JPS59158216A - 半導体材料切断装置 - Google Patents
半導体材料切断装置Info
- Publication number
- JPS59158216A JPS59158216A JP2691484A JP2691484A JPS59158216A JP S59158216 A JPS59158216 A JP S59158216A JP 2691484 A JP2691484 A JP 2691484A JP 2691484 A JP2691484 A JP 2691484A JP S59158216 A JPS59158216 A JP S59158216A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- metal band
- semiconductor
- saw
- material cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D51/00—Sawing machines or sawing devices working with straight blades, characterised only by constructional features of particular parts; Carrying or attaching means for tools, covered by this subclass, which are connected to a carrier at both ends
- B23D51/04—Sawing machines or sawing devices working with straight blades, characterised only by constructional features of particular parts; Carrying or attaching means for tools, covered by this subclass, which are connected to a carrier at both ends of devices for feeding, positioning, clamping, or rotating work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D—PLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23D61/00—Tools for sawing machines or sawing devices; Clamping devices for these tools
- B23D61/12—Straight saw blades; Strap saw blades
- B23D61/127—Straight saw blades; Strap saw blades of special material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、それによって特に棒状θ）半導体材料を板に
分割できる金属バンドからなる鋸による半導体材料の切
断装置に関する。
分割できる金属バンドからなる鋸による半導体材料の切
断装置に関する。
半導体素子は通常多くは棒状の単結晶から切断された半
導体板から製造される。板の切断のためには、主として
内周刃鋸の原理によって作動する機械鋸を用いる。対応
する内周刃鋸は、例えば西ドイツ国特許出願公告第２２
０４４９１号公報から公知である。そのような内周刃鋸
のダイヤモンド被覆を有する板刃は約１５０μｍないし
４００μｍの厚さであり、そのことは各切断毎に切りし
るが半導体棒の１８０μｍの長さになることを意味する
。板厚に関して父と１００％の間の半導体材料の損失が
生ずる。
導体板から製造される。板の切断のためには、主として
内周刃鋸の原理によって作動する機械鋸を用いる。対応
する内周刃鋸は、例えば西ドイツ国特許出願公告第２２
０４４９１号公報から公知である。そのような内周刃鋸
のダイヤモンド被覆を有する板刃は約１５０μｍないし
４００μｍの厚さであり、そのことは各切断毎に切りし
るが半導体棒の１８０μｍの長さになることを意味する
。板厚に関して父と１００％の間の半導体材料の損失が
生ずる。
ワイヤ鋸の場合にも、切断幅が１２０ないし１５０μｍ
、であるから同じ桁の切りしるが生ずる。複数の互いに
平行に走る金属バンドからなるおさのこ益も同様に約１
２０ないし１５０μｍの切断幅をもたらす。
、であるから同じ桁の切りしるが生ずる。複数の互いに
平行に走る金属バンドからなるおさのこ益も同様に約１
２０ないし１５０μｍの切断幅をもたらす。
これらすべての公知の機械鋸においては、従って作成さ
れる板の厚さに関して艶ないし１００％の間の半導体材
料の損失がある。すなわち、例えば帯域溶融法で得られ
た半導体棒の半導体材料のうち切りしるによって４分の
１と２分の１の間が失なわれる。
れる板の厚さに関して艶ないし１００％の間の半導体材
料の損失がある。すなわち、例えば帯域溶融法で得られ
た半導体棒の半導体材料のうち切りしるによって４分の
１と２分の１の間が失なわれる。
半導体材料のこの損失を阻止するために、既に半導体材
料分割のための他の種々の可能性が論議された。例えば
西ドイツ国特許出願公開第３０２９８２８号に半導体単
結晶を板に分割する方法が記載され、それにおいては（
１１１）方向の半導体棒はマスク層によって覆われ、そ
のマスク層は条状に断続しており、その条は（１１１）
平面の棒表面の切断線に平行にとりまいている。つづい
て半導体棒を個々の板に分かれるまで結晶方向選択性エ
ツチング材料によりエツチングする。
料分割のための他の種々の可能性が論議された。例えば
西ドイツ国特許出願公開第３０２９８２８号に半導体単
結晶を板に分割する方法が記載され、それにおいては（
１１１）方向の半導体棒はマスク層によって覆われ、そ
のマスク層は条状に断続しており、その条は（１１１）
平面の棒表面の切断線に平行にとりまいている。つづい
て半導体棒を個々の板に分かれるまで結晶方向選択性エ
ツチング材料によりエツチングする。
西ドイツ国特許出願公開第３０３５１２０号公報から公
知の他の半導体棒分割方法は、その軸が（１１１）結晶
方向に走る単結晶半導体棒の外面に、（１１１）面内に
ありその間隔が所望の板厚に相当する条溝を作ることを
用意する。つづいてこの条溝中に絞られたレーザ光によ
って板へ分割するための応力場を生成する。
知の他の半導体棒分割方法は、その軸が（１１１）結晶
方向に走る単結晶半導体棒の外面に、（１１１）面内に
ありその間隔が所望の板厚に相当する条溝を作ることを
用意する。つづいてこの条溝中に絞られたレーザ光によ
って板へ分割するための応力場を生成する。
最後に、西ドイツ国特許出願公開第３０３５１３１号に
、半導体素体の少なくともその一つの端面に、半導体素
体の縦軸の方向に伝わる波が生ずるように、超音波振動
を与えるような半導体素体の分割方法がなお記載されて
いる。超音波の周波数は半導体素体中におけるその振動
の腹の間隔が所望の板厚に等しいように調整される。
、半導体素体の少なくともその一つの端面に、半導体素
体の縦軸の方向に伝わる波が生ずるように、超音波振動
を与えるような半導体素体の分割方法がなお記載されて
いる。超音波の周波数は半導体素体中におけるその振動
の腹の間隔が所望の板厚に等しいように調整される。
半導体材料の非機械的な作用を与える公知のこ〔発明の
目的〕 本発明の目的は、従って半導体材料への機械的作用に基
づき、しかもなお僅かな切り代を実現する半導体材料の
切断装置を提供することにある。
目的〕 本発明の目的は、従って半導体材料への機械的作用に基
づき、しかもなお僅かな切り代を実現する半導体材料の
切断装置を提供することにある。
上記の目的は、本発明によれば金属バンドが非晶質で柔
軟性があり、旬ないし関μｍの厚さを有することによっ
て達成される。
軟性があり、旬ないし関μｍの厚さを有することによっ
て達成される。
金属バンドが約５μｍのバンド幅において、艶ないし４
０μｍの厚さで、なかでもあμｍ＝２μｍの厚さを有す
ることが望ましい。
０μｍの厚さで、なかでもあμｍ＝２μｍの厚さを有す
ることが望ましい。
金属バンド自身は、約７８％Ｎｉ、８％Ｓｉおよび１４
％Ｂからなることが有効である。そのような金属バンド
の上にダイヤモンド粉末がロールで埋め込まれるかある
いは接着されるかあるいはＸ着的に付着させられるとよ
い。
％Ｂからなることが有効である。そのような金属バンド
の上にダイヤモンド粉末がロールで埋め込まれるかある
いは接着されるかあるいはＸ着的に付着させられるとよ
い。
本発明による装置は、１００μｍ以下にある切断幅を許
容し、それ故切りしろは従来の機械鋸におけるよりかな
り小さい。
容し、それ故切りしろは従来の機械鋸におけるよりかな
り小さい。
上述の金属バンドは、例えばおさのこ盤と帯のこ盤にお
いて用いることができる。おさのこ盤の場合は、のこ引
きの際に切断領域に５ないし１０μｍの粒径をもつ研摩
粉を供給することが有効である。
いて用いることができる。おさのこ盤の場合は、のこ引
きの際に切断領域に５ないし１０μｍの粒径をもつ研摩
粉を供給することが有効である。
以下、本発明を図を引用してくわしく説明する。
第１図においては、半導体棒１は保持装ｆ２に装着され
、その保持装置は図示されない駆動部によって軸３の周
りに回転可能であり、半導体棒と一緒に上方に移動可能
である。半導体棒１の上におさのこ盤４が働き、そのお
さのこ盤は、半導体棒１から所望の厚さの板をのこ引き
するために、小さな間隔で並んで配置された個々の金属
バンド５を有する。その個々の金属バンド５は約加ない
し４０ ／７ｍの厚さで、７８％Ｎｉ、８％Ｓｉおよび
１４％Ｂからなる柔軟な非晶質金属からなる。のこ引き
の間、図示されないノズルから切断領域に５ないし１０
μｍ１Ｌの研厚粉径をもつ研摩剤を供給する。
、その保持装置は図示されない駆動部によって軸３の周
りに回転可能であり、半導体棒と一緒に上方に移動可能
である。半導体棒１の上におさのこ盤４が働き、そのお
さのこ盤は、半導体棒１から所望の厚さの板をのこ引き
するために、小さな間隔で並んで配置された個々の金属
バンド５を有する。その個々の金属バンド５は約加ない
し４０ ／７ｍの厚さで、７８％Ｎｉ、８％Ｓｉおよび
１４％Ｂからなる柔軟な非晶質金属からなる。のこ引き
の間、図示されないノズルから切断領域に５ないし１０
μｍ１Ｌの研厚粉径をもつ研摩剤を供給する。
この研摩剤の代りに、金属バンド５が、ロールで埋め込
まれるか、接着されるかあるいはｔ着的ｌこ付層さぜら
れたダイヤモンド粉を備えてもよい。
まれるか、接着されるかあるいはｔ着的ｌこ付層さぜら
れたダイヤモンド粉を備えてもよい。
本発明は鋸に用いられる金属バンドの材料に、例えば７
８％Ｎｉ、８％Ｓｉおよび１４％Ｂの組成を有する柔軟
な非晶質金属を用いるもので、非晶質金属の高い強度に
基づきバンドの厚さを従来ののこ刀の１０分の１程度に
極めて薄くすることができるため、切りしるが小さくな
り、高価な半導体材料の切断の際の損失を低減すること
が可能になった。
８％Ｎｉ、８％Ｓｉおよび１４％Ｂの組成を有する柔軟
な非晶質金属を用いるもので、非晶質金属の高い強度に
基づきバンドの厚さを従来ののこ刀の１０分の１程度に
極めて薄くすることができるため、切りしるが小さくな
り、高価な半導体材料の切断の際の損失を低減すること
が可能になった。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図はその平
面図である。 １・・・半導体棒、４・・・おさのこ盤、５・・・非晶
質金属バンド。
面図である。 １・・・半導体棒、４・・・おさのこ盤、５・・・非晶
質金属バンド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）金属バンド力・らなる鋸を用い、特に棒状の半導体
材料を分割できるものにおいて、金属バンドが非晶質で
柔軟であり、２すないし５０μｍの厚さを有することを
特徴とする半導体材料切断装置。 ２）特許ｔｆ７求の範囲第１項記載の装置において、金
属バンドが（資）ないし４０μｍの厚さを有することを
特徴とする半導体材料切断装置。 ３）特許請求の範囲ｍ１項または第２項記載の装置にお
いて、金属バンドかあμｍ、 ＋ ２μｍの厚さを有す
ることを特徴とする半導体材料切断装置。 ４ ）ｑ！ｉ 、ｒ’ｒ請求の範囲比１項ないし第３項
のいずれかに記載の装置において、金属バンドが５μｎ
