JP2898434B2 - イオンプレーティング装置の汚染防止機構 - Google Patents

イオンプレーティング装置の汚染防止機構

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JP2898434B2
JP2898434B2 JP9832691A JP9832691A JP2898434B2 JP 2898434 B2 JP2898434 B2 JP 2898434B2 JP 9832691 A JP9832691 A JP 9832691A JP 9832691 A JP9832691 A JP 9832691A JP 2898434 B2 JP2898434 B2 JP 2898434B2
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continuous steel
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vacuum chamber
hearth
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登 小松
達朗 荒木
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は連続鋼板のイオンプレー
ティング装置において、蒸着物質による炉内壁の汚染を
防止するイオンプレーティング装置の汚染防止機構に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図1はイオンプレーティング装置を示し
たものである。イオンプレーティング法は、ハース7で
金属を溶融して発生させた蒸着物質をイオン化させた
後、ハース7とメッキ試料12の間に電位差を与えて蒸
着物質を加速させながら蒸着する方法である。
【0003】イオンプレーティング法には各種の方式が
あるが、図1は例えばHCD(hollow Cath
ode Discharge=中空陰極放電)法による
プラズマ発生ガンを利用したイオンプレーティング装置
である。中空管状の陰極2と陽極(メッキ試料12側)
の間に直流電圧をかけ、ガス導入口1からアルゴンガス
を供給してアーク放電を起こすと、アーク放電中のアル
ゴンイオンが中空陰極2に衝突して多くの熱電子を発生
させる。この熱電子とアーク放電の電子をハース7上の
蒸着物質に当てて、これを溶解澄る。ガス導入口1、陰
極2、環状永久磁石3及び空芯コイル4からなる電子ビ
ーム銃はHCDガンと呼ばれ、低電圧(数eV)、大電
流(数100A)の電子ビームを引き出すことができ、
それによって金属を加熱蒸発させると同時に、大量の低
エネルギー電子によりイオン化率も20〜40%に高め
ることができる。
【0004】実用のイオンプレーティング装置、溶解炉
等ではHCDガンを水平に置いて、ハース7を真上に向
けて置く場合が多い。図1は、HCDガンからの放電プ
ラズマ流13の曲げ方を実用の装置に対して示した構成
図である。原理は、収束用補助空芯コイル14の磁場
(Bh)でハース7の真上まで放電プラズマ流13を水
平に導き、次にハースの下に置いた強力な永久磁石8の
磁場(Bv)で真下に90°曲げてハース7に放電プラ
ズマ流13を集中させる。ハース7の真上で、収束用補
助空芯コイル14の磁場の強さBhとハース7の下の永
久磁石8の磁場の強さBvを一致させる(Bh=Bv)
と、放電プラズマ流は90°で曲げられる。真空容器6
内が広く使用でき、また陰極物質2の破片がハース7に
落下しないので、実用上この90°曲げ型放電プラズマ
流は有益である。
【0005】図1に示したイオンプレーティング装置を
用いて連続鋼板にセラミックスや金属の各種薄膜をコー
ティングしたい場合、図2に示すようにハース7で溶解
されイオン化された蒸着物質は、ハース7を円錐の頂点
として、メッキ試料たる連続鋼帯に向かって円錐状に蒸
発する。この時、実際には蒸着物質は連続鋼板以外の部
分である炉内壁にも蒸着してしまう。炉内壁への蒸着を
放置しておくと、炉内にある機械部品に不具合を生じ
る。
【0006】かゝる不具合を防止する方法として、従来
のイオンプレーティング装置では、内張りと称するイン
ナーチャンバーを設け、このインナーチャンバーを頻繁
に交換していた。しかし、連続鋼板のイオンプレーティ
ング装置のような連続ラインでは、インナーチャンバー
を交換する度にラインの操業を停止しなければならずラ
インの生産性を低下させてしまうことになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に鑑み、
本発明は連続鋼板のイオンプレーティング装置において
ラインの操業を停止することなく、蒸着物質による炉内
壁の汚染を防止することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明の汚染
防止機構は、連続鋼帯が真空チャンバ−内のハ−スの真
上をほぼ水平に通過するイオンプレ−ティング装置にお
いて、前記真空チャンバ−の四隅に上下方向の回転軸芯
のまわりに回転するロ−ラが設置され、該ロ−ラをガイ
ドとして巻き出し・巻き取り可能に装着された金属箔
が、前記真空チャンバ−の内側の側壁四面を覆うように
したことを特徴とする。そして、金属箔が連続鋼帯を挟
んで上下に2分割され、該2分割された金属箔の端面間
を前記連続鋼帯が通過するようにすることが望ましい。
【0009】
【実施例】本発明に基づく一実施例を図3〜図5で説明
する。図3は本発明に係るイオンプレーティング装置の
汚染防止機構の一実施例を示す正面図であり、図4は同
じく平面図、図5は同じく側面図である。
【0010】図3には、図示されていないが、HCDガ
ンからの放電プラズマ流は、図3の紙面に垂直に発射さ
れ、ハース22の下に置いた強力な永久磁石の磁場によ
り真下に90°曲げてハース22に集中させるのは、図
