JPS5914351U - 半導体装置に於ける静電破壊防止構造 - Google Patents

半導体装置に於ける静電破壊防止構造

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JPS5914351U
JPS5914351U JP10956082U JP10956082U JPS5914351U JP S5914351 U JPS5914351 U JP S5914351U JP 10956082 U JP10956082 U JP 10956082U JP 10956082 U JP10956082 U JP 10956082U JP S5914351 U JPS5914351 U JP S5914351U
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JP
Japan
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electrostatic damage
semiconductor device
thin film
resistive material
internal circuit
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Pending
Application number
JP10956082U
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English (en)
Inventor
村脇　賢一
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案静電破壊構造の断面図、第２図は本考案
静電破壊防止構造の回路図である。 １・・・シリコン基板、２・・・第１の拡散層、５・・
・ゲート酸化膜、６・・・モリブデン膜、９．１１・・
・アルミニウム膜、１０・・・ゲート電極、１４・・・
薄膜抵抗、１５・・・拡散抵抗、１７・・・放電用トラ
ンジスタ。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）電極パッドを介して外部回路と接続される半導体
    装置に於て、電極パッドと内部回路との間に比較的シー
    ト抵抗値の高い抵抗材料から成る薄膜抵抗と半導体基板
    に形成した拡散抵抗とを直列に挿入接続するとともにこ
    の薄膜抵抗と拡散抵抗の接続中点をこの接続中点の電位
    が内部回路動作電圧より高いときＯＮする放電用トラン
    ジスタを介して接地して成る半導体装置に於ける静電破
    壊防止構造。
  2. （２）　　上記内部回路はＭＯ３型トランジスタを主構
    成要素としている事を特徴とした実用新案登録請求の範
    囲第１項記載の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。
  3. （３）上記抵抗材料は、モリブデレである事を特徴とし
    た実用新案登録請求の範囲第１項、又は第一　２項記載
    の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。　　　　　−
  4. （４）　　上記抵抗材料は、金属シリサイドである事を
    特徴とした実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項記
    載の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。
JP10956082U 1982-07-19 1982-07-19 半導体装置に於ける静電破壊防止構造 Pending JPS5914351U (ja)

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