JPS5920235A - トランス−4−アルキル−トランス−4″−(4−ハロゲノフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テルフエニル - Google Patents
トランス−4−アルキル−トランス−4″−(4−ハロゲノフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テルフエニルInfo
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- JPS5920235A JPS5920235A JP13086682A JP13086682A JPS5920235A JP S5920235 A JPS5920235 A JP S5920235A JP 13086682 A JP13086682 A JP 13086682A JP 13086682 A JP13086682 A JP 13086682A JP S5920235 A JPS5920235 A JP S5920235A
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は正の誘電異方性を有し、かつ広い温度範囲で液
晶相を示す新規な液晶物質及びそれを含有する液晶組成
物に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び誘電異方
性を利用したものであるが、その表示様式によってTN
型(ねじれネマチック型)、DS型(動的散乱型)、ゲ
スト・ホスト型、DAP型など各種の方式に分けられ、
夫々の使用に適する液晶物質の性質は異る。しかしいず
れの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であること
が必要であることは共通しており、又、室温を中心とし
て出来るだけ広い温度範囲で液晶相を示すものが求めら
れている4、シかし現在のところ単一化合物ではこの様
な条件を満たす物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶
化合物を混合して得られる液晶組成物を使用しているの
が現状である1、特に最近は−20”c〜80’Cとい
う様な広い温度範囲で作動する液晶表示素子が要求され
る様になった。この様な要求を満足させるためには粘度
、特に低温での粘度を低くすることが有力な手段である
。しかし一般的には透明点(N−I点)の高いものは粘
度が高く、又、粘度が低いもの、例えばアルキルフェニ
ルシクロヘキザン誘導体などは透明点が低い。 本発明者らは先に低粘度であるにもかかわらず、透明点
が高く、且つネマチック温度範囲が広い液晶化合物とし
て一般式、 R()C()F で表わされる4−〔トランス−4’−(トランス−4“
−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フルオロ
ベンゼンを発明し、/l?許出願した(/Lヶ開昭57
−64626)。しかし最近の液晶表示素子の技術の進
歩は目覚しく、更に低い温度から高い温度で動作する表
示素子が要求されている。 本発明の目的はこのような要求に応えることにある。即
ち、本発明は一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基
を示し、XIdF、 C1,Br 、 Iのいずれかを
示す) で表わされるトランス−4−アルキル−トランス−4“
−(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オクタデカヒ
ドロ−p−テルフェニル及びそれを少なくとも一種含有
する液晶組成物である。 本発明の(1)式の化合物は20°Cで25cp程度の
低粘度でありながらその液晶温度範囲は約100〜28
0°Cと広い上に透明点が高く低温から高温の広い温度
範囲で作動する液晶表示セル用に使用する液晶組成物の
構成成分として非常に有用な化合物である1、又誘電異
方性△εが2程度であるにもかかわらず、本発明の化合
物を加えた液晶組成物のしきい電圧、飽和電圧は加えな
い組成物のそれと比較してそれ程上昇ぜす、tlは同じ
位である。更に光、熱、空気、水分等にも安定であり、
その応用範囲は広い。 つきに本発明の化合物の製造法について(1)式でXが
F、C1,Brの場合と、■の場合に分けて述べる。、
まノ“(])式でXがF、C1,Brの場合は、4−メ
トキシブロモベンゼンと金属マグネシウムを反応させて
、4−メトキシフェニルマグネシウムプロミドとし、こ
れを4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン(対応するシクロヘキサノンノールを
無水クロム酸で酸化することKよシ慴られる)と反応さ
