JPS5923871A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5923871A JPS5923871A JP13358182A JP13358182A JPS5923871A JP S5923871 A JPS5923871 A JP S5923871A JP 13358182 A JP13358182 A JP 13358182A JP 13358182 A JP13358182 A JP 13358182A JP S5923871 A JPS5923871 A JP S5923871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- film
- vacuum chamber
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、フィルト状基体の表面に機能薄膜としてのス
パッタ薄膜を連続的に形成するスパッタリング装置に関
する。
パッタ薄膜を連続的に形成するスパッタリング装置に関
する。
近年、記録媒体層がスパッタ薄膜によって形成された磁
気記録媒体が出現している。スパッタ薄膜は、通常、低
圧の不活性ガス中でグロー放電を行なわせ、この放電に
よって生じた陽イオンをターゲットに衝突さぜ、この衝
突によってターゲットからたたき出された金属微粒子を
所定の支持基体の表面に付着させることによって形成さ
れる。したがって、ターゲットとして磁気記録性に富ん
だ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成すること
ができる。
気記録媒体が出現している。スパッタ薄膜は、通常、低
圧の不活性ガス中でグロー放電を行なわせ、この放電に
よって生じた陽イオンをターゲットに衝突さぜ、この衝
突によってターゲットからたたき出された金属微粒子を
所定の支持基体の表面に付着させることによって形成さ
れる。したがって、ターゲットとして磁気記録性に富ん
だ材料を選択すれば、良好な記録媒体層を形成すること
ができる。
ところで、スパッタリングによって基体の表面に薄膜を
付着さぜる場合、高周波放電を利用するときには真空容
器内の圧力を、一般に５×１０−’ 〜ＩＸＩ Ｏ’
Ｔｏｒｒ 程度に保持する必要があり、また直流放電
を利用するときには同じく５Ｘ１０ ” ＝ＩＸ１０
’Ｔｏｒｒａ度に保持する必要がある。これらの値は、
経験的にすでに立証されている。
付着さぜる場合、高周波放電を利用するときには真空容
器内の圧力を、一般に５×１０−’ 〜ＩＸＩ Ｏ’
Ｔｏｒｒ 程度に保持する必要があり、また直流放電
を利用するときには同じく５Ｘ１０ ” ＝ＩＸ１０
’Ｔｏｒｒａ度に保持する必要がある。これらの値は、
経験的にすでに立証されている。
一方、基体の表面にスパッタ薄膜を密着性よく伺着させ
るためには、基体を加熱し、その表面を十分に脱ガス処
理する必要がある。しかし、これだけでは不十分で、こ
の脱ガス処理の後に、基体表面の水分を確実に除去する
必要がある。
るためには、基体を加熱し、その表面を十分に脱ガス処
理する必要がある。しかし、これだけでは不十分で、こ
の脱ガス処理の後に、基体表面の水分を確実に除去する
必要がある。
このためには、真空容器内を少なくとも５ＸｌＯ−’Ｔ
ｏｒｒ 以下に排気する必要がある。したがって、通
常、スパッタリングによって基体の表面に薄膜を形成す
るには、まず、真空容器内を排気するどどもに基体を加
熱して脱ガス処理し、その後に基体を冷却するとともに
真空容器内を高真空に排気して水分を完全に除去し、次
に真空容器内の圧力を上げた状態で基体の表面にスパッ
タ薄＋＋ａを形成する手順が採用されている。
ｏｒｒ 以下に排気する必要がある。したがって、通
常、スパッタリングによって基体の表面に薄膜を形成す
るには、まず、真空容器内を排気するどどもに基体を加
熱して脱ガス処理し、その後に基体を冷却するとともに
真空容器内を高真空に排気して水分を完全に除去し、次
に真空容器内の圧力を上げた状態で基体の表面にスパッ
タ薄＋＋ａを形成する手順が採用されている。
しかしながら、１つの真空容器を使って上述した手順で
スパッタ薄膜を形成するようにしたものにあっては、基
体がフィルム状のようなものｌこついては、いわゆる−
巻毎に上記手順で行ない、次に真空を破って、次の巻に
ついて再び上記手順を採用すると云った方式しか採用で
きない。このため実質的に非常に長い基体に連続的にス
パッタ薄膜を形成することができず、この結果、生産性
が低いと云う問題があった。
スパッタ薄膜を形成するようにしたものにあっては、基
体がフィルム状のようなものｌこついては、いわゆる−
巻毎に上記手順で行ない、次に真空を破って、次の巻に
ついて再び上記手順を採用すると云った方式しか採用で
きない。このため実質的に非常に長い基体に連続的にス
パッタ薄膜を形成することができず、この結果、生産性
が低いと云う問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、装置ｕの大損り化を抑制した状
態で、実質的に継目のないフィルム状基体の表面に連続
的にスパッタ薄膜を形成でき、もって生産性を大幅に向
上させ得るスパッタリング装置を提供することにある。
の目的とするところは、装置ｕの大損り化を抑制した状
