JPH1190923A - マルチワイヤソーによる切断方法 - Google Patents
マルチワイヤソーによる切断方法Info
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- JPH1190923A JPH1190923A JP25456897A JP25456897A JPH1190923A JP H1190923 A JPH1190923 A JP H1190923A JP 25456897 A JP25456897 A JP 25456897A JP 25456897 A JP25456897 A JP 25456897A JP H1190923 A JPH1190923 A JP H1190923A
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- crystal
- cut
- plane
- semiconductor crystal
- cutting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】面方位＜１１１＞方向を結晶成長方向として製
造した半導体結晶を、面方位（１１１）面より角度を持
たせた面で、多数枚のウエハにワイヤで切断する際に、
ワイヤの横振れを最小限に抑え、切断精度が良いマルチ
ワイヤソーによる切断方法を提供する。 【解決手段】予め製造した半導体結晶を面方位（１１
１）面より角度を持たせた面と平行な面またはそれに近
い面で複数個の結晶ブロックに分割切断し、該複数個の
分割切断結晶ブロックを前記多数のワイヤの走行方向に
短くなるようにずらして載置あるいは貼り合わせること
にある。
造した半導体結晶を、面方位（１１１）面より角度を持
たせた面で、多数枚のウエハにワイヤで切断する際に、
ワイヤの横振れを最小限に抑え、切断精度が良いマルチ
ワイヤソーによる切断方法を提供する。 【解決手段】予め製造した半導体結晶を面方位（１１
１）面より角度を持たせた面と平行な面またはそれに近
い面で複数個の結晶ブロックに分割切断し、該複数個の
分割切断結晶ブロックを前記多数のワイヤの走行方向に
短くなるようにずらして載置あるいは貼り合わせること
にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチワイヤソー
による切断方法に関するものである。更に詳述すれば本
発明は、面方位＜１１１＞方向に成長させた半導体結晶
を、面方位（１１１）面より角度を持った面でウエハ状
にマルチワイヤソーにより切断加工する、マルチワーヤ
ソーによる切断方法に関するものである。
による切断方法に関するものである。更に詳述すれば本
発明は、面方位＜１１１＞方向に成長させた半導体結晶
を、面方位（１１１）面より角度を持った面でウエハ状
にマルチワイヤソーにより切断加工する、マルチワーヤ
ソーによる切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術産業の発展に伴い、半導体結
晶を切断加工したウエハの需要が急増している。ここ
で、半導体結晶からウエハを切断加工する技術は重要で
あることは言うまでもない。
晶を切断加工したウエハの需要が急増している。ここ
で、半導体結晶からウエハを切断加工する技術は重要で
あることは言うまでもない。
【０００３】図４は、従来のマルチワイヤソーによる切
断方法を示す斜視図である。３台の溝付きローラー１０
に、多数のワイヤ１２が架けられており、ワイヤ１２と
３台の溝付きローラー１０により形作られる３角形の下
部１辺に、半導体結晶１４が載置される。
断方法を示す斜視図である。３台の溝付きローラー１０
に、多数のワイヤ１２が架けられており、ワイヤ１２と
３台の溝付きローラー１０により形作られる３角形の下
部１辺に、半導体結晶１４が載置される。
【０００４】多数のワイヤ１２は３台の溝付きローラー
１０に沿って回転する。そして、ワイヤ１２は半導体結
晶１４に押し付けられつつ、しゅう動しながら遊離砥粒
を含む加工液がワイヤ押付け部に供給される。こうし
て、半導体結晶１４はウエハ状に切断される。
１０に沿って回転する。そして、ワイヤ１２は半導体結
晶１４に押し付けられつつ、しゅう動しながら遊離砥粒
を含む加工液がワイヤ押付け部に供給される。こうし
て、半導体結晶１４はウエハ状に切断される。
【０００５】図５は、図４を上部から見た図である。面
方位＜１１１＞方向を結晶成長方向として製造された半
導体結晶１４が、図のように面方位（１１１）面１６よ
り角度を持った面でウエハ状に切断される。このように
切断しようとする面とワイヤ１２は平行であるが、面方
位＜１１１＞方向とワイヤ１２は所定の角度を成す。
方位＜１１１＞方向を結晶成長方向として製造された半
導体結晶１４が、図のように面方位（１１１）面１６よ
り角度を持った面でウエハ状に切断される。このように
切断しようとする面とワイヤ１２は平行であるが、面方
位＜１１１＞方向とワイヤ１２は所定の角度を成す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のマルチワイヤソ
ーによる切断方法には次の問題点があった。
ーによる切断方法には次の問題点があった。
【０００７】溝付きローラー１０の軸方向と、結晶成長
方向である＜１１１＞方向とが平行ではないため、半導
体結晶１４を切断するのに２台の溝付きローラー１０の
間隔を広く取らなければならない。そのために、ワイヤ
１２の横振れ、すなわち溝付きローラー１０の軸方向の
振れが大きくなり、切断精度が悪いという問題があっ
た。
方向である＜１１１＞方向とが平行ではないため、半導
体結晶１４を切断するのに２台の溝付きローラー１０の
間隔を広く取らなければならない。そのために、ワイヤ
１２の横振れ、すなわち溝付きローラー１０の軸方向の
振れが大きくなり、切断精度が悪いという問題があっ
た。
【０００８】従って本発明の目的は、前記した従来技術
の欠点を解消し、切断精度の良いマルチワイヤソーによ
る切断方法を提供することにある。
の欠点を解消し、切断精度の良いマルチワイヤソーによ
る切断方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を実
現するため、面方位＜１１１＞方向を結晶成長方向とし
て製造された半導体結晶を、面方位（１１１）面より角
度を持たせた面で、多数のワイヤにより多数枚のウエハ
状に切断する際に、被切断結晶は前記半導体結晶を前記
面方位（１１１）面より角度を持たせた面と平行な面ま
たはそれに近い面で複数個の結晶ブロックに分割切断
し、前記多数のワイヤの走行方向に短くなるようにずら
して載置した。