、０）バンド幅を刊することを特徴とする半導体材料切
断装置：。 ５）特ｄＦ請求のｉｌｌαｌｌα項第１項第４項のいず
れかに記載の装置において、非晶質金属バンドが約７８
％ノニソケル、約８％のけい素および約１４％のほう素
よりなることを特徴とする半導体材料切断装置。 ６）特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
載の装置において、金属バンドの上にダイヤモンド粉末
がロールで埋め込まれろか、接着されるかあるいは電着
的に伺眉させられたことを特徴とする半導体材料切断装
置。 ７）特許請求の範囲第１項ないし＠６項のいずれかに記
載の装置において、金属バンドの切断領域に約５ないし
１０μｍの粒径の研摩粉を備えたことを特徴とする半導
体材料切断装置。 ８）特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記
載の装置において、おさのこ盤または帯のこ盤であるこ
とを特徴とする半導体材料切断装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833305695 DE3305695A1 (de) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Vorrichtung zum zerteilen von halbleitermaterial |
| DE33056951 | 1983-02-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59158216A true JPS59158216A (ja) | 1984-09-07 |
Family
ID=6191231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2691484A Pending JPS59158216A (ja) | 1983-02-18 | 1984-02-15 | 半導体材料切断装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59158216A (ja) |
| DE (1) | DE3305695A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268266A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-28 | Mitsubishi Metal Corp | 極薄切断刃 |
| JPS6279912A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-13 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体単結晶切断用帯状極薄刃 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5564409A (en) * | 1995-06-06 | 1996-10-15 | Corning Incorporated | Apparatus and method for wire cutting glass-ceramic wafers |
| JPH1052816A (ja) * | 1996-08-13 | 1998-02-24 | M Ii M C Kk | ワイヤ式切断方法 |
| DE10128630A1 (de) | 2001-06-13 | 2003-01-02 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine |
| RU2646301C2 (ru) * | 2016-07-04 | 2018-03-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Способ изготовления круглых кристаллов с фаской, устройство и лезвийный инструмент для осуществления способа |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572481A (en) * | 1980-04-30 | 1982-01-07 | Idouro Rune Rudouku | Hydraulic pump |
-
1983
- 1983-02-18 DE DE19833305695 patent/DE3305695A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-02-15 JP JP2691484A patent/JPS59158216A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS572481A (en) * | 1980-04-30 | 1982-01-07 | Idouro Rune Rudouku | Hydraulic pump |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268266A (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-28 | Mitsubishi Metal Corp | 極薄切断刃 |
| JPS6279912A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-13 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体単結晶切断用帯状極薄刃 |
| JPH0473365B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1992-11-20 | Mitsubishi Materials Corp |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3305695A1 (de) | 1984-08-23 |
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