JPS59182461A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はグロー放電法やスパッタリング法によ改良に関
する。

従来、電子写真感光体の光電材料としてはＳｅ。

ＣＪ、Ｓ　、　　ＺｎＯ等が一般的に使用されているが
、ａ−８１は耐熱性、ｉ［ｉＪ　ｉボ耗・比、無公害性
、光感度９Ｊｔ吐＠：に優れているという理由から、近
年、α−８１の電子写真感光体への応用が注１．１され
ている。

例えば、小型軽量肚つ低消費′電力の高密度−高したレ
ーザーラインプリンタが３ろるが、Ｃｔ、）　ｉ’；　
導体レーザの発振波長が８００　ｎｒｎ付近の近赤外囲
域であるため、近赤外光に対してｊ９Ｎ感度な＋１−　
ＥＳ　ｉ感光体の４１［究が進められ、近赤外光にに１
する光感度を増大するだめ、ゲルマニウム（以下、　（
」０と記す）乞添加したａ−１）１−膜が提案されてい
る。

しかしながら、Ｇｅを添加し／３　ａ　−Ｓ−１感光体
（７寸電荷保持能力が小さく、しかも、暗減衰速度が大
きいといった１ｄ〕題があり、依然、実用化の短点とな
っていた。更に、グロー放″准Ｖこより（ｉ：　（−ｉ
を添加するため、導入ガスに通常使用されるＧｅＨ４ガ
スは５ｉＴ−Ｉ４に比べ、隔分と高価であり、生産コス
トが大幅に」二がるという問題もあった。

本発明は丑記の事情に鑑みて成されたもので、ａ　−Ｓ
ｉ感光体の近赤外光に苅する光１６度を増大させるのに
加え、°１Ｆ荷保持能力が大きく、１土つ暗減速度の小
さい好適な特性を有しつつ、安価な、（１子写真感光体
を提供することを目的とする１、本発明の電子写真感光
体は心電１生基板上に、周期体表第１１Ｉａ族不純物を
含有しつつ、層形成開始時に酸素を０．１乃至２０．０
１Ｊ、ｔｏｍｉｃ％含み、且ツ層形成中に酸素含有量を
漸次減少させたａ　−Ｓｉ障壁層と、１０　　乃至５Ｘ
　１０　　ａｔｏｒｎｊ−０％の酸素を含有するａ−８
ｉ光導電層と、層形成中に酸素含有量を漸次増加させ、
往つ層形成終了時に酸素を１．０乃至６０．０　ａｔｏ
ｒｎｉｃ％含んだａ−９１表面保Ｍｐ　＆とを順次積層
して成ることを特徴とするものである、以下、本発明に
つき詳細に説明する。

本発明の１Ｅ子写真感光体は第１図に示す如く、導’？
Ｔｆ、性基板ｆｉｌ　Ｊ：に、　ａ　−Ｓｉ障壁］ａ　
（２＋、ａ　−Ｓｉ光導電Ｒ４＋３１及びａ　−Ｓｉ表
面保護層（４）を順次積層して構成される。

各層の酸素、水素及び硼素、並びに各層の厚みは第１表
の通９である１゜ 第１表 障壁層（２）の酸素含有量について（は、障壁２［１す
（２）の形成開始時に酸素含有量を０．１乃至２０．０
’、４．０１１Ｎ−ＣＢ％とし、且つ層形成中に酸累含
４Ｔ　ｆｉｔをｉ斬次減少させ、好ましくは層形成終了
時の酸素含イ１（歳を前記光導電層（３）の酸素含有量
と同じにするのがよい。

まだ、表面保護層（４）の酸素含有量について（は、層
形成中に酸素含有量を漸次増加させ、江つ表１ｒｌｌ保
護層（４）の形成終了時の酸素含有ｔａを１．０乃が６
００ａｔｏｍｉ−ｃ％とし、好ましくは、層形成開始１
１ｉ′Ｈの酸素含有量を前記光導電層（３）の酸素含有
１斤と回じにするのがよい。

ここで本発明においては、障壁層（２）のｆｊｕｉ素含
有量、酸素含有状態及び膜厚、光導電層（３）の酸素含
有量、並びに、表面保護層（４）の酸素含有状態と膜厚
が重要である。

