JPS59173268A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS59173268A JPS59173268A JP4838583A JP4838583A JPS59173268A JP S59173268 A JPS59173268 A JP S59173268A JP 4838583 A JP4838583 A JP 4838583A JP 4838583 A JP4838583 A JP 4838583A JP S59173268 A JPS59173268 A JP S59173268A
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- JP
- Japan
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- chamber
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- thin film
- film
- winding
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空槽内でフィルム状支持体の両面に１パス
で、薄膜を形成するための薄膜形成装置に関する。
で、薄膜を形成するための薄膜形成装置に関する。
フィルム状支持体の両面に薄膜を形成する方法として最
も簡便な方法は、例えば、通常の片面方式の薄膜形成装
置を用いてまず片面−に薄膜を形成し、しかるのち支持
体を表裏反転し他方の面に薄膜を形成する方法である。
も簡便な方法は、例えば、通常の片面方式の薄膜形成装
置を用いてまず片面−に薄膜を形成し、しかるのち支持
体を表裏反転し他方の面に薄膜を形成する方法である。
しかるに、かかる方法で両面に薄膜を形成する場合は、
片面にまず薄膜を形成したのち真空槽内を大気にさらし
支持体の表裏を反転させたのち、ふたたび真空に排気し
他方の面に再度薄膜を形成する必要があるため真空排気
に要する時間が長くかかる等の欠点がある。
片面にまず薄膜を形成したのち真空槽内を大気にさらし
支持体の表裏を反転させたのち、ふたたび真空に排気し
他方の面に再度薄膜を形成する必要があるため真空排気
に要する時間が長くかかる等の欠点がある。
また、−回目の薄膜作成条件と二回目の薄膜作成条件と
では、真空条件、スノくツタ−条件等を完全に同一にす
ることは必ずしも容易ではな℃・ため表と裏とで薄膜の
特性が異なる等の欠点を有して℃・る。このため真空槽
内で１パスで両面に薄膜を形成する方・法が要望されて
いた。
では、真空条件、スノくツタ−条件等を完全に同一にす
ることは必ずしも容易ではな℃・ため表と裏とで薄膜の
特性が異なる等の欠点を有して℃・る。このため真空槽
内で１パスで両面に薄膜を形成する方・法が要望されて
いた。
本発明は、途中で真空を破ることなく］バスでフィルム
状支持体の両面に所望の薄膜を再現性良く形成するため
の薄膜形成装置を提供することを目的とするものである
。
状支持体の両面に所望の薄膜を再現性良く形成するため
の薄膜形成装置を提供することを目的とするものである
。
又、本発明は、得られた膜の特性がスパッタ一時の真空
の質に強く依存するような薄膜、例えば磁気記録媒体用
の磁性薄膜をフィルム状支持体の両面に再現性よく且つ
しわなく形成するための薄膜形成装置を提供することを
目的とするものである。
の質に強く依存するような薄膜、例えば磁気記録媒体用
の磁性薄膜をフィルム状支持体の両面に再現性よく且つ
しわなく形成するための薄膜形成装置を提供することを
目的とするものである。
さらに、本発明は、フィルム状支持体の両面に多層構成
の薄膜を効率良く形成し、特に簡便な方法でスパック−
雰囲気を独立に制御しながらスパッター膜を形成するこ
とを可能にする薄膜形成装置を提供することを目的とす
るものである。
の薄膜を効率良く形成し、特に簡便な方法でスパック−
雰囲気を独立に制御しながらスパッター膜を形成するこ
とを可能にする薄膜形成装置を提供することを目的とす
るものである。
本発明の薄膜形成装置は、フィルム状支持体の両面に薄
膜を連続的に形成する装置において、支持体送出室、複
数個のスパッター室、及び支持体巻取室を有する真空槽
と、相隣なる前記スパッター室間の隔壁の位置に配置さ
れ且つ少なくともひとつが逆方向に回転する複数個の円
