JPS59169095A - エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPS59169095A JPS59169095A JP58044006A JP4400683A JPS59169095A JP S59169095 A JPS59169095 A JP S59169095A JP 58044006 A JP58044006 A JP 58044006A JP 4400683 A JP4400683 A JP 4400683A JP S59169095 A JPS59169095 A JP S59169095A
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- JP
- Japan
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- light
- buffer layer
- emitting layer
- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）
Ｋ係り、基板上にバッファ層を介して発光層を形成した
構成に関する。
Ｋ係り、基板上にバッファ層を介して発光層を形成した
構成に関する。
ＥＬ素子は周知のように、７．１１Ｂ 、ＺＢＳｇ、Ｃ
ｄ８のようなトｌ族化合物に発光中心を形成する活性物
質としてＭｎ、 Ｃ，、Ｔ４、Ｅｒｓ Ｔｍｓ ７ｈ等
の遷移金属や希土類金属を添加した薄膜を用い、電場印
加により電子を発光中心に衝突させて発光を得るもので
ある。従来のＫＬ素子の構造としては次のようなものが
ある。
ｄ８のようなトｌ族化合物に発光中心を形成する活性物
質としてＭｎ、 Ｃ，、Ｔ４、Ｅｒｓ Ｔｍｓ ７ｈ等
の遷移金属や希土類金属を添加した薄膜を用い、電場印
加により電子を発光中心に衝突させて発光を得るもので
ある。従来のＫＬ素子の構造としては次のようなものが
ある。
体）母体に活性物質を添加したエレクトロルミネッセン
ス薄膜（ＥＬ薄膜）の上下に絶縁層を設は交流電圧の印
加により発光中心を電子の衝突により励起する交流駆動
型で、その駆動Ｋ１００ＯＶ−１００Ｖ程度の高電圧な
必委とする。
ス薄膜（ＥＬ薄膜）の上下に絶縁層を設は交流電圧の印
加により発光中心を電子の衝突により励起する交流駆動
型で、その駆動Ｋ１００ＯＶ−１００Ｖ程度の高電圧な
必委とする。
（Ｊ） 電極膜に接してＩＩ、薄膜を設け、直流電圧
印加により負電極側からＥＬ薄膜へ注入される電子で発
光中心を衝突励起させて発光させる直流駆動型であり、
ＺｎＳ−のような母体化合物Ｋ Ｍｎのような活性物
質を添加した物質を抵抗加熱法によりガラス基板上の■
ｎ２０５＊５３０２（所ｉｌｌ Ｉ Ｔ Ｏ）から成る
透明電極膜へ真空蒸着法によって被着したものであるが
、このものはＥＬ薄膜の厚みを５ｏｏｏＸ以上にしない
と発光せず高輝度が得られない。これは５ｏｏｏＸ以下
の膜厚ではＥＩ、薄膜が十分な結晶性を呈さないためと
考えられる。モして５０００Ａ程度或いはそれ以上の厚
いＥＬ薄膜において電子による衝突励起を可能にする電
場を印加するにはかなりの高い電圧が必要となり、発光
閾値電圧は最低でも２０Ｖ！Ｌ、ている。
印加により負電極側からＥＬ薄膜へ注入される電子で発
光中心を衝突励起させて発光させる直流駆動型であり、
ＺｎＳ−のような母体化合物Ｋ Ｍｎのような活性物
質を添加した物質を抵抗加熱法によりガラス基板上の■
ｎ２０５＊５３０２（所ｉｌｌ Ｉ Ｔ Ｏ）から成る
透明電極膜へ真空蒸着法によって被着したものであるが
、このものはＥＬ薄膜の厚みを５ｏｏｏＸ以上にしない
と発光せず高輝度が得られない。これは５ｏｏｏＸ以下