即ち、障壁層（２）は光導電層（３）中で発生するキャ
リアを導電性基板（１）へ円滑に輸送し、且つ導電性基
板（１）からの電荷の注入を阻止する役目をするのに加
え、硼素を含有し、酸素含有量が光導電層（３）に比べ
、漸次多くなっているため、推定ではあるが、酸素及び
硼素の含有量と量比が特定の範囲になることで、近赤外
光に対する光感度が高められると考える。

これに対し、この障壁層（２）がない場合に（は、゛導
電性基板（１）からの電荷の注入阻止が有効になされず
、表面電位が低下し、暗減衰速度が大きくなり、史に近
赤外光に対する光感度が相対的に低下する。

また、障壁層（２）の酸素含有量が光導”直属（３）よ
りも大きくても、障壁層（２）の層厚に対して均一に酸
素が含有された場合では近赤外光に対する光１・８度が
大きくなく、しかも、本発明のように酸素含有量を層厚
に対し変化させても硼素など周期律表第な光感度は得ら
れていない。そこで、障壁層（２）の硼素は５０ｐｐｍ
以下で近赤外光に対する光感度が不十分となり、５００
　ｐｉＤＩｎ以上で表面電位が高くならず、暗減衰速度
が大きくなるだめ、障壁層（２）の硼素含有量は５０乃
至５００ｐ伊ｎ　、好適には８０乃至１５０　’ｐｐｍ
の範囲がよい。

前記障壁層（２）の酸素含有量は層形成中に１Ｑｉｉ次
減少させ、層形成開始時の酸素含有量は０．１乃至２０
ａｔｏｍｉｃ％とし、好ましくは層形成終了時は光導電
層（３）の酸素含有量と同じにするのがよい。ここで、
障壁層（２）の層形成開始時の酸素含有量が０．１ａｔ
ｏｍｉｃ％以下では導電性基板（１）からの電荷の注入
阻止が十分でないだめ、表面電位が不十分で暗減衰速度
が大きくなり、２０．Ｏａｔｏｍｉｃ％以上では光キャ
リアがトラップされ、残留ｆｉ位が増加するだめ、０．
１乃至２０．０　ａｔｏｍｉｃ％の範囲とすルノカヨく
、この範囲内の酸素含有量から成膜を開始して、光導電
層（３）の酸素含有量にまで漸次減少させた場合、近赤
外光全域に対する光感度が大幅に高くなることか確かめ
られているっそして、前記障壁層（２）の膜厚は０．２
μｍ以下で導電性基板（１）からの°電荷の注入阻止が
不十分となり、５．Ｏｔｔｍ以上で残留電位が大きくな
り、従って、障壁層（２）の膜厚は０．２乃至５．０μ
ｍの範囲がよい。

更に、前記障壁層（２）の酸素含有量が前記導電性基板
（１）との界面を最大とし、この界面から順次減少させ
ることにより、最大酸素含有量の層厚がほぼ零になった
場合、光導電層（３）で発生したキャリアが前記界面で
トラップされることはなくなり、残留ｉＥ位が著しく下
がった好適な特性を示すことがわかっている。

前記によれば、この最大酸素含有量の層厚が、１０００
Ａ以下であれば残留電位に起因した電子写真画像の白地
のカプリは認められず、好適には１０、Ａ以下であれば
残留電位がほとんど認められず、近赤外光に対する光感
度の低下に及ぼす影響もない。

２ 光導電層（３）については、酸素含有量を５×１０ａｔ
ｏｍｊ−ｃ％以上とすると光感度が大幅に低下し、また
逆にｌｏ　　ａｔｏｍｉｏ％以下であると、酸素原子の
その大きな電気陰性度によりダングリングボンドの電子
を充分にとり込むことができず、よって暗抵抗にして１
０　　Ω・α以上のａ−８ｉ光４電層を得ることができ
ず、光導電層（３）の酸素含有量は１０−１乃至５　Ｘ
　１０　　ａｔｏｍｉｏ％の範囲がよい。

尚、光導電層（３）中の周期律表第■ａ族不純物、特に
硼素の含有量が少なくとも２００　Ｔ）Ｔ’ｍ以上あれ
ば正負両極性に対して高い光感度を有するので好適であ
る。

次に、表面保護層（４）については、外表面で酸素含有
量を高めることで５ｉｎ２を生成して表面硬度の大きい
表面保護層（４）が得られ、感光体の耐久性は大幅に向
上し、しかも、層形成開始時に酸素含有量を光導電層（
３）と同じにし、層形成終了時に酸素含有量を１．０乃
至６０．０　ａｔｏｍｉｏ％とするのがよい。これによ
り、高い光感度を維持し、且つ゛ボ荷保持能力の向上し
た好適な感光体となる。