筒状キャンと、この円筒状キャンの周囲に配設された複
数個のスパッターターゲット電極と、前記支持体送出室
にセットされたフィルム状支持体を前記円筒状キャンに
沿って移動させながら支持体巻取室で巻き取る機構とを
有することを特徴とするものである。
膜を連続的に形成する装置において、支持体送出室、複
数個のスパッター室、及び支持体巻取室を有する真空槽
と、相隣なる前記スパッター室間の隔壁の位置に配置さ
れ且つ少なくともひとつが逆方向に回転する複数個の円
筒状キャンと、この円筒状キャンの周囲に配設された複
数個のスパッターターゲット電極と、前記支持体送出室
にセットされたフィルム状支持体を前記円筒状キャンに
沿って移動させながら支持体巻取室で巻き取る機構とを
有することを特徴とするものである。
以下本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図に本発明の薄膜形成装置の一実施例を示す。
本実施例における真空槽は、支持体送出室１１スパック
−室２，１．２ｂ、および支持体巻取室３の合計４室よ
り構成されている。各室は図示されては（・ないが、通
常それぞれ独立した真空排気系に接続されている。支持
体送出室１とスパッター室２ａの間、及びスパッター室
２ｂと支持体巻取室３の間にはそれぞれ隔壁４，５が設
けられており真空的に隔離されている。また、スパッタ
ー室２ａと２ｂとの間にも隔壁６ ａ 、 ６ ｂ 、
６ ｃ 、６ ｄが設はうしている。スパッター室２
ａ、２ｂ内は、例えばＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下に
排気された後、ガス導入系７ａ 、７ｂよりアルゴンガ
スを導入し、５Ｘ１０ ”〜ｌ Ｑ ”Ｔｏｒｒに保持
される。支持体送出室１及び支持体巻取室３の内部の真
空圧力は、通常スパッター動作時のスパッター室内の真
空圧力より低くなるように排気される。
−室２，１．２ｂ、および支持体巻取室３の合計４室よ
り構成されている。各室は図示されては（・ないが、通
常それぞれ独立した真空排気系に接続されている。支持
体送出室１とスパッター室２ａの間、及びスパッター室
２ｂと支持体巻取室３の間にはそれぞれ隔壁４，５が設
けられており真空的に隔離されている。また、スパッタ
ー室２ａと２ｂとの間にも隔壁６ ａ 、 ６ ｂ 、
６ ｃ 、６ ｄが設はうしている。スパッター室２
ａ、２ｂ内は、例えばＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒ以下に
排気された後、ガス導入系７ａ 、７ｂよりアルゴンガ
スを導入し、５Ｘ１０ ”〜ｌ Ｑ ”Ｔｏｒｒに保持
される。支持体送出室１及び支持体巻取室３の内部の真
空圧力は、通常スパッター動作時のスパッター室内の真
空圧力より低くなるように排気される。
スパッター室２ａ及び２ｂ内の真空圧力或いは導入ガス
成分はそれぞれ独立に制御することができる。フィルム
状支持体８は最初、支持体送出室１の送出ロール１０に
巻かれている。送出ロール１０を出たフィルム状支持体
８は、ローラ１４，１５，１６、第一の円筒状キャン１
１、中間ローラ１７ 、 ＋−８、１９。
成分はそれぞれ独立に制御することができる。フィルム
状支持体８は最初、支持体送出室１の送出ロール１０に
巻かれている。送出ロール１０を出たフィルム状支持体
８は、ローラ１４，１５，１６、第一の円筒状キャン１
１、中間ローラ１７ 、 ＋−８、１９。
２０、第二の円筒状キャン１２、ローラ２１゜２２．２
３、の、１すＱで巻取ロール１３に巻取られる。円筒状
キャン１ ］、 、 １．２は、スパッタ一時に生ずる
フィルム状支持体８の熱負けを防止するため、通常冷媒
で冷却されている。
３、の、１すＱで巻取ロール１３に巻取られる。円筒状
キャン１ ］、 、 １．２は、スパッタ一時に生ずる
フィルム状支持体８の熱負けを防止するため、通常冷媒
で冷却されている。
また、円筒状キャン１１と１２は互いに逆方向に回転さ
れる。中間ローラ１７，１８゜１９．２０は２個の円筒
状キャン１１． 、１．２に沿ってフィルム状支持体を
移動させるときのしわの発生を防止するため設けられて
いる。
れる。中間ローラ１７，１８゜１９．２０は２個の円筒
状キャン１１． 、１．２に沿ってフィルム状支持体を
移動させるときのしわの発生を防止するため設けられて
いる。
円筒状キャン１１及び１２はスノくツタ−室２ａ、２ｂ