の膜厚ではＥＩ、薄膜が十分な結晶性を呈さないためと
考えられる。モして５０００Ａ程度或いはそれ以上の厚
いＥＬ薄膜において電子による衝突励起を可能にする電
場を印加するにはかなりの高い電圧が必要となり、発光
閾値電圧は最低でも２０Ｖ！Ｌ、ている。
（Ｃ） ｃｅｔｈｓやＧ−の単結晶基板上に格子整合
したＺｎＳ、−Ｍｎ単結晶層よりなるＥＸ、＠膜を分子
線エピタキシャル成長法を用いて成長させたものがある
。
したＺｎＳ、−Ｍｎ単結晶層よりなるＥＸ、＠膜を分子
線エピタキシャル成長法を用いて成長させたものがある
。
このものはＥＬ薄膜が薄く結晶性も良いため５Ｖ前後の
低閾値電圧で高効率、高輝度の発光が可能な素子が得ら
れる。しかしながら基板材料のＧａＡ。
低閾値電圧で高効率、高輝度の発光が可能な素子が得ら
れる。しかしながら基板材料のＧａＡ。
やＧ＃の単結晶は非常圧高価であり、また大面積のもの
は得難いという問題がある。さらにＧａＡ７は単結晶で
はあるが基板の表面は加工によって結晶に乱れを生じて
いるから、基板に接したＺｎＳ、−Ｍｎ層は非結晶のガ
ラス基板を用いた場合に比べて少なくはあるが結晶が乱
れ易く基板の近くでは輝度が低下するという問題もある
。
は得難いという問題がある。さらにＧａＡ７は単結晶で
はあるが基板の表面は加工によって結晶に乱れを生じて
いるから、基板に接したＺｎＳ、−Ｍｎ層は非結晶のガ
ラス基板を用いた場合に比べて少なくはあるが結晶が乱
れ易く基板の近くでは輝度が低下するという問題もある
。
（ｄ） 安価な基板材料としてガラスを用い、このガ
ラス基板上にＩＴＯ電極膜を介して分子線エピタキシャ
ル成長法によりｚ、ｓ 、−Ｍｎ単結晶層を形成するこ
とも研究されているが、非結晶のガラス基板上に直接Ｚ
１＠Ｂ、−Ｍｎ結晶層を形成するため、結晶格子が整容
され良好な発光性が得られるＫは或程度の厚さが必要と
なり、発光層の厚さを増し、全体に発光中心となる活性
物質Ｍ、が分散されているにもかかわらず非結晶のガラ
ス基板に接したＺ、Ｓｇの結晶性が不良でありかつ結晶
の乱れが輝度を減衰するため、基板に近い位置のＭｎは
発光しても輝度を上げることは出来ないという問題があ
った。
ラス基板上にＩＴＯ電極膜を介して分子線エピタキシャ
ル成長法によりｚ、ｓ 、−Ｍｎ単結晶層を形成するこ
とも研究されているが、非結晶のガラス基板上に直接Ｚ
１＠Ｂ、−Ｍｎ結晶層を形成するため、結晶格子が整容
され良好な発光性が得られるＫは或程度の厚さが必要と
なり、発光層の厚さを増し、全体に発光中心となる活性
物質Ｍ、が分散されているにもかかわらず非結晶のガラ
ス基板に接したＺ、Ｓｇの結晶性が不良でありかつ結晶
の乱れが輝度を減衰するため、基板に近い位置のＭｎは
発光しても輝度を上げることは出来ないという問題があ
った。
本発明は上述のような問題に＠み、基板上に■〜■族化
合物例えばＺ、Ｓ 、を主体としたバッファ層を介して
■〜■族化合物例えばＺｎＳ、に発光中心となる活性物
質例えばＭｎを添加した発光層を形成したことによりバ
ッファ層によって結晶性を整え結晶性の最も良くなった
位置に発光層を形成し発光層の厚さを薄くして低電圧で
の動作を可能にするとともに高輝度の発光を得ようとす
るものである。
合物例えばＺ、Ｓ 、を主体としたバッファ層を介して
■〜■族化合物例えばＺｎＳ、に発光中心となる活性物
質例えばＭｎを添加した発光層を形成したことによりバ
ッファ層によって結晶性を整え結晶性の最も良くなった
位置に発光層を形成し発光層の厚さを薄くして低電圧で
の動作を可能にするとともに高輝度の発光を得ようとす
るものである。
本発明は、基板上に■〜■族化合物を主体としたバッフ
ァ層を介して■〜■族化合物に発光中心となる活性物質
を添加した発光層を形成し、バッファＮｋで結晶性を整
