JPS59217343A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59217343A JPS59217343A JP9178683A JP9178683A JPS59217343A JP S59217343 A JPS59217343 A JP S59217343A JP 9178683 A JP9178683 A JP 9178683A JP 9178683 A JP9178683 A JP 9178683A JP S59217343 A JPS59217343 A JP S59217343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coaxial cable
- bias circuit
- semi
- semiconductor element
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明ρ属する技術分野〕
本発明は半導体装置に関し、高周波機器に（資）用して
好適な同軸ケーブル型の半導体装置に関する。
好適な同軸ケーブル型の半導体装置に関する。
従来、高周波で用いられるバイポーラトランジスタや電
界効果トランジスタは、プリント板上で用いられる方式
がとられ、これらはプリント板上の金属電極にハンダ付
は等で接続され、増幅器等の回路全構成する部品となっ
ていた。また増幅器等も、このプリント板の入出力端子
に規定のコネクタが接続した形で作られて込た。
界効果トランジスタは、プリント板上で用いられる方式
がとられ、これらはプリント板上の金属電極にハンダ付
は等で接続され、増幅器等の回路全構成する部品となっ
ていた。また増幅器等も、このプリント板の入出力端子
に規定のコネクタが接続した形で作られて込た。
上記のような従来の装置は高価格になること、重量が重
く固定型のシャーシが必要となること、使用しにくいこ
と等、多くの制限と問題点が存在した。
く固定型のシャーシが必要となること、使用しにくいこ
と等、多くの制限と問題点が存在した。
また実際に使用するとき、例えば、高周波の微弱な信号
をアンテナで捕えたとき、従来はアンテナから体積の大
きな増幅器まで、同軸ケーブル等で伝送してｂた。とこ
ろが、比較的低損失であるセミリジット型の同軸ケーブ
ルでも約３０ｃＩＩＬで０゜５ｄＢ程度の電力損失があ
り、信号が減衰することと、それと同量の雑音指数も増
加することになり。
をアンテナで捕えたとき、従来はアンテナから体積の大
きな増幅器まで、同軸ケーブル等で伝送してｂた。とこ
ろが、比較的低損失であるセミリジット型の同軸ケーブ
ルでも約３０ｃＩＩＬで０゜５ｄＢ程度の電力損失があ
り、信号が減衰することと、それと同量の雑音指数も増
加することになり。
信号特性を悪化させていた。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、小型軽量化で＠吠
い易く、特に高周波に於て電力損失、信号の減衰、雑音
指数の増加がすくない同軸ケーブル型の半導体装置を提
供することにある。
い易く、特に高周波に於て電力損失、信号の減衰、雑音
指数の増加がすくない同軸ケーブル型の半導体装置を提
供することにある。
本発明の半導体装置は、金属外被？有するセミリジット
型の同軸ケーブルの金属外被円筒と、該金属外被円筒の
中心軸に間隔を置いて設けられた２本の中心導体と、各
電極が前記中心導体及び前記金属外被円筒に接続される
半導体素子と、前記同軸ケーブルの一部に接続されたバ
イアス回路とを含んで構成される。
型の同軸ケーブルの金属外被円筒と、該金属外被円筒の
中心軸に間隔を置いて設けられた２本の中心導体と、各
電極が前記中心導体及び前記金属外被円筒に接続される
半導体素子と、前記同軸ケーブルの一部に接続されたバ
イアス回路とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図に
示す実施例の内部部品の要部斜視図であ１
る。これらの図において、１は同軸ケーブル金属外被
、２は同軸ケーブル中心導体、３は半導体素子、４はボ
ンディング結線、５は同軸ケーブル誘電体、６は半円形
のマウント基板、７は同軸ケーブルの空胴部、８はコン
デンサ、９はインダクタンスである。
示す実施例の内部部品の要部斜視図であ１
る。これらの図において、１は同軸ケーブル金属外被
、２は同軸ケーブル中心導体、３は半導体素子、４はボ
ンディング結線、５は同軸ケーブル誘電体、６は半円形
のマウント基板、７は同軸ケーブルの空胴部、８はコン
デンサ、９はインダクタンスである。
この実施例は、金属外被Ｉｔ”有するセミリジット型の
同軸ケーブルの金属外被１の内面の一部に。
同軸ケーブルの金属外被１の内面の一部に。
例えば半円形のマウント基板６をと９つけ、これにトラ
ンジスタ等の半導体素子３全マウントし、あらかじめ切
断しておいた中心導体２の双方に半導体素子３の人力お
よび出力端子をボンディング結線を施したものである。
ンジスタ等の半導体素子３全マウントし、あらかじめ切
断しておいた中心導体２の双方に半導体素子３の人力お
よび出力端子をボンディング結線を施したものである。
なお中心導体２には直流カット用のコンデンサ８および
交流カット用のインダクタンス９よりなるバイアス回路
が設けられて因る。
交流カット用のインダクタンス９よりなるバイアス回路
が設けられて因る。
この実施例の製造は容易に出来る。第１図、第２図を参
照して説明すると５例えばセミリジットの金属外被ｌを
軸方向に２つに割ったものに、半円形（カマボコ形）の
マウント基板６を接続、一方、中心導体２には誘電体に
よるコンデンサ８ｔ−接続形成し、またインダクタンス
９も接続する。
照して説明すると５例えばセミリジットの金属外被ｌを
軸方向に２つに割ったものに、半円形（カマボコ形）の
マウント基板６を接続、一方、中心導体２には誘電体に
よるコンデンサ８ｔ−接続形成し、またインダクタンス
９も接続する。
インダクタンス９は棒状の誘電体に細い金属線１１をら
せん状に巻き両端を金属電極１２に接続するＣとにより
