対して略直交
している。第６図は透磁率の高い金属片１３を被検出物
として、この金属片１３に上記検出素子１０を間隔ｄを
以つて近接対向させた状態を示すものである。
この状態ではバイアスマグネツ口２から出る磁束の一部
は金属片１３に収束され、これにより前記バイアス磁界
Ｈ１に対して直交する磁界Ｈ２が生じる。これらの二つ
の磁界Ｈ１とＨ２とによる合成磁界Ｈ。が、ＤＭＥｌＯ
の強磁性体Ａ，Ｂ面に角度θを以つて作用し、出力端子
５よりこの合成磁界ＨＯによる出力電圧Ｖθの変化量Δ
Ｖθが得られる。そして金属片１３のｘ方向の移動によ
り角度θが変化し、従つて上記ΔＨが変化する。第７図
はＤＭＥｌｌに作用する磁界の強さＨに対する出力電圧
ΔＶＨの変化を示す特性図で、曲線ａは第１図の直線部
分２Ｂに対して平行な磁界Ｈを加えた場合の出力特性、
曲線ｂは直線部分２Ｂに対して直交する磁界Ｈを加えた
場合の出力特性を示すものである。
は金属片１３に収束され、これにより前記バイアス磁界
Ｈ１に対して直交する磁界Ｈ２が生じる。これらの二つ
の磁界Ｈ１とＨ２とによる合成磁界Ｈ。が、ＤＭＥｌＯ
の強磁性体Ａ，Ｂ面に角度θを以つて作用し、出力端子
５よりこの合成磁界ＨＯによる出力電圧Ｖθの変化量Δ
Ｖθが得られる。そして金属片１３のｘ方向の移動によ
り角度θが変化し、従つて上記ΔＨが変化する。第７図
はＤＭＥｌｌに作用する磁界の強さＨに対する出力電圧
ΔＶＨの変化を示す特性図で、曲線ａは第１図の直線部
分２Ｂに対して平行な磁界Ｈを加えた場合の出力特性、
曲線ｂは直線部分２Ｂに対して直交する磁界Ｈを加えた
場合の出力特性を示すものである。
曲線Ａ，ｂの出力電圧ΔＶθは互いに絶対値が等しく、
印加磁界Ｈの増大と共に夫々正負に増大して飽和磁界５
００ｅで飽和しその後一定となる。前記第３図の特性は
この飽和磁界中にＤＭＥｌｌを置いた場合のものである
。前記第５図のようにＤＭＥｌｌにバイアス磁界Ｈ１が
加えられた状態では、このＤＭＥｌｌの出力端子５から
は、第７図に於ける曲線ｂの点Ｐに対応する出力電圧Δ
Ｈ１が得られる。
印加磁界Ｈの増大と共に夫々正負に増大して飽和磁界５
００ｅで飽和しその後一定となる。前記第３図の特性は
この飽和磁界中にＤＭＥｌｌを置いた場合のものである
。前記第５図のようにＤＭＥｌｌにバイアス磁界Ｈ１が
加えられた状態では、このＤＭＥｌｌの出力端子５から
は、第７図に於ける曲線ｂの点Ｐに対応する出力電圧Δ
Ｈ１が得られる。
そして第６図のようにＤＭＥｌｌに合成磁界Ｈ。が加え
られた状態では、出力電圧は上記ΔＨ１からΔθだけ変
化した点Ｑの位置の大きさとなり、このＱ点は合成磁界
Ｈ。の加えられる角度θにより曲線ｃのように変化する
。第８図は検出素子１０を用いた情報検出方法の原理的
回路を示すものである。
られた状態では、出力電圧は上記ΔＨ１からΔθだけ変
化した点Ｑの位置の大きさとなり、このＱ点は合成磁界
Ｈ。の加えられる角度θにより曲線ｃのように変化する
。第８図は検出素子１０を用いた情報検出方法の原理的
回路を示すものである。
ＤＭＥｌｌの電流端子７Ａ，７Ｂに電源８を接続すると
共に、ＤＭＥｌｌの強磁性体Ａ，Ｂと抵抗Ｒｌ，Ｒ２と
によりブリツジを組み、ＤＭＥｌｌの出力端子５及び抵
抗Ｒｌ，Ｒ２の接続中点を差動アンプ１４の２つの入力
端子に夫々接続し７てある。第８図に於いて、抵抗Ｒ２
を変えてブリツジの平衡をとり、金属片１３をｘ方向に
移動させると、次の電圧を得る。
共に、ＤＭＥｌｌの強磁性体Ａ，Ｂと抵抗Ｒｌ，Ｒ２と
によりブリツジを組み、ＤＭＥｌｌの出力端子５及び抵
抗Ｒｌ，Ｒ２の接続中点を差動アンプ１４の２つの入力
端子に夫々接続し７てある。第８図に於いて、抵抗Ｒ２
を変えてブリツジの平衡をとり、金属片１３をｘ方向に
移動させると、次の電圧を得る。
但しｅ１は抵抗Ｒｌ，Ｒ２の接続中点の電圧、Ｅ２は出
力端子５の電圧、Ｖ（ｘ）は金属片１３の移動距離に応
じて表われる交流成分電圧を夫々示す。
力端子５の電圧、Ｖ（ｘ）は金属片１３の移動距離に応
じて表われる交流成分電圧を夫々示す。
上記電圧Ｅｌ，ｅ２を差動増巾度αの差動アンプ１４に
加えるとその出力端子１５より、次の出力電圧Ｅ。を得
ることができる。第８図に於ける抵抗Ｒｌ，Ｒ２は、こ
れに代えて他のＤＭＥを用いることができ、このＤＭＥ
とＤＭＥｌｌとによりブリツジを組むことが可能である
。
加えるとその出力端子１５より、次の出力電圧Ｅ。を得
ることができる。第８図に於ける抵抗Ｒｌ，Ｒ２は、こ
れに代えて他のＤＭＥを用いることができ、このＤＭＥ
とＤＭＥｌｌとによりブリツジを組むことが可能である
。
これにより回路の温度補償を行うことができる。また上
記２個のＤＭＥは同一の基板上に形成することが可能で
ある。次に金属片１３の種々の形状のものについて、上
記第８図の情報検出方法を用いて実験した結果を述べる
。
記２個のＤＭＥは同一の基板上に形成することが可能で
ある。次に金属片１３の種々の形状のものについて、上
記第８図の情報検出方法を用いて実験した結果を述べる
。
尚ＤＭＥｌｌは直線部分２Ａ，２Ｂの長さｌ−１ｍｍ（
第１図参照）のものを使用した。第９図ａは金属片１３
として長さＬ−４０ｍｍ、巾Ｗ＝６ｍｍ、厚さＴ＝６ｍ
ｍ、の軟鉄を用い、バイアスマグネツト１２として、長
さ１１＝３ｍｍ、 巾ｗ１＝２ｍｍ１厚さ［１＝０．５
ｍ７！Ｌ（１７）ＣｕＮｉＦｅ合金を用い、またＤＭＥ
ｌｌの基板１の巾Ｗ２＝１ｍｍ１厚さ［２＝０．７ｍｍ
のものを用いた場合を示し、金属片１３はＸ方向に移動
するものとする。第９図ｂは第９図ａの場合に得られる
前記第７式による出力電圧Ｅ。を示す特性図で、検出素
子１０と金属片１３との間隔ｄを０．５，１，１．５，
２ｍ１１とした場合について夫々示してある。この場合
の出力特性は金属片１３がｘ方向に移動して、その側縁
部１３ａ，１３ｂが検出素子１０を通過するとき、ＤＭ
Ｅｌｌに加えられる前記合成磁界ＨＯの方向が急激に変
化するため、図示のように出力が急激に変化している。
従つてこの出力特性の急激に変化する部分を使用するこ