え結晶性の最良の位置に発光層を形成するものである。
ァ層を介して■〜■族化合物に発光中心となる活性物質
を添加した発光層を形成し、バッファＮｋで結晶性を整
え結晶性の最良の位置に発光層を形成するものである。
本発明に用いられる基板としては、ガラス、ＧａＡ、単
結晶がある。バッファ層に用いられる■〜■族化合物と
しては、ｚｎｓ ａ、ＺｎＢ５Ｃｄ８があり、低抵抗に
するために約４． ＯＸ ｌ ｏ’７ｃｔのＧαがドー
プされる。Ｇαの添加量が多くなるとＺ、Ｓ、の結晶性
が不良となる。またバッファ層の厚さは０．３μｍ以上
必要であり、バッファ層の膜厚が薄い場合は格子不整合
、不純物混合のために結晶性が劣ることになる。また発
光層に用いられる■〜■族化合物はバッファ層と同一の
化合物が用いられ、０．１％前後の活性物質としてのＭ
、がドープされる。活性物質とし【はＭｎｓ Ｃｒ、
Ｔｌ）−、Ｅｒ５Ｔ、、７７１等がある。発発層の厚さ
は０．３１ｔｒａ〜０．５μｍであり０．２μ簿以下で
あると輝度が低くなり０．６μｍ以上になると輝度は高
くなるが所要電圧も高くなる。また電極としては、基板
がガラスの場合はｒｎ ２０１ｉ 、８７Ｂ０２よりな
るＩＴＯと謂われる透明ｉ！極が用いられる。
結晶がある。バッファ層に用いられる■〜■族化合物と
しては、ｚｎｓ ａ、ＺｎＢ５Ｃｄ８があり、低抵抗に
するために約４． ＯＸ ｌ ｏ’７ｃｔのＧαがドー
プされる。Ｇαの添加量が多くなるとＺ、Ｓ、の結晶性
が不良となる。またバッファ層の厚さは０．３μｍ以上
必要であり、バッファ層の膜厚が薄い場合は格子不整合
、不純物混合のために結晶性が劣ることになる。また発
光層に用いられる■〜■族化合物はバッファ層と同一の
化合物が用いられ、０．１％前後の活性物質としてのＭ
、がドープされる。活性物質とし【はＭｎｓ Ｃｒ、
Ｔｌ）−、Ｅｒ５Ｔ、、７７１等がある。発発層の厚さ
は０．３１ｔｒａ〜０．５μｍであり０．２μ簿以下で
あると輝度が低くなり０．６μｍ以上になると輝度は高
くなるが所要電圧も高くなる。また電極としては、基板
がガラスの場合はｒｎ ２０１ｉ 、８７Ｂ０２よりな
るＩＴＯと謂われる透明ｉ！極が用いられる。
次に本発明の詳細な説明する。
実施例１
矛１図に示すように、ガラス基板１１）上に厚さ０、２
μｍのＩＴＯ透明電極膜（２）−低抵抗用ＫＧαをドー
プしたＺ、Ｓ−よりなる厚さ０．３μ簿のバッファ層（
３）、Ｍ、０．１１をドープしたＺ、８−よりなる厚さ
０．４μｍの発光層（４）、ａａをドープしたｚｎｓ−
よりなる厚さ０．４゛μ罵のバッファ層（５）、ＡＩ蒸
着による厚さ０．３μ簿の電極層（６）が順次形成され
ている。そしてバッファ層１３） （５）と発光層（４
）はＺ、、５−１Ｍ、、Ｇ、の各元素単体を独立に分子
線エピタキシャル成長法によって形成させたものである
。
μｍのＩＴＯ透明電極膜（２）−低抵抗用ＫＧαをドー
プしたＺ、Ｓ−よりなる厚さ０．３μ簿のバッファ層（
３）、Ｍ、０．１１をドープしたＺ、８−よりなる厚さ
０．４μｍの発光層（４）、ａａをドープしたｚｎｓ−
よりなる厚さ０．４゛μ罵のバッファ層（５）、ＡＩ蒸
着による厚さ０．３μ簿の電極層（６）が順次形成され
ている。そしてバッファ層１３） （５）と発光層（４
）はＺ、、５−１Ｍ、、Ｇ、の各元素単体を独立に分子
線エピタキシャル成長法によって形成させたものである
。
次に実施例１の構造を有するＥＬ素子を分子線エピタキ
シャル成長装置を用いて製造する方法を才２図について
説明する。
シャル成長装置を用いて製造する方法を才２図について
説明する。
この成長装置自体は周知のものであって、超高真空ペル
ジャー（７）内に基板（１）を配置して、成長すべぎ薄