の間の隔壁６ａ、６ｂ 、５ｃ 。
の間の隔壁６ａ、６ｂ 、５ｃ 。
６ｄによっていずれも真空的に２つに分離されている。
第一の円筒状キャン１１の周囲にはスパッターターゲッ
ト電極３１ 、３２ カ設けられ、第二の円筒状キャン
１２の周囲にはスパッターターゲット電極３３，３／ｌ
が設けられている。
ト電極３１ 、３２ カ設けられ、第二の円筒状キャン
１２の周囲にはスパッターターゲット電極３３，３／ｌ
が設けられている。
スパンターターゲット電極３１と３３、また３２と３４
はそれぞれほぼ同一の真空雰囲気に曝らされている。
はそれぞれほぼ同一の真空雰囲気に曝らされている。
これらのスパッターターゲット電極３１゜３２．３３，
３４には負の電圧が印加されるように、直流または高周
波の電、源が接続されている。スパッターターゲット電
極３１゜３２．３３，３４の近傍で生じ、湿グロー放眠
プラズマの作用により該スパッターターゲット電極３１
．，３２，３３．．３４をスパック−させることにより
、前記フィルム状支持体８土に薄膜を形成させる。
３４には負の電圧が印加されるように、直流または高周
波の電、源が接続されている。スパッターターゲット電
極３１゜３２．３３，３４の近傍で生じ、湿グロー放眠
プラズマの作用により該スパッターターゲット電極３１
．，３２，３３．．３４をスパック−させることにより
、前記フィルム状支持体８土に薄膜を形成させる。
上記スパッターターゲット電ｉ３１，３２゜３３．３４
の材料組成はそれぞれ異なっていてもよいし、或いは同
じであってもよい。即ち、これらスパッターターゲット
電極３１゜３２．３３．３４の材料組成を適当に選ぶこ
とによって所望の層構成の薄膜が形成できる。
の材料組成はそれぞれ異なっていてもよいし、或いは同
じであってもよい。即ち、これらスパッターターゲット
電極３１゜３２．３３．３４の材料組成を適当に選ぶこ
とによって所望の層構成の薄膜が形成できる。
第２図に本発明の薄膜形成装置の他の実施例を示す。
本実施例における真空槽は、支持体送出室５１、スパッ
ター室５２ａ、５２ｂ、５３ａ。
ター室５２ａ、５２ｂ、５３ａ。
５３ｂ、および支持体巻取室５４の合計６室より構成さ
れている。各室は図示されてはいないが、通常それぞれ
独立した真空排気系に接続されている。支持体送出室５
１とスパッター室５２ ａの間、及びスパッター室５３
ｂと支持体巻取室５４の間にはそれぞれ隔壁５５゜５９
が設けられており真空的に隔離されている。また、スパ
ッター室５２ａと５２ｂとの間、５２ｂとＳ３ａとの間
、及び５３ａと５３ｂとの間にも、それぞれ隔壁５６ａ
。
れている。各室は図示されてはいないが、通常それぞれ
独立した真空排気系に接続されている。支持体送出室５
１とスパッター室５２ ａの間、及びスパッター室５３
ｂと支持体巻取室５４の間にはそれぞれ隔壁５５゜５９
が設けられており真空的に隔離されている。また、スパ
ッター室５２ａと５２ｂとの間、５２ｂとＳ３ａとの間
、及び５３ａと５３ｂとの間にも、それぞれ隔壁５６ａ
。
５６ｂ、５７．５８ａ、５８ｂが設げられている。スパ
ッター室５２ａ、、；２ｂ、５３ａ。
ッター室５２ａ、、；２ｂ、５３ａ。
５３ｂ内は、例えばＩ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下に排気
された後、ガス導入系６０ａ 、６０ｂ 。
された後、ガス導入系６０ａ 、６０ｂ 。
６１ａ、６１ｂよりアルゴンガスを導入し、５×１０〜
ｌ Ｑ Ｔｏｒｒに保持される。支持体送出室５１及び
支持体巻取室５４の内部の真空圧力は、通常スパック−
動作時のスパッター室内の真空圧力より低くなるように
排気される。
ｌ Ｑ Ｔｏｒｒに保持される。支持体送出室５１及び
支持体巻取室５４の内部の真空圧力は、通常スパック−
動作時のスパッター室内の真空圧力より低くなるように
排気される。
スパッター室５２ａ、５２ｂ、５３ａ。
５３ｂ内の真空圧力或いは導入ガス成分はそ出ロール８
１に巻かれている。送出ロール８Ｉを出たフィルム状支
持体７０は、ローラ８５゜８６．８７、第一の円筒状キ
ャン８２、中間ローラ８８．８９’、９０．９］、第二
の円筒状キャン８３、ローラ９２，９３，９４、の１１
屓で巻取ロール８４に巻取られるっ円筒状キヤ７８２．
８３は、スパッタ一時に生ずるフィルム状支持体７０の
熱負けを防止するため、通常冷媒で冷却されている。
１に巻かれている。送出ロール８Ｉを出たフィルム状支