態で、実質的に継目のないフィルム状基体の表面に連続
的にスパッタ薄膜を形成でき、もって生産性を大幅に向
上させ得るスパッタリング装置を提供することにある。
本発明に係るスパッタリング装置は、真空容器内を第１
の補助真空室、脱ガス室、高真空室、中間真空室、スパ
ッタ室および第２の補助真空室の６室にそれぞれ低コン
ダクタンススリットを介して区分し、供給リールから巻
戻されたフィルム状基体を上記各室ｌこ上記順に上記各
低コンダクタンススリットを通して案内した後巻取リー
ルに巻取らぜるようにするとともに１１１ｊ記各室を別
々に排気する排気ポンプを設けてなることを特徴として
いる。
の補助真空室、脱ガス室、高真空室、中間真空室、スパ
ッタ室および第２の補助真空室の６室にそれぞれ低コン
ダクタンススリットを介して区分し、供給リールから巻
戻されたフィルム状基体を上記各室ｌこ上記順に上記各
低コンダクタンススリットを通して案内した後巻取リー
ルに巻取らぜるようにするとともに１１１ｊ記各室を別
々に排気する排気ポンプを設けてなることを特徴として
いる。
ここで、第１の補助真空室は、大気圧雰囲気と脱ガス室
とを仕切る機能を果し、また第２の補助真空室は大気圧
雰囲気とスパッタ室とを仕切る機能を果し、さらに中間
真空室は圧力差の大きい高真空室とスパッタ室との間を
仕切る機能を果す。
とを仕切る機能を果し、また第２の補助真空室は大気圧
雰囲気とスパッタ室とを仕切る機能を果し、さらに中間
真空室は圧力差の大きい高真空室とスパッタ室との間を
仕切る機能を果す。
上記構成であると、供給リールから巻戻されたフィルム
状基体は、第１の補助真空室から脱ガス室に案内され、
ここで脱ガス処理され、次に高真空室に案内されて、こ
こで水分が完全に除去され、次に中間真空室を経由して
スパッタ室に案内されて、その表面にスパッタ薄膜が形
成される。そして、次に第２の補助真空室に案内さノし
た後、巻取リールに巻取られることになる。したがって
、従来装置のように、スパッタ薄膜・λを形成するため
の真空空間部を使って、供給リールに巻かれたフィルム
状基体−巻毎に、脱ガス処理や水分除去処理を行なう必
要がない。
状基体は、第１の補助真空室から脱ガス室に案内され、
ここで脱ガス処理され、次に高真空室に案内されて、こ
こで水分が完全に除去され、次に中間真空室を経由して
スパッタ室に案内されて、その表面にスパッタ薄膜が形
成される。そして、次に第２の補助真空室に案内さノし
た後、巻取リールに巻取られることになる。したがって
、従来装置のように、スパッタ薄膜・λを形成するため
の真空空間部を使って、供給リールに巻かれたフィルム
状基体−巻毎に、脱ガス処理や水分除去処理を行なう必
要がない。
このため、たとえば、供給リールに巻かれたフィルム状
基体の終端に新たな供給リールに巻かれたフィルム状基
体の先端を接続すると云うような操作を繰り返すことに
よって実質的に無限に長いフィルム状基体に連続的にス
パッタ薄膜を形成さぜることかできる。したがって、生
産性を大幅に向上さぜ得るものが得られる。また、６つ
の室内を別々に排気ポンプで排気するようにしているの
で、その室に要求される真空度の実現に適合した性能の
排気ポンプを選択できる。
基体の終端に新たな供給リールに巻かれたフィルム状基
体の先端を接続すると云うような操作を繰り返すことに
よって実質的に無限に長いフィルム状基体に連続的にス
パッタ薄膜を形成さぜることかできる。したがって、生
産性を大幅に向上さぜ得るものが得られる。また、６つ
の室内を別々に排気ポンプで排気するようにしているの
で、その室に要求される真空度の実現に適合した性能の
排気ポンプを選択できる。
したがって、従来装置のように１つの排気系で大幅な圧
力範囲に亘ってその者Ｖ度、所定の圧力に排気しなけれ
ばならないものに較べて、結果的に、排気系を単純化で
きる利点もある。
力範囲に亘ってその者Ｖ度、所定の圧力に排気しなけれ
ばならないものに較べて、結果的に、排気系を単純化で
きる利点もある。
以下本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。な
お、これは高分子フィルムの一方の面にＣｏ−Ｃｒ
のスパッタ薄膜を形成するものに本発明を適用した例で
ある。
お、これは高分子フィルムの一方の面にＣｏ−Ｃｒ
のスパッタ薄膜を形成するものに本発明を適用した例で
ある。
第１図において、図中１は、たとえば金属材で形成され
た真空容器であり、この真空容器１は、軸心線を水平シ
こして画面された、たとえば角筒状の筒部２とこの筒部
２の両端開口を気密に閉塞する閉塞壁、９ａ 、３ｂと
で構成されている。そして、筒部２の側壁で図中手前側
に位置する図示しない側壁は着脱自在となっている。
た真空容器であり、この真空容器１は、軸心線を水平シ
こして画面された、たとえば角筒状の筒部２とこの筒部
２の両端開口を気密に閉塞する閉塞壁、９ａ 、３ｂと
で構成されている。そして、筒部２の側壁で図中手前側
に位置する図示しない側壁は着脱自在となっている。
しかして、前記真空容器Ｉ内には、仕切壁４゜５、・・
・・・・・８によって図中左端から右側に亘って、第１
の補助真空室９、脱ガス室ＩＯ，高真空室ＩＩ、中間真
空室１２、スパッタ室１３、第２の補助真空室１４が形
成さｔ″ｌ：Ｃいる。そして、前記閉塞壁、？ ａ 、
３ ｂ ｉＪよび仕切壁４，５．・・・・・・・８に
