JPS59165064A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS59165064A JPS59165064A JP3994483A JP3994483A JPS59165064A JP S59165064 A JPS59165064 A JP S59165064A JP 3994483 A JP3994483 A JP 3994483A JP 3994483 A JP3994483 A JP 3994483A JP S59165064 A JPS59165064 A JP S59165064A
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- JP
- Japan
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- methylenedioxyphenyl
- ethylene
- charge
- layer
- charge transport
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0631—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing two hetero atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0668—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
- G03G5/067—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group containing hetero rings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関し、更に詳しくは、導電
性支持体上に、電荷発生層と電荷輸送層よりなる電子写
真感光体に′おいて、宵、荷輸送層として、次の一般式
El)で示されるメチレンジオキシフェニル−ビスアル
キルアミノフェニル−仝テレン誘導体を含有する層を有
することを特徴とする電子写真感光体に関する。
性支持体上に、電荷発生層と電荷輸送層よりなる電子写
真感光体に′おいて、宵、荷輸送層として、次の一般式
El)で示されるメチレンジオキシフェニル−ビスアル
キルアミノフェニル−仝テレン誘導体を含有する層を有
することを特徴とする電子写真感光体に関する。
(式中、R1及びR1は同じかまたは異ってもよい低級
アルキル基を、R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、まだはノ\ロケン原子を玖わす) 近年、電子写真感光材料として広くしられているものに
、無機系の物質としてはセレン、硫化カドミウム等があ
り、有様光尋電性物質としては、ポリ−14−ビニルカ
ルレノくゾール、ポリビニルアンスラセンをはじめ種々
の物質が提案されている。その甲で、ボlJ、−1.1
−ビニルカルバゾールは、それ自身でフ・イルム形成が
可能であるが可撓性が低く、電子写真感光体としての耐
久性が劣るという欠点がある。
アルキル基を、R,は水素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、まだはノ\ロケン原子を玖わす) 近年、電子写真感光材料として広くしられているものに
、無機系の物質としてはセレン、硫化カドミウム等があ
り、有様光尋電性物質としては、ポリ−14−ビニルカ
ルレノくゾール、ポリビニルアンスラセンをはじめ種々
の物質が提案されている。その甲で、ボlJ、−1.1
−ビニルカルバゾールは、それ自身でフ・イルム形成が
可能であるが可撓性が低く、電子写真感光体としての耐
久性が劣るという欠点がある。
そこで可撓性會増すために可塑蒼I]を用、いることが
提案さnているが、可塑剤を用いると可撓性を向土笛せ
る反面、感度や残留電位等の電子写真特性が低下すると
いう欠点があられ扛てくる。
提案さnているが、可塑剤を用いると可撓性を向土笛せ
る反面、感度や残留電位等の電子写真特性が低下すると
いう欠点があられ扛てくる。
゛このほか種々のタイプの電子写真感光体が提案、され
ており、例えば゛電子供与性化合物と電子受容性化合物
との組合せによる電荷移動錯体よりなる感光体(米国特
許第3484237号)、ポリーR−ビニルカルバゾー
ルに色素を添加して増感したもの(%公開48−256
58号)、有機顔料を主成分とする感光体(%開開47
−37543号)等がある。
ており、例えば゛電子供与性化合物と電子受容性化合物
との組合せによる電荷移動錯体よりなる感光体(米国特
許第3484237号)、ポリーR−ビニルカルバゾー
ルに色素を添加して増感したもの(%公開48−256
58号)、有機顔料を主成分とする感光体(%開開47
−37543号)等がある。
また近年、例えば米国特許第3791826 誰見られ
るごとく、光導電性物質の二つの機能ずなわぢ、電荷担
体の発生と、発生した電荷の移送をそ12それ別個の有
機化合物により行わしめようという方式が盛んに提案さ
扛ている。この方式においては専電性支持体の土に、電
荷担体を発生させる化合物すなわち電荷発生物質と、発
生した電荷を輸送させる化合物、すなわち、電荷輸送物
質を積層する必要がある。しかし、多くの場合、電荷輸
送物質は低分子有機化合物であり、フィルム形成能tも
だないため、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂
、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの高分子
結着剤を用いてフィルムを形成させねばならない゛。電
荷発生層において発生した電荷担体を速やかに輸送する
ためには電荷輸送層は均一であることが必要であり、こ
こで高分子結着剤に対する電荷輸送物質の溶解性が問題
となる。溶解性の低いものについては微粉末として結着
剤中に分散せしめるが、この場合は均一なフィルム金得
ることが困難であり、また溶解しても時間の経過ととも
に精品が析出する現象が生じ、電子写真性能を着るしく
低下せしめることが多い。
るごとく、光導電性物質の二つの機能ずなわぢ、電荷担
体の発生と、発生した電荷の移送をそ12それ別個の有
機化合物により行わしめようという方式が盛んに提案さ
扛ている。この方式においては専電性支持体の土に、電
荷担体を発生させる化合物すなわち電荷発生物質と、発
生した電荷を輸送させる化合物、すなわち、電荷輸送物
