JPS59135727A - 荷電粒子ビ−ム露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビ−ム露光方法Info
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- JPS59135727A JPS59135727A JP58009496A JP949683A JPS59135727A JP S59135727 A JPS59135727 A JP S59135727A JP 58009496 A JP58009496 A JP 58009496A JP 949683 A JP949683 A JP 949683A JP S59135727 A JPS59135727 A JP S59135727A
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- JP
- Japan
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- marks
- exposure
- measurement system
- laser
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- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多角形荷電粒子ビームにより粕鴎良く材料上に
直接露光づる方法に関する。
直接露光づる方法に関する。
〔従来技術］
最近、電子じ−ムや−イオンビームを使って材料」二に
パターンを描画する（４電電粒子ビーム露光方法が、Ｌ
ＳＩ素−罰や超１ｓＩ素子の製作法とし・ｌ注目を浴び
ている。さく、′市」″−１ゴーム露光ｆｊ杼、を例に
上げると、この露光方法にｔま、メボツ１−状のビーム
を（Ａ料にで走査させ−てパターンを１ｕ１画りるスポ
ラ１へ型露光方法、光軸上に多角形状の孔を（］・）る
マスク板を配置し、断面を多角形状１こ整＋Ｉ； ｌｙ
／＝ヒームを材料上（走査させてパターンを描画１５
Ｋ）固定面積型露光方法１．及び光軸上に多角形状の孔
を石４るマスク板を複数枚配置し、史ｉこ各マスク板間
に偏向器を配置して、前記各マスク板の孔を通過するビ
ームを・各偏向器で適宜偏向させ、最終マスク板の孔を
通過した任意な多角形状吊ｉ面のビームを材料−ＬＦ定
走査けてパターンを１１１」画りる１＋、１変面積型露
光ｆ〕法等がある。こσ）様な雷ｉ″Ｉｆ’ −１＼露
光方法により材料〈例、つ１ニハ）１−にパターンを直
接露光−りる揚台、材料−１−に設（Ｊられ１．、：マ
ー！）の位置を検出し、該マーク位ＩＮを基準どじで露
光を行っている。又、直接露光を（−］う揚０、途中、
何度か化学的処理が施されるので、小ね合わゼー露光が
行われること（９−なり、やはりマーク（ｆＩｔ首を検
出し、該１ノーり位置を基［μとして露窺が行われる６
、例えば、第１図に示？Ｊ様に、月利の周辺にマーク△
、 ［３，Ｃ，ＤをマークΔと［３を結ぶ直線Ａ Ｂと
、マークＣと１）を結ぶ直線ＣＤとが大略自交する様に
設り、該月利のステージを移動させて、マークＡ、Ｂ、
Ｃ，Ｄが順次じ一ム軸上に来る様にし、ぞの都度、レー
ザ測長器でマークＡ、Ｂ、ｃ。
パターンを描画する（４電電粒子ビーム露光方法が、Ｌ
ＳＩ素−罰や超１ｓＩ素子の製作法とし・ｌ注目を浴び