1及び図2の従来のイオンプレーティング装置と同様で
ある。
【0011】図3において、連続鋼帯21は真空チャン
バー24内のハース22の真上をほぼ水平に右から左に
通過する。連続鋼帯21は巻き取りリール(図示しな
い)により巻き取られることによりハース22の真上を
通過する。
【0012】真空チャンバー24の内側の側壁はアルミ
箔23に覆われている。図4に示すように、本実施例の
ように真空チャンバー24が直方体である場合は、内側
の側壁四面がアルミ箔23により覆われることになる。
アルミ箔23は、他の金属箔でも代替可能であるが、好
ましくはオイルレスアルミ箔である。真空雰囲気を汚染
しないからである。
【0013】アルミ箔23の設置は次の機構による。即
ち、図4のようにローラ25a,25b,25c,25
d,25eを真空チャンバー24の四隅に設置する。ロ
ーラ25a,にアルミ箔コイルを装着し、ローラ25
b,25c,25dをガイドとしてアルミ箔コイルを巻
き出し、側壁四面に幕を張る。そして、ローラ25eに
アルミ箔23を巻き取らせている。
【0014】ローラ25a,25b,25c,25d,
25eはアルミ箔を巻き出し及び巻き取りができるよう
に、その中心よりシャフト26を真空チャンバー24の
外へ突出させている(図3)。シャフト26の突出部と
真空チヤンバー24は真空シールを行っている。
【0015】シャフト26は図示しないがモータ等に接
続されており、正・逆双方の回転運動を与えられること
により、アルミ箔23を巻き出し及び巻き取リ可能とし
ている。
【0016】また、アルミ箔23は連続鋼帯21の走行
を妨害しないように設置する必要がある。従って、本実
施例では、図5に示すように、アルミ箔23は上下に2
分割されている。そして、この2分割されたアルミ箔の
間隙を連続鋼帯21が通過する。
【0017】
【作用】真空チャンバー24の外側のモーター等を回転
させ、ローラのシャフト26を正逆双方に回転させるこ
とにより、ローラを回転させアルミ箔23を巻き出し及
び巻き取りすることができる。従って、イオンプレーテ
ィング処理を行って、このアルミ箔23に蒸着物質が一
定量付着したら、アルミ箔を巻き取り、巻き出しするこ
とにより、使用済のアルミ箔は巻き取られ、蒸着物質の
付着していない新しいアルミ箔が出てくる。
【0018】
【発明の効果】イオンプレーティング装置の汚染防止用
インナーチャンバーの代わりに巻き出し・巻き取りので
きる真空雰囲気を汚染しないアルミ箔を設置したので、
連続ラインの操業を停止することなく、蒸着物質による
炉内壁の汚染を防止することができる。
【0019】ラインの操業を停止しないので、効率的な
イオンプレーティング処理を行えるようになり、ライン
の生産性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】HCD方式イオンプレーティング装置の構成を
示した説明図。
【図2】ハースで溶解されイオン化された蒸着物質が連
続鋼帯に向かって円錐状に蒸発することを示す図。
【図3】本発明に係るイオンプレーティング装置の汚染
防止機構の一実施例の正面図。
【図4】同じく平面図。
【図5】同じく側面図。
【符号の説明】
1 ガス導入口 2 陰極 3 環状永久磁石 4 空芯コイル 5 放電電源 6 真空容器 7 ハース 8 永久磁石 9 真空排気 10 反応ガス導入口 11 イオン集積電源 12 被メッキ試料 13 放電プラズマ流 14 収束用補助空芯コイル 21 連続鋼帯 22 ハース 23 アルミ箔 24 真空チャンバー 25a,25b,25c,25d,25e ローラ 26 シャフト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−239951(JP,A) 特開 昭62−37376(JP,A) 特開 昭62−27569(JP,A) 特開 平2−141575(JP,A) 実開 昭56−19566(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23C 14/00 - 14/58

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連続鋼帯が真空チャンバ−内のハ−スの
    真上をほぼ水平に通過するイオンプレ−ティング装置に
    おいて、前記真空チャンバ−の四隅に上下方向の回転軸
    芯のまわりに回転するロ−ラが設置され、該ロ−ラをガ
    イドとして巻き出し・巻き取り可能に装着された金属箔
    が、前記真空チャンバ−の内側の側壁四面を覆うように
    したことを特徴とするイオンプレ−ティング装置の汚染
    防止機構。
  2. 【請求項2】 金属箔が連続鋼帯を挟んで上下に2分割
    され、該2分割された金属箔の端面間を前記連続鋼帯が
    通過することを特徴とする請求項1記載の汚染防止機
    構。
JP9832691A 1991-01-31 1991-01-31 イオンプレーティング装置の汚染防止機構 Expired - Lifetime JP2898434B2 (ja)

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JP2002038253A (ja) * 2000-07-25 2002-02-06 Futaba Corp 防着板及びこれを用いた真空成膜装置
JP2007126727A (ja) * 2005-11-07 2007-05-24 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着用防着装置

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JPH0593261A (ja) 1993-04-16

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