JPS5916837A - P−第3ブチル−ベンザル−ブロマイドおよび核の所でハロゲン置換されたその誘導体 - Google Patents
P−第3ブチル−ベンザル−ブロマイドおよび核の所でハロゲン置換されたその誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
P−第3ブナルーベンズアルデヒドおよび核の所でハロ
ゲン置換さnているその誘導体は特に薬剤、植物保護剤
、染料および香料全製造する価値ある中間生成物である
。
ゲン置換さnているその誘導体は特に薬剤、植物保護剤
、染料および香料全製造する価値ある中間生成物である
。
P−第3−ブナルーベンズアルデヒドおよびその誘導体
の製造は芳香族アルデヒドを製造する為の通例の方法に
従って一般に行なう。
の製造は芳香族アルデヒドを製造する為の通例の方法に
従って一般に行なう。
例えば、第3−ブチル−ベンゼンf 0uC4の存在下
に00/HO1と反応させることによってP−第3−ブ
チル−ベンズアルデヒドを得ることができる。しかしこ
の方法には特にCu塩を使用する必要性があるという欠
点があり、こfによって特別な廃水浄化が必要とさ九る
。
に00/HO1と反応させることによってP−第3−ブ
チル−ベンズアルデヒドを得ることができる。しかしこ
の方法には特にCu塩を使用する必要性があるという欠
点があり、こfによって特別な廃水浄化が必要とさ九る
。
同様にCu塩−0u(NO3)2−を使用する別の公知
方法では、はt丁肖量の臭素との反応によって最初にP
−第3−ブチル−ベンジル−ブロマイドに転化さnるP
−第6−ブチル−トルエンから出発し、次でcu(NO
3)2溶液と一緒に長時間煮沸することによって理論値
の約42%の収率でP−第3−ブチル−ベンズアルデヒ
ドを得る(J、 Ohem S、oc、 1955.
第1848頁)。
方法では、はt丁肖量の臭素との反応によって最初にP
−第3−ブチル−ベンジル−ブロマイドに転化さnるP
−第6−ブチル−トルエンから出発し、次でcu(NO
3)2溶液と一緒に長時間煮沸することによって理論値
の約42%の収率でP−第3−ブチル−ベンズアルデヒ
ドを得る(J、 Ohem S、oc、 1955.
第1848頁)。
P−第5ブチル−ベンジル−ブロマイド(zP−第3−
ブチルベンズアルデヒドに転化する別の方法の場合、最
後に埜けた方法のOu(NO3)2溶液を水性エタノー
ルにウロトロビンを溶解し、た溶液に替えている(“ソ
ムレー反応“; 、r、 Ohem Sac。
ブチルベンズアルデヒドに転化する別の方法の場合、最
後に埜けた方法のOu(NO3)2溶液を水性エタノー
ルにウロトロビンを溶解し、た溶液に替えている(“ソ
ムレー反応“; 、r、 Ohem Sac。
1940、2.−702頁)。この反応の除にウロトロ
ビンから、メチルアミン、アンモニアおよび環境保護の
理由から排除する必要のあるホルムアルデヒドよシ成る
混合物が生じるので、この方法も一前述の2つのCu−
塊法の場合と同様に一費用の掛る廃水浄化を必要とする
。更に上述の全ての方法は多大なエネルギー消費を必要
とし且つ不充分な空時収率しかもたらし得ないO 芳香族アルデヒドを製造する為の他の公知の方法(ベン
ザルクロライドの水でのケン化:ドイツ特許出願公開第
2.044.832号明細1−参照)tP−第3−ブチ
ルベンズアルデヒドの製造に用いることは、特別な実験
が示す様に、あまり有利でないことが判った。何故なら
は、P−@3−ブチルトルエンをラジカル的に塩素化す
ることによって必要とするP−第5−ブチルベンズアル
デヒドを製造する際に、有機的に結合した塩素の1部分
だけを通例の条件のもとてアルカリ的加水分解によって
再び解離し4%る生成物が得らnるからである〔ホウペ
ン−ウィル(Houben−Wθy工)の囁メトーデン
・デア・メーガニシエン・シエミー(Methodan
der Org、 Ohemie)’第■巻、第23
5頁、シトットガルト(195’3]。
ビンから、メチルアミン、アンモニアおよび環境保護の
理由から排除する必要のあるホルムアルデヒドよシ成る
混合物が生じるので、この方法も一前述の2つのCu−
塊法の場合と同様に一費用の掛る廃水浄化を必要とする
。更に上述の全ての方法は多大なエネルギー消費を必要
とし且つ不充分な空時収率しかもたらし得ないO 芳香族アルデヒドを製造する為の他の公知の方法(ベン
ザルクロライドの水でのケン化:ドイツ特許出願公開第
2.044.832号明細1−参照)tP−第3−ブチ
ルベンズアルデヒドの製造に用いることは、特別な実験
が示す様に、あまり有利でないことが判った。何故なら
は、P−@3−ブチルトルエンをラジカル的に塩素化す