ている。さく、′市」″−１ゴーム露光ｆｊ杼、を例に
上げると、この露光方法にｔま、メボツ１−状のビーム
を（Ａ料にで走査させ−てパターンを１ｕ１画りるスポ
ラ１へ型露光方法、光軸上に多角形状の孔を（］・）る
マスク板を配置し、断面を多角形状１こ整＋Ｉ； ｌｙ
／＝ヒームを材料上（走査させてパターンを描画１５
Ｋ）固定面積型露光方法１．及び光軸上に多角形状の孔
を石４るマスク板を複数枚配置し、史ｉこ各マスク板間
に偏向器を配置して、前記各マスク板の孔を通過するビ
ームを・各偏向器で適宜偏向させ、最終マスク板の孔を
通過した任意な多角形状吊ｉ面のビームを材料−ＬＦ定
走査けてパターンを１１１」画りる１＋、１変面積型露
光ｆ〕法等がある。こσ）様な雷ｉ″Ｉｆ’ −１＼露
光方法により材料〈例、つ１ニハ）１−にパターンを直
接露光−りる揚台、材料−１−に設（Ｊられ１．、：マ
ー！）の位置を検出し、該マーク位ＩＮを基準どじで露
光を行っている。又、直接露光を（−］う揚０、途中、
何度か化学的処理が施されるので、小ね合わゼー露光が
行われること（９−なり、やはりマーク（ｆＩｔ首を検
出し、該１ノーり位置を基［μとして露窺が行われる６
、例えば、第１図に示？Ｊ様に、月利の周辺にマーク△
、 ［３，Ｃ，ＤをマークΔと［３を結ぶ直線Ａ Ｂと
、マークＣと１）を結ぶ直線ＣＤとが大略自交する様に
設り、該月利のステージを移動させて、マークＡ、Ｂ、
Ｃ，Ｄが順次じ一ム軸上に来る様にし、ぞの都度、レー
ザ測長器でマークＡ、Ｂ、ｃ。
［） のｆｆ１ｌ毘２ （χハ 、ｙ／１ ）、
（ｘ、、 、ｙ Ｂ ）、 （ｘ、
。
（ｘ、、 、ｙ Ｂ ）、 （ｘ、
。
ｙＣ）、 （Ｘ、 、 ｙ、 ）をｉ（ｌ！ｌ定
し、Ａ１３トＣｆ１７）レーザ測長座標軸Ｘｏ、Ｙｏに
３＝Ｊする人々の向さ７’Ｊ向ど４る。又、材料上の小
領域［＜を露光づる際のｆｉｇ向器の最大振幅と走査開
始工；Ｊ口、１、＋、Ｉ ）”Ｉの各ノイールドの周辺
に設けられたａ、ｂ、Ｃ（第１図参照）上に順次ビーム
か来る様にビーム偏向器を作動ざｌ！（、該ン−りａ、
ｂ、ｃｏ）（Ｑ置を求め、１ａｂｌ 、 １ａｃＩに
より偏向器の最大振幅を決定し・、ン一りａの位置から
走査開始点を決定づる。
し、Ａ１３トＣｆ１７）レーザ測長座標軸Ｘｏ、Ｙｏに
３＝Ｊする人々の向さ７’Ｊ向ど４る。又、材料上の小
領域［＜を露光づる際のｆｉｇ向器の最大振幅と走査開
始工；Ｊ口、１、＋、Ｉ ）”Ｉの各ノイールドの周辺
に設けられたａ、ｂ、Ｃ（第１図参照）上に順次ビーム
か来る様にビーム偏向器を作動ざｌ！（、該ン−りａ、
ｂ、ｃｏ）（Ｑ置を求め、１ａｂｌ 、 １ａｃＩに
より偏向器の最大振幅を決定し・、ン一りａの位置から
走査開始点を決定づる。
又、第２図（−二示１様に、材料の周辺にアシイメント
マークＱと該祠料内の小領域（例えばＳ）周辺にマーク
ｓ、ｔ、ｕをマークＳと１を結ふ１白線ａ［ど、マーク
Ｓと１を結ぶ直線ＳＵとが人Ｎ＋自交づる様に設け、レ
ーザ測長器でマークＱの位置を測定し−（、小領域のマ
ークのレーザ座標系にお（］る位置を紳定し、小領域の
中心がビー１１軸−１に来る様にステージを移動させ、
じ−ムを偏向さぜ（順次マークｓ、ｔ、ｕＪ−に来る様
にし、その都度、祠ね上方【、二股ｔｊられた反射電子
検出器にＣ８’Ｑ’−りからの反則電子を検出し、各マ
ークの旬間を一測定し、該位置の座標に基づ゛いＵＳｔ