膜の構成元素単体Ｚ、、 Ｓ、、Ｍｎ、Ｇａを１個・々
に分子線発生用セル＋８） （９１（１１ｔｉυ中にチ
ャージし、各セル（８） （９） （ＩＩαυからの分
子ビームを基板（１）に照射して成長を行うものである
。各セル（８） ｆ９）（ｌω（１１１の周囲は液体窒
素のシュラウド（１２＋で囲まれ、冷却されており、成
長中に周囲から不要な蒸気が発生するのが防がれている
。ａａはシャッタであり、外部からの操作で所用期間の
み基板（１）上への分子線成長を実施できるように構成
されている。基板（１１は例えば０．２μ簿厚さのＩＴ
Ｏ被覆ガラス基板であり、分子線成長装置内ではヒータ
が付設され温度制御された基板ホルダα４上に設置され
る。本実施例では成長中の基板（１）の温度は５３０Ｃ
に保たれ、ｚｎｓｍ−ａααバフフッ（３）、ＺｎＳ、
−Ｍ、発光層（４）、ＺｎＳｇ−Ｇａバッファ層（５）
の成長が順次行われる。分子線セル＋８） （９）ｔｉ
ｕｎ中にはそれぞれＺｎｓ Ｈａ、Ｍ、、Ｇｆｆが元素
単体で配置され、各々独立に付設されたヒータによって
温度制御がなされ、ｚｎセル（８）は３４０Ｃ，８ｇセ
ル（９）は１６０〜１７０Ｃ，ＭｎセルＯＩは６００Ｃ
，（ｒｚセル０１）は５５０Ｃに保たれている。成長中
のペルジャー（７）内の真空度は望ましくは１０−’
Ｔｏｒｒ程度以下であるが、１０”” Ｔｏｒｒ程度で
も結果には大差は認められなかった。次にバッファ層（
５）上にはＡ／電極膜（６）を真空蒸着により被覆する
。
ジャー（７）内に基板（１）を配置して、成長すべぎ薄
膜の構成元素単体Ｚ、、 Ｓ、、Ｍｎ、Ｇａを１個・々
に分子線発生用セル＋８） （９１（１１ｔｉυ中にチ
ャージし、各セル（８） （９） （ＩＩαυからの分
子ビームを基板（１）に照射して成長を行うものである
。各セル（８） ｆ９）（ｌω（１１１の周囲は液体窒
素のシュラウド（１２＋で囲まれ、冷却されており、成
長中に周囲から不要な蒸気が発生するのが防がれている
。ａａはシャッタであり、外部からの操作で所用期間の
み基板（１）上への分子線成長を実施できるように構成
されている。基板（１１は例えば０．２μ簿厚さのＩＴ
Ｏ被覆ガラス基板であり、分子線成長装置内ではヒータ
が付設され温度制御された基板ホルダα４上に設置され
る。本実施例では成長中の基板（１）の温度は５３０Ｃ
に保たれ、ｚｎｓｍ−ａααバフフッ（３）、ＺｎＳ、
−Ｍ、発光層（４）、ＺｎＳｇ−Ｇａバッファ層（５）
の成長が順次行われる。分子線セル＋８） （９）ｔｉ
ｕｎ中にはそれぞれＺｎｓ Ｈａ、Ｍ、、Ｇｆｆが元素
単体で配置され、各々独立に付設されたヒータによって
温度制御がなされ、ｚｎセル（８）は３４０Ｃ，８ｇセ
ル（９）は１６０〜１７０Ｃ，ＭｎセルＯＩは６００Ｃ
，（ｒｚセル０１）は５５０Ｃに保たれている。成長中
のペルジャー（７）内の真空度は望ましくは１０−’
Ｔｏｒｒ程度以下であるが、１０”” Ｔｏｒｒ程度で
も結果には大差は認められなかった。次にバッファ層（
５）上にはＡ／電極膜（６）を真空蒸着により被覆する
。
実施例２
矛３図に示すものは、単結晶のＧａＡｌ基板ｆｉｌ上に
、ＧａをドープしたＺｎＳ−よりなるバッファｍ ＋３
１、Ｍ、をドープしたｚｎＳ−よりなる発光＠ （４１
が順次分子線エピタキシャル成長法によって形成され、
基板（１１と発光Ｉｍ（４１１ｃ 夫ｋ ＡｔＬ−Ｇ
＃ ＝Ｎｉ ｔ 極（１５１トＡｍ 電極（１６）とが
蒸着形成されたものである。
、ＧａをドープしたＺｎＳ−よりなるバッファｍ ＋３
１、Ｍ、をドープしたｚｎＳ−よりなる発光＠ （４１
が順次分子線エピタキシャル成長法によって形成され、
基板（１１と発光Ｉｍ（４１１ｃ 夫ｋ ＡｔＬ−Ｇ
＃ ＝Ｎｉ ｔ 極（１５１トＡｍ 電極（１６）とが
蒸着形成されたものである。