現するため、面方位＜１１１＞方向を結晶成長方向とし
て製造された半導体結晶を、面方位（１１１）面より角
度を持たせた面で、多数のワイヤにより多数枚のウエハ
状に切断する際に、被切断結晶は前記半導体結晶を前記
面方位（１１１）面より角度を持たせた面と平行な面ま
たはそれに近い面で複数個の結晶ブロックに分割切断
し、前記多数のワイヤの走行方向に短くなるようにずら
して載置した。
【００１０】また、前記の被切断結晶は、前記半導体結
晶を前記面方位（１１１）面より角度を持たせた面と平
行な面またはそれに近い面で複数個の結晶ブロックに分
割切断し、前記多数のワイヤの走行方向に短くなるよう
にずらして貼り合わせたものであっても良い。
晶を前記面方位（１１１）面より角度を持たせた面と平
行な面またはそれに近い面で複数個の結晶ブロックに分
割切断し、前記多数のワイヤの走行方向に短くなるよう
にずらして貼り合わせたものであっても良い。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のマルチワイヤソ
ーによる切断方法の一実施例を示す斜視図である。３台
の溝付きローラー１に、多数のワイヤ２が架けられてお
り、ワイヤ２と３台の溝付きローラー１により形作られ
る３角形の下部１辺に、加工された半導体結晶７が載置
される。多数のワイヤ２が加工された半導体結晶７をウ
エハ状に切断する方法は、従来と同じくワイヤ２が加工
された半導体結晶７に押し付けられ、その部分に遊離砥
粒を含む加工液を流しながらしゅう動させることにより
行なう。
ーによる切断方法の一実施例を示す斜視図である。３台
の溝付きローラー１に、多数のワイヤ２が架けられてお
り、ワイヤ２と３台の溝付きローラー１により形作られ
る３角形の下部１辺に、加工された半導体結晶７が載置
される。多数のワイヤ２が加工された半導体結晶７をウ
エハ状に切断する方法は、従来と同じくワイヤ２が加工
された半導体結晶７に押し付けられ、その部分に遊離砥
粒を含む加工液を流しながらしゅう動させることにより
行なう。
【００１２】図２は、図１を上部から見た図である。切
断加工されるべき半導体結晶が、加工された半導体結晶
７のように加工、載置されているため、２台の溝付きロ
ーラー１の間隔を狭くすることが可能と成っている。
断加工されるべき半導体結晶が、加工された半導体結晶
７のように加工、載置されているため、２台の溝付きロ
ーラー１の間隔を狭くすることが可能と成っている。
【００１３】図３は、加工された半導体結晶７の作製方
法を示す工程図である。（ａ）は面方位＜１１１＞方向
を結晶成長方向として製造された半導体結晶を示す。
（ｂ）は製造された半導体結晶４を、切断しようとする
面と平行またはその面に近い面で複数個の結晶ブロック
３に分割切断した様子を示す。（ｃ）は分割切断した結
晶ブロック３を分割面５に平行にずらしながら貼り合わ
せた様子を示す。貼り合わせが完了して、加工した半導
体結晶４が出来上がる。なお、必ずしも分割切断した結
晶を貼り合わせる必要は無く、可能なら切断の際にずら
して載置しただけでも良い。ここでは、ずらして載置し
たものも加工された半導体結晶７と称している。
法を示す工程図である。（ａ）は面方位＜１１１＞方向
を結晶成長方向として製造された半導体結晶を示す。
（ｂ）は製造された半導体結晶４を、切断しようとする
面と平行またはその面に近い面で複数個の結晶ブロック
３に分割切断した様子を示す。（ｃ）は分割切断した結
晶ブロック３を分割面５に平行にずらしながら貼り合わ
せた様子を示す。貼り合わせが完了して、加工した半導
体結晶４が出来上がる。なお、必ずしも分割切断した結
晶を貼り合わせる必要は無く、可能なら切断の際にずら
して載置しただけでも良い。ここでは、ずらして載置し
たものも加工された半導体結晶７と称している。
【００１４】以上のように、ワイヤを用いて結晶を切断
することは従来と同じであるが、切断される結晶に加工
・細工を施し、２台の溝付きローラー１の間隔を狭くし
たところ、ワイヤ２の横振れ、すなわちワイヤ２の溝付
きローラー１の軸方向の振れが小さくなり、切断精度は
大幅に向上した。
することは従来と同じであるが、切断される結晶に加工
・細工を施し、２台の溝付きローラー１の間隔を狭くし
たところ、ワイヤ２の横振れ、すなわちワイヤ２の溝付
きローラー１の軸方向の振れが小さくなり、切断精度は
大幅に向上した。
【００１５】
【発明の効果】本発明のマルチワイヤソーによる切断方
法によれば、溝付きローラー間隔を狭くすることでワイ
ヤの横振れを最小限に抑え、切断精度を大幅に向上する
ことが可能と成り工業上有用である。
法によれば、溝付きローラー間隔を狭くすることでワイ
ヤの横振れを最小限に抑え、切断精度を大幅に向上する
ことが可能と成り工業上有用である。
【図１】本発明のマルチワイヤソーによる切断方法の一
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】図１の加工された半導体結晶の製作方法を示す
工程図である。
工程図である。
【図４】従来のマルチワイヤソーによる切断方法を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図５】図４の上面図である。
１、１０ 溝付きローラー ２、１２ ワイヤ ３ 結晶ブロック ４、１４ 半導体結晶 ５ 分割面 ６ 面方位（１１１）面 ７ 加工された半導体結晶
Claims (2)
- 【請求項１】面方位＜１１１＞方向を結晶成長方向とし
て製造された半導体結晶を、面方位（１１１）面より角
度を持たせた面で、多数のワイヤにより多数枚のウエハ
状に切断する際に、被切断結晶は前記半導体結晶を前記
面方位（１１１）面より角度を持たせた面と平行な面ま
たはそれに近い面で複数個の結晶ブロックに分割切断
し、前記多数のワイヤの走行方向に短くなるようにずら
して載置したものであること特徴とするマルチワイヤソ
ーによる切断方法。 - 【請求項２】被切断結晶は、前記半導体結晶を前記面方
位（１１１）面より角度を持たせた面と平行な面または
それに近い面で複数個の結晶ブロックに分割切断し、前
記多数のワイヤの走行方向に短くなるようにずらして貼
り合わせたものであることを特徴とする請求項１記載の