持体７０は、ローラ８５゜８６．８７、第一の円筒状キ
ャン８２、中間ローラ８８．８９’、９０．９］、第二
の円筒状キャン８３、ローラ９２，９３，９４、の１１
屓で巻取ロール８４に巻取られるっ円筒状キヤ７８２．
８３は、スパッタ一時に生ずるフィルム状支持体７０の
熱負けを防止するため、通常冷媒で冷却されている。
また、円筒状キャン８２と８３は互いに逆方向に回転さ
れる。中間ローラ８８，８９゜９０．９１は２個の円筒
状キャン８２，８３に沿ってフィルム状支持体７０を移
動させるときのしわの発生を防止するため設けられてい
る。
れる。中間ローラ８８，８９゜９０．９１は２個の円筒
状キャン８２，８３に沿ってフィルム状支持体７０を移
動させるときのしわの発生を防止するため設けられてい
る。
円筒状キャン８２、及び８３はそれぞれスパッター室５
２ ａ 、 ５２ ｂの間の隔壁５６ａ。
２ ａ 、 ５２ ｂの間の隔壁５６ａ。
５６ｂ、及びスパッター室５３ａ 、５３ｂの間の隔壁
５８ａ 、５８ｂによっていずれも真空的に２つに分離
されている。第一の円筒状キャン８２の周囲にはスパッ
ク−クーゲット電極１０ ］、 ＋ １０２が設けられ
第二の円筒状キャン８３の周囲にはスパッターターゲッ
ト電極１０３．１０４が設けられている。
５８ａ 、５８ｂによっていずれも真空的に２つに分離
されている。第一の円筒状キャン８２の周囲にはスパッ
ク−クーゲット電極１０ ］、 ＋ １０２が設けられ
第二の円筒状キャン８３の周囲にはスパッターターゲッ
ト電極１０３．１０４が設けられている。
各スパッターターゲラ） を極１ｃ１１，１０２゜１０
３ 、１０４はそれぞれ独立した真空雰囲気に曝らされ
ている。
３ 、１０４はそれぞれ独立した真空雰囲気に曝らされ
ている。
これらのスパッターターゲラｌ−を極１０１〜１０４に
は負の電圧が印加されるように、直流または高周波の電
源が接続されている。スノくツタ−ターゲット電極１０
１〜１０４の近傍で生じたグロー放電プラズマの作用に
より該スパッターターゲット電極１０１〜１．０．４を
スパック−させろことにより、前記フィルム状支持体７
０上に薄膜を形成させる。
は負の電圧が印加されるように、直流または高周波の電
源が接続されている。スノくツタ−ターゲット電極１０
１〜１０４の近傍で生じたグロー放電プラズマの作用に
より該スパッターターゲット電極１０１〜１．０．４を
スパック−させろことにより、前記フィルム状支持体７
０上に薄膜を形成させる。
上記スパッターターゲット電％ １．０１〜］、 Ｏ４
の材料組成はそれぞれ異なっていてもよいし、或いは同
じであってもよい。即ち、これらスパッターターゲット
電極１０１〜１０４の材料組成を適当に選ぶことによっ
て所望の層構成の薄膜が形成できる。
の材料組成はそれぞれ異なっていてもよいし、或いは同
じであってもよい。即ち、これらスパッターターゲット
電極１０１〜１０４の材料組成を適当に選ぶことによっ
て所望の層構成の薄膜が形成できる。
なお本発明は、第１図及び第２図に示した実施例に限定
されるものではなく種々の形態をとりうる。
されるものではなく種々の形態をとりうる。
本発明の薄膜形成装置においては、複数個のスパッター
室及び円筒状キャン及びスパッターターゲット電極を有
するため、フィルム状支持体の両面に単層または多層構
成の薄膜を効率良く且つ高速に形成することができる。
室及び円筒状キャン及びスパッターターゲット電極を有
するため、フィルム状支持体の両面に単層または多層構
成の薄膜を効率良く且つ高速に形成することができる。
とくに各層の薄膜をそれぞれ独立した真空雰囲気下で形
成するのに適している。
成するのに適している。
本発明の薄膜形成装置においては、真空槽は少なくとも
４室より構成されるから、ロール状に巻かれたフィルム
状支持体から発生する不純物ガスがスパッター室に流れ
こむのを防止でき、純度、特性、或いは再現性のよい薄
膜を得ることができる。特に、磁気記録媒体として用い
られる磁性薄膜のように、薄−膜の磁気特性が真空の質
に依存しやずい薄膜を形成する場合に適している。
４室より構成されるから、ロール状に巻かれたフィルム
状支持体から発生する不純物ガスがスパッター室に流れ
こむのを防止でき、純度、特性、或いは再現性のよい薄
膜を得ることができる。特に、磁気記録媒体として用い
られる磁性薄膜のように、薄−膜の磁気特性が真空の質
に依存しやずい薄膜を形成する場合に適している。