は、これらの壁を境にして隣接する空間を低コンダクタ
ンスで連通させるスリット機構１５゜１６、・・・−・
２１が設けられている。これらスリット機構１ ’５
、１６ 、・・・・・・・２１は具体的には第２図に示
すように構成されている。ずなわち缶壁Ｊａ＋３ｂ＋’
＋５＋・・・・・８Ｉこ紙面と直交する方向に延びる切
欠部２２を設けるとどもに上記切欠部２２内に、この切
欠部２２を塞ぐ形に半径数譚のローラ２３を回転自在に
設け、゛さらに切欠部２２の上端面と下端面とに上記ロ
ーラ２３との間に数藺の微小間隙２４をあけてローラ２
３を覆うとともに相互間に数朋の微小間隙２５が形成さ
れる関係に半円筒体２６ ａ 、 ２６ｂを取り付けた
ものとなっている。そして、スリット機構１５．２１に
ついては、真空容器１外に位置する微小間隙２５の側方
に、上記微小間隙２５を塞ぐように常時半円筒体２６
ａ 、 ２６ｂに圧接するゴムローラ２７が配置されて
いる。
・・・・・８によって図中左端から右側に亘って、第１
の補助真空室９、脱ガス室ＩＯ，高真空室ＩＩ、中間真
空室１２、スパッタ室１３、第２の補助真空室１４が形
成さｔ″ｌ：Ｃいる。そして、前記閉塞壁、？ ａ 、
３ ｂ ｉＪよび仕切壁４，５．・・・・・・・８に
は、これらの壁を境にして隣接する空間を低コンダクタ
ンスで連通させるスリット機構１５゜１６、・・・−・
２１が設けられている。これらスリット機構１ ’５
、１６ 、・・・・・・・２１は具体的には第２図に示
すように構成されている。ずなわち缶壁Ｊａ＋３ｂ＋’
＋５＋・・・・・８Ｉこ紙面と直交する方向に延びる切
欠部２２を設けるとどもに上記切欠部２２内に、この切
欠部２２を塞ぐ形に半径数譚のローラ２３を回転自在に
設け、゛さらに切欠部２２の上端面と下端面とに上記ロ
ーラ２３との間に数藺の微小間隙２４をあけてローラ２
３を覆うとともに相互間に数朋の微小間隙２５が形成さ
れる関係に半円筒体２６ ａ 、 ２６ｂを取り付けた
ものとなっている。そして、スリット機構１５．２１に
ついては、真空容器１外に位置する微小間隙２５の側方
に、上記微小間隙２５を塞ぐように常時半円筒体２６
ａ 、 ２６ｂに圧接するゴムローラ２７が配置されて
いる。
しかして、前記第１の補助真空室９、高Ａ、空室１１、
中間真空室１２およびｍ２の補助真空室１４には、それ
ぞれ、後述するところのフィルム状基体Ｐを案内するガ
イドローラ２８゜２９ 、３０ 、．９ Ｊがそれぞれ
１個才たけ複数その軸心線を紙面と直交させて回部／自
在ｔこ配置されている。また、前記脱ガス室１ｏ内ζこ
（才、力［１熱ローラ３２、冷却ローラ３３および複数
のガイドローラ３４がその軸心線を紙面と直交させて回
転自在に配置されている。これら加熱ローラ３２↓；よ
び冷却ローラ３３の回転軸（図示せずＮＪ、ｓそれぞれ
Ｊ（空容器１の側壁を気密に貫通して図示しない駆動モ
ータに連結されでいる。
中間真空室１２およびｍ２の補助真空室１４には、それ
ぞれ、後述するところのフィルム状基体Ｐを案内するガ
イドローラ２８゜２９ 、３０ 、．９ Ｊがそれぞれ
１個才たけ複数その軸心線を紙面と直交させて回部／自
在ｔこ配置されている。また、前記脱ガス室１ｏ内ζこ
（才、力［１熱ローラ３２、冷却ローラ３３および複数
のガイドローラ３４がその軸心線を紙面と直交させて回
転自在に配置されている。これら加熱ローラ３２↓；よ
び冷却ローラ３３の回転軸（図示せずＮＪ、ｓそれぞれ
Ｊ（空容器１の側壁を気密に貫通して図示しない駆動モ
ータに連結されでいる。
また、加熱ローラ３２は、上記回転軸の内部に形成され
た流路を通して真空容器Ｉ外から供給される熱媒体によ
って加熱され、また冷却ローラ３３も同様な手段で熱媒
体によって冷却されるようになっている。一方、スパッ
タ室１３内には、ワークローラ３．５ 、３６と複数の
ガイドローラ３７とが軸心線を紙面と直交させて回転自
在に配置されている。ワークローラ３５ 、３６の回転
＋ＩＱ！＋は真空容器１の側壁を気密にかつ絶縁状態に
貫通して図示しない駆動モータに連結されている。そし
て、上記ワークローラ３５゜３６は、上記回転軸の内部
に形成された流路を通ってＪ！（空容器１外から供給さ
れる熱媒体（絶縁性）（こよって冷却されるようにな３
ている。
た流路を通して真空容器Ｉ外から供給される熱媒体によ
って加熱され、また冷却ローラ３３も同様な手段で熱媒
体によって冷却されるようになっている。一方、スパッ
タ室１３内には、ワークローラ３．５ 、３６と複数の
ガイドローラ３７とが軸心線を紙面と直交させて回転自
在に配置されている。ワークローラ３５ 、３６の回転
＋ＩＱ！＋は真空容器１の側壁を気密にかつ絶縁状態に
貫通して図示しない駆動モータに連結されている。そし
て、上記ワークローラ３５゜３６は、上記回転軸の内部
に形成された流路を通ってＪ！（空容器１外から供給さ
れる熱媒体（絶縁性）（こよって冷却されるようにな３
ている。
なお、ガイドローラ３７も真空容器１とは絶縁されてい
る。しかして、ワークローラ３５゜３６の下方には各ワ
ークローラ３５，３６の外周面に２個ずつ対向する関係
に合計４個のスパッタ源３Ｂ、３９，４０．４１が配置
されている。これらスパッタ源３Ｂ、３９，４０．４１
は、それぞれ円板状に形成されたターゲットの外側に、
これと同心円状にリング状の陽極を上記ターゲットとは
絶縁させて配置するとともにターゲットの背面に一方の