形成できる。
せん状に巻き両端を金属電極１２に接続するＣとにより
形成できる。
次にマウント基板部金境に、マウント基板側で中心導体
２を多少はみ出させた誘電体５をつけ、半導体素子３を
マウント基板６にマウントし、半導体素子３の入出力端
子を中心導体２にボンディング結線し、残りの金属外被
１で封着することにより得られる。
２を多少はみ出させた誘電体５をつけ、半導体素子３を
マウント基板６にマウントし、半導体素子３の入出力端
子を中心導体２にボンディング結線し、残りの金属外被
１で封着することにより得られる。
以上説明したような方法により上記のような構造の半導
体装置が得られるが１本発明による装置は同軸ケーブル
自体が増幅、整流１その他の機能金有することになり多
くの利点が得られる。例えば低雑音の機能を有するケー
ブルの一部を、アンテナの近くに接続すると、伝送系を
変えることなく信号そのものが増加し、それ以降の損失
の影響を微小にすることができる。
体装置が得られるが１本発明による装置は同軸ケーブル
自体が増幅、整流１その他の機能金有することになり多
くの利点が得られる。例えば低雑音の機能を有するケー
ブルの一部を、アンテナの近くに接続すると、伝送系を
変えることなく信号そのものが増加し、それ以降の損失
の影響を微小にすることができる。
さらに、セミリジット型に対する部品としては分岐、カ
フリ、ミキサおよびスイッチ等が製品化されており容易
に入手できるので、本発明製品の接続は容易であ凱任意
の機能を有する回路構成が、プリント板等による固定配
線なしでできることになる。
フリ、ミキサおよびスイッチ等が製品化されており容易
に入手できるので、本発明製品の接続は容易であ凱任意
の機能を有する回路構成が、プリント板等による固定配
線なしでできることになる。
なお、半導体素子は金属外被に直接接続することもでき
るが半円形のマウント基板ｔ−介してマウントすること
により素子の接続は安定強固に行えると共にボンディン
グ線も短くなり、信頼性も向−比する。
るが半円形のマウント基板ｔ−介してマウントすること
により素子の接続は安定強固に行えると共にボンディン
グ線も短くなり、信頼性も向−比する。
なお説明したように同軸ケーブルの両端には直流カット
用コンデンサおよび交流カット用のインダクタンスから
なる直流バイアス回路が設けられているので外部の影響
を受けることがすくなくなり信号特性が向上する。
用コンデンサおよび交流カット用のインダクタンスから
なる直流バイアス回路が設けられているので外部の影響
を受けることがすくなくなり信号特性が向上する。
以上説明したように、本発明によれば高周波分野で（資
）用される機器全小型、軽量化することができ、［史込
易く、かつ高周波における電力損失、信号の減衰、雑音
指数の増加等のすくなめ同軸ケーブル型の半導体装置が
得られる。
）用される機器全小型、軽量化することができ、［史込
易く、かつ高周波における電力損失、信号の減衰、雑音
指数の増加等のすくなめ同軸ケーブル型の半導体装置が
得られる。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図に
示す一実施例の内部部品の要部斜視図であろう ｌ・・・・・・同軸ケーブル金属外被円筒、２・・・・
・・中心導体、３・・・・・・半導体素子、４・・・・
・・ボンディング結線％ ５・・・・・・誘電体、６・
・・・・・半円形のマウント基板、７・・・・・・空胴
部、８・・・・・・コンデンサ（誘電体）、９・°・・
・・インダクタンス、１１・・・・・・金属線、１２・
川・・電極。
示す一実施例の内部部品の要部斜視図であろう ｌ・・・・・・同軸ケーブル金属外被円筒、２・・・・
・・中心導体、３・・・・・・半導体素子、４・・・・
・・ボンディング結線％ ５・・・・・・誘電体、６・
・・・・・半円形のマウント基板、７・・・・・・空胴
部、８・・・・・・コンデンサ（誘電体）、９・°・・
・・インダクタンス、１１・・・・・・金属線、１２・
川・・電極。
Claims (1)
- 金属外被全盲するセミリジット型の同軸ケーブルの金属
外被円筒と、該金属外被円筒の中心軸に間隔を置いて設
けられた２本の中心導体と、各電極が前記中心導体及び
前記金属外被円筒に接続される半導体素子と、前記同軸
ケーブルの一部に接続されたバイアス回路とを含むこと
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9178683A JPS59217343A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9178683A JPS59217343A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217343A true JPS59217343A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14036279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9178683A Pending JPS59217343A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232896A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Tektronix Inc | 信号調整装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9178683A patent/JPS59217343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232896A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Tektronix Inc | 信号調整装置及びその製造方法 |
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