実施例３
才４図に示すものは、実施例２において、発光Ｒ（４）
上に更にバッファ層（５）を形成したものであり、その
他の構成は実施例２と同様である。
上に更にバッファ層（５）を形成したものであり、その
他の構成は実施例２と同様である。
実施例
次に本発明の実施例工に示す基板がガラスのＥＬ素子と
、実施例３に示す基板がＧａＡ、のＥＬ素子の夫々の基
板に接するバッファ層の厚さを０から０．５μ扉まで順
次増加した場合の輝度を受光素子（Ｓｉ太陽電池）の短
終電流忙より測定し量子効率として表わすと才５図忙示
す図表のようになる。
、実施例３に示す基板がＧａＡ、のＥＬ素子の夫々の基
板に接するバッファ層の厚さを０から０．５μ扉まで順
次増加した場合の輝度を受光素子（Ｓｉ太陽電池）の短
終電流忙より測定し量子効率として表わすと才５図忙示
す図表のようになる。
との才５図よりバッファ層の厚さが０の場合即ち従来の
ようにガラス基板上に透明電極を介して、又はＧａＡ３
基板上に直接発光層を形成したものに比べてバッファー
な介在させたものは何れも輝度が大巾に上り、特にガラ
ス基板の場合の効果が顕著であることがわかる。
ようにガラス基板上に透明電極を介して、又はＧａＡ３
基板上に直接発光層を形成したものに比べてバッファー
な介在させたものは何れも輝度が大巾に上り、特にガラ
ス基板の場合の効果が顕著であることがわかる。
本発明によれば、基板上に■〜■族化合物を主体とした
バッファ層を介して、■〜■族化合物に発光中心となる
活性物質を添加した発光層を形成したから、基板上に形
成されたバッファ層の結晶性が最良になった位置に発光
層を形成するととＫより発光層の結晶性を高め高輝度の
発光を得ることが出来、しかも発光層は結晶格子が整合
されているからｊ＠の厚さを可及的に薄くすることが出
来、このため発光閾値電圧を低くすることが出来る。
バッファ層を介して、■〜■族化合物に発光中心となる
活性物質を添加した発光層を形成したから、基板上に形
成されたバッファ層の結晶性が最良になった位置に発光
層を形成するととＫより発光層の結晶性を高め高輝度の
発光を得ることが出来、しかも発光層は結晶格子が整合
されているからｊ＠の厚さを可及的に薄くすることが出
来、このため発光閾値電圧を低くすることが出来る。
才１図は本発明の一冥施例を示すエレクトロルミネッセ
ンス素子の拡大断面図、矛２図は同上素子を得るための
分子線成長装置の説明図、才３図、才４図は同上素子の
他の実施例を示す拡大断面図、才５図はバッファ層の厚
さと量子効率の関係を示す図表である。 （１１−・基板、（３）・・バッファ層、（４）・・発
光層。 バｙη眉９厚亡０町 特許庁長官 若杉和夫 殿 １・ 事件ノ表示 昭和５８年特許願矛１ｌＩＩ
００６号２・ 発明ノ名称 エ、クト。１．ミネ
ッヤ、２素子３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 高 橋 清（ほか１名〕 ４、代理人 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の
欄及び図面。 ７、補正の内容 （１） 明細書第３頁第１２行に［ＣａＡＳＪとあるを
、ｌ’ＧａＡｓＪと訂正する。 （２） 明細書第７頁第４行ないし第５行に「発光層」
とあるを、「発光層」と訂正する。 （３） 図面中箱２図、第３図、第４図を別紙のように
訂正する。 昭和５９年３月２９日 特許出願人 高 橋 清外１名 ２−
ンス素子の拡大断面図、矛２図は同上素子を得るための
分子線成長装置の説明図、才３図、才４図は同上素子の
他の実施例を示す拡大断面図、才５図はバッファ層の厚
さと量子効率の関係を示す図表である。 （１１−・基板、（３）・・バッファ層、（４）・・発