磁極面が接触するように永久磁石を配置したマグネトロ
ン形の平板状構造に形成されている。なお、この実施例
の場合、スパッタ源、９ Ｂ 、 ３９ 、４０ 、４
１のターゲットはｃｏ−Ｃｒ 合金で形成されている
。そして、各スパッタ源、９ Ｂ 、 ３９ 、４０
、４１のターゲットと陽極とは真空容器１の側壁を気密
に貫通して設けられた図示しないリード線を介してそれ
ぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に接続さ）１
．ている。
る。しかして、ワークローラ３５゜３６の下方には各ワ
ークローラ３５，３６の外周面に２個ずつ対向する関係
に合計４個のスパッタ源３Ｂ、３９，４０．４１が配置
されている。これらスパッタ源３Ｂ、３９，４０．４１
は、それぞれ円板状に形成されたターゲットの外側に、
これと同心円状にリング状の陽極を上記ターゲットとは
絶縁させて配置するとともにターゲットの背面に一方の
磁極面が接触するように永久磁石を配置したマグネトロ
ン形の平板状構造に形成されている。なお、この実施例
の場合、スパッタ源、９ Ｂ 、 ３９ 、４０ 、４
１のターゲットはｃｏ−Ｃｒ 合金で形成されている
。そして、各スパッタ源、９ Ｂ 、 ３９ 、４０
、４１のターゲットと陽極とは真空容器１の側壁を気密
に貫通して設けられた図示しないリード線を介してそれ
ぞれ独立的に図示しない直流電源の出力端に接続さ）１
．ている。
しかして、ｔ■１の補助真空室９、脱ガス室１０、高真
空室１１．中間真空室１２、スパッタ室１３、第２の補
助真空室１４の下壁ｌこは、それぞれ排気口５１ 、５
２ 、・・・・・・５６が形成されており、これら排気
口は、それぞれ独、立的に排気ポンプｓ７．ｓｓ、・・
・・・・・６２に接続されている。−才たけスパッタＭ
１３の」二壁には、不活性ガス導入口６３ｍ、６３ｂが
形成されており、これらは図示しないＡｒ ガス供給
源に接続されている。さらに、真空容器１の閉塞壁３ａ
の図中左方にはフィルム状基体Ｐを送り出す供給リール
６５が図示しない保持機構によって保持されており、同
様に閉塞壁３ｂの図中右方にはフィルム状基体Ｐを巻取
る巻取り−ル６６が図示しｌＪ′い保持機４１７によっ
て保持されている。そして、巻取リール６６は図示しな
い駆動モータによって巻厚の増加にしたがって徐々に低
速となるように回転駆動される。なお、第１図中６７は
、スパッタ薄膜の形成される範囲を制限するマスクを示
している。また、６つの室の圧力をそＪＬぞれ測定する
図示しない圧力計が設けられている。
空室１１．中間真空室１２、スパッタ室１３、第２の補
助真空室１４の下壁ｌこは、それぞれ排気口５１ 、５
２ 、・・・・・・５６が形成されており、これら排気
口は、それぞれ独、立的に排気ポンプｓ７．ｓｓ、・・
・・・・・６２に接続されている。−才たけスパッタＭ
１３の」二壁には、不活性ガス導入口６３ｍ、６３ｂが
形成されており、これらは図示しないＡｒ ガス供給
源に接続されている。さらに、真空容器１の閉塞壁３ａ
の図中左方にはフィルム状基体Ｐを送り出す供給リール
６５が図示しない保持機構によって保持されており、同
様に閉塞壁３ｂの図中右方にはフィルム状基体Ｐを巻取
る巻取り−ル６６が図示しｌＪ′い保持機４１７によっ
て保持されている。そして、巻取リール６６は図示しな
い駆動モータによって巻厚の増加にしたがって徐々に低
速となるように回転駆動される。なお、第１図中６７は
、スパッタ薄膜の形成される範囲を制限するマスクを示
している。また、６つの室の圧力をそＪＬぞれ測定する
図示しない圧力計が設けられている。
次に」二記のように構成された装置を用いてフィルム状
基体Ｐの一方の面に組成がＣｏ 、 Ｃｒからなるスパ
ッタ薄膜を形成する場合の使用例を説明する。
基体Ｐの一方の面に組成がＣｏ 、 Ｃｒからなるスパ
ッタ薄膜を形成する場合の使用例を説明する。
まず、真空容器１の側壁で図示しない手前側に位置する
側壁を取り外す。この状態で供給リール６５からフィル
ム状基体Ｐを巻戻し、この基体Ｐを、各スリット機構１
５．１Ｇ、・・・・・・・２１に第１図および第２図に
示すように通過させ、同時に第１の補助真空室９、脱ガ
ス室１０、高真空室１１、中間真空室１２、スパッタ室
１３゜第２の補助真空室１４の１＠に各室内の要素ｌこ
図示の如く沿わせて張設し、その先端を巻取り−ル６６
に巻回し、次に、前記側壁を取り付ける。
側壁を取り外す。この状態で供給リール６５からフィル
ム状基体Ｐを巻戻し、この基体Ｐを、各スリット機構１
５．１Ｇ、・・・・・・・２１に第１図および第２図に
示すように通過させ、同時に第１の補助真空室９、脱ガ
ス室１０、高真空室１１、中間真空室１２、スパッタ室
１３゜第２の補助真空室１４の１＠に各室内の要素ｌこ
図示の如く沿わせて張設し、その先端を巻取り−ル６６
に巻回し、次に、前記側壁を取り付ける。
この張設作業は、後述するように最初の１回だけ行なえ
ばよい。
ばよい。
次に真空ポンプ５７．５Ｂ、・・・・・・・６２を作動
させて各室内を１フト気ずろ。この排気によって、第１
の補助真空室９内を５Ｘｌｆ）−”〜ｌＸｌ０ ”Ｔｏ
ｒｒ、脱ガス室１０内を５×ｌＯ〜’ 〜ＩＸＩ【Ｉ
’Ｔｏｒｒ、高真空室１１内を５ＸｌＯ−’ 〜ｌＸｌ
０ ’Ｔｎｒｒ、中間真空室Ｚ２内ｅ ＩＸＩ ｎ ’
〜５Ｘ１ ｎ−’’ｐ ｎ ｒ ｒ 、スパッタ室１