、！、１１の向きＳ Ｌ。
マークＱと該祠料内の小領域（例えばＳ）周辺にマーク
ｓ、ｔ、ｕをマークＳと１を結ふ１白線ａ［ど、マーク
Ｓと１を結ぶ直線ＳＵとが人Ｎ＋自交づる様に設け、レ
ーザ測長器でマークＱの位置を測定し−（、小領域のマ
ークのレーザ座標系にお（］る位置を紳定し、小領域の
中心がビー１１軸−１に来る様にステージを移動させ、
じ−ムを偏向さぜ（順次マークｓ、ｔ、ｕＪ−に来る様
にし、その都度、祠ね上方【、二股ｔｊられた反射電子
検出器にＣ８’Ｑ’−りからの反則電子を検出し、各マ
ークの旬間を一測定し、該位置の座標に基づ゛いＵＳｔ
、！、１１の向きＳ Ｌ。
−−）
ＳＩＪを求め、該向さＳｔ、 Ｓｔｌを露光１１４の＋
−ｒ −ム走合ｊノ向どする。
−ｒ −ム走合ｊノ向どする。
さＣ１この様にしＣ゛測定たビーＪ＼、１−合ノ）仏（
、二基づいて、偏向器によりビームを偏向すると、固定
面積型露光り法やｉｉＪ変面積ｊ％ν露光り法ＣＬＪ）
Ｉｉζ）ｖ。
、二基づいて、偏向器によりビームを偏向すると、固定
面積型露光り法やｉｉＪ変面積ｊ％ν露光り法ＣＬＪ）
Ｉｉζ）ｖ。
方法において次の様な問題か生しｌこ。
ぞれは、材料をステージにＰツ１〜１−る１１．’Ｊ
、 ＋Ａ ｒｌｌの向き（（前記ＡＢ、ＣＤ）又は（ｓ
ｔ、 ｓｕ） ｌニ一致しでいる。）がレーザ座標系の
軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）に合う様（こメカ的にセラ１へ
されるが、＋Ａ ｔ３１ ｆｉｊに＋Ａ料の向さにハラ
ツＶがあるため、実際には、ステージ十にレッ１へされ
た祠オ゛り１の向きは必ずしもレーリ″１（ｌａ標系の
’Ｉ’ｌｌｌ （Ｘｏ 、 Ｙｏ ） ＆こ合一）でい
ない。叩４）、何ＩＩ ｆυに僅かｈ向きの誤差即４）
回ｉＩ＋／、誤差が生じる。又、通常材料Ｆにシ」ツ１
へされるビームの辺の向きはレーザ座標系の軸（Ｘｏ
、 Ｙｏ ）に合う様に調節され（いる（該調節の仕方
は特公昭５７−３１２９０号参照）。例えば、便宜士、
矩形ビームで゛材料上をＸ方向に走査づる場合を示１と
第３図に示づ様に、矩形ビーム１−（の辺の向きは大々
レーザ座標系の軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）に合わされでい
るが、該ビームの走査方向はマーク△、［−３の位置検
出から求められｌこ方向く矢印［））なので、矩形ビー
ム間の繋ぎ部−Ｃ前記回転誤差にλｊ応したスレδが発
生し結果的に描画精度が低下してしまう。
、 ＋Ａ ｒｌｌの向き（（前記ＡＢ、ＣＤ）又は（ｓ
ｔ、 ｓｕ） ｌニ一致しでいる。）がレーザ座標系の
軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）に合う様（こメカ的にセラ１へ
されるが、＋Ａ ｔ３１ ｆｉｊに＋Ａ料の向さにハラ
ツＶがあるため、実際には、ステージ十にレッ１へされ
た祠オ゛り１の向きは必ずしもレーリ″１（ｌａ標系の
’Ｉ’ｌｌｌ （Ｘｏ 、 Ｙｏ ） ＆こ合一）でい
ない。叩４）、何ＩＩ ｆυに僅かｈ向きの誤差即４）
回ｉＩ＋／、誤差が生じる。又、通常材料Ｆにシ」ツ１
へされるビームの辺の向きはレーザ座標系の軸（Ｘｏ
、 Ｙｏ ）に合う様に調節され（いる（該調節の仕方
は特公昭５７−３１２９０号参照）。例えば、便宜士、
矩形ビームで゛材料上をＸ方向に走査づる場合を示１と
