JPH02112777A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH02112777A JPH02112777A JP63266495A JP26649588A JPH02112777A JP H02112777 A JPH02112777 A JP H02112777A JP 63266495 A JP63266495 A JP 63266495A JP 26649588 A JP26649588 A JP 26649588A JP H02112777 A JPH02112777 A JP H02112777A
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- JP
- Japan
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- circuit
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 45
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 210000000496 pancreas Anatomy 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路に関し、特に複数の回路ブロ
ックから構成される半導体集積回路のテストあるいはテ
ストプログラム開発を容易にする技術に関する。
ックから構成される半導体集積回路のテストあるいはテ
ストプログラム開発を容易にする技術に関する。
近年、半導体集積回路の回路規模が増大し、開発に要す
る設計者数がそれに比例して増大するにつれて、過去に
設計法の回路ブロックを有効に伯の製品に活用していく
ことが重要な課題になりつつある。半導体集積回路を開
発する場合、しばしば、既に設計法の回路ブロックを含
んだ複数の回路ブロックを複合して1つの集積回路チッ
プとして開発する場合が有る。この複合化された集積回
路のテストには従来法の様な方法がとられてきた。
る設計者数がそれに比例して増大するにつれて、過去に
設計法の回路ブロックを有効に伯の製品に活用していく
ことが重要な課題になりつつある。半導体集積回路を開
発する場合、しばしば、既に設計法の回路ブロックを含
んだ複数の回路ブロックを複合して1つの集積回路チッ
プとして開発する場合が有る。この複合化された集積回
路のテストには従来法の様な方法がとられてきた。
その第1の方法は、第4図に示す如く、複合化された回
路を新たな1つの回路と考え、テストプログラム(特に
論理回路の場合はテストパターン)を新規に作成する方
法である。第4図は回路ブロックが2つの場合を例示し
ており、図示のように回路ブロック1および2間は単一
方向の信号線3および双方向の信号線4により接続され
ている。
路を新たな1つの回路と考え、テストプログラム(特に
論理回路の場合はテストパターン)を新規に作成する方
法である。第4図は回路ブロックが2つの場合を例示し
ており、図示のように回路ブロック1および2間は単一
方向の信号線3および双方向の信号線4により接続され
ている。
この集積回路のテストには、入力端子11N’ i2
・・・および211・・・に機能テスト用のテストパタ
ーンを入力し、出力端子1.1 ・・・および2o1゜
2.2 ・・・の出力を確認していた。この方法は複数
の回路ブロックを合成し1つの集積回路のチップに合成
する場合に最も簡便な方法であるが、回路規模が大きく
なればなる程、また複合する回路ブロックの数が増大す
る程、全体をテストするテストプログラムを開発するに
は多くの人手と時間を要する。
ーンを入力し、出力端子1.1 ・・・および2o1゜
2.2 ・・・の出力を確認していた。この方法は複数
の回路ブロックを合成し1つの集積回路のチップに合成
する場合に最も簡便な方法であるが、回路規模が大きく
なればなる程、また複合する回路ブロックの数が増大す
る程、全体をテストするテストプログラムを開発するに
は多くの人手と時間を要する。
他の方法としては、第5図に示す如く、回路ブロック間
の接続配線3.4にテスト用の端子5を設ける方法があ
る。テスト時にはこのテスト用の端子5を利用すること
により、各回路ブロック1゜2を独立にテストすること
ができるが、一般に回路ブロックを相互に接続する配線
は多く、半導体ウェハ状態でのみテスト用パッドを設け
、パッケージに封入する場合には端子数の増大を防ぐた
め、テスト用の端子5を外部に出さない場合が多い。
の接続配線3.4にテスト用の端子5を設ける方法があ
る。テスト時にはこのテスト用の端子5を利用すること
により、各回路ブロック1゜2を独立にテストすること
ができるが、一般に回路ブロックを相互に接続する配線
は多く、半導体ウェハ状態でのみテスト用パッドを設け
、パッケージに封入する場合には端子数の増大を防ぐた
め、テスト用の端子5を外部に出さない場合が多い。
