JPS5883161U - 半導体装置における静電破壊防止構造 - Google Patents

半導体装置における静電破壊防止構造

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JPS5883161U
JPS5883161U JP17928781U JP17928781U JPS5883161U JP S5883161 U JPS5883161 U JP S5883161U JP 17928781 U JP17928781 U JP 17928781U JP 17928781 U JP17928781 U JP 17928781U JP S5883161 U JPS5883161 U JP S5883161U
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JP
Japan
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semiconductor device
electrostatic damage
semiconductor devices
resistive material
prevention structure
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Application number
JP17928781U
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Inventor
大岸 勉
村脇 賢一
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案構造を示す要部断面図、第2図はその等
価回路図であって、2は拡散抵抗、4はモリブデン膜、
10は電極パッド、を夫々示している。

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)電極パッドを介して外部回路と接続される半導体
    装置に於て、電極パッドと内部回路との簡に比較的シー
    ト抵抗値の高い抵抗材料から成る薄膜抵抗と半導体基板
    に形成した拡散抵抗とを゛ 直列に挿入接続して成る半
    導体装置に於ける静電破壊防止構造。
  2. (2)上記内部回路はMO3型トランジスタを主構成要
    素としている事を特徴とした実用新案登録請求の範囲第
    1項記載の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。
  3. (3)  上記抵抗材料は、モリブデンである事を特徴
    とした実用新案登録請求の範囲第1項、又は第2項記載
    の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。
  4. (4)  上記抵抗材料は、金属シリサイドである事を
    特徴とした実用新案登録請求の範囲第1項又は第2項記
    載の半導体装置に於ける静電破壊防止構造。
JP17928781U 1981-11-30 1981-11-30 半導体装置における静電破壊防止構造 Pending JPS5883161U (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503793A (ja) * 1973-05-15 1975-01-16
JPS5873160A (ja) * 1981-10-26 1983-05-02 Nissan Motor Co Ltd 半導体素子用入力保護装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS503793A (ja) * 1973-05-15 1975-01-16
JPS5873160A (ja) * 1981-10-26 1983-05-02 Nissan Motor Co Ltd 半導体素子用入力保護装置

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