ることによって必要とするP−第5−ブチルベンズアル
デヒドを製造する際に、有機的に結合した塩素の1部分
だけを通例の条件のもとてアルカリ的加水分解によって
再び解離し4%る生成物が得らnるからである〔ホウペ
ン−ウィル(Houben−Wθy工)の囁メトーデン
・デア・メーガニシエン・シエミー(Methodan
der Org、 Ohemie)’第■巻、第23
5頁、シトットガルト(195’3]。
こnt=を決して伜かでない核塩素化を意味している。
このことは、最終的に純粋なP−第6−ブチルベンズア
ルデヒドを得たい場合には、当然に全く望ましくないこ
とである。多くの場合、薬剤、植物保護剤、染料、香料
等を製造する為には確に核の所で塩素置換さnた、P−
第3−ブチル−ベンズアルデヒドの誘導体も必要とさn
ている。しかしこの場合塩素は、他のハロゲン(F、B
r’、I)も同じでおるが、側鎖のハロゲン化以前に導
入さnる様にするべきである。
ルデヒドを得たい場合には、当然に全く望ましくないこ
とである。多くの場合、薬剤、植物保護剤、染料、香料
等を製造する為には確に核の所で塩素置換さnた、P−
第3−ブチル−ベンズアルデヒドの誘導体も必要とさn
ている。しかしこの場合塩素は、他のハロゲン(F、B
r’、I)も同じでおるが、側鎖のハロゲン化以前に導
入さnる様にするべきである。
従って、本発明の課題は、公知の方法の欠点を有さず一
要するに費用の掛る廃水浄化全必要とせず−/Fr望の
生成物の良好な収率をもたらしそして望ましくない様に
置換さnた副生成物を生じずそしていずnの関係に於て
も経済的である、P−i5ブチル−ベンズアルデヒド並
びにハロゲンによって核置換ざf′1. fCその誘導
体を製造する方法を見出すことである。
要するに費用の掛る廃水浄化全必要とせず−/Fr望の
生成物の良好な収率をもたらしそして望ましくない様に
置換さnた副生成物を生じずそしていずnの関係に於て
も経済的である、P−i5ブチル−ベンズアルデヒド並
びにハロゲンによって核置換ざf′1. fCその誘導
体を製造する方法を見出すことである。
この課題は、新規の中間生成物のP−第3−ブナルーベ
ンザル−ブロマイドおよび核の所でハロゲン(千ノー)
置換さf′したその誘導体を創造することで本発明に従
って叡1単に解決できた。
ンザル−ブロマイドおよび核の所でハロゲン(千ノー)
置換さf′したその誘導体を創造することで本発明に従
って叡1単に解決できた。
この新規の生成物は式(1)
〔式中、XはF、OL、Br、■、殊にF、O7,)3
r、特にHである〕 で表わさnる。
r、特にHである〕 で表わさnる。
このものはP−第3ブチル−トルエンおよび核の所でハ
ロゲン置換さf″したその誘導体を約40〜200℃、
殊に約40〜120℃のもとで、場合によっては高エネ
ルギーの輻射線の照射下にまたはラジカル形成物の存在
下に、出発有機物質1モル当力約2モルの臭素と反応さ
せることによって製造さnる。
ロゲン置換さf″したその誘導体を約40〜200℃、
殊に約40〜120℃のもとで、場合によっては高エネ
ルギーの輻射線の照射下にまたはラジカル形成物の存在
下に、出発有機物質1モル当力約2モルの臭素と反応さ
せることによって製造さnる。
この場合に形成さnるP−第3−ブチル−ベンザル−ア
ミドおよび核の所でハロゲン醸換さnたその誘導体の後
処理は、水で場合によってf′i通例のケン化触媒の存
在下にケン化することによって行なう。
ミドおよび核の所でハロゲン醸換さnたその誘導体の後
処理は、水で場合によってf′i通例のケン化触媒の存
在下にケン化することによって行なう。
式(1)の新規化合物を製造する為の原料としては、以
下の一般式(II) H3 〔式中、Xは式(II)におけるのと同じ意味を有する
。〕 で表わさnるP−第5−ブチルトルエンおよび核の所で
ハロゲン(七ノー)置換さt′したその誘導体を用いる
。
下の一般式(II) H3 〔式中、Xは式(II)におけるのと同じ意味を有する
。〕 で表わさnるP−第5−ブチルトルエンおよび核の所で
ハロゲン(七ノー)置換さt′したその誘導体を用いる
。
そnぞnの出発物質は、前述の温度−約40〜200℃
、殊に約40〜420℃−のもとで、場合によっては高
エネルギーの輻射線の照射下にまたはラジカル形成物の
存在下に、約2モル(18〜2.2、特に1.9〜2.
1モル)の臭素/(出発物質1モル当り)と反応させる
。高エネルギーの輻射線としては紫外線が殊に適してい
る。
、殊に約40〜420℃−のもとで、場合によっては高
エネルギーの輻射線の照射下にまたはラジカル形成物の
存在下に、約2モル(18〜2.2、特に1.9〜2.
1モル)の臭素/(出発物質1モル当り)と反応させる