とにより金属片１３の位置検出を行うことができる。ま
た間隔ｄが小さくなる程出力変化が急激になるため検出
精度を上げることができると共に１羽以下に近接すれば
略１Ｖｐ−ｐの最大出力を得ることができる。第１０図
ａはバイアスマグネツト１２として、ｔ１−１ｍｕのバ
リウムフエライトを用いた場合を示す。
第１図参照）のものを使用した。第９図ａは金属片１３
として長さＬ−４０ｍｍ、巾Ｗ＝６ｍｍ、厚さＴ＝６ｍ
ｍ、の軟鉄を用い、バイアスマグネツト１２として、長
さ１１＝３ｍｍ、 巾ｗ１＝２ｍｍ１厚さ［１＝０．５
ｍ７！Ｌ（１７）ＣｕＮｉＦｅ合金を用い、またＤＭＥ
ｌｌの基板１の巾Ｗ２＝１ｍｍ１厚さ［２＝０．７ｍｍ
のものを用いた場合を示し、金属片１３はＸ方向に移動
するものとする。第９図ｂは第９図ａの場合に得られる
前記第７式による出力電圧Ｅ。を示す特性図で、検出素
子１０と金属片１３との間隔ｄを０．５，１，１．５，
２ｍ１１とした場合について夫々示してある。この場合
の出力特性は金属片１３がｘ方向に移動して、その側縁
部１３ａ，１３ｂが検出素子１０を通過するとき、ＤＭ
Ｅｌｌに加えられる前記合成磁界ＨＯの方向が急激に変
化するため、図示のように出力が急激に変化している。
従つてこの出力特性の急激に変化する部分を使用するこ
とにより金属片１３の位置検出を行うことができる。ま
た間隔ｄが小さくなる程出力変化が急激になるため検出
精度を上げることができると共に１羽以下に近接すれば
略１Ｖｐ−ｐの最大出力を得ることができる。第１０図
ａはバイアスマグネツト１２として、ｔ１−１ｍｕのバ
リウムフエライトを用いた場合を示す。
尚このバイアスマグネツト１２の他の寸法及び金属片１
３の材質と各寸法は第９図ａの場合と同じである。第１
０図ｂは出力特性を示すもので、この場合は最大出力も
１．５Ｖｐ−ｐと高くなり、感度も金属片１３の移動に
対して８ｍｖ／１０μｍと極めて高いものとなつている
。
３の材質と各寸法は第９図ａの場合と同じである。第１
０図ｂは出力特性を示すもので、この場合は最大出力も
１．５Ｖｐ−ｐと高くなり、感度も金属片１３の移動に
対して８ｍｖ／１０μｍと極めて高いものとなつている
。
第１１図ａは金属片１３として直径４ｍ７７！．長さＬ
−２０ｍＴＬの円柱状軟鉄を用い、バイアスマグネツ口
２としてｔ１−０．５ｍｍのバリウムフエライトを用い
た場合で、検出素子１０の他寸法は前記第９図ａの場合
と同じである。
−２０ｍＴＬの円柱状軟鉄を用い、バイアスマグネツ口
２としてｔ１−０．５ｍｍのバリウムフエライトを用い
た場合で、検出素子１０の他寸法は前記第９図ａの場合
と同じである。
第１１図ｂは出力特性を示すもので、最大出力１．８Ｖ
ｐ−ｐ、感度８ｍｖ／μｍを得ることができる。
ｐ−ｐ、感度８ｍｖ／μｍを得ることができる。
またこの場合は円柱状の金属片１３がＯ点より僅かに移
動するだけで出力が変化する特性となつている。以上の
第９図ｂ、第１０図ｂ及び第１１図ｂの各出力特性は、
第８図に於いて差動アンプ１４の２つの入力端子に加え
られる電圧Ｅｌ，ｅ２を入れ替えることにより、各出力
特性曲線の正負を逆にすることができる。
動するだけで出力が変化する特性となつている。以上の
第９図ｂ、第１０図ｂ及び第１１図ｂの各出力特性は、
第８図に於いて差動アンプ１４の２つの入力端子に加え
られる電圧Ｅｌ，ｅ２を入れ替えることにより、各出力
特性曲線の正負を逆にすることができる。
また金属片１３及び検出素子１０の寸法を変えることに
より特性を適宜変えることができる。次に上記情報検出
方法の応用例として非接触スイツチに適用した場合につ
いて説明する。
より特性を適宜変えることができる。次に上記情報検出
方法の応用例として非接触スイツチに適用した場合につ
いて説明する。
第１２図ａはその回路系統を示し、１６は検出回路で、
前記第８図の原理に基く回路である。
前記第８図の原理に基く回路である。
１７はシユミツト回路等の波形変換回路、１８は増巾器
、１９はリレーである。
、１９はリレーである。
上記各回路には電源８より例えば±１２Ｖの電圧が供給
されている。
されている。
上記構成によれは、検出回路１６より、例えは第１２図
ｂに示すような、第９〜１０図ｂに示す出力特性による
波形を有するアナログ出力電圧ＥＯを得ることができる
。
ｂに示すような、第９〜１０図ｂに示す出力特性による
波形を有するアナログ出力電圧ＥＯを得ることができる
。
この出力Ｅ。を波形変換回路１７に加えれば、ＥＯの適
宜レベルで変換されたパルスｐを得ることができる。こ
のパルスｐによりリレー１９を動作させるようにすれば
、定点で０Ｎ−ＯＦＦする非接触スイツチを実現するこ
とができる。このような非接触スイツチによれば、出力
電圧ＥＯが零付近では、金属片１３の変位に対する出力
電圧Ｅ。
宜レベルで変換されたパルスｐを得ることができる。こ
のパルスｐによりリレー１９を動作させるようにすれば
、定点で０Ｎ−ＯＦＦする非接触スイツチを実現するこ
とができる。このような非接触スイツチによれば、出力
電圧ＥＯが零付近では、金属片１３の変位に対する出力
電圧Ｅ。
の傾斜が大きいため、繰返し精度数μｍと極めて高い精
度で動作させることができる。また金属片１３の位置設
定は出力電圧Ｅ。をメータ等で目視しながら行うことに
より、容易に正確に行うことができる。尚金属片１３と
しては軟鉄の外にパーマロイ等の導磁性物質を用いるこ
とができ、特に透磁率の高い（約１０位）ものであれば
感度をより高めることができる。
度で動作させることができる。また金属片１３の位置設
定は出力電圧Ｅ。をメータ等で目視しながら行うことに
より、容易に正確に行うことができる。尚金属片１３と
しては軟鉄の外にパーマロイ等の導磁性物質を用いるこ
とができ、特に透磁率の高い（約１０位）ものであれば
感度をより高めることができる。
またＤＭＥｌｌに加えるバイアス磁界Ｈ１は、原理的に
は直線部分２Ｂ又は２Ａに対して任意の角度で加えても
出力Ｅ。を得ることができるが、前述の実施例のように