質を積層する必要がある。しかし、多くの場合、電荷輸
送物質は低分子有機化合物であり、フィルム形成能tも
だないため、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂
、メタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂などの高分子
結着剤を用いてフィルムを形成させねばならない゛。電
荷発生層において発生した電荷担体を速やかに輸送する
ためには電荷輸送層は均一であることが必要であり、こ
こで高分子結着剤に対する電荷輸送物質の溶解性が問題
となる。溶解性の低いものについては微粉末として結着
剤中に分散せしめるが、この場合は均一なフィルム金得
ることが困難であり、また溶解しても時間の経過ととも
に精品が析出する現象が生じ、電子写真性能を着るしく
低下せしめることが多い。
従来、多くの電荷輸送物質が提案され1おり、実用的に
も価値が高いと思われるものもあるが、電子写真に対す
る種々の要求を考慮すると、未だ、これらの要求を充分
に満たすものが得ら扛1いない。
も価値が高いと思われるものもあるが、電子写真に対す
る種々の要求を考慮すると、未だ、これらの要求を充分
に満たすものが得ら扛1いない。
そこで、不発明者は、この種光導電性物質の研究を行っ
た結果、前記一般式〔l)で衣わされるメチレンジオキ
シ3J’に分子中に有するメチレンジオキシフェニル−
ビスアルキルアミノフェニル−エチレン誘導体が、電子
写真感光体の光導電物質とし1有効に働くことを見出し
た。
た結果、前記一般式〔l)で衣わされるメチレンジオキ
シ3J’に分子中に有するメチレンジオキシフェニル−
ビスアルキルアミノフェニル−エチレン誘導体が、電子
写真感光体の光導電物質とし1有効に働くことを見出し
た。
不発明の化合物(1〕に近いイ苦造式のビス(ジアルキ
ルアミノアリル)エチレン誘導体は米国特許第3.fi
77.752号にiT、子写真の有機光j、% Q体と
し1開示され1いる。しかしながら、その使用方法は単
一層の光導電体に駆足され1おり、後述する比較例に示
す様に、積層型感光体の電荷輸送物質として用いた場合
、その帯電特性、繰り返し帯電等の耐久性、感度特性%
W用土の便用に充分とは云えない。これに対し、本発明
のメチレンジオキシフェニル−ビスアルキルアミンフェ
ニル、li −エチレンθQ 体は、後述するごとく種々の材料を組
合せることにより、すぐ扛だ電子写真感光体をえること
のできるものである。
ルアミノアリル)エチレン誘導体は米国特許第3.fi
77.752号にiT、子写真の有機光j、% Q体と
し1開示され1いる。しかしながら、その使用方法は単
一層の光導電体に駆足され1おり、後述する比較例に示
す様に、積層型感光体の電荷輸送物質として用いた場合
、その帯電特性、繰り返し帯電等の耐久性、感度特性%
W用土の便用に充分とは云えない。これに対し、本発明
のメチレンジオキシフェニル−ビスアルキルアミンフェ
ニル、li −エチレンθQ 体は、後述するごとく種々の材料を組
合せることにより、すぐ扛だ電子写真感光体をえること
のできるものである。
従つ1、本発明は、前記一般式[1)で衣わされるメテ
レンジオキシフェニルービスアルキルアミンフェニルー
エテレン誘導体を、電荷輸送物質として含有する層を有
する高感度の電子写真感光体を提供するものである。
レンジオキシフェニルービスアルキルアミンフェニルー
エテレン誘導体を、電荷輸送物質として含有する層を有
する高感度の電子写真感光体を提供するものである。
不発明に使用する一般式(1)のメチレンジオキシフェ
ニル−ビスアルキルアミノフェニル−エチレン誘導体は
、常法によつ1.4゜4′−ビス−(ジアルキルアS)
〕ベンゾフェノン[flI] ト3 、4−メチレンジ
オキシベンジルマグネシウムハライド〔貫〕を反応させ
、ついでその成績体を脱水することによつ1製造するこ
とができる。
ニル−ビスアルキルアミノフェニル−エチレン誘導体は
、常法によつ1.4゜4′−ビス−(ジアルキルアS)
〕ベンゾフェノン[flI] ト3 、4−メチレンジ
オキシベンジルマグネシウムハライド〔貫〕を反応させ
、ついでその成績体を脱水することによつ1製造するこ
とができる。
[fll (M〕
〔1〕
(上記反応式中R+ + R2+、 R3は前述に同じ
、Xはハロゲン原子を表わす) 原料の4,4′−ビス−(ジアルキルアS))ベンゾフ
ェノン〔l〕は、ム、封−ジアルキルアニリン、または
m−置換−N 、 1J−ジアルキルアニリンに、p−
ジアルキルアミノベンゾイルクロライドを塩化亜鉛の存
在下に反応させて得ることができ、また3、4−メチレ
ンジオキシベンジルクロライドは、へりオトロピンを水
添し1得たベリオアルコールに、塩化チオニルを作用さ
せることにより製造される。
、Xはハロゲン原子を表わす) 原料の4,4′−ビス−(ジアルキルアS))ベンゾフ
ェノン〔l〕は、ム、封−ジアルキルアニリン、または
m−置換−N 、 1J−ジアルキルアニリンに、p−
ジアルキルアミノベンゾイルクロライドを塩化亜鉛の存
在下に反応させて得ることができ、また3、4−メチレ
ンジオキシベンジルクロライドは、へりオトロピンを水
添し1得たベリオアルコールに、塩化チオニルを作用さ
せることにより製造される。
本方法を実施するには、まず4,4′−ビス−(ジアル
キルアS))ベンゾフェノン〔■〕を約1o倍M量のテ
トラヒドロフラン(以下、THFと略記する)に溶かし
ておく。一方、これに対し1約1.8モル倍の3.4−
メチレンジオキシベンジルクロライドと、これと等モル
の金ハマクネシウムを反応させ又グリニヤ試桑、丁なわ
ち3,4−メチレンジオキシベンジルマグネシウムクロ
ライド[111を調整する。こnに、前記の4,4′−
ビス−(ジアルキルアS〕)ベンゾフェノン〔■〕のT
HF浴液を、室温に1滴下し、室温下で約5時間操拌し
1反応を終了させる。反応終了後、THFイ「回収し、
これにベンゼンのごとき溶媒を加え、これケ飽和塩化ア
ンモニウ11水溶液で処理した後、少量の酢酸のごとき
有機酸と共に加熱して脱水反応を行わしめ、水洗、有機
層の破線、エタノール等による再結晶を経て目的物を得
る。
キルアS))ベンゾフェノン〔■〕を約1o倍M量のテ
トラヒドロフラン(以下、THFと略記する)に溶かし
ておく。一方、これに対し1約1.8モル倍の3.4−
メチレンジオキシベンジルクロライドと、これと等モル
の金ハマクネシウムを反応させ又グリニヤ試桑、丁なわ
ち3,4−メチレンジオキシベンジルマグネシウムクロ
ライド[111を調整する。こnに、前記の4,4′−