まだ、表面保護層（４）の膜厚は０．０５μｍ以下で耐
久性の向上は見られず、且つ表面電位が低く、電荷保持
能力が向上しない。まだ、逆に１．Ｏｔｉｍ以上では光
感度が低下傾向を示すと同時に残留電位が大きくなる。

従って、表面保護層（４）の膜厚は０゜０５乃至１．０
μｍ１好ましくは０，１乃至０．５μｍの範囲がよい。

尚、表面保護層（４）の膜厚は外表面での最大酸素含有
量が多くなれば膜厚を小さくし、逆に、この最大酸素含
有量が小さくなれば膜厚を大きくするように、上記の適
正範囲内で決定される。

史に、表面保護層（４）の酸素含有量が層形成中ＶＣ漸
次増加し、この増加が外表面で終了とし、最大酸素含有
量を有しだ層厚がほぼ零になった場合、残留電位はほと
んど認められず、白地のカブリの全くない、高コントラ
ヌトで解像度の大きい、高品質の電子写真画像が得られ
る。

前記光導電層（３）の膜厚は、本発明の趣旨のためには
障壁層（２）及び表面保護層（４）に比してそれほど厳
密なものではなく、従来のａ　−Ｓｉ光導電層の膜厚、
例えば、５乃至１００μｍの範囲であればよい。

して、層形成開始時に酸素を０．１ｈ至２０．０　ａｔ
ｏｍ：ｉ、０％含み、且つ層形成中に酸素含有量を淳１
次減少させただめ、光導電層中で発生したキャリアを導
′ｒに性基板へ円滑に輸送し、且つ、導′ｒに性基板か
らの′電荷の輸入を阻止するのＱ′こ加え、硼素及び酸
素の含有により近赤外光に苅する光感度が旨められ、更
に、酸素含有量が導電性桟板との界面を最大とし、この
界面から漸次減少し、最大酸素含有量の層厚がほぼ零に
なった場合、残留″電位がなくなり、近赤外光に対する
光感度の低−トーのない好ａな電子写真感光体となる。

加えて、表面保護層で（は、−＞Ｃ導電層の形成に続い
て、漸次、酸素の含有を増加させ、外表面で１．０乃至
６０．０　ａｔｏｒｎｊ−ｃ％の酸素を含有サセたたメ
、Ｓ］−０２を生成し、表面硬度が弛めて大きくなり、
しかも、高い光感度を維持しつつ、電荷保持ｒＪＨカの
向」−シた著しく優れた電子写真感光体となる。

次に、ａ　−Ｓｉ層を生成するためのｕ　、１　ｆ：ｉ
金型グロー放電分解装置を第２図に基づいて説明する。

図中の第１．第２．第３タンク＋５１　＋６１　＋７１
には、それぞれＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６、０２ガスが密封さ
れている。

ま７’ＣＳ’ｘＨ＋　、　Ｂ２Ｈ６ガス何れもキャリア
ーガスは水素である。これらのガスは対応する第１．第
２及び第３調整弁（８１（９１Ｑ（Ｉｉを開放すること
により放出され、その流量がマスフローコントローラ１
１旧１２１１１３１により規制され、第１及び第２タン
ク＋５１　＋６１からのガスは第１主管（１４Ｉへ、ま
だ第３タンク（７）からの酸素ガスは第２主管１１５）
へ送られる。尚、ｆｌｆｉＨ１７１は止め弁である。第
１．第２主管（１４１４１５１を通じて流れるガスは反
応管ｆ１８１へと送り込まれるが、この反応管内部の基
盤の周囲には容量結合型放電用電極（１９が配設されて
おり、それ自体の高周波電力は５０　ｗａｔｔｓ乃至３
　ｋｊ−１ｏｗａｔｔｓが、また周波数はＩ　ＭＨｚ乃
至数１ＯＡ４Ｈｚが適当である。反応管ｆ１８１内部に
は、その上にａ−３ｊ４ｆｉが形成される。例えば、ア
ルミニウムやＮＥＳＡガラスのような基板＋２（１）が
モーターｆ２１１により回転可能であるターンテープｌ
しく；（２上に載置されており、該基板硼自体は適当な
加熱手段Ｖこより、約５０乃至３００℃好ましくは約１
５０／′７！彦５゜℃の温度に均一加熱されている。ま
た、ノブ応・′ｉマ（１８！の内部はａ−８１暎形成時
；Ｃ高度の真空状；ル（放電圧０．５乃至２．　Ｑ　’
１’０ｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ１′２
五と拡肢ポンプ（！５に連結されている。

以北の構成のグロー放’＋（ｆ、分解装置１′？におい
て、：實素を含有するａ　−Ｓｊ−膜をす；板（２ｇ＋
−１：に形成するときは、第１及び第３調整弁ｆ８）　
００）を開放してイ＜１タンク（５）よりＦＥ＋ｉＨ＋
ガスを、　第３タンク（７）より酸素ガスを、まだ借１
素も含有させるときは第２調整弁（９）をも開放して、
第２タンク（６）よりＢ　２　Ｈｔ＋ガスを放出する。

放出量はマスフローコント１１−フ（１旧１２１ｔ１３
１により規制され、Ｓ鉗４ガス或いｔｄ、　　−’ｅ：
ｈＫ１３２）１６ガスが混合されたガスが第１主管（１
４）を介して、また、それとともｅこ５ｉＨ４（Ｃ対し
一定のモル比にあ゛る酸素ガスが第２主管ＩｆＦｉ）を
介して反応管岱へと送り込まれる。そして反応管（１８
１内部が０．５乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、鳥
（板温展が５０乃仝３００℃、容量型放電用′直４ｆｆ
ｌｉ、ｌ’Ｊの詩周波′市カが５０　ｖに＋、ｔ；１；
ｊ３乃至３１工０”、Ｖａｔ’Ｇ　Ｓ、まだ周波り（が
１乃至ｐ　］　ＯＭＨｚに設定されていることに羊１１
医って、グロー放’ｊｆｉが起こり、ガスが分解して、
基板上Ｖこ酸素及び水素を含有したａ　−Ｓｉ膜、或い
は、それに加えて適量の硼素を含有したａ　−Ｓｉ膜が
約１０乃至２５００Ａ／分の成膜速度で形成される。

以下、本発明の実施例について説明する。

〔実施例１〕 上述した第２図に示すグロー放電分解装置でａ−３ｉ障
壁層とａ　−Ｓｉ、光導電層、並びニａ−ｓｉ表面保護
層を形成し、この電子写真感光体の分光光感度特性及び
表面電位特性を測定した。

即ち、前記グロー放電分解装置のターンテーブルｔ′、
！２ｉ上に円筒状のアルミニウム基板（１）を載置し、
第１タンク（５）より水素をキャリアーガスとしたＳＩ
４ガス（流量３２０　ＳＣＣＭ　）を、第２タンク（６
）より水素をキャリアーガスとしだＢ２　Ｈａガス（流
量８０６ｃｃＭ　）を、更に、第３タンク（７）より酸
素ガス（流量１０．０　ｓｅｃＭ　）を放出し、鏡面仕
上げされ蛸筒状のアルミニウム基板（１）上に酸素を約
５．０　ａｔＯｍｉ−ｃ％、硼素を約２００　’ｐｐｍ
、水素を約１０　ａｔｏｍｉｃ％含有の組成から、漸次
、連続的に酸素ガスの放出量を減少させていき、２．０
μｍの層厚１こなった時に酸素ガス流量を０．６　ｓｅ
ｃＭとなるようにし、よって、基板界面付近では酸素量
が多く、障壁層形成の終了に近づくに伴ない光導電層（
２）の酸素量に近い値にすることにより、膜厚に対して
ｅＸｐｏｎｅｎｔｉａ］−なカーブ番こなるように調整
をした。このときの製造条件は放電圧を０．６　ＴＯｒ
ｒ　、基板温度を２００℃、高周波電力を１５０　Ｗ　
、膜形成速度を１４．　Ａ　４ｏ（、としだ。

四番こ、続けて酸素ガス流量をＯ，ｂ　ｓ　ｃ　ｃＭと
した条件で、酸素量０．０２　ａｔｏｒｒｌｉｃ％、硼
素を約：、＞ＱＱ　ｐｉｌｍ　。

水素を約１５　ａｔｏｍｊｃ％含む、厚さ２１８μ〃１
の光導電層（３）を得だ。その後、酸素ガス流量を０．
６　ＳＣＣＭから１０．０　ＢＣＱＩＶＡに、５ｊ−Ｈ
ｚ＞ガスを３２０　ＳＣＣＭから１１００５ｃｃ　ｉこ
、Ｂ２Ｈ６ガスを８０　ＳＣＣＭから零に？ｌＯｉ次連
続的に放出量を変えて、外表面が酸素量５０　ａ、ｔｏ
ｍ５−ｃ％、水素を約９．有肱硼素を含まない、厚さ０
．２μｍの表面保護層（４）を得た。