直角方向から加えた場合に最高の感度を得ることができ
る。次に本発明による情報記録媒体の実施例について説
明する。第１３図は第１の実施例を示すもので、記録媒
体２０は、軟鉄、パーマロイ等より成る帯形の形状を有
している。
は直線部分２Ｂ又は２Ａに対して任意の角度で加えても
出力Ｅ。を得ることができるが、前述の実施例のように
直角方向から加えた場合に最高の感度を得ることができ
る。次に本発明による情報記録媒体の実施例について説
明する。第１３図は第１の実施例を示すもので、記録媒
体２０は、軟鉄、パーマロイ等より成る帯形の形状を有
している。
この記録媒体２０には、所定の寸法を有する多数の角孔
２１が、所定の間隔ｍを以つて、且つ各角孔２１の１ピ
ツチ長さをλとして穿設されている。これらの角孔２１
はフオトエツチング等の技術により、高い精度で穿設す
ることが可能である。また検出素子１０がこの記録媒体
２０に近接して所定の位置に配置され、この検出素子１
０には、図示せずも前記第８図の原理に基く検出装置が
接続されている。上記構成によれば、記録媒体２０を士
ｘ方向に移動させることにより、検出素子１０が、角孔
２１の間隔ｍ部分を通過する毎に、例えば第１１図ｂの
ような波形を有する出力電圧Ｅ。
２１が、所定の間隔ｍを以つて、且つ各角孔２１の１ピ
ツチ長さをλとして穿設されている。これらの角孔２１
はフオトエツチング等の技術により、高い精度で穿設す
ることが可能である。また検出素子１０がこの記録媒体
２０に近接して所定の位置に配置され、この検出素子１
０には、図示せずも前記第８図の原理に基く検出装置が
接続されている。上記構成によれば、記録媒体２０を士
ｘ方向に移動させることにより、検出素子１０が、角孔
２１の間隔ｍ部分を通過する毎に、例えば第１１図ｂの
ような波形を有する出力電圧Ｅ。
を順次に得ることができる。この出力電圧Ｅ。を、例え
ば第１２図ｂのようなパルスｐに変換してこれを計数す
ることにより、記録媒体２０の移動距離を知ることがで
きる。従つてこめような記録媒体２０は測長器等に利用
することができる。第１４図は第２の実施例を示すもの
で、記録媒体２０に、上記角孔２１を２つのトラツクＴ
１、Ｔ２に夫々配列してある。
ば第１２図ｂのようなパルスｐに変換してこれを計数す
ることにより、記録媒体２０の移動距離を知ることがで
きる。従つてこめような記録媒体２０は測長器等に利用
することができる。第１４図は第２の実施例を示すもの
で、記録媒体２０に、上記角孔２１を２つのトラツクＴ
１、Ｔ２に夫々配列してある。
そして第１のトラツクＴ１の角孔２１と、第２のトラツ
クＴ２の角孔λ λ２１とは、互いに一又は一だけ
ずらせて穿設されている。
クＴ２の角孔λ λ２１とは、互いに一又は一だけ
ずらせて穿設されている。
また２つの検出素子１０ａ，１０ｂが夫夫のトラツクＴ
ｌ，Ｔ２に対応して配設されている。上記構成によれば
、記録媒体２０が＋ｘ方向に移動した場合には、先ず検
出素子１０ｂより、第２のトラツクＴ２からの出力電圧
Ｅ。が得られる。また記録媒体２０が−ｘ方向に移動し
た場合には、先づ検出素子１０ａより、第２のトラツク
Ｔ２からの出力電圧Ｅ。が得られる。このように記録媒
体２０の移動方向により、検出素子１０ａ，１０ｂより
得られる出力電圧Ｅ。の順序が異るため、記録媒体２０
の移動方向を検出することが可能となる。第１５図は記
録媒体の第３の実施例を示すもので、軸２２に固定され
た円板状記録媒体２３には、多数の角孔２１が所定のピ
ツチλ及び間隔ｍを以つて放射状に穿設されている。
ｌ，Ｔ２に対応して配設されている。上記構成によれば
、記録媒体２０が＋ｘ方向に移動した場合には、先ず検
出素子１０ｂより、第２のトラツクＴ２からの出力電圧
Ｅ。が得られる。また記録媒体２０が−ｘ方向に移動し
た場合には、先づ検出素子１０ａより、第２のトラツク
Ｔ２からの出力電圧Ｅ。が得られる。このように記録媒
体２０の移動方向により、検出素子１０ａ，１０ｂより
得られる出力電圧Ｅ。の順序が異るため、記録媒体２０
の移動方向を検出することが可能となる。第１５図は記
録媒体の第３の実施例を示すもので、軸２２に固定され
た円板状記録媒体２３には、多数の角孔２１が所定のピ
ツチλ及び間隔ｍを以つて放射状に穿設されている。
この記録媒体２３によれば、軸２２の回転により、その
回転数に応じた間隔で、出力電圧Ｅ。を得ることができ
る。第１６図は第４の実施例を示すもので、軸２２に固
定された円筒状の記録媒体２４の側面に、角λ λ孔
２１が２つのトラツクＴｌ，Ｔ２に互いにイ又は．ずら
せて穿設されている。
回転数に応じた間隔で、出力電圧Ｅ。を得ることができ
る。第１６図は第４の実施例を示すもので、軸２２に固
定された円筒状の記録媒体２４の側面に、角λ λ孔
２１が２つのトラツクＴｌ，Ｔ２に互いにイ又は．ずら
せて穿設されている。
これにより前記第１４図の場合と同様に、軸２２の回転
方向を知ることが可能となる。第１７図は第５の実施例
を示すもので、円板状の記録媒体２５には、多数の細い
長方形の切欠け２６が、所定のピツチλ及び間隔ｍを以
つて設けられている。
方向を知ることが可能となる。第１７図は第５の実施例
を示すもので、円板状の記録媒体２５には、多数の細い
長方形の切欠け２６が、所定のピツチλ及び間隔ｍを以
つて設けられている。
以上の第１５〜１７図に述べた各記録媒体２３，２４，
２５は、パルスジェネレータ、ロークリエンコーダ等に
適用することが可能である。
２５は、パルスジェネレータ、ロークリエンコーダ等に
適用することが可能である。
次に記録カードについて説明する。
第１８図は記録カード２７の第１の実施例を示すもので
、非磁性体物質より成るシート２７には複数のトラツク
Ｔｌ，Ｔ２・・・・・・ＴＯ（図では５トラツク）が設
けられており、各トラツクＴ１〜Ｔ５には、軟鉄等の金
属片１３が情報の内容に応じて適宜間隔で接着配置され
ている。
、非磁性体物質より成るシート２７には複数のトラツク