ビス−(ジアルキルアS〕)ベンゾフェノン〔■〕のT
HF浴液を、室温に1滴下し、室温下で約5時間操拌し
1反応を終了させる。反応終了後、THFイ「回収し、
これにベンゼンのごとき溶媒を加え、これケ飽和塩化ア
ンモニウ11水溶液で処理した後、少量の酢酸のごとき
有機酸と共に加熱して脱水反応を行わしめ、水洗、有機
層の破線、エタノール等による再結晶を経て目的物を得
る。
前記一般式〔I〕甲のff置換基R11R2、およびR
sk有する化合物は、主述した製法によって、それぞれ
の置換基を有する殿、科を使用することにより所望する
化合物を得ることが出来る。置換基とし1は、RI及び
R2a、メチル、エテル、プロピル、ブチル等の低級ア
ルキル基、RBは*素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、塩素、臭素のハロケン原子を挙げることが出
来る。
sk有する化合物は、主述した製法によって、それぞれ
の置換基を有する殿、科を使用することにより所望する
化合物を得ることが出来る。置換基とし1は、RI及び
R2a、メチル、エテル、プロピル、ブチル等の低級ア
ルキル基、RBは*素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基、塩素、臭素のハロケン原子を挙げることが出
来る。
カくシて得られたメチレンジオキシフェニルービスアル
キルアミンフェニルーエチレン誘導体は、高分子結M剤
に対する相溶性が極めてよく、結着剤中の含有量を任意
に変えることが可能である。本発明の代表的な化合物と
し又は次のものが例、示される。
キルアミンフェニルーエチレン誘導体は、高分子結M剤
に対する相溶性が極めてよく、結着剤中の含有量を任意
に変えることが可能である。本発明の代表的な化合物と
し又は次のものが例、示される。
(1)1.1−ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−
2’−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (2)1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−−(
2−メチル−4−ジメチルアミノフェニル)−2−43
,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (3)1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−ン −(2−メトキシ−4−ジメチルアミノフェニル)−2
−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (→ 1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(2
−クロロ−4−ジメチルアミノフェニル)−2−(3,
4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (at−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(2−
エトキシ−4−ジメチルアミノフェニル)−2−43,
4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (6)x、i−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−
2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (7)1.1−ビス(4−ジn−プロピルアSノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エテ
レン (8)1=(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(2
−メチル−4−ジエチルアミノフェニル) −2−(3
、’ 4−メチレンジオキシフェニル〕エチレン ((J)1−(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(
2−メトキシ−4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
,3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン
lン(,10)l−(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1−(2−10ロー4−ジエチル7E
、、lフェニル)−2−(3,4−メチレンジオキシフ
ェニル)エチレン (11)1−(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(
2−エトキシ−4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (12)l−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(
4−ジエチルアミノフェニル) −2(3゜4−メチレ
ンジオキシフェニル)エチレン(13)1−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−1−(2−ブロム−4−ジメチ
ルアミノフェニル)−2−43,4−メチレンジオキシ
フェニル)エチレン (14)1−(4−ジD−プロビルアミノフエニノリ−
1−(2−メチル−4−モロ−プロピルアミノフェニル
)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレ
ン (15)1−(4−モロ−プロピルアミノフェニル〕−
1−(2−メトキシ−4−ジn−プロピルアSノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチ
レン (lfi) ]−−(]4−ジn−プロピルアミノフ
ェニル−1−(2−クロロ−4−モロ−プロピルアミノ
フェニル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル
)エチレン (17)l−(4−ジn−プロピルアSノフェニル)−
1−(2−エトキシ−4−モロ−プロピルアミノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチ
レン ゛つぎに、本発明のα子写真感光体の基本