上記に従い、成膜された積層膜感光体（Ａ）の層厚≦こ
対する酸素濃度分布の概略図を第３図に示す。

同図中、横軸は酸素濃度を示し、縦軸についてばｄｏ　
−ｄ、＋間は障壁層（２）の、狛−Ｃ１２間は光導電層
（３）の、！１２−６３間は表面保護層（４）のそれぞ
れの層厚を示す。

かくして得られた積層膜感光体（Ａ）の分光光感度特性
を測定したところ、第４図に示す通シの結果が得られた
。

同図において、○印はこの積層膜感光体（Ａ）の光感度
測定結果であり、（（イ）はこの測定結果に基づいた分
光光感度曲線であり、Ｏ印は前記積層膜感光体（Ａ）の
光導電層（３）及び表面保護層（４）とを本実施例と同
一の製法条件で作成して、障壁層（２）のない積層膜感
光体（Ａ−１）の光感度測定結果であ抄、（ロ）はこの
測定結果に基づいた分光光感度曲線である。第４図から
明らかなように、本発明の積層膜感光体（Ａ）では前述
の障壁層（２）を積層しただめ、障壁層（２）のない積
層膜感光体（Ａ−１）に比べ、長波長領域における光感
度特性の大幅な向上が認められ、半導体レーザを用いた
レーザービームプリンタへの応用を可能としている。

次に、本発明の積層膜感光体（〜の表面電位、暗減衰及
び光減衰の特性を測定したところ、第５Ｍに示す通りの
結果が得られた。これらの特性は暗中で＋５．６に’Ｖ
のコロナチャージャで正帯電し、暗中での表面電位の経
時変化と、７７０　ｎｍの単色光照射直後の表面電位の
経時変化を追ったものである。同図中、（ハ）及びに）
は、それぞれ本発明の積層膜感光体（Ａ）の暗減衰曲線
及び光減衰曲線であり、そして（ホ）及び（へ）は、そ
れぞれ本発明積層膜感光体（Ａ）から障壁層及び表面保
護層を除いた、光導電層のみから成る単層膜感光体（Ａ
−２）の暗減衰曲線及び光減衰曲線である。

第５図から明らかなように、単層膜感光体（八−２）で
は表面電位が３００ｖ程度であり、且つ５秒後で約２０
〜３０％の暗減衰を示しているが、本発明の積層膜感光
体（Ａ）では表面電位が７００ｖと大幅に高く、暗減衰
も遅く、５秒後で約５％であり、電荷保持能力が飛躍的
に向上している。

尚、障壁層のない積層膜感光体（Ａ７１）でも単層膜感
光体（Ａ−２）と同様に約３００　Ｖの表面電位であり
、第５図中、暗減衰曲線０９とほぼ同じ特性を示すこと
が認められた。

また、前記積層膜感光体（Ａ）を半導体レーザプリンタ
（波長７７０厄、印刷速度２０枚／分）ｖ（実装し、印
字したところ、高コントラストで解像度が高い、高品質
画像が得られ、３０万回の繰り返しテスト後においても
濃度低下、白地のがぶり、ドラム表面の傷による白抜け
などの劣化が全く見られず、極めて高い耐久性を有して
いることが確認された。

〔実施例２〕 前記実施例１と同様に、グロー放電分解装置によりアル
ミニウム基板上に、第２表の通りに本発明の積層膜感光
体（Ｂ）乃至（：Ｊ）を製作した。

第　　２　　表 そして上記積層膜感光体（１３）乃至ｇ）について、実
施例１と同じ方法で光感度特性（波長７７０　ｎｍ　）
及び表面電位特性を測定し／こところ、第３表の通りの
結果になった。

第３表 また上記実施例の積層膜感光体のすべてについて、前記
実施例１と同一の方法で半導体レーザプリンタ（波長７
７０　ｎｍ、印刷速度２０枚／分）に実装し、印字した
ところ、高コントラストで解像度が高い、高品質画像が
得られ、３０万回の繰り返しテスト後においても濃度低
下、白地のかぶり、ドラム表面の傷による白抜けなどの
劣化が全く見られず、初期画像と何等遜色がなかった。