従って、パッケージに封入した状態では、全体をテスト
するテストプログラムを作成しない限り、簡略化された
テストプログラムで回路ブロック相互の接続を確認する
にとどまり、完全な機能テストが困難である。
するテストプログラムを作成しない限り、簡略化された
テストプログラムで回路ブロック相互の接続を確認する
にとどまり、完全な機能テストが困難である。
従来の回路ブロックを複合して合成した半導体集積回路
は以上の様に構成されていたので、テストプログラム作
成に要する人手と時間が削減できない、あるいは、パッ
ケージに封入された状態でのテスト精度を犠牲にしなけ
ればならないという問題点があった。
は以上の様に構成されていたので、テストプログラム作
成に要する人手と時間が削減できない、あるいは、パッ
ケージに封入された状態でのテスト精度を犠牲にしなけ
ればならないという問題点があった。
この発明は上記問題点を解決するためになされたもので
、各回路ブロック単位のテストプログラムが有ればウェ
ハ状態、パッケージ封止状態を問わず全体のテストが高
い精度で行える半導体集積回路を提供することを目的と
する。
、各回路ブロック単位のテストプログラムが有ればウェ
ハ状態、パッケージ封止状態を問わず全体のテストが高
い精度で行える半導体集積回路を提供することを目的と
する。
この発明に係る半導体集積回路は、高インピーダンス制
御可能な複数のバッファ回路を有する複数の回路ブロッ
クと、複数のバッファ回路の所定のものを介して複数の
回路ブロックを相互に接続する第1の配線と、複数のバ
ッファ回路の他の所定のものを介して複数の回路ブロッ
クの所定のものに接続される外部端子と、第1の配線と
外部端子とを接続する第2の配線と、この第2の配線の
途中に挿入される双方向スイッチ素子とを備えて構成さ
れている。
御可能な複数のバッファ回路を有する複数の回路ブロッ
クと、複数のバッファ回路の所定のものを介して複数の
回路ブロックを相互に接続する第1の配線と、複数のバ
ッファ回路の他の所定のものを介して複数の回路ブロッ
クの所定のものに接続される外部端子と、第1の配線と
外部端子とを接続する第2の配線と、この第2の配線の
途中に挿入される双方向スイッチ素子とを備えて構成さ
れている。
この発明におけるバラフッ回路は、高インピーダンス制
御されることにより、回路ブロック間の第1の配線を、
そのバッファ回路が設けられた回路ブロックから切り離
す。テストに供されない回路ブロックの外部端子は、双
方向スイッチ素子の導通により、第1および第2の配線
を通じて、テストに供される回路ブロックに接続されて
利用されることが可能となる。
御されることにより、回路ブロック間の第1の配線を、
そのバッファ回路が設けられた回路ブロックから切り離
す。テストに供されない回路ブロックの外部端子は、双
方向スイッチ素子の導通により、第1および第2の配線
を通じて、テストに供される回路ブロックに接続されて
利用されることが可能となる。
(実施例〕
第1図はこの発明による半導体集積回路の一実施例を示
すブロック図である。この実施例では、複合する回路ブ
ロック数が2つの場合を例にとって示している。図にお
いて、2つの回路ブロック11および12は、例えば単
一方向の信号線13および双方向のパスライン74より
成る第1の配線を介して相互に接続・されている。各回
路ブロック11および12は、入力および出力回路用の
バッファをそれぞれ複数個有する。この実施例において
は、出力回路用のバッファには、高インピーダンス制御
可能な3ステートバツフアBFが含まれている。信号線
13は、制御端子13cの制御信号に応答して対応の3
ステートバツフアBFが高インピーダンス状態となるこ
とにより、回路ブロック11から切り離され、またパス
ライン14は、制m+端子14Gあるいは24cの制御
信号に応答して対応の3ステートバツフアBFが高イン
ピーダンス状態となることにより回路ブロック11ある
いは12から切り離される。
すブロック図である。この実施例では、複合する回路ブ
ロック数が2つの場合を例にとって示している。図にお
いて、2つの回路ブロック11および12は、例えば単
一方向の信号線13および双方向のパスライン74より
成る第1の配線を介して相互に接続・されている。各回
路ブロック11および12は、入力および出力回路用の
バッファをそれぞれ複数個有する。この実施例において
は、出力回路用のバッファには、高インピーダンス制御
可能な3ステートバツフアBFが含まれている。信号線
13は、制御端子13cの制御信号に応答して対応の3
ステートバツフアBFが高インピーダンス状態となるこ
とにより、回路ブロック11から切り離され、またパス
ライン14は、制m+端子14Gあるいは24cの制御
信号に応答して対応の3ステートバツフアBFが高イン
ピーダンス状態となることにより回路ブロック11ある
いは12から切り離される。
回路ブロック11は外部入力端子1111・・・および
外部出力端子11.11 11.11・・・を有し、