Ｔｌ，Ｔ２・・・・・・ＴＯ（図では５トラツク）が設
けられており、各トラツクＴ１〜Ｔ５には、軟鉄等の金
属片１３が情報の内容に応じて適宜間隔で接着配置され
ている。
このような記録カード２７には、多チヤンネル検出素子
１０ｃが用いられる。
１０ｃが用いられる。
この多チヤンネル検出素子１０ｃは、図示のように透磁
率の高い物質より成る基板２８の表面に、トラツク数に
応じた複数のＤＭＥｌｌを、各トラツクＴ１〜Ｔ４と対
応する位置に夫々配設し、この基板２８の裏面に、各Ｄ
ＭＥｌｌと対応する複数のバイアスマグネツト１２を接
着したものである。第１９図は記録カード２９の第２の
実施例を示すもので、軟鉄等より成るシート状の記録カ
ード２９の各トラツクＴ１〜Ｔ５には、所定寸法の角孔
３０が、情報内容に応じて適宜間隔で穿設されている。
率の高い物質より成る基板２８の表面に、トラツク数に
応じた複数のＤＭＥｌｌを、各トラツクＴ１〜Ｔ４と対
応する位置に夫々配設し、この基板２８の裏面に、各Ｄ
ＭＥｌｌと対応する複数のバイアスマグネツト１２を接
着したものである。第１９図は記録カード２９の第２の
実施例を示すもので、軟鉄等より成るシート状の記録カ
ード２９の各トラツクＴ１〜Ｔ５には、所定寸法の角孔
３０が、情報内容に応じて適宜間隔で穿設されている。
上記記録カード２７，２９の使用方法としては、例えば
検出装置のカード挿入部に、前記マルチチヤンネル検出
素子１０ｃを固定して置き、記録カード２７，２９をカ
ード挿入口より矢印方向に挿入することにより、検出素
子１０ｃより情報信号に応じた間隔で出力電圧が得られ
、これにより情報の内容を読み出すことができる。
検出装置のカード挿入部に、前記マルチチヤンネル検出
素子１０ｃを固定して置き、記録カード２７，２９をカ
ード挿入口より矢印方向に挿入することにより、検出素
子１０ｃより情報信号に応じた間隔で出力電圧が得られ
、これにより情報の内容を読み出すことができる。
第２０図は記録カードの第３の実施例を示すもので、上
記記録カード２７，２９の表裏面に、非磁体物質より成
る表紙３１ａ，３１ｂを接着して、金属片１３、角孔を
覆い隠すようにしたものである。
記記録カード２７，２９の表裏面に、非磁体物質より成
る表紙３１ａ，３１ｂを接着して、金属片１３、角孔を
覆い隠すようにしたものである。
上述した記録カード２７，２９は、クレジツトカード等
に応用することができる。
に応用することができる。
本発明は、（ａ）夫々磁気抵抗の異方性効果を有する強
磁性体から成る第１及び第２の電流通路を直列に接続し
たこと。
磁性体から成る第１及び第２の電流通路を直列に接続し
たこと。
（ｂ）前記第１及び第２電流通路の主電流通路を夫々互
いに略直交する如く配したこと。（ｃ）前記第１及び第
２の電流通路の接続点に出力端子を設けたこと。（ｄ）
前記第１及び第２の電流通路の他端側には電流供給端子
を設けたこと。から成る磁電変換素子にバイアスマグネ
ツト等により所定の角度でバイアス磁界を加えて、この
磁電変換素子を、金属片１３、記録媒体２０等の導磁性
物質を情報の内容に応じて適宜間隔（角孔２１等を含む
）を以つて複数個配設した情報記録媒体に近接対向させ
て、両者を相対的に移動させることにより、上記磁電変
換素子より、上記導磁性物質の有無に応じた出力信号Ｅ
。等の検出信号を得るようにした情報検出装置であるか
ら被検出物に特に発磁体等を設ける必要がなく、一般の
電子機器等の可動部分の位置検出に用いることが可能に
なると共に、前述した非接触スイツチ、その他位置検出
プローブ、カムスイツチ、シーケンスプログラマー、磁
気カードリーダ等々検出素子の出力特性に応じて種々の
計測装置に適用することができ、その応用範囲は極めて
広いものである。また上記磁電変換素子は飽和磁界中で
用いられるため、外部磁界の影響を受けることがなく、
磁界の強さには無関係に磁界の方向のみに感応するため
、分解能が高く、導磁性物質と磁電変換素子と′の間隙
を大きくすることができ、また強磁性体Ａ，Ｂの電気抵
抗は夫々温度変化するが、第４式より温度変化によりρ
１及びρ，は同時に変化するため、全体としての変化量
は極めて小となり出力電圧に影響を与えることが少く、
既述した２個のＤＭＥによるブリツジ回路等の温度補償
回路を用いることにより、さらに安定化することができ
る。
いに略直交する如く配したこと。（ｃ）前記第１及び第
２の電流通路の接続点に出力端子を設けたこと。（ｄ）
前記第１及び第２の電流通路の他端側には電流供給端子
を設けたこと。から成る磁電変換素子にバイアスマグネ
ツト等により所定の角度でバイアス磁界を加えて、この
磁電変換素子を、金属片１３、記録媒体２０等の導磁性
物質を情報の内容に応じて適宜間隔（角孔２１等を含む
）を以つて複数個配設した情報記録媒体に近接対向させ
て、両者を相対的に移動させることにより、上記磁電変
換素子より、上記導磁性物質の有無に応じた出力信号Ｅ
。等の検出信号を得るようにした情報検出装置であるか
ら被検出物に特に発磁体等を設ける必要がなく、一般の
電子機器等の可動部分の位置検出に用いることが可能に
なると共に、前述した非接触スイツチ、その他位置検出
プローブ、カムスイツチ、シーケンスプログラマー、磁
気カードリーダ等々検出素子の出力特性に応じて種々の
計測装置に適用することができ、その応用範囲は極めて
広いものである。また上記磁電変換素子は飽和磁界中で
用いられるため、外部磁界の影響を受けることがなく、
磁界の強さには無関係に磁界の方向のみに感応するため
、分解能が高く、導磁性物質と磁電変換素子と′の間隙
を大きくすることができ、また強磁性体Ａ，Ｂの電気抵
抗は夫々温度変化するが、第４式より温度変化によりρ
１及びρ，は同時に変化するため、全体としての変化量
は極めて小となり出力電圧に影響を与えることが少く、
既述した２個のＤＭＥによるブリツジ回路等の温度補償
回路を用いることにより、さらに安定化することができ
る。
さらに導磁性物質と磁電変換素子とは無接触であり、可
