JPS59151416A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59151416A JPS59151416A JP58023805A JP2380583A JPS59151416A JP S59151416 A JPS59151416 A JP S59151416A JP 58023805 A JP58023805 A JP 58023805A JP 2380583 A JP2380583 A JP 2380583A JP S59151416 A JPS59151416 A JP S59151416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- semiconductor
- single crystal
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10P14/22—
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3238—
-
- H10P14/3411—
-
- H10P14/3412—
-
- H10P14/3802—
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023805A JPS59151416A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58023805A JPS59151416A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151416A true JPS59151416A (ja) | 1984-08-29 |
| JPH0136690B2 JPH0136690B2 (enExample) | 1989-08-02 |
Family
ID=12120537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58023805A Granted JPS59151416A (ja) | 1983-02-17 | 1983-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151416A (enExample) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574115A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of junction of semiconductors |
-
1983
- 1983-02-17 JP JP58023805A patent/JPS59151416A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574115A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of junction of semiconductors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0136690B2 (enExample) | 1989-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6399429B1 (en) | Method of forming monocrystalline silicon layer, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
| JPS5856409A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893221A (ja) | 半導体薄膜構造とその製造方法 | |
| JPS62177909A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5433168A (en) | Method of producing semiconductor substrate | |
| JPS6142855B2 (enExample) | ||
| JPS59151416A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60152018A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
| JPH04206932A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS6164119A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61174621A (ja) | 半導体薄膜結晶の製造方法 | |
| JPS63305529A (ja) | 基板およびその製造方法 | |
| JPS63283013A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の形成方法 | |
| JPS62202559A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63192223A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62124736A (ja) | シリコン薄膜およびその作成方法 | |
| JP2981777B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP3981782B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2730905B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0613311A (ja) | 半導体結晶膜の形成方法及び半導体装置 | |
| JPS61116821A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPS60150672A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0334533A (ja) | 半導体結晶層の製造方法 | |
| JPH04311038A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS5893218A (ja) | 半導体薄膜構造の製造方法 |