〔比較例１〕 前記実施例１と同様にグロー放電分解装置により、アル
ミニウム基板上に積層膜を形成した感光体を製作した。

本例においては障壁層が実施例１と違っている。

即ち、前記グロー放電分解装置のターンチーゾル（２２
１上に円筒状のアルミニウム基板（１）を載置し、第１
タンク（５）より水素をキャリアーガスとしたＳｌ［＋
４ガス（流量３２０　ｓｅｃＭ　）を、第２タンク（６
）ヨり水素をキャリアーガスとしだＢ　２　Ｈａガス（
流量８０　ニー１０７ｊＪ）を、更に第３タンク（７）
より酸素ガス（流量１０．ＯｓｃｃＭ　）を放出し、鏡
面仕上げされた円筒状のア□　　ルミニウム基板（１）
上Ｖこ酸素を約５．０　ａｔｏｍｉｃ％、硼素を約２ｏ
ｏ　ｐｐｍ−水素を約ＩＱ　ａｊｏｍｌｃ％含有し″　
　だ組成で、厚み０．４μｍの暦を形成し、次いで、°
　　漸次連続的に酸素ガスの放出量を減少させていさ、
障壁層の形成終了時に酸素ガス流量を０．６８ｃ（帰と
なるようにしだ。その、Ｍ果、層厚２．Ｏｌ１ｍの障壁
層（２ａ）を形成し、この障壁層（２ａ）のうち、基板
（１）に対面した内部に酸素を約５．　Ｏａｊｏｆｌｌ
ｉｃ％含有し、ｊＩみ０．４μ〃ｚの最大酸素含有量の
層を形成した。次に実施例１と同様（こ、光導電層（３
）及び表面保護層（４）を順次積層して、積層膜感光体
（Ａ−３）を得た。

この積層膜感光体（Ａ−３）の層厚に対する酸素濃度分
布の概略図を第６図番こ示す。同図中、横軸は酸素濃度
を示し、縦軸については′ｌｏ−狛間は障壁層（２ａ）
の層厚を示し、そのうち、？ｉｏ　−１１間は最大酸素
含有量の層厚であり、’ＩＴ　−Ｃ１ｌ　１ｉｉＩは層
厚方向に対し酸素濃度に勾配をつけた層の厚みである。

また、１ｔ−ＣＬ２間は光導電層（３）の、１２−６３
間は表面保護層（４）のそれぞれの層厚を示す。

かくして得られた積層膜感光体（Ａ−３）ｉこついて、
前記実施例１と同じ方法で光感度特性、並びに表面電位
、暗減衰及び光減衰の特性を測定したところ、光感度特
性及び暗減衰特性（ごついては、前述の本発明積層膜感
光体（Ａ）とほとんど斐わらなかった。

しかしながら、光減衰特性番こついては第５図中、（ト
）で示された。即ち、残留電位が１００　Ｖ以上あり、
この感光体について実施例１と同様（こ半導体レーザプ
リンタに実装し、印字したところ、白地番こカプリを生
じる不都合が認められた。

〔比較例２〕 第２図【こ示すようなグロー放電分解装置で導′１Ｅ性
基板上ｉコｓｉを約４０　ａｔｏｍｉｃ％、（Ｊｅを約
４０ａｔｏｍｉｏ％含有し、層厚が２μ＃Ｉの”　　Ｓ
ｌ　ａ　ＱＯ（Ｂ光層と、酸素を０．０２　ａｔｏｒｒ
ｒｈｃ　％、硼素を約２００−ｐ：ｐｍ　、水素を約１
５　ａ、ｔｏｍ−ｉｃ％含む、層厚力２０　ｍｎのａ　
−Ｓｉ感光層を順次積層し、　近赤外光（こ苅し高光感
の感光体を製作した。

但し、前記ａ−８工・Ｇｅ感光層（はいずれも水素をキ
ャリアーガスとしたＳ　ＩＨ４ガス（流ｆｆ１１６（Ｉ
　５Ｃｃｔり及びＧｅＨ＋ガス（流献１６０　ＳＣＣＭ
　）を放出し、放電圧０．６　Ｔｏｒｒ　１基板温度２
００℃、高周波電力１５０Ｗ。

膜形成速度１４Ａ／３ｏｃで形成し、前記ａ　　ｂ　１
感光層は実施例１０光導７Ｅ層（２）と同一条件で製作
した。

かくして得られた感光体は主にａ　　Ｊ　ｉ・Ｑｅ感光
体で近赤外先番こ対する光感度が大きくなったが、第５
図の暗減衰曲線（力が示すよう１こ、表面電位は約２０
０■、暗減衰は速く、５秒後で約５０％となった。