動部分がないので信頼性に富み、寿命も半永久的となり
、また駆動用の発振器等を必要とせず、簡単な構成で安
価な情報検出方法を提供することができる等々の効果を
得るものである。
動部分がないので信頼性に富み、寿命も半永久的となり
、また駆動用の発振器等を必要とせず、簡単な構成で安
価な情報検出方法を提供することができる等々の効果を
得るものである。
第１図は磁電変換素子の構造を示す平面図、第２図は原
理的回路図、第３図は出力特性図、第４図は等価回路図
、第５図は検出素子の外観斜視図、第６図は検出素子を
被検出物に近接した状態を示す斜視図、第７図は磁電変
換素子の磁界の強さに対する出力特性図、第８図は本発
明による位置検出装置の原理的な回路図、第９図ａは検
出素子と被検出物との第１の組合せの例を示す斜視図、
第９図ｂは上記第１の例の出力特性図、第１０図ａは第
２の組合せの例を示す斜視図、第１０図ｂは上記第２の
例の出力特性図、第１１図ａは第３の組合せの例を示す
斜視図、第１１図ｂは上記第３の例の出力特性図、第１
２図ａは非接触スイツチに適用する場合の回路系統図、
第１２図ｂは第１２図ａの各部の出力波形図、第１３〜
１７図は記録媒体の第１〜５の実施例を示す外観斜視図
、第１８〜２０図は記録カードの第１〜３の実施例を示
す外観斜視図である。 なお図面に用いられている符号において、Ａ，Ｂは強磁
性体、５は出力端子、７Ａ，７Ｂは電流供給端子、１０
は検出素子、１１は磁電変換素子、１２はバイアスマグ
ネツト、１３は金属片、２０，２３，２５は記録媒体、
２１は角孔、２７，２９は記録カードである。
理的回路図、第３図は出力特性図、第４図は等価回路図
、第５図は検出素子の外観斜視図、第６図は検出素子を
被検出物に近接した状態を示す斜視図、第７図は磁電変
換素子の磁界の強さに対する出力特性図、第８図は本発
明による位置検出装置の原理的な回路図、第９図ａは検
出素子と被検出物との第１の組合せの例を示す斜視図、
第９図ｂは上記第１の例の出力特性図、第１０図ａは第
２の組合せの例を示す斜視図、第１０図ｂは上記第２の
例の出力特性図、第１１図ａは第３の組合せの例を示す
斜視図、第１１図ｂは上記第３の例の出力特性図、第１
２図ａは非接触スイツチに適用する場合の回路系統図、
第１２図ｂは第１２図ａの各部の出力波形図、第１３〜
１７図は記録媒体の第１〜５の実施例を示す外観斜視図
、第１８〜２０図は記録カードの第１〜３の実施例を示
す外観斜視図である。 なお図面に用いられている符号において、Ａ，Ｂは強磁
性体、５は出力端子、７Ａ，７Ｂは電流供給端子、１０
は検出素子、１１は磁電変換素子、１２はバイアスマグ
ネツト、１３は金属片、２０，２３，２５は記録媒体、
２１は角孔、２７，２９は記録カードである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ａ）夫々磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体か
ら成る第１及び第２の電流通路を直列に接続したこと。 （ｂ）前記第１及び第２電流通路の主電流通路を夫々互
いに略直交する如く配したこと。（ｃ）前記第１及び第
２の電流通路の接続点に出力端子を設けたこと。（ｄ）
前記第１及び第２の電流通路の他端側には電流供給端子
を設けたこと。から成る磁電変換素子に所定の角度でバ
イアス磁界を加えて、この磁電変換素子を、導磁性物質
を情報の内容に応じて適宜間隔を以つて複数個配設した
情報記録媒体に近接対向させ、両者を相対的に移動させ
ることにより、上記磁電変換素子より、上記導磁性物質
の有無に応じた検出信号を得るようにしたことを特徴と
する情報検出装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21417574 | 1974-12-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5178647A JPS5178647A (ja) | 1976-07-08 |
| JPS5927115B2 true JPS5927115B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=16651473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP752141A Expired JPS5927115B2 (ja) | 1974-12-29 | 1974-12-29 | 情報検出装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4021728A (ja) |
| JP (1) | JPS5927115B2 (ja) |
| CA (1) | CA1063207A (ja) |
| DE (1) | DE2558956A1 (ja) |
| FR (1) | FR2296182A1 (ja) |
| GB (1) | GB1535197A (ja) |
| NL (1) | NL191248C (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1126818A (en) * | 1978-03-27 | 1982-06-29 | Hiroyuki Ohkubo | Apparatus for sensing an external magnetic field |
| US4371116A (en) * | 1978-04-04 | 1983-02-01 | Sage David M | Variable reactance alignment detector and control |
| JPS54157610A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-12 | Sony Corp | Magnetic head |