３内を５Ｘ１０ ” 〜１’Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ、 ｍ
２の補助真空室１４内を５ＸＩＱ”〜ＩＸＩ ｎ−３
Ｔｏｒｒの圧力に保持する。このとき、第１の補助Ｊ（
空室９は大気圧雰囲気と脱ガス室１０どを仕切る機能を
果し、才た、第２の補助１（空室１４は大気圧雰囲気と
スパッタ室Ｉ３とを仕切る機能を果し、さらに中間真空
室１２は圧力差の大きい高真空室ＩＩとスパッタ室１３
とを仕切る機能を果す。
させて各室内を１フト気ずろ。この排気によって、第１
の補助真空室９内を５Ｘｌｆ）−”〜ｌＸｌ０ ”Ｔｏ
ｒｒ、脱ガス室１０内を５×ｌＯ〜’ 〜ＩＸＩ【Ｉ
’Ｔｏｒｒ、高真空室１１内を５ＸｌＯ−’ 〜ｌＸｌ
０ ’Ｔｎｒｒ、中間真空室Ｚ２内ｅ ＩＸＩ ｎ ’
〜５Ｘ１ ｎ−’’ｐ ｎ ｒ ｒ 、スパッタ室１
３内を５Ｘ１０ ” 〜１’Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ、 ｍ
２の補助真空室１４内を５ＸＩＱ”〜ＩＸＩ ｎ−３
Ｔｏｒｒの圧力に保持する。このとき、第１の補助Ｊ（
空室９は大気圧雰囲気と脱ガス室１０どを仕切る機能を
果し、才た、第２の補助１（空室１４は大気圧雰囲気と
スパッタ室Ｉ３とを仕切る機能を果し、さらに中間真空
室１２は圧力差の大きい高真空室ＩＩとスパッタ室１３
とを仕切る機能を果す。
次に、加熱ローラ３２、冷却ローラ３３、ワークローラ
、？ ５ 、３６および巻取リール６６に連結された各
モータを回転開始させる。この回転開始にｊ二って各回
転要素は図中実線矢印で示すように回転を開始し、これ
によってフィルム状基体Ｐは、供給リール６５から巻取
リール６６へ向けて一定速度で移行を開始する。
、？ ５ 、３６および巻取リール６６に連結された各
モータを回転開始させる。この回転開始にｊ二って各回
転要素は図中実線矢印で示すように回転を開始し、これ
によってフィルム状基体Ｐは、供給リール６５から巻取
リール６６へ向けて一定速度で移行を開始する。
次に、加熱ローラ３２内に高温の熱媒体を通流させて、
」二記ローラ３２を一定温度に加熱し、また、冷却ロー
ラ３３、ワークローラ３５゜３６内にも低温の熱媒体を
通流させて、これらを一定温度に冷却する。次に、スパ
ッタ室１３内にガス導入口６３ａ、６３ｂを介してＡｒ
ガスを導入し、これらのガス供給量を調整してスパ
ッタ室Ｉ３内が前記圧力となるように調整する。しかし
て、各室内の圧力条件が前記範囲内にあることを確認し
た後、スパッタ源３８゜３９．４０．４１に直流電１圧
を印加する。
」二記ローラ３２を一定温度に加熱し、また、冷却ロー
ラ３３、ワークローラ３５゜３６内にも低温の熱媒体を
通流させて、これらを一定温度に冷却する。次に、スパ
ッタ室１３内にガス導入口６３ａ、６３ｂを介してＡｒ
ガスを導入し、これらのガス供給量を調整してスパ
ッタ室Ｉ３内が前記圧力となるように調整する。しかし
て、各室内の圧力条件が前記範囲内にあることを確認し
た後、スパッタ源３８゜３９．４０．４１に直流電１圧
を印加する。
このように、電圧を印加すると、前述した原理でワーク
ローラ３５．３６の外周面に沿って走行するフィルム状
基体Ｐの一方の表面にＣ３−Ｃｒのスパッタ薄膜が形成
される。そして、スパッタ薄膜の膜厚は、各スパッタ源
のスパッタリングパワーの調整によって設定される。し
たがって、巻取リール６６には一方の面に所望の厚みの
スパッタ・薄膜が形成されたフイルノ・状基体Ｐが連続
的に巻取られることになる。
ローラ３５．３６の外周面に沿って走行するフィルム状
基体Ｐの一方の表面にＣ３−Ｃｒのスパッタ薄膜が形成
される。そして、スパッタ薄膜の膜厚は、各スパッタ源
のスパッタリングパワーの調整によって設定される。し
たがって、巻取リール６６には一方の面に所望の厚みの
スパッタ・薄膜が形成されたフイルノ・状基体Ｐが連続
的に巻取られることになる。
そして、この場合、フィルム状基体Ｐは、スパッタ室１
３内に入るＭｉｌｌこ、脱ガス室１０内において加熱ロ
ーラ３２および冷却ローラ３３によって、加熱、冷却さ
れて脱ガス処理が行なわれ、続いて高真空室１１内にお
いて水分が完全に除去される。したがって、巻取リール
６６に巻取られた基体Ｐの表面に形成されているスパッ
タ薄膜は非常に強固に基体Ｐに付着したものとなる。
３内に入るＭｉｌｌこ、脱ガス室１０内において加熱ロ
ーラ３２および冷却ローラ３３によって、加熱、冷却さ
れて脱ガス処理が行なわれ、続いて高真空室１１内にお
いて水分が完全に除去される。したがって、巻取リール
６６に巻取られた基体Ｐの表面に形成されているスパッ
タ薄膜は非常に強固に基体Ｐに付着したものとなる。
しかして、供給リール６５に巻かれているフィルム状基
体Ｐが残り少なくなったときには、工 次のようになる。すなわち、フィルム状基体Ｐが残り少
なくなった時点で、各モータの回転を停止させるととも
に各スパッタ源３Ｂ、３９゜４０、、ｉｌへの電圧印加
を停止させる。このとき、各排気ポンプ５７ 、５Ｂ
、・・・・・・・６２については運転を続行さぜる。勿
論、Ａｒ ガスの供給も続行させる。この状態でフィ
ルム状基体Ｐの終端に新たな供給リールに巻回されてい
るフィルム状基体Ｐの先端を接着接続し、この新たな供
給リールを第１図の如くセットする。また、巻取リール
６６も新たなものをセットする。このような作業の後、