せて4−メトギシー〔1′−ヒドロキシ−4′−(トラ
ンス−4“−アルキルシクロヘキシル)シクロへギシル
〕ベンゼンとする73次いでこれを硫l貿水素カリ1ツ
ム触媒として脱水して4−メト・A゛シー 4’−(ト
ランス−4〃−アルキルシクロへ=Vシル)シクロヘキ
セン−17−イル〕ベンゼンとし、これをエタノール溶
媒中ラネーニッケル触々11.を用いで、常JT’、8
0”tl如て還元すると4−メトギシー(4′−(トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘニX−シル)シクロヘキ
シル〕ベンゼンとなる。これはトランス抹とシス体の混
合物であるので、エタノールで再結晶して4−メトキシ
−
晶相を示す新規な液晶物質及びそれを含有する液晶組成
物に関する。 液晶表示素子は液晶物質が持つ光学異方性及び誘電異方
性を利用したものであるが、その表示様式によってTN
型(ねじれネマチック型)、DS型(動的散乱型)、ゲ
スト・ホスト型、DAP型など各種の方式に分けられ、
夫々の使用に適する液晶物質の性質は異る。しかしいず
れの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定であること
が必要であることは共通しており、又、室温を中心とし
て出来るだけ広い温度範囲で液晶相を示すものが求めら
れている4、シかし現在のところ単一化合物ではこの様
な条件を満たす物質はなく、数種の液晶化合物や非液晶
化合物を混合して得られる液晶組成物を使用しているの
が現状である1、特に最近は−20”c〜80’Cとい
う様な広い温度範囲で作動する液晶表示素子が要求され
る様になった。この様な要求を満足させるためには粘度
、特に低温での粘度を低くすることが有力な手段である
。しかし一般的には透明点(N−I点)の高いものは粘
度が高く、又、粘度が低いもの、例えばアルキルフェニ
ルシクロヘキザン誘導体などは透明点が低い。 本発明者らは先に低粘度であるにもかかわらず、透明点
が高く、且つネマチック温度範囲が広い液晶化合物とし
て一般式、 R()C()F で表わされる4−〔トランス−4’−(トランス−4“
−アルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕フルオロ
ベンゼンを発明し、/l?許出願した(/Lヶ開昭57
−64626)。しかし最近の液晶表示素子の技術の進
歩は目覚しく、更に低い温度から高い温度で動作する表
示素子が要求されている。 本発明の目的はこのような要求に応えることにある。即
ち、本発明は一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基
を示し、XIdF、 C1,Br 、 Iのいずれかを
示す) で表わされるトランス−4−アルキル−トランス−4“
−(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オクタデカヒ
ドロ−p−テルフェニル及びそれを少なくとも一種含有
する液晶組成物である。 本発明の(1)式の化合物は20°Cで25cp程度の
低粘度でありながらその液晶温度範囲は約100〜28
0°Cと広い上に透明点が高く低温から高温の広い温度
範囲で作動する液晶表示セル用に使用する液晶組成物の
構成成分として非常に有用な化合物である1、又誘電異
方性△εが2程度であるにもかかわらず、本発明の化合
物を加えた液晶組成物のしきい電圧、飽和電圧は加えな
い組成物のそれと比較してそれ程上昇ぜす、tlは同じ
位である。更に光、熱、空気、水分等にも安定であり、
その応用範囲は広い。 つきに本発明の化合物の製造法について(1)式でXが
F、C1,Brの場合と、■の場合に分けて述べる。、
まノ“(])式でXがF、C1,Brの場合は、4−メ
トキシブロモベンゼンと金属マグネシウムを反応させて
、4−メトキシフェニルマグネシウムプロミドとし、こ
れを4−(トランス−4′−アルキルシクロヘキシル)
シクロヘキサノン(対応するシクロヘキサノンノールを
無水クロム酸で酸化することKよシ慴られる)と反応さ
せて4−メトギシー〔1′−ヒドロキシ−4′−(トラ
ンス−4“−アルキルシクロヘキシル)シクロへギシル
〕ベンゼンとする73次いでこれを硫l貿水素カリ1ツ
ム触媒として脱水して4−メト・A゛シー 4’−(ト
ランス−4〃−アルキルシクロへ=Vシル)シクロヘキ
セン−17−イル〕ベンゼンとし、これをエタノール溶
媒中ラネーニッケル触々11.を用いで、常JT’、8
0”tl如て還元すると4−メトギシー(4′−(トラ
ンス−4″−アルキルシクロヘニX−シル)シクロヘキ
シル〕ベンゼンとなる。これはトランス抹とシス体の混
合物であるので、エタノールで再結晶して4−メトキシ
−
【トランス−4’−(トランス−4“−アルキルシク
ロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼンを得る。これを
酢酸中、臭化水素酸で脱メチル反応を行ない、4−ヒド
ロキシ−〔トランス−4’−(トランス−4“−アルキ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼンを得る。 つぎにこれをエタノールに溶かし、ルテニウム触媒存在
下180”C,50kq/cdで接触還元し、トランス
−4−アルキル−4“−ヒドロキシ−トランス−オクタ
デカヒドロ−p−テルフェニルを得る。 これをアセトンに溶解し、無水クロム酸で酸化を行ない
、トランス−4−アルキル−4“−オン−トランス−オ
クタデカヒドロ−#)−テルフェニルを得る。このもの
をデトラヒドロ7ランに溶かした液を、金属マグネシウ
ムでグリニヤール試iとした4−ハロゲノベンゼンマグ
不シウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液に加えて4
−(4’−()ランス−4//()ランス−4“′−ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕7クロヘキザ
ンー1′−オール)ハロゲノベンゼン全q′する1、こ
れを硫酸水素カリウド・で脱水すると4−[4’−()
ランス−4“−(トランス−4“′−アルギルシクロヘ
キシル)シクロヘキシルコシクロヘキセン−t’−イル
】ハロケンベンゼンがi!7. L−1れる。これをト
ルエンに溶解し、ラネーニッケル触媒で接触還元を行な
い、目的のトランス−4−アル今ルートランス−4”−
(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オフタテ力ヒド
ローp−テルフェニルを倚る。以上を化学式で示すと、 B rMg −ol−OC’113 BrMg令X↓ 土KHS 04 R(違3℃ド)X H2土R−Ni it−o−c8つ(叉X (上式中、Xij: F 、 CL 、 Brを示す)
次にXがIであるヨード化物の場合の製法についで述べ
る。 トランス−4−アルキル−4″−オン−トランス−eク
タデカヒドローp−テルフェニルをテトラヒドロフラン
に溶かし2.だ液を、金属マグネジウドでグリニヤール
試薬としたフェニルマグネシウムプロミドのテトラヒド
ロフラン溶液に加え、1−[4’−()ランス−4”−
()ランス−4″′−アルギルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル〕シクロヘキザン−1′−オール】ベンゼンヲ
得る。 これ全硫酸水素カリウムで脱水すると1− [4’−〔
トランス−4“−(トランス−4“′−アルキルシクロ
ヘギシル)シクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イ
ル】ベンゼンが得られる。これをトルエンに溶解し、ラ
ネーニッケル触媒で接触還元を行ない、トランス−4−
アルキル−トランス−4“−フェニル−]・ランスーオ
クタテカヒドローp−子ルフェニルを得る。このものを
酢酸に溶かし、ヨウ素、ヨウ素酸でヨード化すれirI
口r+’vのトランス−4−アルキル−トランス−4
”−(4−ヨードフェニル)−)ランス−オクタ7’カ
ヒドローp−テルフェニルが得られる。 以上を化学式で示すと次のようになる。 以下実施例により本発明の化合物につき更に詳細に説明
する。 実施例1 () ランス〜4−7’ロピルートランス−
4“−(4−フルオロフェニル)−トランス−オクタデ
カヒドロ−p−テルフェニルの製造) 削り状マグネシウム1.2II(0,049モル)を8
つロフラスコに入れ、4−ブロモアニソール9.2F(
0,049モル)をテトラヒドロンランに溶かした溶液
80tiを、窒素気流中で反応温度を30・〜35°C
に保ち、攪拌し2ながらゆっくり滴ド【7て行くと反応
して3時間でマグネシラノ、は溶CJて均一にな、!1
74−メトキシフェニルマグネシウムプロミドを生ずる
。これに4−(トランス−4’−フロビルシクロヘキシ
ル)シクロヘキセンッンのI O,9f (0,049
モル) ヲテトラヒドロフランに溶が12で50 pp
tlとしたものを反応温度を5〜10’Oに保ちつつな
るべく速かにnR−Fする。滴下後、35°Cまで昇温
し:NO分攪拌し、ついで3N塩酸50 mlを加える
。 反応液を分液漏斗にとり20 (l rptのトルエン
で3回抽出後、合わせたトルエン層を水で洗液が中性に
なる寸で洗浄してからトルエンを減圧留去する。残留し
た油状物け4−メトキシ−(1’−ヒドロキシ−4’−
()/Fンスー4〃−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル〕ベンゼンであり、これに硫酸水素カリウム6
gを加え窒素気流中160゛Cで2時間脱水する。冷却
後200n−のトルエンを加えてから硫酸水素カリウム