| FR2428875A1 (fr) * | 1978-06-16 | 1980-01-11 | Cii Honeywell Bull | Procede et appareil de lecture d'informations codees magnetiquement |
| US4255708A (en) * | 1978-12-15 | 1981-03-10 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive position transducer with invariable peak signal |
| GB2052855B (en) * | 1979-03-30 | 1983-05-18 | Sony Corp | Magnetoresistive transducers |
| US4394621A (en) * | 1980-12-08 | 1983-07-19 | International Business Machines Corporation | Electronic velocity measurement especially for self-clocking write head |
| IT1211140B (it) * | 1980-12-09 | 1989-09-29 | Sony Corp | Dispositivo commutatore a sensore magnetico. |
| FR2508203A1 (fr) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Cii Honeywell Bull | Dispositif de transduction magnetoresistant de lecture d'informations codees a faible densite |
| US4616281A (en) * | 1982-03-10 | 1986-10-07 | Copal Company Limited | Displacement detecting apparatus comprising magnetoresistive elements |
| JPS5945578U (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-26 | 三洋電機株式会社 | 磁気検出器 |
| ES520422A0 (es) * | 1983-03-08 | 1984-03-16 | Zottnik Edmund | Sistema codificado de validacion y comando. |
| JPS6034086A (ja) * | 1983-08-06 | 1985-02-21 | Sharp Corp | 磁気センサ |
| US4523193A (en) * | 1983-11-21 | 1985-06-11 | Levinson Samuel H | Remote-controlled doorbell signal receiver |
| US4668913A (en) * | 1985-03-14 | 1987-05-26 | International Business Machines Corporation | Constant flux magneto resistive magnetic reluctance sensing apparatus |
| US4812674A (en) * | 1985-05-20 | 1989-03-14 | Square D Company | Safety gate limit switch using Hall effect transducer |
| US4713723A (en) * | 1986-07-01 | 1987-12-15 | Kaufman Lance R | Isolation transformer |
| DE3788831T2 (de) * | 1986-07-29 | 1994-08-11 | Nippon Denso Co | Kontaktloses Potentiometer. |
| GB2205406A (en) * | 1987-06-04 | 1988-12-07 | Spectrol Reliance Ltd | Encoder apparatus |
| JPH02271216A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Hitachi Metals Ltd | 磁気式エンコーダ |
| DE4003212A1 (de) * | 1990-01-31 | 1991-08-01 | Royd Luedtke | Einrichtung zur identifikation von stueckguetern |
| DE4006596A1 (de) * | 1990-03-02 | 1991-09-05 | Siemens Ag | Elektronischer schalter |
| JP2720681B2 (ja) * | 1992-01-06 | 1998-03-04 | 株式会社村田製作所 | 移動体の移動検出装置 |
| DE4343677A1 (de) * | 1993-12-21 | 1995-06-22 | Teves Gmbh Alfred | Schaltungsanordnung zur Auswertung des Meßsignals einer Brückenschaltung |
| US5831431A (en) * | 1994-01-31 | 1998-11-03 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. | Miniaturized coil arrangement made by planar technology, for the detection of ferromagnetic materials |
