JPS59135749A - 層間絶縁膜の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS59135749A JPS59135749A JP1117283A JP1117283A JPS59135749A JP S59135749 A JPS59135749 A JP S59135749A JP 1117283 A JP1117283 A JP 1117283A JP 1117283 A JP1117283 A JP 1117283A JP S59135749 A JPS59135749 A JP S59135749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- resist
- forming
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117283A JPS59135749A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117283A JPS59135749A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135749A true JPS59135749A (ja) | 1984-08-04 |
| JPH0225251B2 JPH0225251B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-06-01 |
Family
ID=11770631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1117283A Granted JPS59135749A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 層間絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135749A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187355A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層配線形成法 |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP1117283A patent/JPS59135749A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187355A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層配線形成法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225251B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3057879B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59135749A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法 | |
| JP2502564B2 (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS59155128A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01128522A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2000012538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2610898B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS6015920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63307739A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61172336A (ja) | 半導体装置電極開口部の形成方法 | |
| JPH0779076B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59167035A (ja) | 素子間分離の形成方法 | |
| JPH0191422A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS62171143A (ja) | 多層配線法 | |
| JPH04332118A (ja) | パターンの形成方法 | |
| JPS6053022A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04107915A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0744148B2 (ja) | 両面吸収体x線マスクの製造方法 | |
| JPH03110835A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02138751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS593953A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63271932A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH06163451A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61294821A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| KR20050059820A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |