JPS59150441A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPS59150441A
JPS59150441A JP1638883A JP1638883A JPS59150441A JP S59150441 A JPS59150441 A JP S59150441A JP 1638883 A JP1638883 A JP 1638883A JP 1638883 A JP1638883 A JP 1638883A JP S59150441 A JPS59150441 A JP S59150441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
output
circuit
integrated circuit
lsi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1638883A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Kawasaki
川崎 壮一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1638883A priority Critical patent/JPS59150441A/ja
Publication of JPS59150441A publication Critical patent/JPS59150441A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体集積回路に係り、竹に機能テストを容易
化するためのテスト用回路を内蔵した集積回路に関する
〔発明の技術的背景〕
LSI (大規模集積回路)の機能テストを行なう場合
、従来はテスターから入カバターンデータに基つくテス
ト電圧を供試LSIに力え、このLSIからの出力tB
:をロノックデータに変換して出力・ぞターンデータと
比較する方法とか、テスターから入カバターンデータに
基つくテスト電圧を供試LSIおよび予め良品と判定烙
れた良品LSIに与え、両者のLSIの出力を比較する
方法が採用されている。
〔背景技術の問題点〕
しかし、前者のように入力・やターンデータと出カバタ
ーンデータとを作成・して供試LSI(rテストする方
法は、最近のLSIのように端子数の増大に伴なって出
カバターンデータの量が多くなると、それを作成するの
も大変であシ、テスターで上記ノRクーンデータを格納
しておくだめのメモリの容!’に多く心事とする。
甘だ、後者のように良品を用いる方法は、良品およびそ
の出力を比較するだめの比較回路群が必貴となり、一度
に複数のLSIをテストしようとすると比較回路群を多
数設ける必要が生じる。壕だ、良品LSIと供試LSI
の出力信号が共に比較回路に集中1゛るので、テストボ
ード上への比較回路の実装が困難である。
〔発明の目的〕
本発明−二上記の事情に鑑みてなaれたもので、機能テ
ストを高い信頼性で実施可能であシ、複数個同時にテス
トすることも簡単であ勺、テスターの構成をW(J単化
し得る半導体集積回路を提供するものである。
〔発明の概要〕 即ち、本発明の半導体集積回路は、半導体集積回路内部
で発生する複数の内部出力信号をそれぞれ対応して外部
へ出力するだめの複数の出力端子と、1個のテスト制御
端子と、1個のテスト出力端子と、半導体集積回路内部
で前記複数の内部出力信号にそil、それ対応して設け
られ、前記テスト制御端子に外部から力えられるテスト
制御信号の論理レベルに応じてテストモードあるいは通
常動作モードに切シ換えられ、通常動作モードにおいて
は前記内部出力信号そ第1ぞれを各対応する出力端子へ
導く経路を形成し、テストモードにおいては各対応する
出力端子に外部から力えられるテスト人力(Q号と各対
応する内部出力信号との比較を杓なってそれぞれの比較
出力信号を発生する複数のテスト用鍮」路と、これらの
テスト用回路のそれぞれの比較出力信号の論理和をとっ
て前記テスト出力端子へ導き出す回路とを具備すること
′fi:唱徴とするものである。
したがって、供試半導体集積回路のテスト用回路をテス
トモードにし、良品半導体組積回路のテスト用回路を通
常動作モードにし、それぞれの斗嗜体年積回路に同じ入
カバターンデータに基づくテスト入力電圧を与え、良品
半導体組積回路の出力・ぐターンデータ(内部出力信号
)を伊3試半導体集私回路にJジえることによって、供
試半導体集積回路のテスト用回路で自己の出力パターン
デーク(内部出力信号)を良品生導体集和回路の出カバ
ターンガータと比較し7、その比較結果にテスト出力端
子に出力づるようになるの一〇、テスター力・ら出力パ
ターンプ゛−夕を発性う゛る心裏カー・なく、デスク−
に出力/4”クーンデータ比較回路を一般ける必扱かな
く乃、す、テスターの構成かffti 汗に凶、え、。
萱だ、テスト用回路のチェックを114っておくことに
よって機能テストの信頼t1.會高めることかでき、1
個の良品半梼体集積[1]1路の出力、41ターンデー
クff:複数個のJ(試半導体多÷私[1−IJ路へ共
通に供給することによって複数個の伊試牛導体年私回路
の同時テストを簡単に1)なうことができる。
〔発明の火施例〕
以斗、1Xlnuを径照して本発明の一実施例を詳細に
説明する。
第1図1iLsIの一蔀を示してふシ、P1〜pnは出
力端子であり、TC1〜TCnは上記出力端子PI〜P
nにそれぞれ対応してLSI内部VC−詐りらilだテ
スト用回路、TIは一ヒ記テスト用回路TC1”= T
Cnをそれぞわ通常動作モードあるいt」テストモード
に切り換えるためのテスト制御(Fi号が外部から力え
らオ)、るテスト制御l/iI、i9、NRoJ、前記
テスト用回路TC,〜TCnからの比較出力(M号al
−anのノア処理をイ)なうノアゲート、■は上記ノア
ケ゛−トNRの出力を反転さゼるインノ4−夕、TOは
上記インパータエの出力1外部に取り出すだめのテスト
出力fi、i子である。
前記テスト用回路TC1〜TCnはそれぞれ同じ構成で
4、C1LSI内部の内部出力信号0UTl(1−1,
・・n)か入力するilのバッファBlと、この第1の
ノ々ツファB、の出力側と各対応する前記出力端子Pi
O間に設けられ、前記テスト制御端子TIの信号レベル
によって開閉制御される(テスト制御信号かたとえは)
・イレベル”H”になるテストモードのときにオフ、 
□逆にローレベル” L ”になる通常動作モードのと
きにオンになる)スイッチ回路Sと、上記テストモード
のときに各対応する出力端子P、に外部から寿えられる
テスト入力信号が入力される第を前記ノアグー) NR
に与える排他的オアグー トERとからなる。
而して、上記LSIにおいでdl、通常のシステム動作
時にはテスト制御端子TIのテスト制御信号がローレベ
ルであシ、テスト用回路Te l”□ TCnのスイッ
チ回路Sがオフ状態であ勺、内部出力(Th号OUT 
、が各対応する第1のバッファB1およびスイッチ回路
Sを経て出力端子Pl−PnG’C現われる。そして、
テスト峙にはテスト制御端子TIのテスト制御信号がハ
イレベルであシ、テスト用回路TC1〜TCnのスイッ
チ回路Sがオフ状態であシ、出力端子Pi−Pnにはテ
スト入力信号が与えらfする。このため、出力端子Pl
のテスト入力信号は第2のバッファB2を経たのち排他
的メ°アゲ−) ERで内部出力信号OUT 、との排
他的オア処理によシ比較され、この比較によシ一致の場
合にo−レベル、不一致の場合にノ・イレ勺1/の比較
出力信号a、が発生する。したがって、テスト用回路T
C,〜TCnの比較出力信号a1〜anが全10−レベ
ル(=致)ならば、ノアゲート’ NRの出力がハイレ
ベルになシ、インノ4−タエの出力(テスト出力端子T
oのテスト出力信号)はローレベルになる。これに対し
て、上記比(ψ出力信号81〜&nのどれか1つでも/
%イレベル(不一致)であれは、ノアゲートNRの出力
がローレベルになり、テスト出力端子TOのテスト出力
(Th号は)・イレペルになる。
次に、上記栴M、を有するLSIの椋1ト、テス)1行
なう場合の手順につい1、第2図の回路接続を参照して
説明する。10は供試(被測定)LSI、1ノは予め良
品と一!l’lJ定された良品LSIであυ、それぞれ
前述したような出力端子P!〜P++、テスト制御端子
TI、テスト出力端子Toの#司かに入力端子1.−I
mを有する。そして、上記LSIl0゜11の各対応す
る出力端子l)i同志を接続すると共に各対応する入力
端子I、 (1=1 、・・・m)同志を接続する。先
ず、供試LSI 10のテスト用回路(第1図TC1〜
TCn )をチェックする。そのためにはデスク−(図
示せj)から良品LSI 11のテスト制御端子TIに
与えるテスト制御信号1をハイレベル(テストモード)
に設定すると共に、供試LSI 10のテスト制御端子
TIに与えるテスト制御信号2もハイレベル(テストモ
ード)に設定する。次に、供試LSI 7 oの内部出
力信号(第1図のOUT s ” OUT n )が全
てハイレベル(甘たはローレベル)にlるようなテスト
情号3をテスターから入力端イll−1nK力える。さ
らに、テスターから出力端子P l−P nの全1にハ
イレベル(またaローレベル)′fc与え、供試LSI
 70におけるテスト用回路(第1図TCI〜TCn 
)の比較結果が全で′°一致”と々ってそのテスト出力
端子Toの出力レベルがローレベルになることをテスタ
ーでチェックする。次に、テスターによシ上記出力端子
P 1 ”−P nのうちの1個ヲハイレヘル(t、?
v”N、ローレベル)カラローレベル(捷たは)・イレ
ペル)に反転させ、供試LSI J oにおけるテスト
用1四路のうちの1個の比較結果が゛不一致″となつ1
、そのテスト出力端子TOの出力レベルが前記ローレベ
ルから・・イレペルに反転することをテスターでチェッ
クする。しかも、このチェックを前記出力端4Pt〜P
nの全てについて順次行なう。これによって、供試LS
I 1o Kおりるテスト用回路(第1図TC,〜TC
n)のチェックが完了する。次に、テスターから良品L
SI I Jのテスト制御端子TIに与えるテスト制御
信号1をローし・ベルに1−7て良品LSI 11 f
通常動作モード(出力モード)に設定し、テスターから
出力端子P1〜Pnに対1゛るテスト入力仏号奢与えな
いようにし、入力端子1.〜)□にテスト・やターンデ
ークに基づくテスト入力電圧を加えて機能テストを行な
う。即ち、この場合には共晶LSI 11におりる内部
出力信号(第1図OUT、〜0UTn)が供試LSI 
7 oへテスト入力信号として入力し、供試LSI 1
0のテスト用回路(第1図のTCI〜TCn)において
、その内部出力信号と上記良品LSI I Jからの内
部出力(Pn号との比較が行なわれるので、供試LSI
 10の機能テスト結果の良否に応じてそのテスト出力
端子Toの出力レベルが定まる。
即ち、上述したようなLSIによれば、テスト用回路’
rci〜TCni内蔵しておシ、良品LSI I 1か
ら出力する出カバターン化号を供試LSI J Oに入
力して比較を行なうことによシ機能テストを実施用能で
あるので、テスターの心太メモリ容量が少なくて済み、
従来会食とされたテスターのボード上への比較回路群の
実装が不要となシ、テストシステムの構成が加増になる
。徳だ、」二記テスト用回路TC、−’ TCn自体の
チェックも可能であり、そのチェックによってテストの
信頼性を高めることが1」能である。さらに、上記LS
Iは、たとえは第3図に示すように1個の良品LSI 
11に対し、て複数個(本例では2個)の供試LSI 
I Oを接続し、これらの供試LSI I 0の各1個
のテスト出力端子Toの出力レベルをテスターでチェッ
クす8ることによって、複数個のLSIの機能テストを
同時にかつ容易に行なうことができる。
即ち、第3図に示すテストシステムにおいては、良品L
SI 11の入力端子11〜Imと複数の供試LSI 
10 、それぞれの入力端子Ix7Imとの各対応する
端子同志を接続し、良品LSI 11の出力端子P、−
Pnと複数の供試LSI i oそれぞれの出力端子P
1〜Pnとの各対応する端子同志を接続している。この
ようなテストシステムにおいて社、第2図を参照して前
述したと同様に、先ずテスターによシ各LSI 10 
、 J Jをテストモードに設足し、次に供試LSI 
10それぞれにおりるテスト用回路のチェックを行ない
、次に良品LSI I Jを通常動作モードに設定して
各LS110.11にテストパターン人力亀fT−を加
えて供試LSI 10の機能テストを行なう。
なお、第2図および第3図を参照して前述したテスト用
回路のチェックのためにテスターからテスト入力信号を
力えることに代えて、このテスト用回路チェックのため
のパターン信号を発牢する回路をLSIに予め内蔵させ
ておき、上記デスト用回路チェック時に良品LSIで上
記パター743号を発生ネせて供試LSIに力、えるよ
うにすれは、テスターの構成が一層簡単になる。
〔発明の効果〕
上述したように本発明の半導体集積回路によれは、機能
テストを高い信頼性で実施でき、複数個同時にテストず
2)ことも簡1iでを)す、テスターの構成を簡岸化で
きるなどの利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す
回路図、第2図は鋲1図の集積回路を1個テストする場
合のテストシステムを示す回路図、第3図は第1図の集
積回路を複数個テストする坏)合のテストシステムを示
す回路図である。 Pl−Pn・・・出力端子、°rl・・・テスト制御端
子、TO・・・テスト出力端子、Te l−TCn・・
・テスト用回路、NR・・・ノアダート、0UT1〜0
UTn ・・・内部出力信号、a1〜al・・・比較出
力信号。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体年払回路内部で発生ずる複数の内部出力信号をそ
    れぞれ対応して外部へ出力するための1. IQの出力
    端子と、1個のテスト制御端子と、14B11のテスト
    出力端子と、半導体集積回路内部で前記複数の内部出力
    信号にそれぞれ対応して設りられ、前記テスト制御端子
    に外部から力えらiLるテスト制御も号の論坤レベルに
    応じてテストモードめるいFi通常動作モードに切シ換
    えらノt1通常動作モードにおいては前記内部量カイπ
    号それぞれを名対応する出力端子へ導く経路を形成し、
    テストモードにおいては各対応する出力端子に外部から
    与えられるテスト入力信号と各対応する内部出力信号と
    の比較を行なってそitそわの比較出力信号を発生する
    複数のテスト用回路と、これらのテスト用回路のそれぞ
    れの比較出力信号の論理和音とって前記テスト出力端子
    へ導き出す回路とを具備することを重機とする半導体集
    積回路。
JP1638883A 1983-02-03 1983-02-03 半導体集積回路 Pending JPS59150441A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1638883A JPS59150441A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1638883A JPS59150441A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59150441A true JPS59150441A (ja) 1984-08-28

Family

ID=11914872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1638883A Pending JPS59150441A (ja) 1983-02-03 1983-02-03 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59150441A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384533A (en) * 1989-05-19 1995-01-24 Fujitsu Limited Testing method, testing circuit and semiconductor integrated circuit having testing circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384533A (en) * 1989-05-19 1995-01-24 Fujitsu Limited Testing method, testing circuit and semiconductor integrated circuit having testing circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5105100A (en) Easily and quickly testable master-slave flipflop circuit
US6094736A (en) Semiconductor integrated circuit device
US5132614A (en) Semiconductor device and method and apparatus for testing the same
JPS59150441A (ja) 半導体集積回路
JPH0474977A (ja) 半導体集積回路
US7071719B2 (en) Semiconductor device
JP2818546B2 (ja) 半導体集積回路
JPH08235898A (ja) 半導体装置
JPH1038977A (ja) 統合化集積回路
JP3207639B2 (ja) 半導体集積回路
JPS6135546A (ja) 半導体装置
JPH0290642A (ja) 半導体集積回路
KR0123055B1 (ko) 반도체 집적회로의 테스트회로
JP2633692B2 (ja) 半導体試験方法
JPH08286942A (ja) 半導体回路装置
JPH056669Y2 (ja)
JP2723676B2 (ja) 半導体集積回路
JP2972515B2 (ja) 入出力バッファテスト回路
JP2665083B2 (ja) 半導体集積回路のテスト回路
JPH02112777A (ja) 半導体集積回路
JPH08278899A (ja) 半導体集積装置
JPS6095370A (ja) 集積回路装置
JPH0325382A (ja) 半導体集積回路
JPH02118476A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0317577A (ja) 半導体集積回路