| JPH08249602A (ja) * | 1995-03-06 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気式記憶再生方法ならびにそれに用いる磁気再生装置、磁気記憶媒体およびその製法 |
| JP3605880B2 (ja) * | 1995-05-12 | 2004-12-22 | 株式会社デンソー | 非接触型回転センサ |
| DE19628566A1 (de) * | 1996-07-16 | 1998-01-29 | Bosch Gmbh Robert | Magnetfeldempfindlicher Sensor |
| JP3726418B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2005-12-14 | 株式会社デンソー | 回転検出装置 |
| JP2001059851A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Yazaki Corp | 電流検出装置及び電流検出方法 |
| JP4248188B2 (ja) * | 2002-04-02 | 2009-04-02 | 株式会社根本杏林堂 | コントローラ付き装置及び薬液注入装置 |
| JP4397635B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2010-01-13 | 株式会社根本杏林堂 | コントローラ装置、コントローラユニットおよび薬液注入装置 |
| DE102008015861A1 (de) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Sensoranordnung |
| US9030780B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-05-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for reading a non-volatile memory using a spin torque oscillator |
| US9245617B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-01-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Nonvolatile memory cells programable by phase change and method |
| CN106998644B (zh) * | 2016-01-22 | 2020-08-07 | 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 | 静电保护电路及具有该静电保护电路的电子装置 |
| US10466206B2 (en) * | 2016-12-12 | 2019-11-05 | Southwest Research Institute | Non destructive magnetostrictive testing with unidirectional guided waves generated by ferromagnetic strip sensor |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2997648A (en) * | 1944-09-27 | 1961-08-22 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic field detector |
| US3405355A (en) * | 1965-02-26 | 1968-10-08 | Navy Usa | Thin film magnetoresistance magnetometer having a current path etched at an angle tothe axes of magnetization |
| GB1245954A (en) * | 1967-12-07 | 1971-09-15 | Ici Ltd | Device for the detection of the rotational motion of a shaft |
| US3493694A (en) * | 1966-01-19 | 1970-02-03 | Ampex | Magnetoresistive head |
| US3546579A (en) * | 1968-10-22 | 1970-12-08 | Sperry Rand Corp | Thin-ferromagnetic-film magnetoresistance magnetometer sensitive to easy axis field components and biased to be insensitive to hard axis field components |
| DE1910601C3 (de) * | 1969-03-01 | 1973-10-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Meßumformer |
| US3731007A (en) * | 1971-04-19 | 1973-05-01 | Denki Onkyo Co Ltd | Magnetic head having a magneto-resistive bridge circuit |