的な作芽1足方法について説明するが、勿論、この例を
もつ1本発す]を駆足するものでは外い。
2’−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (2)1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−−(
2−メチル−4−ジメチルアミノフェニル)−2−43
,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (3)1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−ン −(2−メトキシ−4−ジメチルアミノフェニル)−2
−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (→ 1−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(2
−クロロ−4−ジメチルアミノフェニル)−2−(3,
4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (at−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(2−
エトキシ−4−ジメチルアミノフェニル)−2−43,
4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (6)x、i−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−
2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (7)1.1−ビス(4−ジn−プロピルアSノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エテ
レン (8)1=(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(2
−メチル−4−ジエチルアミノフェニル) −2−(3
、’ 4−メチレンジオキシフェニル〕エチレン ((J)1−(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(
2−メトキシ−4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
,3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン
lン(,10)l−(4−ジエチルア
ミノフェニル)−1−(2−10ロー4−ジエチル7E
、、lフェニル)−2−(3,4−メチレンジオキシフ
ェニル)エチレン (11)1−(4−ジエチルアミノフェニル)−1−(
2−エトキシ−4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン (12)l−(4−ジメチルアミノフェニル)−1−(
4−ジエチルアミノフェニル) −2(3゜4−メチレ
ンジオキシフェニル)エチレン(13)1−(4−ジメ
チルアミノフェニル)−1−(2−ブロム−4−ジメチ
ルアミノフェニル)−2−43,4−メチレンジオキシ
フェニル)エチレン (14)1−(4−ジD−プロビルアミノフエニノリ−
1−(2−メチル−4−モロ−プロピルアミノフェニル
)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチレ
ン (15)1−(4−モロ−プロピルアミノフェニル〕−
1−(2−メトキシ−4−ジn−プロピルアSノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチ
レン (lfi) ]−−(]4−ジn−プロピルアミノフ
ェニル−1−(2−クロロ−4−モロ−プロピルアミノ
フェニル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル
)エチレン (17)l−(4−ジn−プロピルアSノフェニル)−
1−(2−エトキシ−4−モロ−プロピルアミノフェニ
ル)−2−(3,4−メチレンジオキシフェニル)エチ
レン ゛つぎに、本発明のα子写真感光体の基本
的な作芽1足方法について説明するが、勿論、この例を
もつ1本発す]を駆足するものでは外い。
不発明のメチレンジオキシフェニル−ビスアルキルアミ
ンフェニル−エチレン誘<BtC”c含有する層【有す
る電子写真惑うt体は第1図に示すごとき形に作製する
ことが出来る。すなわち導電性支持体(1)の土に、電
荷発生物質(2) ′?f:主体とする〕荷発生層(3
)と、メ太レンジオキシフェニルービスアルキル7ミノ
フエニルーエナレン誘導体を均一に含有する電荷輸送層
(4)からなる感光層(5)を設ける。ここで・メチレ
ンジオキシフェニル−ビスアルキルア9ノフ工ニルーエ
チレン誘尋体は電荷輸送物質として用いられ、結着剤と
ともに電荷輸送層全形成する。
ンフェニル−エチレン誘<BtC”c含有する層【有す
る電子写真惑うt体は第1図に示すごとき形に作製する
ことが出来る。すなわち導電性支持体(1)の土に、電
荷発生物質(2) ′?f:主体とする〕荷発生層(3
)と、メ太レンジオキシフェニルービスアルキル7ミノ
フエニルーエナレン誘導体を均一に含有する電荷輸送層
(4)からなる感光層(5)を設ける。ここで・メチレ
ンジオキシフェニル−ビスアルキルア9ノフ工ニルーエ
チレン誘尋体は電荷輸送物質として用いられ、結着剤と
ともに電荷輸送層全形成する。
電荷移送層を透過し7た光は電荷発生層中に分散された
電荷発生物質に到達し、電荷全発生させる。電荷移送層
はこの電荷の注入を受けて、その整送を行う。ここで電
荷発生物質とメチレンジオキシフェニル−ビスアルキル
アミンフェニル−エチレン誘導体が互に、主とし1可祝
領域におい1吸収波長領域が重らないということが必要
条件である。これは電荷発生物質に電荷担体を効率よく
発生させるためには、電荷発生物質表面まで光を透過さ
せる必要があるからである。・本発明のメチレンジオキ
シフェニル−ビスアルキルアSノフェニルーエナレン誘
?ひ体は、可視領域にほとんど吸収がなく、一般に可視
領域の光を吸収し電荷を発生する電荷発生物質と組合せ
た場合、特に有効に電荷移送物質とじ1を助くのがその
特長である。
電荷発生物質に到達し、電荷全発生させる。電荷移送層
はこの電荷の注入を受けて、その整送を行う。ここで電
荷発生物質とメチレンジオキシフェニル−ビスアルキル
アミンフェニル−エチレン誘導体が互に、主とし1可祝
領域におい1吸収波長領域が重らないということが必要
条件である。これは電荷発生物質に電荷担体を効率よく
発生させるためには、電荷発生物質表面まで光を透過さ
せる必要があるからである。・本発明のメチレンジオキ
シフェニル−ビスアルキルアSノフェニルーエナレン誘
?ひ体は、可視領域にほとんど吸収がなく、一般に可視
領域の光を吸収し電荷を発生する電荷発生物質と組合せ
た場合、特に有効に電荷移送物質とじ1を助くのがその
特長である。
第1図の感光体全作製するには、心電性支持体上に電荷
発生物質を真空蒸着するか、あの るいは電荷発生物質微粒子を必2さに応じ1結着剤を俗
解した適当な溶際甲に分散させてイ;)だ分散液を塗布
、乾燥し、芒らに必要があれば、Wuえはパフ研磨など
の方法によって玖面仕上げを行って膜厚上調整した後、
その土にメテレンジオキシフェニルービスアルキルアミ
ノフ゛エニルーエテレン誘jis体、および結着剤を含
む溶液を塗布乾燥して得られる。塗布は通常の手段、例
えば、ドクターブレード、ワイヤーバー々どを用い1行
う。
発生物質を真空蒸着するか、あの るいは電荷発生物質微粒子を必2さに応じ1結着剤を俗
解した適当な溶際甲に分散させてイ;)だ分散液を塗布
、乾燥し、芒らに必要があれば、Wuえはパフ研磨など
の方法によって玖面仕上げを行って膜厚上調整した後、
その土にメテレンジオキシフェニルービスアルキルアミ
ノフ゛エニルーエテレン誘jis体、および結着剤を含
む溶液を塗布乾燥して得られる。塗布は通常の手段、例
えば、ドクターブレード、ワイヤーバー々どを用い1行
う。
電荷発生層の厚さは5 IL以下で、好ましくは2μ以
下であり、電荷移送層の厚さは3〜5011、好ましく
は5〜20μである。また電荷移送層中のメチレンジオ
キシフェニル−ビスアルキルアミノフェニル−エチレン
誘導体の割合は10〜90重最多、好ましくは30〜9
0重量升である。
下であり、電荷移送層の厚さは3〜5011、好ましく
は5〜20μである。また電荷移送層中のメチレンジオ
キシフェニル−ビスアルキルアミノフェニル−エチレン
誘導体の割合は10〜90重最多、好ましくは30〜9
0重量升である。
’5 N性支持体としてはアルミニウムなどの金ス4板
または金属箔、アルミニウムなどの金EA k蒸着した
プラスチックフィルム、あるいは、導′飄処理を施しだ
紙などが用いられる。
または金属箔、アルミニウムなどの金EA k蒸着した
プラスチックフィルム、あるいは、導′飄処理を施しだ
紙などが用いられる。
結着剤とし°℃ば、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル
樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いられるが、なか
でもポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹、指が好適
である。
樹脂、アクリル樹脂、メタアクリル樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリカーボネート樹脂などが用いられるが、なか
でもポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹、指が好適
である。
電荷発生物質とじ又は、例えは、セレン、硫化カドミウ
ムなどの無機材料、有核材料とし又は例えばCIピグメ
ントブルー25(カラーインデックス C工21180
)、CIピグメントレッド41(C工21200)、C
エアジッドレッド52(C工45100)、CIベーシ
ックレッド(C工45210.、;、)。
ムなどの無機材料、有核材料とし又は例えばCIピグメ
ントブルー25(カラーインデックス C工21180
)、CIピグメントレッド41(C工21200)、C
エアジッドレッド52(C工45100)、CIベーシ
ックレッド(C工45210.、;、)。
などのアゾ系顔料、CIピグメントプル、−16(Cエ
フ4100)などの7!ロシアニン系顔料、CIバット
ブラウン5(C173410)、CIバットダイ(Cエ
フ3030)などのインジゴ系顔料、アルゴスカーレッ
トR(バイエル社製)、インダンスレンスカーレットR
(バイエル社製)などのペリレン系顔料、さらには、ク
ロロジアンブルーすなわち、4.4’−[(3、3’−
ジクロロ−4,4′−ビフェニリレン)ビス(アゾ)〕
−〕ビス〕3−ヒドロキシー2−ナフタリニドメチル、
スクアリウムすなわち2.4−ビス−(2−メチル−4
−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエ
ンジイリウム−1,3−ジオレート、ヒドロキシスクア
リウムすなわち2.4−ビス−(2−ヒドロキシ−4−
ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジェン
ジイリウム−1,3−ジオレートなどの有機顔料が用い
られるb 以上のごとくして得られる本発明の感光体は、感度が極
め1高く、かつ可撓性に富み、帯電露光により特性が変
化ぜす、耐久性に富むなどのすぐれた特長を有するもの
である。
フ4100)などの7!ロシアニン系顔料、CIバット
ブラウン5(C173410)、CIバットダイ(Cエ
フ3030)などのインジゴ系顔料、アルゴスカーレッ
トR(バイエル社製)、インダンスレンスカーレットR
(バイエル社製)などのペリレン系顔料、さらには、ク
ロロジアンブルーすなわち、4.4’−[(3、3’−
ジクロロ−4,4′−ビフェニリレン)ビス(アゾ)〕
−〕ビス〕3−ヒドロキシー2−ナフタリニドメチル、
スクアリウムすなわち2.4−ビス−(2−メチル−4
−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエ
ンジイリウム−1,3−ジオレート、ヒドロキシスクア
リウムすなわち2.4−ビス−(2−ヒドロキシ−4−
ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジェン
ジイリウム−1,3−ジオレートなどの有機顔料が用い
られるb 以上のごとくして得られる本発明の感光体は、感度が極
め1高く、かつ可撓性に富み、帯電露光により特性が変
化ぜす、耐久性に富むなどのすぐれた特長を有するもの
である。
次に合成例、実施例及び比較例によつ1不発明を説明す
る。
る。
合成例1
1.1−ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−2−(
3,4−メチレンジオキシフェニル)エナレン、例示化
合物(υの合成:3.4−メチレンジオキシベンジルク
ロライド 6.1 ? (0,036モルつ、マグネシ
ウム 0.87r(0,041モル) ’k THF’
50rn13甲で反応させ常法通りグリニア試薬をつ
くつた。この溶液を10〜15℃に冷却し、これにミヒ
ラーケトン 5.3f(0,02モル)をTHFIO(
IIAにとかした液を滴下した。室温で5時間攪拌した
後、加熱し一’i[THFi留去した。これにベンゼン
100継’(t−加え溶解させ、飽和塩化アンモニウム
水溶液20祷を加え1室温で5分間攪拌した。ベンゼン
層を分液後、水洗全2回行い、ベンゼンを回収後、残分
にメタノール20成、氷酢酸11を加え”’C30分間
煮沸した。これtjX 100 me;に投入し、これ
をベンゼン100dを用いて抽出した。ベンゼン層を水
洗2回行い、無水硫酸マグネシウムを用い1乾燥後、ベ
ンゼンを留去し、残った粗生成物9.7tk得た。これ
會アセトニトリル7、Qmlf用い1再結晶し、淡褐色
の針状結晶である1、1−ビス(4−ジメテルアSノフ
エニ/L−) −2−(3、4−メチレンジオキシフェ
ニル)エチレン2.5 r ’に得た。ミヒラーケトン
に対する収率32,4%、融点131〜133℃。この
ものの機器分析値は次の如くである。
3,4−メチレンジオキシフェニル)エナレン、例示化
合物(υの合成:3.4−メチレンジオキシベンジルク
ロライド 6.1 ? (0,036モルつ、マグネシ
ウム 0.87r(0,041モル) ’k THF’
50rn13甲で反応させ常法通りグリニア試薬をつ
くつた。この溶液を10〜15℃に冷却し、これにミヒ
ラーケトン 5.3f(0,02モル)をTHFIO(
IIAにとかした液を滴下した。室温で5時間攪拌した
後、加熱し一’i[THFi留去した。これにベンゼン
100継’(t−加え溶解させ、飽和塩化アンモニウム
水溶液20祷を加え1室温で5分間攪拌した。ベンゼン
層を分液後、水洗全2回行い、ベンゼンを回収後、残分
にメタノール20成、氷酢酸11を加え”’C30分間
煮沸した。これtjX 100 me;に投入し、これ
をベンゼン100dを用いて抽出した。ベンゼン層を水
洗2回行い、無水硫酸マグネシウムを用い1乾燥後、ベ
ンゼンを留去し、残った粗生成物9.7tk得た。これ
會アセトニトリル7、Qmlf用い1再結晶し、淡褐色
の針状結晶である1、1−ビス(4−ジメテルアSノフ
エニ/L−) −2−(3、4−メチレンジオキシフェ
ニル)エチレン2.5 r ’に得た。ミヒラーケトン
に対する収率32,4%、融点131〜133℃。この
ものの機器分析値は次の如くである。
工R(KBr)、(crrr−’ ):1590 (
共役c=c)NMR(cDcij>、(δI)pJ”)
=2.97(6H,s)3.00(6H,s )
5.92(、2H=e )5.99(LH,s )
6.70(7H,m)7.22(4H,m) 合成例2に 1.1−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
3,,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン、例示
化合物6の合#j、:3.4−メチレンジオキシベンジ
ルクロライド 3.3F(0,018モルン、マグネシ
ウム 0.4f(0,018モル〕會THF30μ甲で
反応させグリニア試薬をつくった。これを10〜15℃
に冷却し、これに4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベ
ンゾフェノン 3.2t(0,01モル)をTHF 2
ONにとかした液を滴下した。室温で5時間攪拌した
後、加熱してTHF’7留去した。これにベンゼン50
μを加え、ついで飽和塩化アンモニウム水溶液20m1
tk加え1室温で5分間攪拌した。ベンゼン層を分液後
、水洗全2回行い、ベンゼンを回収後、残分にメタノー
ル20r/L!3、氷酢酸1mLk加え130分間煮沸
した。これをベンゼン50m12用い1抽出し、゛ベン
9フ層ヲ不洗2回行い、無水硫酸マグネシウムを用いて
乾燥後、ベンゼンを留去し、粗生成物5.1tを得た。
共役c=c)NMR(cDcij>、(δI)pJ”)
=2.97(6H,s)3.00(6H,s )
5.92(、2H=e )5.99(LH,s )
6.70(7H,m)7.22(4H,m) 合成例2に 1.1−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)−2−(
3,,4−メチレンジオキシフェニル)エチレン、例示
化合物6の合#j、:3.4−メチレンジオキシベンジ
ルクロライド 3.3F(0,018モルン、マグネシ
ウム 0.4f(0,018モル〕會THF30μ甲で
反応させグリニア試薬をつくった。これを10〜15℃
に冷却し、これに4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベ
ンゾフェノン 3.2t(0,01モル)をTHF 2
ONにとかした液を滴下した。室温で5時間攪拌した
後、加熱してTHF’7留去した。これにベンゼン50
μを加え、ついで飽和塩化アンモニウム水溶液20m1
tk加え1室温で5分間攪拌した。ベンゼン層を分液後
、水洗全2回行い、ベンゼンを回収後、残分にメタノー
ル20r/L!3、氷酢酸1mLk加え130分間煮沸
した。これをベンゼン50m12用い1抽出し、゛ベン
9フ層ヲ不洗2回行い、無水硫酸マグネシウムを用いて
乾燥後、ベンゼンを留去し、粗生成物5.1tを得た。
こnkシリカゲルによるカラムク四マド分離ヲ行い、ベ
ンゼン溶出部分から目的物の1,1−ビス(4−ジエチ
ルアミノフエ−”ル)−2−(3,4−メチレンジオキ
シフェニル)エチレン1.Of’5得た。このものは淡
黄色粘稠な油状物質である。4,4′−ビス(ジエチル
アミノ)ベンゾフェノンに対スる理論収率23,4%。
ンゼン溶出部分から目的物の1,1−ビス(4−ジエチ
ルアミノフエ−”ル)−2−(3,4−メチレンジオキ
シフェニル)エチレン1.Of’5得た。このものは淡
黄色粘稠な油状物質である。4,4′−ビス(ジエチル
アミノ)ベンゾフェノンに対スる理論収率23,4%。
このものの機器分析値は次の如くである。
工R(KBr)、(cm−” ):1600 C共役
cmc)NM、JC!DCJ?3,1、(δppm)
:’ 1.09 (6HXt、 J=7.0Hz )
1.12(,6HXtXJ=7.0Hz)3.38
(8”−q1J=7.0Hz ) 5.59 (、2H