。高エネルギーの輻射線としては紫外線が殊に適してい
る。
適するラジカル形成物には側鎖塩素化の為の通例の有機
系過酸化物、アゾイソブチロニトリル等がある。
系過酸化物、アゾイソブチロニトリル等がある。
高エネルギーの輻射線またはラジカル形成物の存在は反
応を成功させる為には確に必ずしも必要ないが、著しく
反応を促進させ得るので有利である。
応を成功させる為には確に必ずしも必要ないが、著しく
反応を促進させ得るので有利である。
この反応の場合、臭素は液状で滴加するがまたは(蒸発
させた後に)ガス状で導入することができ、その際後者
の場合には不活性ガス(窒素、アルゴン等)をも添加し
てもよい。
させた後に)ガス状で導入することができ、その際後者
の場合には不活性ガス(窒素、アルゴン等)をも添加し
てもよい。
臭素化は適当な溶剤中であるいは溶剤を用いずに実施す
ることができ、その際溶剤としては不活性の−特にハロ
ゲン化さnた一炭化水素、例え#1CCt4またはO−
ジクロル−ベンゼン等が適している。
ることができ、その際溶剤としては不活性の−特にハロ
ゲン化さnた一炭化水素、例え#1CCt4またはO−
ジクロル−ベンゼン等が適している。
更に、反応は無加圧下にまたは高圧のもとて不連続的に
あるいは連続的に実施することができる。
あるいは連続的に実施することができる。
臭素化の際に生ずるP−第3−ブナルーベンザルブロマ
イド並びに−核の所でハロゲン置換さf′したP−第3
ブチル−トルエンの誘導体を出発物質として用いる場合
には一核の所でハロゲン置換さnた相応する誘導体−こ
nらは、要するに式(1)の本発明の化合物であるーは
、芳香族核の所および第5−ブチル基に不所望の臭素置
換基を有していない。
イド並びに−核の所でハロゲン置換さf′したP−第3
ブチル−トルエンの誘導体を出発物質として用いる場合
には一核の所でハロゲン置換さnた相応する誘導体−こ
nらは、要するに式(1)の本発明の化合物であるーは
、芳香族核の所および第5−ブチル基に不所望の臭素置
換基を有していない。
式(1)に属する化合物には以下のものがある:相応す
るベンズアルデヒドに後処理する為には、化合物(])
を9分しそして鞘製(例えば阿結晶によって)するかあ
るいは分離せずにケン化することができる。
るベンズアルデヒドに後処理する為には、化合物(])
を9分しそして鞘製(例えば阿結晶によって)するかあ
るいは分離せずにケン化することができる。
ケン化ハ、ベンザル−ハロゲン化物のケン化にとって普
通の方法に従ってTh湖□殊に約60〜150℃、特に
約80〜120℃の温度□のもとて水を用いて、場合に
よっては普通のケン化触媒、例えばFeC7,3、Zn
Br2等の如き金属ハロゲン化物またl−1H,804
およびその類似物の存在下に行なう。殊に1モルのベン
ザル−ブロマイド(1)当り1モルの水を用いるのが好
ましい。
通の方法に従ってTh湖□殊に約60〜150℃、特に
約80〜120℃の温度□のもとて水を用いて、場合に
よっては普通のケン化触媒、例えばFeC7,3、Zn
Br2等の如き金属ハロゲン化物またl−1H,804
およびその類似物の存在下に行なう。殊に1モルのベン
ザル−ブロマイド(1)当り1モルの水を用いるのが好
ましい。
しかし過剰の水を使用してもよい。世しその際には水性
層の分離を追加的に実施すべきである・通例、予め準備
さnたベンザル−70マイト(+ケン化触媒)に対し水
は、臭化水素が生じそして次にそnが吸収さn得る程度
に添加する。
層の分離を追加的に実施すべきである・通例、予め準備
さnたベンザル−70マイト(+ケン化触媒)に対し水
は、臭化水素が生じそして次にそnが吸収さn得る程度
に添加する。
ケン化は通例、例えば無加圧下にあるいは高圧のもとで
実姉することができる。不活性溶剤、例えば炭化水素ま
たは塩素化炭化水素等も添加してもよい。更に、有機相
と添加さnる水との艮好な混合’(f−実現させる乳化
剤を使用することもまた可能である。
実姉することができる。不活性溶剤、例えば炭化水素ま
たは塩素化炭化水素等も添加してもよい。更に、有機相
と添加さnる水との艮好な混合’(f−実現させる乳化
剤を使用することもまた可能である。
臭化水素の吸収は通例の吸収装置中で行なうのが合目的
である。その際臭化水素は別の化学的反応の為に直接的
に用いるかあるいは売ってもよい。
である。その際臭化水素は別の化学的反応の為に直接的
に用いるかあるいは売ってもよい。
このようにP−第3−ブチルベンズアルデヒドおよび核
の所でハロゲン置換さ′t′したその誘導体−このもの
け、一般式 (川) 〔式中、X U H+ 1.’ + ’y’ + 13
r+ I + 殊にH,F、 c/−、Br。