更に、この感光体を実施例１と同一の方法で半導体レー
ザプリンタ（波長７７０皿、印刷速度２０枚／分）に実
装し、印字したところ、実施例１及び２の感光体に比べ
、画像コントラストの低く、品質劣化の画像となった。

上述した実施例から明らかなように、本発明のａ　−Ｓ
ｉ感光体は層形成中に酸素含有量を〜１次増加させ、且
つ層形成終了時に酸素を最大に含んだ表面保護層を光導
電層上に積層し、加えて、酸素濃度が導電性基板に向か
つて漸次増加させて酸素濃度番こ勾配を設け、且つ硼素
を含有させた障壁層を、基板と光導電層の間に設けたた
め、電荷保持能力が極めて大きくなり、且つ暗減衰速度
の小さい特性を示すと共に、近赤外光〔こ対する光感度
が著しく向上した好適な感光体となった。

しかも、障壁層の、基板との界面を最大酸素含有量とし
、この界面からＭ９ｉ９ａ素含有量を減少させたため、
残留電位はほとんど零（こ外で下げることができた。

四番こ、ａ−８ｉ）％光体の近赤外光（こ対する光１・
８度を増大させるため、比較的１情価な（ｊｅ［１４ガ
ス等のＧｅ系ガスを使用する必要もなく、安価に製１・
ｉ＝できるという利点も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は素光明番こ係る感光体の拡大断面図、第２図は
アモルファスシリコン層を生成するタメのグロー放電分
解装置、第３図（伐木発明（こ係る感光体の層厚に対す
る１浚紫濃度分布を示す概略図、第４図はアモルファス
シリコンから成る積層膜感光体の分光光感度曲線を示す
グラフ、第５図はアモルファスシリコンから成る積層膜
感光体の表面電位、暗減衰曲線及び光減衰曲線を示すグ
ラフ、第６図は比較例の積層膜感光体の１ａ厚に対する
酸素濃度分布を示す概１洛図である。 （１）・・・導電性基板 ＋２１・・・アモルファスシリコン障壁層（３）・・ア
モルファスシリコン光Ｊ　’ｔ［Ｎ（４）・・・アモル
ファスシリコン表ｍ保ｍｓ特許出願人　京セラ株式会社 町　　涯村　孝夫 第４図 手続補正書（自発） 昭和５９年２月１０日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　　　昭和５８年特許願第５８２９２号
２、発明の名称　　　電子写真感光体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許代表出願人 住　所　京都市山科区東野井上町５２番地１１４、補正
命令の日付　　　自発 ５、補正の対象 明＃Ｉ書の「特許請求の範囲の欄」及び「発明の詳細な
説明の（蘭」 ６、補正の内容 （１）明細喪中特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２）明ａ喪中第５頁第１行目の「含有しつつ、」を「
含有すると共に、」と補正する。 （３）明細書中第５頁第３乃至７行目の［ａ−８ｌ障２ 壁層と、１０　　乃至５　Ｘ　１０　　ａｔｏｍｉｃ％
の酸素を含有するａ　−Ｓｉ光導電層と、層形成中に酸
素含有量を漸次増加させ、且つ層形成終了時に酸素を１
．０乃至６０．０　ａｔｏｍｉｃ％含んだａ　−ｓｘ表
面保護層と」を「ａ−Ｓｉ障壁層と、ａ−８Ｌ光導電層
と」と補正する。 （４）明細喪中第５頁第１θ行目の「本発明の電子写真
感光体は第１図に示す如＜、」を「本発明の電子写真感
光体は、導電性基板上にａ−３ｉ障壁層とａ　−Ｓ、ｉ
光導電層を順次積層して成ることを基本構成とし、更に
、第１図に示す如く、」と補正する。 （５）明細書中筒５頁第１３行目の「構成される。」を
［構成されるのが望ましいが、後述のようなａ−Ｓｊ−
表面保護層に限らず、ａ−３ｊ−以外の種々の材料を用
いて１面保護層を形成してもよい。」と補正する。 （６）明細書中温５頁第１４行目の［各層の酸素、水素
及び硼素」を「ａ　−Ｓｉ表面保護層（４）を用いた場
合について、各層の酸素、水素及び硼素」と補正する。 （７）　　明細喪中第１６頁第１６行目の「約１５　ａ
ｔｏｍｉｃ％」を「約３　ａｔｏｍｌ−ｃ％」と補正ス
ル。　　゛（８）明細書中温２０頁第２表中、表面保護
層における「帽１を「層厚（μｍ）Ｊと補正する。 以−り 別　　　　　紙 特許請求の範囲 （１）導電性基板上に、周期律表第ｊｌＴａ族不純物を
含有すると共に、層形成開始時に酸素を０．１乃至加Ω
ａｔｏｍｉｃ％含み、且つ層形成中に酸素含有量を漸次
減少させたアモルファスシリコン障壁層と、アモルファ
スシリコン先導’ＦＵＲとを順次積層して成ることを特
徴とする電子写真感光体。 真感光体。 （３）　　前記アモルファスシリコン障壁層形成終了時
の酸素含有量を前記アモルファスシリコン光導電層の酸