X’ )5−96 (2焦8) 6.68 (7H<
m )7.18(4)(Xm) 実施例1〜7、比較例1 クロルダイアン・ブルー2t7.飽和ポリエステル樹脂
(東洋紡績(株)製6バイロン200”)2fにTuF
96mg’(r加え、これをボールミル甲で8時間粉砕
し、電荷担体発生顔料分散液を得た。こ扛をアルミニウ
ム蒸着したポリエステルフィルム上に、ドクターブレー
ドを用いて塗布し、45℃で乾燥して厚さ1〜2μの電
荷担体発生層をつくった。一方、合成例1及び2によっ
て得らnた化合物、すなわち例示化合物(1)及び(峰
、および、合成M l及び2に準じて合成した例示化合
物(2) 、 (3) 、 (4) 。
cmc)NM、JC!DCJ?3,1、(δppm)
:’ 1.09 (6HXt、 J=7.0Hz )
1.12(,6HXtXJ=7.0Hz)3.38
(8”−q1J=7.0Hz ) 5.59 (、2H
X’ )5−96 (2焦8) 6.68 (7H<
m )7.18(4)(Xm) 実施例1〜7、比較例1 クロルダイアン・ブルー2t7.飽和ポリエステル樹脂
(東洋紡績(株)製6バイロン200”)2fにTuF
96mg’(r加え、これをボールミル甲で8時間粉砕
し、電荷担体発生顔料分散液を得た。こ扛をアルミニウ
ム蒸着したポリエステルフィルム上に、ドクターブレー
ドを用いて塗布し、45℃で乾燥して厚さ1〜2μの電
荷担体発生層をつくった。一方、合成例1及び2によっ
て得らnた化合物、すなわち例示化合物(1)及び(峰
、および、合成M l及び2に準じて合成した例示化合
物(2) 、 (3) 、 (4) 。
(5) 、 ff)、さらに比較するために米国特許第
3.677,752号に開示されている化合物1゜l−
ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−2−フェニルエ
チレン(以下、比較化合物という)のそれぞf′Lzt
を、ポリカーボネート樹脂32とともに、混合溶媒(ト
ルエン、アセトン、酢酸プロピル各等量から成る)45
2に混合して溶解させて電荷輸送層形成数音つくった。
3.677,752号に開示されている化合物1゜l−
ビス(4−ジメチルアミノフェニル)−2−フェニルエ
チレン(以下、比較化合物という)のそれぞf′Lzt
を、ポリカーボネート樹脂32とともに、混合溶媒(ト
ルエン、アセトン、酢酸プロピル各等量から成る)45
2に混合して溶解させて電荷輸送層形成数音つくった。
これを上記電荷担体発生層上にドクターブレードケ用い
て塗布し、45℃で6時間乾燥して厚さ10〜15μの
電荷輸送層を形成せしめ、電子写真感光体をつくった。
て塗布し、45℃で6時間乾燥して厚さ10〜15μの
電荷輸送層を形成せしめ、電子写真感光体をつくった。
この感光体について、ターンテーブル厩の表面電位全半
分を用いて、帯電特性の評坤會行った。
分を用いて、帯電特性の評坤會行った。
まず、−6KVのコロナ放電を30秒間行つて帯電せし
め、初期電圧Vo (単位は、−ボルト)全測定し、こ
れ全暗所で10秒間保持し、暗所での10秒間の電位保
持率Vk(%)を求め、これにタングステンランプによ
り照度10ルツクスの光を15秒間照射し、表面電位全
半分に減衰さ扛るに必要な露光量すなわち半減衰露光量
1181/2(ルックス・秒)を求め、また、15秒間
光減衰させた時の残留電位VR(−ボルト)ヲ求めた。
め、初期電圧Vo (単位は、−ボルト)全測定し、こ
れ全暗所で10秒間保持し、暗所での10秒間の電位保
持率Vk(%)を求め、これにタングステンランプによ
り照度10ルツクスの光を15秒間照射し、表面電位全
半分に減衰さ扛るに必要な露光量すなわち半減衰露光量
1181/2(ルックス・秒)を求め、また、15秒間
光減衰させた時の残留電位VR(−ボルト)ヲ求めた。
この結果、次の第1表に示す底積を得た。
以下余白
第1表
以上の結果から、本発明の電子写真感光体は、感度が高
く、帯電特性のすぐれていることがわかる。
く、帯電特性のすぐれていることがわかる。
実施例8
実施例1において、クロルダイアン・ブルーに替えて、
電荷担体発生顔料として、β型銅フタロシアニンをエタ
ノール、ベンゼンヲ用いて順次に加熱、濾過して精製し
た材料を用い、例示化合物(1)を電荷輸送物質として
用いて、実施例1と同様な操作により電子写真感光体を
つくった。これの帯電特性を測定したところ、Vo=−
950ボルト、vk=68%、Kl/2=2.0ルツク
ス・秒、■Ilj = 、ボルトであった。
電荷担体発生顔料として、β型銅フタロシアニンをエタ
ノール、ベンゼンヲ用いて順次に加熱、濾過して精製し
た材料を用い、例示化合物(1)を電荷輸送物質として
用いて、実施例1と同様な操作により電子写真感光体を
つくった。これの帯電特性を測定したところ、Vo=−
950ボルト、vk=68%、Kl/2=2.0ルツク
ス・秒、■Ilj = 、ボルトであった。
実施列9
厚さ約400μのアルミニウム仮止に、下記の構造を有
するペリレン系顔料 を厚さ約0.5μに真空蒸着して電荷発生層を形成せし
めた。ついで、この土に、実施例1の方法と同様な操作
により例示化合物7を電荷輸送物質として用いて電子写
真感光体をつくった。これの?i¥電特性を測定したと
ころ、Vo=−950ボルト、Vk=70%、Jul/
2=6.5ルックス暢秒、VR=−5ボルトであった。
するペリレン系顔料 を厚さ約0.5μに真空蒸着して電荷発生層を形成せし
めた。ついで、この土に、実施例1の方法と同様な操作
により例示化合物7を電荷輸送物質として用いて電子写
真感光体をつくった。これの?i¥電特性を測定したと
ころ、Vo=−950ボルト、Vk=70%、Jul/
2=6.5ルックス暢秒、VR=−5ボルトであった。
実施例10〜12.比較例2
前述の笑施例1〜7において作製しfcpu示化合物化
合物、(2)、(6)及び比較化合物上用いた電子写真
感光体について、帯電、露光の繰り返しにおける帯電特
性をしらべた。すなわち、ターンテーブル型の底面11
位測定器を用い、まず、−6KVのコロナ放電* lo
−間行い、暗所で5秒間保持し、こnに20ルツクスの
タングステン光を5秒間照射して光減衰を行う。こ牡を
1サイクルとして機械にセットし−ておき、この帯電、
露光の繰シ返しを50回芙施した。この試験において、
最初のコロナ放電後の電位(Vlとする)と、第50回
目のコロナ放電後の電位<、、 Vs。とする)とから
、初期電位の落ち込み度(、Vdとする)を測定した。
合物、(2)、(6)及び比較化合物上用いた電子写真
感光体について、帯電、露光の繰り返しにおける帯電特
性をしらべた。すなわち、ターンテーブル型の底面11