の所でハロゲン置換さ′t′したその誘導体−このもの
け、一般式 (川) 〔式中、X U H+ 1.’ + ’y’ + 13
r+ I + 殊にH,F、 c/−、Br。
11斤に11を意味する、]
で表わさnるーが優f′した収率で得ら几る。この生成
物シー[−一出発物質中に既に右在り、ている核置換基
の他には一一不r9r望の(臭素−)首換基をもう櫓し
ていない。この事実i−111,めて驚ろくべきことで
ある。fIi」故ならば、塩素および臭素でのハロゲン
化Qi通當、當に同等に行なわノ1、この場合にしユ塩
素分用いた場合P−第3ブチル−トルエンのl1lll
鉛塩素化による副生成物の著しい形成全14けること
ができないからである5、こ11と反対に、P−第6−
ブナルートルエン(およびこ才1−に相応する@換生成
物)全臭素化する場合には不庖望の核ハロゲン化が生じ
ないがまたに生じないのと同等であり且つ更に第5−・
ブチル基の臭素化も生じないことが判った。本方法の商
い選択性および収率並びに−従来技術の若干の方法とは
反対に一特別な廃水処理を決して必要としないという事
実は顕著な進歩性を示している。
物シー[−一出発物質中に既に右在り、ている核置換基
の他には一一不r9r望の(臭素−)首換基をもう櫓し
ていない。この事実i−111,めて驚ろくべきことで
ある。fIi」故ならば、塩素および臭素でのハロゲン
化Qi通當、當に同等に行なわノ1、この場合にしユ塩
素分用いた場合P−第3ブチル−トルエンのl1lll
鉛塩素化による副生成物の著しい形成全14けること
ができないからである5、こ11と反対に、P−第6−
ブナルートルエン(およびこ才1−に相応する@換生成
物)全臭素化する場合には不庖望の核ハロゲン化が生じ
ないがまたに生じないのと同等であり且つ更に第5−・
ブチル基の臭素化も生じないことが判った。本方法の商
い選択性および収率並びに−従来技術の若干の方法とは
反対に一特別な廃水処理を決して必要としないという事
実は顕著な進歩性を示している。
本発明をV、下の実施例にて更に詳細に説明する。P−
第5ブチル−トルエンの為のハロゲン化剤として臭素の
代りに塩素を用いた比較例を本発明の実施例の後に掲け
る。
第5ブチル−トルエンの為のハロゲン化剤として臭素の
代りに塩素を用いた比較例を本発明の実施例の後に掲け
る。
実施例 1
攪拌機、温度計、滴下ロートおよび臭化水素の為の(水
で満たさfL几)吸収装機に連結さ【た還流冷却器を備
えている1tの口頭フラスコ中に2962のP−第5ブ
チル−トルエン(2モル)i1oo〜110℃に加熱す
る。次で紫外線照射下に3.5時間に亘って6562の
臭素(4,1モル)を滴加する。次で反応生成物中に尚
存在する臭化水素を窒素にて吹き出す。
で満たさfL几)吸収装機に連結さ【た還流冷却器を備
えている1tの口頭フラスコ中に2962のP−第5ブ
チル−トルエン(2モル)i1oo〜110℃に加熱す
る。次で紫外線照射下に3.5時間に亘って6562の
臭素(4,1モル)を滴加する。次で反応生成物中に尚
存在する臭化水素を窒素にて吹き出す。
粗収率(P−第3−ブチル−ベンザルブロマイド):6
o6r(=理論イ「1の9a7チ)測定値:臭累全預5
五6係 ケン化Tn 部具5FE、 : s 3.4%、Nl[
fl+r7 : s 2. sチ。
o6r(=理論イ「1の9a7チ)測定値:臭累全預5
五6係 ケン化Tn 部具5FE、 : s 3.4%、Nl[
fl+r7 : s 2. sチ。
臭素全気体状で導入した場合も、同様に艮々−Jな収率
が得らnる。
が得らnる。
純粋のP−gR3ブチル−ベンザルーフ0マイトの融点
:44℃(エタノールで角結晶処理したもの) 粗P−第3プチルーベンザルーブロマツトニ0.6Pの
ZnO42および0.3 fの水音添加し、110℃に
加熱しそして4時間に亘って362の水を滴加し、その
際反応温度を次第に90〜100℃に低下させる。ケン
化の際に生ずる臭化水素を、後に連結さfL ftc装
徴中に於て水中に捕捉する。
:44℃(エタノールで角結晶処理したもの) 粗P−第3プチルーベンザルーブロマツトニ0.6Pの
ZnO42および0.3 fの水音添加し、110℃に
加熱しそして4時間に亘って362の水を滴加し、その
際反応温度を次第に90〜100℃に低下させる。ケン
化の際に生ずる臭化水素を、後に連結さfL ftc装
徴中に於て水中に捕捉する。
水の添加後に50分間後攪拌を行ないそして残った臭化
水素を窒素で吹き出す。回収さハる臭化水素:3+6f
(=理論値の97.5%)。
水素を窒素で吹き出す。回収さハる臭化水素:3+6f
(=理論値の97.5%)。
Ill p−第3ブチルベンズアルデヒドを次に減圧下