光層。 バｙη眉９厚亡０町 特許庁長官 若杉和夫 殿 １・ 事件ノ表示 昭和５８年特許願矛１ｌＩＩ
００６号２・ 発明ノ名称 エ、クト。１．ミネ
ッヤ、２素子３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 高 橋 清（ほか１名〕 ４、代理人 ６ 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の
欄及び図面。 ７、補正の内容 （１） 明細書第３頁第１２行に［ＣａＡＳＪとあるを
、ｌ’ＧａＡｓＪと訂正する。 （２） 明細書第７頁第４行ないし第５行に「発光層」
とあるを、「発光層」と訂正する。 （３） 図面中箱２図、第３図、第４図を別紙のように
訂正する。 昭和５９年３月２９日 特許出願人 高 橋 清外１名 ２−
Claims (1)
- （１１基板上にＮ〜■族化合物を主体としたバッファ層
を介して■〜■族化合物に発光中心となる活性物質を添
加した発光層を形成したことを特徴とするエレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044006A JPS59169095A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58044006A JPS59169095A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169095A true JPS59169095A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12679613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58044006A Pending JPS59169095A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169095A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108496A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384497A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture of el element |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58044006A patent/JPS59169095A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384497A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Manufacture of el element |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62108496A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | 日本電信電話株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPS6320000B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1988-04-26 | Nippon Telegraph & Telephone |
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