第３図に示づ様に、矩形ビーム１−（の辺の向きは大々
レーザ座標系の軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ）に合わされでい
るが、該ビームの走査方向はマーク△、［−３の位置検
出から求められｌこ方向く矢印［））なので、矩形ビー
ム間の繋ぎ部−Ｃ前記回転誤差にλｊ応したスレδが発
生し結果的に描画精度が低下してしまう。
（発明の目的〕
本発明はこの様な欠点を解決することを目的としてなさ
れてものＣ゛ある。
れてものＣ゛ある。
本発明は、レーザ測長系を備えたスノーシに保持された
材料上を各辺の方向が前記レーザ測長器の座標軸の方向
に関係づけられた多角形ビー’ ／−ｓ ’−Ｃ走ｒｔ
シ、所定のパターンを描画づるブノ法１１ ｄｌ＞い−
Ｃ１材石トに設【Ｊられた少なくと（ｉｔ ］ｙ個の１
１、、− ／７人々を検出し、該マーク間を結ぶ線とレ
ーザ測長系の座標軸の方向との回転誤差を求め、該誤ｆ
、−１，（１＋、％づいて多角形ビームを回転させた新
ＮＡな伺゛市粒Ｊ′ビーｌ＼露光方法を１ｊｔ供−りる
ものである３、（実施例〕 第４図は本発明の荷電粒子ビーム商売ｆＪ法の実施例と
して示した固定面積型電子ヒ′−ノ＼露光装置の概略図
である。図中１は電子銃Ｃ１該宙了銃から割出された電
子ビームは集束１ノンズ２ ＋、ｌ 、１、り矩形状の
孔ζ３を右りるマスク４に照射ｉλれる３、該マスクの
孔を通過した矩形ビーｊ＼は投影レンズＦ〕ににすＨ料
６十に投影されるど同ＩＹ、）に’ｒＶｉ ｒ訓Ｉｎ１
＋幾の如き中央処理装置（以後ＣＰ Ｕと称づ）７か
らの走査信号によりコン１〜ロールされる偏向器８３に
より該材料」−を走査づる。該材料す−に【よ第１図Ｃ
小し７．： ！１１．１きマークが設（ｊられＣおり、
該材料の上方には、市ｊ′ビームの＼マーク上の走査に
より発佳しに反Ｑ＝Ｉ電子を検出リ−る反射電子検出器
９が設けられ−Ｃいる。該検出器によつ−（検出された
検出信号は検出回路１０に供給され、該回路にＪｉいで
発生したパルスはり１−１ツタパルス発４［器′１１か
らのパルスを計数リ−るカウンタ１２に供給される。該
カウンタにお（〕るパルスの５１数の開始及び停止は前
記ＣＰＵ ７の指令によっ６行われる。前記月利６は基
台１３十を自由に移動ｉｊｌ能へステージコ４上（こ載
置され−（いる。該スｉ−ジのＸＩｊ向の側面及びＹ１
〕向の側面にはミラー１ ｂ Ｘ （’ｌ ５ Ｙは図
示せず）が取り付けられ−Ｃおり、前記ＣＰＵ ７から
の制Ｕ＋＋信；７： ｊ（二より制御される駆動源１０
によ−）−Ｃスｊ−ジ１４が移動した時、レーザ測長器
１７Ｘ （１７Ｙは図示Ｕず）は該スｊ−ジの移動型を
測定づる。、１８Ｘは該シー１測長器器１７Ｘの出力信
用を受り、前記スｊ−−ジ１４の移動型に対応しノこ信
号を前記ＣＰ （Ｊ ７へ送るカウンタ（、その作動の
開殆ど停由は該Ｃト） Ｕの指令によっ（行われる。尚
、カウンタ１８Ｙは示し−（ないが、該カウンタはレー
ザ測長器１７Ｙ（図示せず）からの１１１号を受ｔＪる
。１１９は該Ｃ）〕Ｕからの励（６信８（こ６ｔづ゛い
て、電子ビームを回転させる為の回転用電子１、ノンズ
である３、尚２０，２１はＤ Ａ変換器、２２゜２３は
増幅器である。
材料上を各辺の方向が前記レーザ測長器の座標軸の方向
に関係づけられた多角形ビー’ ／−ｓ ’−Ｃ走ｒｔ