素含有量と同じにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。 （４）　　前記アモルファスシリコン障壁層がｌｏ乃至
４Ｑ　ａｔｏｍｉ（３％の水素と、５ｏ乃至５００　’
ＩＩ）ｌ）ｍの周期律表第■ａ族不純物を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。 （５）　　前記アモルファスシリコン光導電層がｌＯ乃
至４０　ａｔｏｍｌＱ％の水素と、ｌＯ乃至２００００
　ｐ：ｐｍ　の周期律表第ｍａ族不純物を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。 （６）　　前記周期律表第■ａ族不純物が硼素であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項まだは第５項記載
の電子写真感光体。 ｆｉｌ　　前記アモルファスシリコン障壁層の厚みが０
．２乃至５．０μｍであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の電子写真感光体。 （８）前記アモルファスシリコン障壁層の酸素含有量が
前記導電性基板との界面を最大とし、該界面から漸次減
少させたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子写真感光体。 真感光体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　導電性基板上に、周期律表第Ｚａ　　族不純
   物を含有しつつ、層形成開始時に酸素を０．１乃至２０
   ．０　ａｔｏｒｎ１ｃ％含み、且つ層形成中に酸素含有
   量を漸次減少させたアモルファスシリコン障壁層と、ｂ ｌＯ乃至５　Ｘ　１０　　ａｔｏｍｉｃ％の酸素を含有
   するアモルファスシリコン光導電層と、層形成中に酸素
   含有量を漸次増加させ、且つ層形成終了時に酸素を１．
   ０乃至６０．　Ｏａｔｏ！ｎｉ、ｃ％含んだアモルファ
   スシリコン表面保護層とを順次＠層して成ることを特徴
   とする電子写真感光体。 （２）前記アモルファスシリコン障壁層形成終了時の酸
   素含有量を前記アモルファスシリコン光導電層の酸素含
   有量と同じにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の電子写真感光体。 （３）前記アモルファスシリコン表面保護層形成ｌｔ［
   ４時の酸素含有量を前記アモルファスシリコン光導電層
   の酸素含有量と同じにしたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記戦の電子写真感光体。 ｔ４＋　　＋＞ｆＩ記アモルファスシリコン障壁−’ｌ
   ’ＩＯ乃至４０ａｔｏｎｉ：Ｌｃ％の水素と、５０乃至
   ５００　ｐｐｒｎの周期律表第ｉｕａ族不純物を含有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写
   真感光体。 ｆ５）　　Ａｉｌ　６Ｅアモルファスシリコン光導電層
   が１０乃至４０　ａｔｏｍｉＱ％の水素と、１．０乃至
   ２００００ｐ］）ｍの周期律表第Ｆ、Ｉａ族不純物を含
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電
   子写真感光体。 （６）前記周期律表第ｍａ族不純物が硼素であることを
   特徴とする特許請求の範囲第４項まだは第５項記載の電
   子写真感光体。 （７）　　前記アモルファスシリコン障壁層の厚みが０
   ．２乃至５．０μｍであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の電子写真感光体。 （８）前記アモルファスシリコン表面保護層の厚みが０
   ．０５乃至１．０μｍであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の゛（ｆｆ、子写真感光体。 ＋９）　　前記アモルファスシリコン障壁１頭の酸素含
   有量が１１１１記導電性基板との界面を最大とし、該春
   面から漸次減少させたことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記Ｉ戒の電子写真感光体。 （１０）　　前記アモルファスシリコン表面保護層の酸
   素含有量が層形成中に漸次増加し、該増加が外表面で終
   了し、該外表面で最大の酸素含有量となることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の′ｊＦ子写真感光体。