回路ブロック12は外部入力端子121・・・および外
部出力端子12 .12 .12o3゜12 ・・・を
有する。外部出力端子11 .11は、制御端子11o
oの制御信号に応答して対応の3ステートバツフアBF
が高インピーダンス状態となることにより回路ブロック
11から切り離され、また外部出力端子12.12o4
は、制tlA@子12 の制御信号に応答して対応の3
ステートC バッファBFが高インピーダンス状態となることにより
回路ブロック12から切り離される。
外部出力端子11.11 11.11・・・を有し、
回路ブロック12は外部入力端子121・・・および外
部出力端子12 .12 .12o3゜12 ・・・を
有する。外部出力端子11 .11は、制御端子11o
oの制御信号に応答して対応の3ステートバツフアBF
が高インピーダンス状態となることにより回路ブロック
11から切り離され、また外部出力端子12.12o4
は、制tlA@子12 の制御信号に応答して対応の3
ステートC バッファBFが高インピーダンス状態となることにより
回路ブロック12から切り離される。
信号線13は、付加的に設けられた外部端子31.32
.33に接続されている。またパスライン14は、第2
の配線15を介して外部出力端子11o3,11o4,
12 12o4に接続されている。第2の配線15の途
中には、双方向スイッチ素子T1.T2.T 、T4
が挿入されている。
.33に接続されている。またパスライン14は、第2
の配線15を介して外部出力端子11o3,11o4,
12 12o4に接続されている。第2の配線15の途
中には、双方向スイッチ素子T1.T2.T 、T4
が挿入されている。
双方向スイッチ素子としては、例えばMO8論理回路の
トランスミッションゲートや、第2図に不すような2つ
の3ステートバッフ?21a、21bと1つのインバー
タ22とを組合せた回路などが利用可能である。
トランスミッションゲートや、第2図に不すような2つ
の3ステートバッフ?21a、21bと1つのインバー
タ22とを組合せた回路などが利用可能である。
上記制m+喘子13c、14c、24c、11゜。。
12ooおよび図示しない双方向スイッチT1〜T4の
制御端子は外部に直接引き出してもよいし、また集積回
路内部のレジスタ(図示せず)の内容で制御してもよい
。なおE記実施例では、実際の端子のうちの一部のみを
例示している。
制御端子は外部に直接引き出してもよいし、また集積回
路内部のレジスタ(図示せず)の内容で制御してもよい
。なおE記実施例では、実際の端子のうちの一部のみを
例示している。
このように構成することにより、各回路ブロック11.
12は完全に独立にテストすることが可能である。いま
、回路ブロック12をテストするものと仮定すると、制
御端子13c、14c、11ocにつながった3ステー
トバツフアBFは高インピーダンス状態に制御され、ま
た双方向スイッチ素子T 、T2はオン状態、双方向ス
イッチ素子T、T4はオフ状態に制御される。この状態
では、回路ブロック12は完全に回路ブロック11から
切り離されて独立し、また回路ブロック12のテストに
必要な端子は全て外部に引き出されている。すなわち、
端子1211・・・ 31.32゜33.11 11
よりテストパターンを入力し、端子12.12
12 12 ・・・、10102° 03°
04 1.11o4の出カバターンを確認することによってテ
ストが行える。
12は完全に独立にテストすることが可能である。いま
、回路ブロック12をテストするものと仮定すると、制
御端子13c、14c、11ocにつながった3ステー
トバツフアBFは高インピーダンス状態に制御され、ま
た双方向スイッチ素子T 、T2はオン状態、双方向ス
イッチ素子T、T4はオフ状態に制御される。この状態
では、回路ブロック12は完全に回路ブロック11から
切り離されて独立し、また回路ブロック12のテストに
必要な端子は全て外部に引き出されている。すなわち、
端子1211・・・ 31.32゜33.11 11
よりテストパターンを入力し、端子12.12
12 12 ・・・、10102° 03°
04 1.11o4の出カバターンを確認することによってテ
ストが行える。
また回路ブロック11のテストの場合は、制御端子24
C212ocにつながった3ステートバツフア8Fを高
インピーダンス状態、双方向スイッチ素子T1.T2を
オフ状態、双方向スイッチ素子T3.T4をオン状態に
それぞれ制御した状態の下で、端子11 ・・・、12
.1204よりテスドパターンを入力し、端子11 .
11o2.11゜3,11 ・・・、31,32.33
.12 .12゜4の出カバターンを確認することによ
ってテストが行える。
C212ocにつながった3ステートバツフア8Fを高
インピーダンス状態、双方向スイッチ素子T1.T2を
オフ状態、双方向スイッチ素子T3.T4をオン状態に
それぞれ制御した状態の下で、端子11 ・・・、12
.1204よりテスドパターンを入力し、端子11 .
11o2.11゜3,11 ・・・、31,32.33
.12 .12゜4の出カバターンを確認することによ
ってテストが行える。
このように、本実施例によれば、各回路ブロック11あ
るいは12ごとの独立したテストが可能である。したが
って、集積回路全体をテストする場合にも、必ずしも全
体を同時に動作させてテストする必要がなく、各回路ブ
ロック単位でテストを行えばよい。その結果、複合する
各回路ブロックが既に使用実績のある場合、作成済みの
テストパターンがそのまま流用でき、テストプログラム
開発の人手が大幅に第約できるという利点がある。
るいは12ごとの独立したテストが可能である。したが
って、集積回路全体をテストする場合にも、必ずしも全
体を同時に動作させてテストする必要がなく、各回路ブ
ロック単位でテストを行えばよい。その結果、複合する
各回路ブロックが既に使用実績のある場合、作成済みの
テストパターンがそのまま流用でき、テストプログラム
開発の人手が大幅に第約できるという利点がある。
また双方向スイッチ素子を用いて信号経路を切り換える
ことにより、テストに必要な信号線を既存の外部端子に
引き出すようにしているため、不要にテスト用端子が増
加することが防止できるとともに、ウェハ状態でもパッ
ケージ封止状態でも同様に、テストもれ無く高精度なテ
ストが可能となる。勿論、端子数に余裕のある場合には
、端子31.32.33のようにテストに必要な端子を
直接外部に引き出すことも可能である。
ことにより、テストに必要な信号線を既存の外部端子に
引き出すようにしているため、不要にテスト用端子が増
加することが防止できるとともに、ウェハ状態でもパッ
ケージ封止状態でも同様に、テストもれ無く高精度なテ
ストが可能となる。勿論、端子数に余裕のある場合には
、端子31.32.33のようにテストに必要な端子を
直接外部に引き出すことも可能である。
また、上記実施例によれば、双方向スイッチ素子を用い
ているため、各回路ブロックを接続した実際の使用状態
での相互接続が確認できる。これを以下に説明する。第
3A図は双方向スイッチ素子下による回路ブロック11
.12と端子11o。
ているため、各回路ブロックを接続した実際の使用状態
での相互接続が確認できる。これを以下に説明する。第
3A図は双方向スイッチ素子下による回路ブロック11
.12と端子11o。
128間の信号経路の切換えを示す回路図であり、第1
図の双方向パスライン14の1本に関して図示したもの
である。また第3B図は単一方向スイッチ素子Sによる
第3A図と同様な信号経路の切換えを示す回路図である
。第3A図において、実線双方向矢印aおよびbはそれ
ぞれ回路ブロック11および12のテスト時の信号経路
を示し、点線双方向矢印Cは実使用時の回路ブロック1
1゜12間の信号経路を示す。また第3B図において、
実線矢印d、eは回路ブロック11のテスト時の信号経
路、実線矢印f、Qは回路ブロック12のテスト時の信
号経路、点線矢印り、iは実使用時の回路ブロック11
.12間の信号経路をそれぞれ示す。第3A図ではテス
ト時の信号の伝達はすべて接続点Pを介して行われるた
め、回路ブロック11.12のテストを行うことによっ
て同時に回路ブロック11と12の接続も確認できる。
図の双方向パスライン14の1本に関して図示したもの
である。また第3B図は単一方向スイッチ素子Sによる
第3A図と同様な信号経路の切換えを示す回路図である
。第3A図において、実線双方向矢印aおよびbはそれ
ぞれ回路ブロック11および12のテスト時の信号経路
を示し、点線双方向矢印Cは実使用時の回路ブロック1
1゜12間の信号経路を示す。また第3B図において、
実線矢印d、eは回路ブロック11のテスト時の信号経
路、実線矢印f、Qは回路ブロック12のテスト時の信
号経路、点線矢印り、iは実使用時の回路ブロック11
.12間の信号経路をそれぞれ示す。第3A図ではテス
ト時の信号の伝達はすべて接続点Pを介して行われるた
め、回路ブロック11.12のテストを行うことによっ
て同時に回路ブロック11と12の接続も確認できる。
−方、第3B図の場合は、点Aや点Bの部分の配線切れ
は回路ブロック11.12のテストを実施しても検出で
きない。
は回路ブロック11.12のテストを実施しても検出で
きない。
以上説明したように、この発明によれは、バッフ?回路
を高インピーダンス制御することにより回路ブロック間
の第1の配線をそのバッファ回路が設けられた回路ブロ
ックから切り離し可能に構成するとともに、双方向スイ
ッチ素子の導通によりテストに供されない回路ブロック
の外部端子が第1および第2の配線を通じてテストに供
される回路ブロックに接続されテストに利用され得るよ
うに構成したので、各回路ブロックのテストパターンが
有れば全体のテストパターンが無くてもテストもれの無
いテストが可能であり、またテスト用端子の増加を最小
限に抑えることができ、ざらにウェハ状態でもパッケー
ジ封止状態でも同様に高精度なテストが可能であり、し
かも大規模回路に適した半導体集積回路を実現すること
ができる。
を高インピーダンス制御することにより回路ブロック間
の第1の配線をそのバッファ回路が設けられた回路ブロ
ックから切り離し可能に構成するとともに、双方向スイ
ッチ素子の導通によりテストに供されない回路ブロック
の外部端子が第1および第2の配線を通じてテストに供
される回路ブロックに接続されテストに利用され得るよ
うに構成したので、各回路ブロックのテストパターンが
有れば全体のテストパターンが無くてもテストもれの無
いテストが可能であり、またテスト用端子の増加を最小
限に抑えることができ、ざらにウェハ状態でもパッケー
ジ封止状態でも同様に高精度なテストが可能であり、し
かも大規模回路に適した半導体集積回路を実現すること
ができる。
第1図はこの発明による半導体集積回路の一実施例を示
すブロック図、第2図は双方向スイッチ素子の一例を示
す回路図、第3A図は双方向スイッチ素子による信号経
路の切換えを示す回路図、第3B図は単一方向スイッチ
素子による信号経路の切換えを示す回路図、第4図およ
び第5図は従来の半導体集積回路を示すブロック図であ
る。 図において、BFは3ステートバツフア、13は単一方
向信号線、14は双方向パスライン、15は第2の配線
、1111および1211は外部入力端子、11o1〜
11o4および12o1〜12o4は外部出力端子、3
1〜33は付加外部端子、■1〜T4は双方向スイッチ
素子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 代理人 大 岩 増 雄 第 図 制a1つ′ 第 図 第3A図 第3B図 第 図
すブロック図、第2図は双方向スイッチ素子の一例を示
す回路図、第3A図は双方向スイッチ素子による信号経
路の切換えを示す回路図、第3B図は単一方向スイッチ
素子による信号経路の切換えを示す回路図、第4図およ
び第5図は従来の半導体集積回路を示すブロック図であ
る。 図において、BFは3ステートバツフア、13は単一方
向信号線、14は双方向パスライン、15は第2の配線
、1111および1211は外部入力端子、11o1〜
11o4および12o1〜12o4は外部出力端子、3
1〜33は付加外部端子、■1〜T4は双方向スイッチ
素子である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 代理人 大 岩 増 雄 第 図 制a1つ′ 第 図 第3A図 第3B図 第 図
Claims (1)
- (1)高インピーダンス制御可能な複数のバッファ回路
を有する複数の回路ブロックと、 前記複数のバッファ回路の所定のものを介して前記複数
の回路ブロックを相互に接続する第1の配線と、 前記複数のバッファ回路の他の所定のものを介して前記
複数の回路ブロックの所定のものに接続される外部端子
と、 前記第1の配線と前記外部端子とを接続する第2の配線
と、 前記第2の配線の途中に挿入される双方向スイッチ素子
とを備える半導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63266495A JP2505032B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63266495A JP2505032B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02112777A true JPH02112777A (ja) | 1990-04-25 |
JP2505032B2 JP2505032B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=17431720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63266495A Expired - Lifetime JP2505032B2 (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2505032B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0335178A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-15 | Nec Corp | Lsi回路 |
JPH0645421A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-18 | Nec Corp | 集積回路 |
US6499125B1 (en) | 1998-11-24 | 2002-12-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for inserting test circuit and method for converting test data |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62207977A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Toshiba Corp | テスト容易化回路及びテスト方法 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP63266495A patent/JP2505032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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JPS62207977A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-12 | Toshiba Corp | テスト容易化回路及びテスト方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0335178A (ja) * | 1989-07-03 | 1991-02-15 | Nec Corp | Lsi回路 |
JP2513034B2 (ja) * | 1989-07-03 | 1996-07-03 | 日本電気株式会社 | Lsi回路 |
JPH0645421A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-18 | Nec Corp | 集積回路 |
US6499125B1 (en) | 1998-11-24 | 2002-12-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for inserting test circuit and method for converting test data |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2505032B2 (ja) | 1996-06-05 |
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