シ、所定のパターンを描画づるブノ法１１ ｄｌ＞い−
Ｃ１材石トに設【Ｊられた少なくと（ｉｔ ］ｙ個の１
１、、− ／７人々を検出し、該マーク間を結ぶ線とレ
ーザ測長系の座標軸の方向との回転誤差を求め、該誤ｆ
、−１，（１＋、％づいて多角形ビームを回転させた新
ＮＡな伺゛市粒Ｊ′ビーｌ＼露光方法を１ｊｔ供−りる
ものである３、（実施例〕 第４図は本発明の荷電粒子ビーム商売ｆＪ法の実施例と
して示した固定面積型電子ヒ′−ノ＼露光装置の概略図
である。図中１は電子銃Ｃ１該宙了銃から割出された電
子ビームは集束１ノンズ２ ＋、ｌ 、１、り矩形状の
孔ζ３を右りるマスク４に照射ｉλれる３、該マスクの
孔を通過した矩形ビーｊ＼は投影レンズＦ〕ににすＨ料
６十に投影されるど同ＩＹ、）に’ｒＶｉ ｒ訓Ｉｎ１
＋幾の如き中央処理装置（以後ＣＰ Ｕと称づ）７か
らの走査信号によりコン１〜ロールされる偏向器８３に
より該材料」−を走査づる。該材料す−に【よ第１図Ｃ
小し７．： ！１１．１きマークが設（ｊられＣおり、
該材料の上方には、市ｊ′ビームの＼マーク上の走査に
より発佳しに反Ｑ＝Ｉ電子を検出リ−る反射電子検出器
９が設けられ−Ｃいる。該検出器によつ−（検出された
検出信号は検出回路１０に供給され、該回路にＪｉいで
発生したパルスはり１−１ツタパルス発４［器′１１か
らのパルスを計数リ−るカウンタ１２に供給される。該
カウンタにお（〕るパルスの５１数の開始及び停止は前
記ＣＰＵ ７の指令によっ６行われる。前記月利６は基
台１３十を自由に移動ｉｊｌ能へステージコ４上（こ載
置され−（いる。該スｉ−ジのＸＩｊ向の側面及びＹ１
〕向の側面にはミラー１ ｂ Ｘ （’ｌ ５ Ｙは図
示せず）が取り付けられ−Ｃおり、前記ＣＰＵ ７から
の制Ｕ＋＋信；７： ｊ（二より制御される駆動源１０
によ−）−Ｃスｊ−ジ１４が移動した時、レーザ測長器
１７Ｘ （１７Ｙは図示Ｕず）は該スｊ−ジの移動型を
測定づる。、１８Ｘは該シー１測長器器１７Ｘの出力信
用を受り、前記スｊ−−ジ１４の移動型に対応しノこ信
号を前記ＣＰ （Ｊ ７へ送るカウンタ（、その作動の
開殆ど停由は該Ｃト） Ｕの指令によっ（行われる。尚
、カウンタ１８Ｙは示し−（ないが、該カウンタはレー
ザ測長器１７Ｙ（図示せず）からの１１１号を受ｔＪる
。１１９は該Ｃ）〕Ｕからの励（６信８（こ６ｔづ゛い
て、電子ビームを回転させる為の回転用電子１、ノンズ
である３、尚２０，２１はＤ Ａ変換器、２２゜２３は
増幅器である。
先ず、第５図に示す様に、月利トの周辺に設（］られｊ
、＝ン−りＡ、Ｂ ＜Ｃ，［つは図示１Ｌず）によりに
−ムの走査方向を決定Ｊる方式の露光法【こ一つい一τ
以不に説明づる。前記し１．一様ｌこ、Ｕ ｉｊｌ 上
＋、二１ぐ影される矩形ビームの辺の向きはレーザ座標
系の軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ＩＩの方向に合う様に調節さ
れ−ぐい乙ので、本発明が適用されないと、第４図の破
線（゛示す向きに矩形ビーム１−１がシ」ツ１−されＣ
じ、−１、う。
、＝ン−りＡ、Ｂ ＜Ｃ，［つは図示１Ｌず）によりに
−ムの走査方向を決定Ｊる方式の露光法【こ一つい一τ
以不に説明づる。前記し１．一様ｌこ、Ｕ ｉｊｌ 上
＋、二１ぐ影される矩形ビームの辺の向きはレーザ座標
系の軸（Ｘｏ 、 Ｙｏ ＩＩの方向に合う様に調節さ
れ−ぐい乙ので、本発明が適用されないと、第４図の破