再び各モータを回転開始させるとともに各スパッタ源、
１Ｂ、３９，４０゜４１に直流電圧を印加して運転を再
開する。以後、上述した操作を繰返すことによって実質
的に無限に長いフィルム状基体Ｐの表面ζこ連続的にス
パッタ薄膜を形成することができる。
体Ｐが残り少なくなったときには、工 次のようになる。すなわち、フィルム状基体Ｐが残り少
なくなった時点で、各モータの回転を停止させるととも
に各スパッタ源３Ｂ、３９゜４０、、ｉｌへの電圧印加
を停止させる。このとき、各排気ポンプ５７ 、５Ｂ
、・・・・・・・６２については運転を続行さぜる。勿
論、Ａｒ ガスの供給も続行させる。この状態でフィ
ルム状基体Ｐの終端に新たな供給リールに巻回されてい
るフィルム状基体Ｐの先端を接着接続し、この新たな供
給リールを第１図の如くセットする。また、巻取リール
６６も新たなものをセットする。このような作業の後、
再び各モータを回転開始させるとともに各スパッタ源、
１Ｂ、３９，４０゜４１に直流電圧を印加して運転を再
開する。以後、上述した操作を繰返すことによって実質
的に無限に長いフィルム状基体Ｐの表面ζこ連続的にス
パッタ薄膜を形成することができる。
このように、従来装置のように供給リール−巻毎に脱ガ
ス処理、水分除去処理、スパッタ薄膜形成処理を１つの
真空空間内で行なわずに、上記各処理を複数の真空空間
内で次々に行なわぜるようにしている。このため、実施
例において説明したように無限と云う程に長いフィルム
状基体Ｐの表面に連続的にスパッタ薄膜を形成すること
ができる。したがって、従来装置に較べて生産性を大幅
に向上させることかできる。
ス処理、水分除去処理、スパッタ薄膜形成処理を１つの
真空空間内で行なわずに、上記各処理を複数の真空空間
内で次々に行なわぜるようにしている。このため、実施
例において説明したように無限と云う程に長いフィルム
状基体Ｐの表面に連続的にスパッタ薄膜を形成すること
ができる。したがって、従来装置に較べて生産性を大幅
に向上させることかできる。
才た、６つの室内を別々の排気ポンプで排気するように
しているので各室の大きさや真空度に適した排気ポンプ
を選択できるので、従来装置のように１つの排気系で大
幅な圧力範囲に亘ってその都度、所定圧力に排気するも
のに較べて、結果的に排気系を単純化できる。
しているので各室の大きさや真空度に適した排気ポンプ
を選択できるので、従来装置のように１つの排気系で大
幅な圧力範囲に亘ってその都度、所定圧力に排気するも
のに較べて、結果的に排気系を単純化できる。
なお、上述した実施例は直流放電を利用した例であるが
、高周波放電を利用する場合にはスパッタ室の圧力条件
が若干変ることは勿論である。また、スリット機構１６
．２０のコンダクタンスを十分に小さくした場合には供
給リール６５、巻取リール６６をそれぞれ第１．第２の
補助真空室９．１４内に配置してもよい。この場合には
画室専用の扉を必要とする。また、各と スリット機構は実施例のものに限らず、へとえば第３図
に示すように奥行の深いスリット窓７１をもった部材７
２で構成してもよい。また、本発明はフィルム状基体の
両面にスパッタ薄膜を形成する場合にも適用できる。
、高周波放電を利用する場合にはスパッタ室の圧力条件
が若干変ることは勿論である。また、スリット機構１６
．２０のコンダクタンスを十分に小さくした場合には供
給リール６５、巻取リール６６をそれぞれ第１．第２の
補助真空室９．１４内に配置してもよい。この場合には
画室専用の扉を必要とする。また、各と スリット機構は実施例のものに限らず、へとえば第３図
に示すように奥行の深いスリット窓７１をもった部材７
２で構成してもよい。また、本発明はフィルム状基体の
両面にスパッタ薄膜を形成する場合にも適用できる。
第１図は本発明の一実施例に係るスパッタリング装置１
こおける要部の概略構成を示す縦断面図、第２図は同装
置におけるスリット機構を拡大して示す縦断面図、？Ｊ
Ｔ、３図はスリット機構の変形例を示す縦断面図である
。 １・・・真空容器、９・・・第１の補助真空室、１０・
・・脱ガス室、ＩＩ・・・高真空室、１２・・・中間真
空室、１３・・・スパッタ室、１４・・・第２の補助真
空室、１５，１６．・四・・２１・・・スリット機構、
５７゜５８、・・・・・・・６２・・・排気ポンプ、６
５・・・供給り−ル九 ６６・・・巻取リール、Ｐ・・
・フィルム状基体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 手続補正書 昭和５了年９ 、ｐｒＺ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１３３５８１号 ２、発明の名称 スノぐツタリング装置 ３、捕ｉ１Ｅをする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳 １）製 作 所 ４、代理人 住１１７ｉ 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第
１７森ヒル５自発補正 ７、補正の内容 （，１） 明細台の浄ｊ；（）ノ」古に変更なし）（
２） 図面のだ”Ｍ’ （１’コア１′に変更な１刀