を炉別し、トルエン層を洗液から中性になるまで水洗す
る。次いでトルエンを減圧留去し、残る油状物をエタノ
ールで再結晶して得られるのが4−メトキシ−(4’−
()ランス−4″−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キセン−1′−イル〕ベンゼンである。ここで得られた
全量7.Ofをラネーニッケル触媒1.0gと共にエタ
ノール12(ly/に溶かし常圧50°Cで接触還元を
行ない、水素500 mlを吸収させた。触媒を炉別し
、そのまま再結晶させる。得られたものはシス体とトラ
ンス体の混合物なので、さらにエタノールで再結晶をく
り返し、トランス体を単離する。 これが、4−メトキシ−〔トランス−4’−()ランス
−4“−プロピルシクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゼンである。このもの409を酢酸400 tqlに
溶かし、臭化水素酸(47%)450 WIlを加え、
80時間還流する。冷却後、多重の水を加え沈殿物を炉
別し、この残渣をエタノールで再結晶する。とのもの8
0gをエタノール400献に溶かしルテニウム/炭素1
.0gを加え、180°C50kg/rJで5時間接触
還元する。触媒ti態別後溶媒を減圧留去し、トランス
−4−アルキル−4“−ヒドロキシートランスーオクタ
テカヒドローp−デルフェニルが得られる。これをアセ
トン44に溶かし、無水クロム酸と濃硫酸の混液20*
/を反応温度0〜8HICで滴下していく。反応液が橙
色になり、その色が消えなくなった点で終了1〜、反応
液を炭酸水素ナトリウl、で中和する。溶液を減圧濾過
しだ後溶ハ1.を留去し、l・ルエンで抽出し、水洗い
した後トルエンを減圧留去し、トルエンで再結晶する。 溶〃■を真空乾燥で除去して保存しておく。このものが
4−〔トランス−4′−(トランス−47−フロビルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル〕シクロヘギサノンであ
る。マグネシウム片0.24 yK、 4−フルオロブ
ロモベンゼン1.75Fをテトラヒドロフランに溶かし
た液を滴−F’ していくと、マグネシラノ、は反応し
て4−フル刊ロベンーl−ンマグネシウノ、プロ#)”
e生り。 る。この溶液に、先に製造した4−(トランス−4’−
(トランス−4“−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル〕シクロヘギサノンヲ50m1のテトラヒドロフ
ランに溶かした液を加える。 この際温度が80°C以上にならない様にし、滴下後1
時間還流させる。冷却後、8N・塩酸50r/を加え、
トルエン200 tntで抽出する。 水洗した後、溶媒を留去し、これに、硫酸水素カリウム
1fを加え窒素気流中160°Cで2時間脱水する。冷
却後硫酸水素カリウムを炉別しトルエン200πlで溶
解【7た液を洗液が中性になるまで水洗し、トルエンを
減圧留去する。それを新しいトルエンで再結晶して得ら
れたのが、4−(4’−(トランス−4“−(トランス
−4′−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシルコシ
クロヘキセン−1′−イル)フルオロベンゼンである。 このもの1.117をトルエン50*/に溶解し、ラネ
ーニッケル触媒0.5gを加え、常温常圧で接触還元す
る。反応をガスクロマトグラフ−で追跡し、原料が消失
したところで反応全終了し、触媒炉別後、再結晶をくり
返した。得られたものが目的のトランス−4−プロピル
−トランス−4“−(4−フルオロフェニル)−トラン
ス−オクタデカヒドロ−p−テルフェニルである。収量
0.8 y、収率27%。結晶−スメクチック(C−8
)点は105.9°C,、’、y’りfツク−ネマチッ
ク(S−N)点は288℃、ネマチック−透明 (N−
I)点は279°Cであった。 実施例 実Mri &1月と同様の方法により次の化合物を製造
した。1 トランス−4−へブチル−トランス−4//−(4−1
0ロフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テ
ルフェニル、C−8点56.6’(:、S−N点248
°C,N−1点274°C0実施例3〔トランス−4−
ブチル−トランス−4″−(4−ヨードフェニル)−ト
ランス−オクタデカヒドロ−p−デルフェニルの製造j ’41Jf1口+lJ l ノ方法で得られたトランス
−4−ブチル−4“−オン−トランス−オクタデカヒド
ロ−p−テルフェニル4gをテトラヒドロ72ン100
rrtに溶かした液を、マグネシウム0.781とブ
ロモベンゼン4.7fを反応させて得られたグリニヤー
ル試薬に滴下していく。滴下後2時間還流し、冷却後8
N塩酸50r/を加え、トルエン200 mlで抽出す
る。中性になるまで洗浄後溶媒を減圧留去する。残った
油状物に硫酸水素カリウム2gを加え、窒素気流中16
0°Cで2時間脱水する。冷却後トルエン200 ml
を加え硫酸水素カリウムを炉別後、水洗を施し中性にな
ってからトルエンを減圧留去する。それをトルエンで再
結晶して得られたのが1−(4’−〔トランス−4’−
()ランス−4”−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキ
シルコシクロヘキセン−1′−イル)ベンゼンである。 このもの0.9fをトルエン200 vtlに溶かし、
ラネーニッケル0.41を加え常温常圧で接触還元を行
ない、再結晶をくり返しトランス−4−ブチル−トラン
ス−4“−フェニル−トランス−オクタデカヒドロ−p
−テルフェニルを得る。このもの0.5fを酢酸200
#/に溶かし、硫酸Let、ヨウ素酸0.09 Q、
ヨウ素0.17 Fを加え15時間還流する1、冷却後
、結晶を炉別し、トルエンで再結晶して’r’+ら11
だのが目的のトランス−4−プブールートランス−4″
−(4−ヨードフェニル)〜トランスーオクタデカヒド
ロー1) −テルフェニルである。c−s点110″c
、s−N点238’に、N−1点298°Cであった。 実施イr114 (1づy用V/!I )トランス−4
−プロピル−(4′−シアノフェニル)シクロヘギザン
28% トシンスー4−ペンテルー(4’−シアノフェニル)シ
クロヘキザン 42o、/Iトラン=C−4−へジ
チル−(4’−シアノフエー ル)シフ「・−人A・−
リーン 3部%なる組成の液晶組成物のネマチック
液晶温度範囲は−3〜52 ”Cである。この液晶組成
物をセルJ!¥j l O/IlnのT Nセル(ねじ
t7ネマチツクセル)((封入いrもののy1b作し〜
い電圧は1.5V。 飽和電圧は2.Ovであった。又粘度は20″Cで24
cpであった。 上記の液晶組成物98部に本発明の実施例1テ示シたト
ランス−1−(4−フルオロフェニル)−)ランス−4
“−グロピルートランスーオクタデカヒドローp−テル
フェニル2部を加えた液晶組成物のN−I点は55.5
°Cに広がり、上記セルに封入したものの動作しきい電
圧は1、5 V、飽和電圧は2.Ovと変化しなかった
。 又20°Cでの粘度は24cpで変らなかった。 以上の如く本発明の化合物の添加で粘度や、電圧値を変
えずに液晶組成物のネマチック温度範囲を広げることが
できた。 以上
ロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼンを得る。これを
酢酸中、臭化水素酸で脱メチル反応を行ない、4−ヒド
ロキシ−〔トランス−4’−(トランス−4“−アルキ
ルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕ベンゼンを得る。 つぎにこれをエタノールに溶かし、ルテニウム触媒存在
下180”C,50kq/cdで接触還元し、トランス
−4−アルキル−4“−ヒドロキシ−トランス−オクタ
デカヒドロ−p−テルフェニルを得る。 これをアセトンに溶解し、無水クロム酸で酸化を行ない
、トランス−4−アルキル−4“−オン−トランス−オ
クタデカヒドロ−#)−テルフェニルを得る。このもの
をデトラヒドロ7ランに溶かした液を、金属マグネシウ
ムでグリニヤール試iとした4−ハロゲノベンゼンマグ
不シウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液に加えて4
−(4’−()ランス−4//()ランス−4“′−ア
ルキルシクロヘキシル)シクロヘキシル〕7クロヘキザ
ンー1′−オール)ハロゲノベンゼン全q′する1、こ
れを硫酸水素カリウド・で脱水すると4−[4’−()
ランス−4“−(トランス−4“′−アルギルシクロヘ
キシル)シクロヘキシルコシクロヘキセン−t’−イル
】ハロケンベンゼンがi!7. L−1れる。これをト
ルエンに溶解し、ラネーニッケル触媒で接触還元を行な
い、目的のトランス−4−アル今ルートランス−4”−
(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オフタテ力ヒド
ローp−テルフェニルを倚る。以上を化学式で示すと、 B rMg −ol−OC’113 BrMg令X↓ 土KHS 04 R(違3℃ド)X H2土R−Ni it−o−c8つ(叉X (上式中、Xij: F 、 CL 、 Brを示す)
次にXがIであるヨード化物の場合の製法についで述べ
る。 トランス−4−アルキル−4″−オン−トランス−eク
タデカヒドローp−テルフェニルをテトラヒドロフラン
に溶かし2.だ液を、金属マグネジウドでグリニヤール
試薬としたフェニルマグネシウムプロミドのテトラヒド
ロフラン溶液に加え、1−[4’−()ランス−4”−
()ランス−4″′−アルギルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル〕シクロヘキザン−1′−オール】ベンゼンヲ
得る。 これ全硫酸水素カリウムで脱水すると1− [4’−〔
トランス−4“−(トランス−4“′−アルキルシクロ
ヘギシル)シクロヘキシル)シクロヘキセン−1′−イ
ル】ベンゼンが得られる。これをトルエンに溶解し、ラ
ネーニッケル触媒で接触還元を行ない、トランス−4−
アルキル−トランス−4“−フェニル−]・ランスーオ
クタテカヒドローp−子ルフェニルを得る。このものを
酢酸に溶かし、ヨウ素、ヨウ素酸でヨード化すれirI
口r+’vのトランス−4−アルキル−トランス−4
”−(4−ヨードフェニル)−)ランス−オクタ7’カ
ヒドローp−テルフェニルが得られる。 以上を化学式で示すと次のようになる。 以下実施例により本発明の化合物につき更に詳細に説明
する。 実施例1 () ランス〜4−7’ロピルートランス−
4“−(4−フルオロフェニル)−トランス−オクタデ
カヒドロ−p−テルフェニルの製造) 削り状マグネシウム1.2II(0,049モル)を8
つロフラスコに入れ、4−ブロモアニソール9.2F(
0,049モル)をテトラヒドロンランに溶かした溶液
80tiを、窒素気流中で反応温度を30・〜35°C
に保ち、攪拌し2ながらゆっくり滴ド【7て行くと反応
して3時間でマグネシラノ、は溶CJて均一にな、!1
74−メトキシフェニルマグネシウムプロミドを生ずる
。これに4−(トランス−4’−フロビルシクロヘキシ
ル)シクロヘキセンッンのI O,9f (0,049
モル) ヲテトラヒドロフランに溶が12で50 pp
tlとしたものを反応温度を5〜10’Oに保ちつつな
るべく速かにnR−Fする。滴下後、35°Cまで昇温
し:NO分攪拌し、ついで3N塩酸50 mlを加える
。 反応液を分液漏斗にとり20 (l rptのトルエン
で3回抽出後、合わせたトルエン層を水で洗液が中性に
なる寸で洗浄してからトルエンを減圧留去する。残留し
た油状物け4−メトキシ−(1’−ヒドロキシ−4’−
()/Fンスー4〃−プロピルシクロヘキシル)シクロ
ヘキシル〕ベンゼンであり、これに硫酸水素カリウム6
gを加え窒素気流中160゛Cで2時間脱水する。冷却
後200n−のトルエンを加えてから硫酸水素カリウム
を炉別し、トルエン層を洗液から中性になるまで水洗す
る。次いでトルエンを減圧留去し、残る油状物をエタノ
ールで再結晶して得られるのが4−メトキシ−(4’−
()ランス−4″−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キセン−1′−イル〕ベンゼンである。ここで得られた
全量7.Ofをラネーニッケル触媒1.0gと共にエタ
ノール12(ly/に溶かし常圧50°Cで接触還元を
行ない、水素500 mlを吸収させた。触媒を炉別し
、そのまま再結晶させる。得られたものはシス体とトラ
ンス体の混合物なので、さらにエタノールで再結晶をく
り返し、トランス体を単離する。 これが、4−メトキシ−〔トランス−4’−()ランス
−4“−プロピルシクロヘキシル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゼンである。このもの409を酢酸400 tqlに
溶かし、臭化水素酸(47%)450 WIlを加え、
80時間還流する。冷却後、多重の水を加え沈殿物を炉
別し、この残渣をエタノールで再結晶する。とのもの8
0gをエタノール400献に溶かしルテニウム/炭素1
.0gを加え、180°C50kg/rJで5時間接触
還元する。触媒ti態別後溶媒を減圧留去し、トランス
−4−アルキル−4“−ヒドロキシートランスーオクタ
テカヒドローp−デルフェニルが得られる。これをアセ
トン44に溶かし、無水クロム酸と濃硫酸の混液20*
/を反応温度0〜8HICで滴下していく。反応液が橙
色になり、その色が消えなくなった点で終了1〜、反応
液を炭酸水素ナトリウl、で中和する。溶液を減圧濾過
しだ後溶ハ1.を留去し、l・ルエンで抽出し、水洗い
した後トルエンを減圧留去し、トルエンで再結晶する。 溶〃■を真空乾燥で除去して保存しておく。このものが
4−〔トランス−4′−(トランス−47−フロビルシ
クロヘキシル)シクロヘキシル〕シクロヘギサノンであ
る。マグネシウム片0.24 yK、 4−フルオロブ
ロモベンゼン1.75Fをテトラヒドロフランに溶かし
た液を滴−F’ していくと、マグネシラノ、は反応し
て4−フル刊ロベンーl−ンマグネシウノ、プロ#)”
e生り。 る。この溶液に、先に製造した4−(トランス−4’−
(トランス−4“−プロピルシクロヘキシル)シクロヘ
キシル〕シクロヘギサノンヲ50m1のテトラヒドロフ
ランに溶かした液を加える。 この際温度が80°C以上にならない様にし、滴下後1
時間還流させる。冷却後、8N・塩酸50r/を加え、
トルエン200 tntで抽出する。 水洗した後、溶媒を留去し、これに、硫酸水素カリウム
1fを加え窒素気流中160°Cで2時間脱水する。冷
却後硫酸水素カリウムを炉別しトルエン200πlで溶
解【7た液を洗液が中性になるまで水洗し、トルエンを
減圧留去する。それを新しいトルエンで再結晶して得ら
れたのが、4−(4’−(トランス−4“−(トランス
−4′−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキシルコシ
クロヘキセン−1′−イル)フルオロベンゼンである。 このもの1.117をトルエン50*/に溶解し、ラネ
ーニッケル触媒0.5gを加え、常温常圧で接触還元す
る。反応をガスクロマトグラフ−で追跡し、原料が消失
したところで反応全終了し、触媒炉別後、再結晶をくり
返した。得られたものが目的のトランス−4−プロピル
−トランス−4“−(4−フルオロフェニル)−トラン
ス−オクタデカヒドロ−p−テルフェニルである。収量
0.8 y、収率27%。結晶−スメクチック(C−8
)点は105.9°C,、’、y’りfツク−ネマチッ
ク(S−N)点は288℃、ネマチック−透明 (N−
I)点は279°Cであった。 実施例 実Mri &1月と同様の方法により次の化合物を製造
した。1 トランス−4−へブチル−トランス−4//−(4−1
0ロフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テ
ルフェニル、C−8点56.6’(:、S−N点248
°C,N−1点274°C0実施例3〔トランス−4−
ブチル−トランス−4″−(4−ヨードフェニル)−ト
ランス−オクタデカヒドロ−p−デルフェニルの製造j ’41Jf1口+lJ l ノ方法で得られたトランス
−4−ブチル−4“−オン−トランス−オクタデカヒド
ロ−p−テルフェニル4gをテトラヒドロ72ン100
rrtに溶かした液を、マグネシウム0.781とブ
ロモベンゼン4.7fを反応させて得られたグリニヤー
ル試薬に滴下していく。滴下後2時間還流し、冷却後8
N塩酸50r/を加え、トルエン200 mlで抽出す
る。中性になるまで洗浄後溶媒を減圧留去する。残った
油状物に硫酸水素カリウム2gを加え、窒素気流中16
0°Cで2時間脱水する。冷却後トルエン200 ml
を加え硫酸水素カリウムを炉別後、水洗を施し中性にな
ってからトルエンを減圧留去する。それをトルエンで再
結晶して得られたのが1−(4’−〔トランス−4’−
()ランス−4”−ブチルシクロヘキシル)シクロヘキ
シルコシクロヘキセン−1′−イル)ベンゼンである。 このもの0.9fをトルエン200 vtlに溶かし、
ラネーニッケル0.41を加え常温常圧で接触還元を行
ない、再結晶をくり返しトランス−4−ブチル−トラン
ス−4“−フェニル−トランス−オクタデカヒドロ−p
−テルフェニルを得る。このもの0.5fを酢酸200
#/に溶かし、硫酸Let、ヨウ素酸0.09 Q、
ヨウ素0.17 Fを加え15時間還流する1、冷却後
、結晶を炉別し、トルエンで再結晶して’r’+ら11
だのが目的のトランス−4−プブールートランス−4″
−(4−ヨードフェニル)〜トランスーオクタデカヒド
ロー1) −テルフェニルである。c−s点110″c
、s−N点238’に、N−1点298°Cであった。 実施イr114 (1づy用V/!I )トランス−4
−プロピル−(4′−シアノフェニル)シクロヘギザン
28% トシンスー4−ペンテルー(4’−シアノフェニル)シ
クロヘキザン 42o、/Iトラン=C−4−へジ
チル−(4’−シアノフエー ル)シフ「・−人A・−
リーン 3部%なる組成の液晶組成物のネマチック
液晶温度範囲は−3〜52 ”Cである。この液晶組成
物をセルJ!¥j l O/IlnのT Nセル(ねじ
t7ネマチツクセル)((封入いrもののy1b作し〜
い電圧は1.5V。 飽和電圧は2.Ovであった。又粘度は20″Cで24
cpであった。 上記の液晶組成物98部に本発明の実施例1テ示シたト
ランス−1−(4−フルオロフェニル)−)ランス−4
“−グロピルートランスーオクタデカヒドローp−テル
フェニル2部を加えた液晶組成物のN−I点は55.5
°Cに広がり、上記セルに封入したものの動作しきい電
圧は1、5 V、飽和電圧は2.Ovと変化しなかった
。 又20°Cでの粘度は24cpで変らなかった。 以上の如く本発明の化合物の添加で粘度や、電圧値を変
えずに液晶組成物のネマチック温度範囲を広げることが
できた。 以上
Claims (2)
- (1)一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜1oのアルキル基
を示し、XはF、C1,Br、Iのいずれかを示す) で表ワされるトランス−4−アルギル−トランス−4″