に蒸留する。このものは31’orr で90℃の沸
ルを有している。
に蒸留する。このものは31’orr で90℃の沸
ルを有している。
収量: 299y−理論値の92.5係(=1.85モ
ル)。
ル)。
実施例 2
250 mlのガラス製フラスコ中に於て1o。
S’=0.548モルの1−メチル−2−クロル−4−
第3ブチル−ベンゾイル全紫外線照射下に攪拌しながら
+ 75.5 f = 1.097モルの臭素と次のよ
うに反応きせる。
第3ブチル−ベンゾイル全紫外線照射下に攪拌しながら
+ 75.5 f = 1.097モルの臭素と次のよ
うに反応きせる。
130℃の反応温度のもとて60分間の間に1o−、o
r=o、6zsモルの液体臭素を滴加する。
r=o、6zsモルの液体臭素を滴加する。
次に反応温度を180℃に高めそ1〜で50分間の間に
更に75.5’ ? = 0.472モルの臭素を滴加
1−る。次で更に30分間に亘って180℃のもとで抜
撹拌する。その後で反応混合物ヲ20℃に冷却しそして
該混合物に溶解している(=’+Sか′fJ量の文化水
素および臭素を窒素流の通過によって除く。
更に75.5’ ? = 0.472モルの臭素を滴加
1−る。次で更に30分間に亘って180℃のもとで抜
撹拌する。その後で反応混合物ヲ20℃に冷却しそして
該混合物に溶解している(=’+Sか′fJ量の文化水
素および臭素を窒素流の通過によって除く。
この吹き出し処理の後に、85qbの2−クロルー 4
− 第3ブチル−ベンザルブロマイドを含イ1していZ
t i 86 fの粗溶沿が得らfる。生成物の同一性
fj、07°L’orr、 115℃で沸騰する蒸留生
成物を用いての佃量スペクトルおよびNMR−スベク1
゛ルによって確かめた。
− 第3ブチル−ベンザルブロマイドを含イ1していZ
t i 86 fの粗溶沿が得らfる。生成物の同一性
fj、07°L’orr、 115℃で沸騰する蒸留生
成物を用いての佃量スペクトルおよびNMR−スベク1
゛ルによって確かめた。
比較例:
実施例1に於けるのと同じ装@月つ同じ条件のもとで、
296 y(1)P−第3ブチル−トルエン(2モル)
をzs4r(約41モル)の塩素の導入によって五5時
IIIに亘って塩素化する。
296 y(1)P−第3ブチル−トルエン(2モル)
をzs4r(約41モル)の塩素の導入によって五5時
IIIに亘って塩素化する。
塩化水素?吹き出した後に粗収賞は4159である。こ
の中には以下のものが含tanている:塩素全体量:
31.05係 ケン化aJ能な塩素:zo、ss%(枳11定法:アル
コールtjt KOHにてケン化しそして塩素イオン7
1r−銀滴定によって測定する。) こnから、分離不可能な塩素側が算出さfる;1020
% 。
の中には以下のものが含tanている:塩素全体量:
31.05係 ケン化aJ能な塩素:zo、ss%(枳11定法:アル
コールtjt KOHにてケン化しそして塩素イオン7
1r−銀滴定によって測定する。) こnから、分離不可能な塩素側が算出さfる;1020
% 。
有機的に結合している全塩素の約173は要するに、ア
ルデヒドへのケン化反応にとって役に立たない@ 塩素化の為に塩素の代りに当量のスルフアリル−クロラ
イドを用いることによっても非常に類イ1フした結果が
得らnる。
ルデヒドへのケン化反応にとって役に立たない@ 塩素化の為に塩素の代りに当量のスルフアリル−クロラ
イドを用いることによっても非常に類イ1フした結果が
得らnる。
Claims (1)
- (1) 式(II) 〔式中、X td H,F、 04 Brまタハ工を意
味する。〕 で表わさn、るP−第5ブチル−ベンザル−ブロマイド
および核の所でハロゲン置換さfしたその誘導体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE28496926 | 1978-11-16 | ||
DE2849692A DE2849692B2 (de) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | Verfahren zur Herstellung von p-tert-Butylbenzaldehyd und dessen am Kern durch Halogen monosubstituierten Derivaten |
DE29112376 | 1979-03-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5916837A true JPS5916837A (ja) | 1984-01-28 |