また、フィルム状支持体上にスパッター膜を形成する前
に、あらかじめフィルム状支持体からのガス放出を行な
わせるだめの受持体の加熱処理機構及び冷却機構、フィ
ルム状支持体の表面をクリーニングするためのイオンボ
ンバード機構、帯電防止機構、放電防止機構等を必要に
応じてスパック−室の真空の質をみださぬ範囲で真空槽
内の任意の位置に設けてもよい。
に、あらかじめフィルム状支持体からのガス放出を行な
わせるだめの受持体の加熱処理機構及び冷却機構、フィ
ルム状支持体の表面をクリーニングするためのイオンボ
ンバード機構、帯電防止機構、放電防止機構等を必要に
応じてスパック−室の真空の質をみださぬ範囲で真空槽
内の任意の位置に設けてもよい。
また、本発明は必らずしも第１図や第２図に示されるよ
うな構造の真空槽でなくともよく、スパッター室と支持
体送出室との間、或いはスパッター室と支持体巻取室と
の間、或いはその両方に不純物ガスがスパック−室に流
れこむのを防止するための差圧室を設けてもよい。また
、必要に応じて各スパッター室の間に差圧室を設けても
よい。
うな構造の真空槽でなくともよく、スパッター室と支持
体送出室との間、或いはスパッター室と支持体巻取室と
の間、或いはその両方に不純物ガスがスパック−室に流
れこむのを防止するための差圧室を設けてもよい。また
、必要に応じて各スパッター室の間に差圧室を設けても
よい。
本発明においては、ひとつの円筒状キャンに対して複数
個のスパッターターゲット電極を有するため多層構成の
薄膜を形成するのに適している。更に、本発明は第１図
及び第２図に示されるスパッターターゲット電極の配置
に限定されることなく任意に選ばれる。即ちスパッター
ターゲット電極の種類、個数及び取付は位置を適当に選
ぶことにより所望の層構成の薄膜を形成することができ
る。特に、スパッターターゲット電極をスパック−室の
真空槽の壁に取付けた場合には、スパッターターゲット
電極の交換が容易となったり、水冷がやりやずい等の利
点があるため特に望ましい。また、スパッターｊ〜ゲッ
ト電極の傾きについては、ターゲツト面が鉛直方向にほ
ぼ平行になるように配置する方が真空槽で発生したごみ
等がターゲツト面に付着しにくいため異常放電が生じに
くく、またフィルム状支持体に対して側面からスパッタ
ーすることになるため、ごみ等によるピンホールの発生
が少なくなるｆよとの利点があるため特に望ましい。
個のスパッターターゲット電極を有するため多層構成の
薄膜を形成するのに適している。更に、本発明は第１図
及び第２図に示されるスパッターターゲット電極の配置
に限定されることなく任意に選ばれる。即ちスパッター
ターゲット電極の種類、個数及び取付は位置を適当に選
ぶことにより所望の層構成の薄膜を形成することができ
る。特に、スパッターターゲット電極をスパック−室の
真空槽の壁に取付けた場合には、スパッターターゲット
電極の交換が容易となったり、水冷がやりやずい等の利
点があるため特に望ましい。また、スパッターｊ〜ゲッ
ト電極の傾きについては、ターゲツト面が鉛直方向にほ
ぼ平行になるように配置する方が真空槽で発生したごみ
等がターゲツト面に付着しにくいため異常放電が生じに
くく、またフィルム状支持体に対して側面からスパッタ
ーすることになるため、ごみ等によるピンホールの発生
が少なくなるｆよとの利点があるため特に望ましい。
本装置を用いてフィルム状支持体の両面にパーマロイ膜
及びＣｏ−Ｃｒ合金膜を設けた重層型垂直磁化記録媒体
を作成する場合には、例えば、第１図に示すスパンター
ターゲット電極３１．３３の位置にパーマロイ用ターゲ
ットを１．３２ 、３４の位置にＣｏ−Ｃｒ用ターゲッ
トを設ければよい。或いは、第２図に示ススパノタータ
ーゲント電極１．ｏ１，１ｏ３の位置にパーマロイ用タ
ーゲットを１０２゜１０４ の位置にＣｏ −Ｃｒ用タ
ーゲットを設ければよい。
及びＣｏ−Ｃｒ合金膜を設けた重層型垂直磁化記録媒体
を作成する場合には、例えば、第１図に示すスパンター
ターゲット電極３１．３３の位置にパーマロイ用ターゲ
ットを１．３２ 、３４の位置にＣｏ−Ｃｒ用ターゲッ
トを設ければよい。或いは、第２図に示ススパノタータ
ーゲント電極１．ｏ１，１ｏ３の位置にパーマロイ用タ
ーゲットを１０２゜１０４ の位置にＣｏ −Ｃｒ用タ
ーゲットを設ければよい。
また、本発明においては、しわのない薄膜形成を可能と
するために、各円筒状キャンの間に中間ローラを設ける