| US3716781A (en) * | 1971-10-26 | 1973-02-13 | Ibm | Magnetoresistive sensing device for detection of magnetic fields having a shape anisotropy field and uniaxial anisotropy field which are perpendicular |
| JPS4854957A (ja) * | 1971-11-08 | 1973-08-02 | ||
| US3814863A (en) * | 1972-10-11 | 1974-06-04 | Ibm | Internally biased magnetoresistive magnetic transducer |
| JPS575067B2 (ja) * | 1973-07-13 | 1982-01-28 |
-
1974
- 1974-12-29 JP JP752141A patent/JPS5927115B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-12-22 US US05/642,997 patent/US4021728A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-12-22 CA CA242,302A patent/CA1063207A/en not_active Expired
- 1975-12-23 GB GB52650/75A patent/GB1535197A/en not_active Expired
- 1975-12-24 NL NL7515046A patent/NL191248C/xx not_active IP Right Cessation
- 1975-12-29 FR FR7540004A patent/FR2296182A1/fr active Granted
- 1975-12-29 DE DE19752558956 patent/DE2558956A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4021728A (en) | 1977-05-03 |
| JPS5178647A (ja) | 1976-07-08 |
| NL191248B (nl) | 1994-11-01 |
| NL7515046A (nl) | 1976-07-01 |
| CA1063207A (en) | 1979-09-25 |
| GB1535197A (en) | 1978-12-13 |
| NL191248C (nl) | 1995-04-03 |
| DE2558956A1 (de) | 1976-07-01 |
| FR2296182B1 (ja) | 1982-02-19 |
| FR2296182A1 (fr) | 1976-07-23 |
| DE2558956C2 (ja) | 1989-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5927115B2 (ja) | 情報検出装置 | |
| US5998989A (en) | Device including magnet-biased magnetoresistive sensor and rotatable, magnetized encoder for detecting rotary movements | |
| US9719805B2 (en) | Position detecting device | |
| JP6359858B2 (ja) | 磁界検出装置および磁気識別装置 | |
| JP3487452B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPH0712586A (ja) | 磁気的測定システム | |
| JP2016038294A (ja) | 磁気式リニアエンコーダ | |
| JPH05264699A (ja) | 磁場測定装置 | |
| JP4973869B2 (ja) | 移動体検出装置 | |
| JPS61173101A (ja) | 位置センサ | |
| US11512982B2 (en) | Electromagnetic measuring system for detecting length and angle on the basis of the magnetoimpedance effect | |
| US5172057A (en) | Magnetic encoder including plural magnetic pole lines having differing magnetic pitches and plural magnetic resistance effect elements | |
| JP7311500B2 (ja) | 磁気インピーダンス効果を利用した距離及び角度を測定するための電磁計測システム | |
| JP2001174286A (ja) | 磁気エンコーダ | |
| JPS6047521B2 (ja) | 原点検出装置 | |
| JPH0355228Y2 (ja) | ||
| JPH0414735B2 (ja) | ||
| JPS5886609A (ja) | 回転位置信号発生装置 | |
| JPS63205514A (ja) | 磁気的に位置や速度を検出する装置 | |
| JPS6051153B2 (ja) | 磁気カ−ド読取装置 | |
| JPH05172921A (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPH0141226B2 (ja) | ||
| JPS6135718B2 (ja) | ||
| SU386353A1 (ru) | УСТРОЙСТВО дл ИЗМЕРЕНИЯ КОЭРЦИТИВНОЙ силыпосто нных МАГНИТОВ | |
| JPS5815112A (ja) | 位置検出器 |