特許庁長官 若 杉 朴 夫 殿１．事件の表示 特願昭５．７−１３３５８１号 ２ 発明の名称 スパッタリング装置 ：）、油止をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳用製作所 １１、代理人 ６、ｉ′＋Ｉｊ＋１．（のｔ、ｌ象 明細書１図面（１
）明細書（昭和５７年９月２日付提出の手続補正書に添
附された浄書明細書、以下同じ。」の第８頁１０行目に
「塞ぐように常時」とあるのＹ「後述する供給リール交
換時に塞ぐよように」と訂正する。 （２）明細書の第１０負５行目に「それぞれ円板状に」
とあるを「それぞれ、たとえば円板状に」と訂ルする。 （３）明細書の第１７頁８行目に「必要とする。 また、」とあるの乞「必要とし、かつスリット機構１６
．２０ｆゴムローラ２７で選択的に閉塞できるようにす
ること乞必要とする。 また、」と訂正する。 （４）図面の第１図および第２図ン別紙の辿りに訂正す
る。 第２図 手続補正書 あい＊ ５７ｓｊ２−２♂ １、事件の表示 特願昭５７−１３３５８１、 発明の名称 ス・母ツタリング装置 ３、補正をする沼 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳用製作所 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビ
ル５、自発補正 ７、補正の内容 明細書（昭和５７年９月２日付提出の手続補正借に添付
された浄書明、ＩｔｌＩ書）の第１３頁１行目に＼「Ｉ
Ｘ １０−”〜５ Ｘ １０−’ Ｊとあるのを「５
Ｘ ｌ Ｏ−’〜Ｉ Ｘ １０−” Ｊ とＪ」圧する
。
こおける要部の概略構成を示す縦断面図、第２図は同装
置におけるスリット機構を拡大して示す縦断面図、？Ｊ
Ｔ、３図はスリット機構の変形例を示す縦断面図である
。 １・・・真空容器、９・・・第１の補助真空室、１０・
・・脱ガス室、ＩＩ・・・高真空室、１２・・・中間真
空室、１３・・・スパッタ室、１４・・・第２の補助真
空室、１５，１６．・四・・２１・・・スリット機構、
５７゜５８、・・・・・・・６２・・・排気ポンプ、６
５・・・供給り−ル九 ６６・・・巻取リール、Ｐ・・
・フィルム状基体。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第３図 手続補正書 昭和５了年９ 、ｐｒＺ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−１３３５８１号 ２、発明の名称 スノぐツタリング装置 ３、捕ｉ１Ｅをする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳 １）製 作 所 ４、代理人 住１１７ｉ 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第
１７森ヒル５自発補正 ７、補正の内容 （，１） 明細台の浄ｊ；（）ノ」古に変更なし）（
２） 図面のだ”Ｍ’ （１’コア１′に変更な１刀
特許庁長官 若 杉 朴 夫 殿１．事件の表示 特願昭５．７−１３３５８１号 ２ 発明の名称 スパッタリング装置 ：）、油止をする者 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳用製作所 １１、代理人 ６、ｉ′＋Ｉｊ＋１．（のｔ、ｌ象 明細書１図面（１
）明細書（昭和５７年９月２日付提出の手続補正書に添
附された浄書明細書、以下同じ。」の第８頁１０行目に
「塞ぐように常時」とあるのＹ「後述する供給リール交
換時に塞ぐよように」と訂正する。 （２）明細書の第１０負５行目に「それぞれ円板状に」
とあるを「それぞれ、たとえば円板状に」と訂ルする。 （３）明細書の第１７頁８行目に「必要とする。 また、」とあるの乞「必要とし、かつスリット機構１６
．２０ｆゴムローラ２７で選択的に閉塞できるようにす
ること乞必要とする。 また、」と訂正する。 （４）図面の第１図および第２図ン別紙の辿りに訂正す
る。 第２図 手続補正書 あい＊ ５７ｓｊ２−２♂ １、事件の表示 特願昭５７−１３３５８１、 発明の名称 ス・母ツタリング装置 ３、補正をする沼 事件との関係 特許出願人 株式会社 徳用製作所 ４、代理人 住所 東京都港区虎ノ門１丁目２６番５号 第１７森ビ
ル５、自発補正 ７、補正の内容 明細書（昭和５７年９月２日付提出の手続補正借に添付
された浄書明、ＩｔｌＩ書）の第１３頁１行目に＼「Ｉ
Ｘ １０−”〜５ Ｘ １０−’ Ｊとあるのを「５
Ｘ ｌ Ｏ−’〜Ｉ Ｘ １０−” Ｊ とＪ」圧する
。
Claims (1)
- 供給リールから巻戻されたフィルム状基体の表面に真空
容器内においてスパッタ薄膜を形成した後、巻取リール
に巻取るようにした。スパッタリング装置において、前
記真空容器内を、第１の補助真空室、脱ガス室、高真空
室、中間真空室、スパッタ室および第２の補助真空ｉ％
室にそれぞれ、低コンダクタンススリットを介して区分
し、前記供給リールから巻戻されたフィルト状基体を上
記各室に上記順に上記各低コンダクタンススリットを通
して案内さぜた後前記巻取リールに巻取らせるようにす
るとともに上記各室を別々に排気する排気ポンプを設け