ことが望しい。特に複数個の中間ローラを設けることが
望しい。
するために、各円筒状キャンの間に中間ローラを設ける
ことが望しい。特に複数個の中間ローラを設けることが
望しい。
また中間ローラとして、いわゆるエキスパンダーローラ
を用いてもよい。
を用いてもよい。
本発明における薄膜形成装置は、例えば第１図や第２図
に示されるような装置であればよいが、本装置の据付位
置に関しては任意の方向が選ばれる。
に示されるような装置であればよいが、本装置の据付位
置に関しては任意の方向が選ばれる。
通常、第１図又は第２図が横方向から見た配置図に相当
するように配置されるが、本発明においては必ずしもこ
れに限定されるものではなく、第】図又は第２図が上か
ら見た配置図釦相当するように配置されてもよい。この
場合、円筒状キャン、ローラ、支持体ロールの軸方向は
必しも同一の方向を向く必要はなく、例えば支持体ロー
ルの軸が水平方向を向くように配置されてもよい。この
ように、第１図又は第２図が上から見た配置図に相当す
るように配置された場合には、真空槽内で生ずるゴミ等
の浮遊物がフィルム状支持体上、或いはスパッターター
ゲット電極上に付着する確率が減少するためピンホール
や付着物の少ない薄膜かえられ、高密度記録媒体の作製
に特に適する。
するように配置されるが、本発明においては必ずしもこ
れに限定されるものではなく、第】図又は第２図が上か
ら見た配置図釦相当するように配置されてもよい。この
場合、円筒状キャン、ローラ、支持体ロールの軸方向は
必しも同一の方向を向く必要はなく、例えば支持体ロー
ルの軸が水平方向を向くように配置されてもよい。この
ように、第１図又は第２図が上から見た配置図に相当す
るように配置された場合には、真空槽内で生ずるゴミ等
の浮遊物がフィルム状支持体上、或いはスパッターター
ゲット電極上に付着する確率が減少するためピンホール
や付着物の少ない薄膜かえられ、高密度記録媒体の作製
に特に適する。
このように、本発明によれば、一工程で両面に所望の薄
膜を形成することができるため工業的価値は極めて犬で
ある。
膜を形成することができるため工業的価値は極めて犬で
ある。
第１図は本発明の１実施例を示ず概略図、第２図は本発
明の他の実施例を示す概略図である。 １．５１・・・支持体送出室 ２ａ、２ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂ・＝スパ
ッター室３．５４・・・支持体巻取室 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、５６ａ、５６ｂ、５８ａ、５
８ｂ−・・隔 壁８．７０・・・フィルム状支持体 １０．８１・・・送出ロール １’ｌ、１２，８２．８３・・・円筒状キャン１３．８
４・・・巻取ロール ３１．３２．３３，３４，１０１，１．０２，１０３，
１０１−、：ｚバッターターゲット電極 第１図 ２ａ ２ｂ 第２図
明の他の実施例を示す概略図である。 １．５１・・・支持体送出室 ２ａ、２ｂ、５２ａ、５２ｂ、５３ａ、５３ｂ・＝スパ
ッター室３．５４・・・支持体巻取室 ６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、５６ａ、５６ｂ、５８ａ、５
８ｂ−・・隔 壁８．７０・・・フィルム状支持体 １０．８１・・・送出ロール １’ｌ、１２，８２．８３・・・円筒状キャン１３．８
４・・・巻取ロール ３１．３２．３３，３４，１０１，１．０２，１０３，
１０１−、：ｚバッターターゲット電極 第１図 ２ａ ２ｂ 第２図
Claims (1)
- フィルム状支持体の両面に薄膜を連続的に形成する装置
において、支持体送出室、複数個のスパッター室、及び
支持体巻取室を有ずろ真空槽と、相隣なる前記スパッタ
ー室間の隔壁の位置に配置され且つ少なくともひとつが
逆方向に回転する複数個の円筒状キャンとこの円筒状キ
ャンの周囲に配設された複数個のスパック−ターゲット
電極と、前記支持体送出室にセットされたフィルム状支
持体を前記円筒状キャンに沿って移動させながら支持体
巻取室で巻き取る機構とを有することを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4838583A JPS59173268A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4838583A JPS59173268A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173268A true JPS59173268A (ja) | 1984-10-01 |