JPS5945671B2 JPS5945671B2 (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=6054816
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54147171A Expired JPS6052740B2 (ja) | 1978-11-16 | 1979-11-15 | P−第3ブチル−ベンズアルデヒドおよび核の所でハロゲン置換されたその誘導体の製造方法 |
JP58081866A Expired JPS5945671B2 (ja) | 1978-11-16 | 1983-05-12 | P−第3ブチル−ベンザル−ブロマイドおよび核の所でハロゲン置換されたその誘導体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54147171A Expired JPS6052740B2 (ja) | 1978-11-16 | 1979-11-15 | P−第3ブチル−ベンズアルデヒドおよび核の所でハロゲン置換されたその誘導体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS6052740B2 (ja) |
DE (2) | DE2857580A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60251267A (ja) * | 1984-05-26 | 1985-12-11 | Nisshin Steel Co Ltd | 耐熱塗装被覆鋼材の製造法 |
US5705017A (en) * | 1993-06-10 | 1998-01-06 | Kawatetsu Galvanizing Co., Ltd. | Method for the production of steel sheet coated with a fluororesin film |
Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
DE2911237B2 (de) * | 1979-03-22 | 1981-01-29 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Verfahren zur Herstellung von p-tert-Butylbenzaldehyd und dessen am Kern durch Halogen mono substituierten Derivaten |
DE3029366A1 (de) * | 1980-08-01 | 1982-03-25 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur seitenkettenbromierung von toluolen und gemische von in der seitenkette verschieden hoch bromierten toluolen |
DE3029368A1 (de) * | 1980-08-01 | 1982-03-04 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur halogenierung von gegebenenfalls substituierten 4-tert.-butyltoluolen sowie die daraus erhaltenen gemische aus gegebenenfalls substituierten 4-tert.-butylbenzalhalogeniden, und 4-tert.-butylbenzotrihalogeniden |
IT1169421B (it) * | 1982-06-03 | 1987-05-27 | Givaudan & Cie Sa | Procedimento per la preparazione di benzen-derivati |
JPS59188478U (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-14 | 角野 博光 | スロツトマシンのコイン補給装置 |
FR2555183B1 (fr) * | 1983-11-18 | 1986-06-27 | Inst Francais Du Petrole | Polymeres de butenes a extremite aromatique halogenometylee |
JPH0293890A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Samii Kogyo Kk | 払い出し機 |
