JPS59218778A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPS59218778A
JPS59218778A JP58093524A JP9352483A JPS59218778A JP S59218778 A JPS59218778 A JP S59218778A JP 58093524 A JP58093524 A JP 58093524A JP 9352483 A JP9352483 A JP 9352483A JP S59218778 A JPS59218778 A JP S59218778A
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小瀬村　欣司郎
Yoshimi Yamashita
良美 山下
Sumio Yamamoto
純生 山本
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61177782A (ja) * 1985-01-28 1986-08-09 フィリップス　エレクトロニクス　ネムローゼ　フェンノートシャップ 半導体装置
JPH04206936A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Rohm Co Ltd 電界効果トランジスタの製造方法
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Non-Patent Citations (2)

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Title
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS=1981 *
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1981 *

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