てなることを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13358182A JPS5923871A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13358182A JPS5923871A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923871A true JPS5923871A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15108152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13358182A Pending JPS5923871A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923871A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6426369U (ja) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | ||
| US5259484A (en) * | 1991-02-15 | 1993-11-09 | Nissin Kogyo Co., Ltd. | Reaction force type disc brake |
| JPH09195035A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-29 | Teijin Ltd | 透明導電性フィルムの製造装置 |
| EP1601471A2 (en) * | 2003-02-19 | 2005-12-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure |
| JP2006104494A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Canon Anelva Corp | 表面処理装置 |
| CN102230152A (zh) * | 2011-07-12 | 2011-11-02 | 衡阳市真空机电设备有限公司 | 平板集热条带卧式镀膜机 |
| CN102268651A (zh) * | 2011-07-12 | 2011-12-07 | 衡阳市真空机电设备有限公司 | 一种平板集热条带镀膜方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104188A (ja) * | 1974-01-24 | 1975-08-16 | ||
| JPS5421308A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording media |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13358182A patent/JPS5923871A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104188A (ja) * | 1974-01-24 | 1975-08-16 | ||
| JPS5421308A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording media |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1601471A2 (en) * | 2003-02-19 | 2005-12-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Gas gate for isolating regions of differing gaseous pressure |
| JP2006522217A (ja) * | 2003-02-19 | 2006-09-28 | エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド | 異なるガス圧の領域を隔離するためのガス出入口 |
| EP1601471A4 (en) * | 2003-02-19 | 2007-07-04 | Energy Conversion Devices Inc | GASTOR FOR INSULATING AREAS WITH DIFFERENT GAS PRESSURE |
| JP4762129B2 (ja) * | 2003-02-19 | 2011-08-31 | エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド | 異なるガス圧の領域を隔離するためのガス出入口 |
| JP2006104494A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Canon Anelva Corp | 表面処理装置 |
| CN102230152A (zh) * | 2011-07-12 | 2011-11-02 | 衡阳市真空机电设备有限公司 | 平板集热条带卧式镀膜机 |
| CN102268651A (zh) * | 2011-07-12 | 2011-12-07 | 衡阳市真空机电设备有限公司 | 一种平板集热条带镀膜方法 |
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