Citations (6)
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JPS4994639A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-09-09 | ||
JPS5089337A (ja) * | 1973-12-14 | 1975-07-17 | ||
JPS50130735A (ja) * | 1974-03-25 | 1975-10-16 | ||
JPS5225733A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-25 | Ihara Chem Ind Co Ltd | Process for preparation of benzaldehydes |
DE2741764A1 (de) * | 1976-09-22 | 1978-03-30 | American Cyanamid Co | Verfahren zur herstellung von m-phenoxybenzaldehyd |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CH526493A (de) * | 1969-09-19 | 1972-08-15 | Ciba Geigy Ag | Verfahren zur Herstellung aromatischer Aldehyde |
NL7215589A (en) * | 1971-11-23 | 1973-05-25 | Aromatic aldehydes and carboxylic acids prepn - by hydrolysing dichloromethyl or trichloromethyl cpds using zinc salt ca | |
DE3021727A1 (de) * | 1980-06-10 | 1981-12-17 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von 4-tert.-butylbenzaldehyd |
DE3021728A1 (de) * | 1980-06-10 | 1981-12-17 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur bromierung von 4-tert.butyltoluol |
-
1978
- 1978-11-16 DE DE19782857580 patent/DE2857580A1/de active Granted
- 1978-11-16 DE DE2849692A patent/DE2849692B2/de active Granted
-
1979
- 1979-11-15 JP JP54147171A patent/JPS6052740B2/ja not_active Expired
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58081866A patent/JPS5945671B2/ja not_active Expired
Patent Citations (6)
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US5705017A (en) * | 1993-06-10 | 1998-01-06 | Kawatetsu Galvanizing Co., Ltd. | Method for the production of steel sheet coated with a fluororesin film |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2849692C3 (ja) | 1988-10-20 |
DE2857580C2 (ja) | 1989-11-23 |
JPS5572128A (en) | 1980-05-30 |
JPS6052740B2 (ja) | 1985-11-21 |
DE2849692A1 (de) | 1980-05-22 |
DE2857580A1 (de) | 1980-07-31 |
JPS5945671B2 (ja) | 1984-11-07 |
DE2849692B2 (de) | 1980-09-25 |
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