マルチワーヤソーによる切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25456897A JPH1190923A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マルチワイヤソーによる切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25456897A JPH1190923A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マルチワイヤソーによる切断方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1190923A true JPH1190923A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17266862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25456897A Pending JPH1190923A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | マルチワイヤソーによる切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1190923A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118025A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Tdk Corp | ワイヤソーによる切断方法 |
| WO2002045143A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Origin Energy Retail Limited | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| WO2010118687A1 (zh) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Zhu Huilong | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
| CN101976657A (zh) * | 2009-04-15 | 2011-02-16 | 朱慧珑 | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
| CN102133775A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-07-27 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅块安装的方法 |
| CN102729342A (zh) * | 2012-06-06 | 2012-10-17 | 海润光伏科技股份有限公司 | 用于制造高效多晶硅硅片的制备方法 |
| CN103378211A (zh) * | 2012-04-19 | 2013-10-30 | 聚日（苏州）科技有限公司 | 太阳能电池单元及其制造方法 |
| CN103950119A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-30 | 唐山晶玉科技有限公司 | 一种多线切割机断线续切方法 |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP25456897A patent/JPH1190923A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118025A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Tdk Corp | ワイヤソーによる切断方法 |
| JP4604330B2 (ja) * | 2000-10-05 | 2011-01-05 | Ｔｄｋ株式会社 | ワイヤソーによる切断方法 |
| CN100394553C (zh) * | 2000-11-29 | 2008-06-11 | 源太阳能股份有限公司 | 用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法 |
| AU2002220348B2 (en) * | 2000-11-29 | 2007-07-19 | The Australian National University | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| KR100883997B1 (ko) | 2000-11-29 | 2009-02-17 | 오리진 에너지 솔라 피티와이 리미티드 | 사용가능한 평면을 증가시키는 반도체 웨이퍼 제조방법 |
| WO2002045143A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-06 | Origin Energy Retail Limited | Semiconductor wafer processing to increase the usable planar surface area |
| US9583668B2 (en) | 2000-11-29 | 2017-02-28 | The Australian National University | Semiconductor device |
| WO2010118687A1 (zh) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Zhu Huilong | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
| CN101976657A (zh) * | 2009-04-15 | 2011-02-16 | 朱慧珑 | 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 |
| CN102122679A (zh) * | 2009-04-15 | 2011-07-13 | 朱慧珑 | 薄膜太阳能电池结构、薄膜太阳能电池阵列及其制造方法 |
| CN102133775A (zh) * | 2011-01-14 | 2011-07-27 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种晶体硅块安装的方法 |
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| CN103950119A (zh) * | 2014-04-16 | 2014-07-30 | 唐山晶玉科技有限公司 | 一种多线切割机断线续切方法 |
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