位測定器を用い、まず、−6KVのコロナ放電* lo
−間行い、暗所で5秒間保持し、こnに20ルツクスの
タングステン光を5秒間照射して光減衰を行う。こ牡を
1サイクルとして機械にセットし−ておき、この帯電、
露光の繰シ返しを50回芙施した。この試験において、
最初のコロナ放電後の電位(Vlとする)と、第50回
目のコロナ放電後の電位<、、 Vs。とする)とから
、初期電位の落ち込み度(、Vdとする)を測定した。
■布
Vd(%;)−−BXloo
さらに、第1回目におけるタングステン光による半減衰
露光量(”sとする)と、第50回目の半減衰露光(K
hとする)とから感度の減少度(嗜とする)を測定した
。
露光量(”sとする)と、第50回目の半減衰露光(K
hとする)とから感度の減少度(嗜とする)を測定した
。
この結果を第2表に示す。
第2表
纂2表から明らかな様に、不発明による化合物は、優n
た繰り返し帯電特性を有していることから、耐久性す々
わち画像濃度の保持性が優fていることを示すものであ
る。
た繰り返し帯電特性を有していることから、耐久性す々
わち画像濃度の保持性が優fていることを示すものであ
る。
第1図は、不発明の電子写真感光体の1列の断面図を示
す。 1−一一一 導電性支持体 2−−−− 電荷発生物
質3−−−−電荷発生層 4−−−−.7’チレンジオキシフ工ニルービスアルキ
ルアミノフエニルーエチレン誘導体を含有する電荷輸送
層5−一一一感光層 以上 出願人 高砂香料工業株式会社 「− 弁理士小野俗界・。 1.・1 1・−1,、 〔″ニー・7′、ア、懺カ
す。 1−一一一 導電性支持体 2−−−− 電荷発生物
質3−−−−電荷発生層 4−−−−.7’チレンジオキシフ工ニルービスアルキ
ルアミノフエニルーエチレン誘導体を含有する電荷輸送
層5−一一一感光層 以上 出願人 高砂香料工業株式会社 「− 弁理士小野俗界・。 1.・1 1・−1,、 〔″ニー・7′、ア、懺カ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体止に、電荷発生層と電荷輸送層を設けた電
子写真感光体において、電荷輸送層として、次の一般式
CD、 (式中、勇及び馬は同じかまたは異ってもよい低級アル
キル基を、R3は7I(素原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、筺たはハロゲン原子を衣わす) で表わされるメチレンジオキシフェニル−ビスアルキル
アミノフェニル−エチレン誘専体を含有する層を有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3994483A JPS59165064A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3994483A JPS59165064A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59165064A true JPS59165064A (ja) | 1984-09-18 |
JPH0230501B2 JPH0230501B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=12567061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3994483A Granted JPS59165064A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59165064A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4808505A (en) * | 1986-04-08 | 1989-02-28 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with enamine charge transport material |
US4810609A (en) * | 1986-04-08 | 1989-03-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with enamine charge transport material |
US4886720A (en) * | 1987-08-31 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive medium having a styryl charge transport material |
US4891289A (en) * | 1987-04-27 | 1990-01-02 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member |
US4971874A (en) * | 1987-04-27 | 1990-11-20 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with a styryl charge transporting material |
-
1983
- 1983-03-10 JP JP3994483A patent/JPS59165064A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4808505A (en) * | 1986-04-08 | 1989-02-28 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive member with enamine charge transport material |
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US4886720A (en) * | 1987-08-31 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Photosensitive medium having a styryl charge transport material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0230501B2 (ja) | 1990-07-06 |
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