−(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オクタデカヒ
ドロ−p−テルフェニル。 - (2)一般式 (上式中Rは水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基
を示し、XはF、C1,Bre Iのいずれかを示す) で表わされるトランス−4−アルキル−トランス−e−
(4−ハロゲノフェニル)−トランス−オクタデカヒド
ロ−p−テルフェニルを少くとも1種含有することを特
徴とする液晶組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13086682A JPS5920235A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | トランス−4−アルキル−トランス−4″−(4−ハロゲノフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テルフエニル |
DE8383106795T DE3370818D1 (en) | 1982-07-16 | 1983-07-11 | High temperature liquid crystal substances having four rings and liquid crystal compositions containing the same |
EP83106795A EP0099099B1 (en) | 1982-07-16 | 1983-07-11 | High temperature liquid crystal substances having four rings and liquid crystal compositions containing the same |
US06/513,161 US4472293A (en) | 1982-07-16 | 1983-07-12 | High temperature liquid crystal substances of four rings and liquid crystal compositions containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13086682A JPS5920235A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | トランス−4−アルキル−トランス−4″−(4−ハロゲノフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テルフエニル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5920235A true JPS5920235A (ja) | 1984-02-01 |
JPH0212454B2 JPH0212454B2 (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=15044526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13086682A Granted JPS5920235A (ja) | 1982-07-16 | 1982-07-27 | トランス−4−アルキル−トランス−4″−(4−ハロゲノフエニル)−トランス−オクタデカヒドロ−p−テルフエニル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5920235A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05500830A (ja) * | 1990-04-13 | 1993-02-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 液晶媒体 |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP13086682A patent/JPS5920235A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05500830A (ja) * | 1990-04-13 | 1993-02-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 液晶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0212454B2 (ja) | 1990-03-20 |
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