Family
ID=12801832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4838583A Pending JPS59173268A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173268A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487768A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Multifunction vacuum plating device |
| JP2007224384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理装置 |
| EP1988186A1 (en) * | 2007-04-24 | 2008-11-05 | Galileo Vacuum Systems S.p.A. | Multichamber vacuum deposition system |
| JP2014152351A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Toray Eng Co Ltd | 薄膜形成装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5423507A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Producing apparatus of magnetic recording media |
| JPS5785975A (en) * | 1980-09-23 | 1982-05-28 | Siemens Ag | Fabrication of ring like zone in narrow pore |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP4838583A patent/JPS59173268A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5423507A (en) * | 1977-07-22 | 1979-02-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Producing apparatus of magnetic recording media |
| JPS5785975A (en) * | 1980-09-23 | 1982-05-28 | Siemens Ag | Fabrication of ring like zone in narrow pore |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6487768A (en) * | 1987-09-29 | 1989-03-31 | Hitachi Ltd | Multifunction vacuum plating device |
| JP2007224384A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理装置 |
| JP4731354B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-07-20 | 株式会社アルバック | 表面処理装置 |
| EP1988186A1 (en) * | 2007-04-24 | 2008-11-05 | Galileo Vacuum Systems S.p.A. | Multichamber vacuum deposition system |
| JP2014152351A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Toray Eng Co Ltd | 薄膜形成装置 |
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