線（゛示す向きに矩形ビーム１−１がシ」ツ１−されＣ
じ、−１、う。
ｃ； −Ｃ、ＣＰ Ｕ ７ ハ駆動源１６とカウンタ（
１ε３Ｘ。
１ε３Ｘ。
１８Ｙ）を作動させ、ステージ１４を移動さ已、材料６
ＬＯ）ン一りＡ、１３か順次ビーム軸子ｔ３二来る様に
リ−る。この時、カウンタ１８Ｘ、１８Ｙを介して人々
レーザ測長器１７Ｘ及び１７Ｙで測定したマークＡ、Ｂ
のレーザ測長系にお（）る座標（ｘｌ。
ＬＯ）ン一りＡ、１３か順次ビーム軸子ｔ３二来る様に
リ−る。この時、カウンタ１８Ｘ、１８Ｙを介して人々
レーザ測長器１７Ｘ及び１７Ｙで測定したマークＡ、Ｂ
のレーザ測長系にお（）る座標（ｘｌ。
、’ｌ’Ａ）、（Ｘヨ ５．■８ ） ｈ冒ら
ＣＰ ｔＪ ７ ｔよ し −ザ測（又斥・標
情Ｘｏの方向に対す−る回Ｉ７１誤差θ（二（、ｈ ’
２６．Ｖｂ ＞を求め、該回転誤差に対応した大きさ
χＡ −ＸＢ でｌｔｌ刊の逆の励磁信用をＤ Ａ変換器２０及び増幅
器２２を介して回転用電子レンズ１つへ送る。又、ＣＩ
） Ｕ ７は前記マークＡ、Ｂから求めたン一りＡ。
ＣＰ ｔＪ ７ ｔよ し −ザ測（又斥・標
情Ｘｏの方向に対す−る回Ｉ７１誤差θ（二（、ｈ ’
２６．Ｖｂ ＞を求め、該回転誤差に対応した大きさ
χＡ −ＸＢ でｌｔｌ刊の逆の励磁信用をＤ Ａ変換器２０及び増幅
器２２を介して回転用電子レンズ１つへ送る。又、ＣＩ
） Ｕ ７は前記マークＡ、Ｂから求めたン一りＡ。
［３の方向７ｖ’Ａにビームが材料上に走査する様に偏
向器８へ走査イハ弓を送る。従って、マスク４の孔３を
通過した矩形ビームは適宜量回転し、材料上にショッ１
〜されるビームの（Ｘ方向の）辺の向きはビームのＸ方
向の走査方向く即ら［）方向）と一致し、この状態でビ
ームはＦ） ｉＬ向に走：Ｍ ！するので、矩形ビーム
間の繋ぎ部でのス゛し【よ全く発生しない。
向器８へ走査イハ弓を送る。従って、マスク４の孔３を
通過した矩形ビームは適宜量回転し、材料上にショッ１
〜されるビームの（Ｘ方向の）辺の向きはビームのＸ方
向の走査方向く即ら［）方向）と一致し、この状態でビ
ームはＦ） ｉＬ向に走：Ｍ ！するので、矩形ビーム
間の繋ぎ部でのス゛し【よ全く発生しない。
Ｙｈ向に走査り−る簡ム同様に行われる。１又、月利内
の小領域を露光する際の偏向器８の最大振幅と走査量始
点は、前記第１図にＪ５いて、説明した様に、材料の該
小領域周辺に設（プられた二つのマークをビーム走査に
より順次位置検出して締定される。即ら、ビーム軸子に
“フィールドの中心が来る様（Ｊステージ１４が移動さ
れ、ＣＰＵ７はビームを各マーク上を走査づる様に偏向
器εいこ指令を与えると同時にカウンタ１２を作動させ
、クロックパルス発生器１１からのクロックパルスをカ
ウントさせる。ビームが各マーク上を通過りる時、反射
電子検出器９からの信号により、カウンタ１２はカラン
１へした値をＣＰＵ ７へ送る。該Ｃｒ−’ ｔＪは該
カウンタからの訓数値に基づいて、各マークの位置から
偏向器の最大振幅や走査量始点を決定づる。
の小領域を露光する際の偏向器８の最大振幅と走査量始
点は、前記第１図にＪ５いて、説明した様に、材料の該
小領域周辺に設（プられた二つのマークをビーム走査に
より順次位置検出して締定される。即ら、ビーム軸子に
“フィールドの中心が来る様（Ｊステージ１４が移動さ
れ、ＣＰＵ７はビームを各マーク上を走査づる様に偏向
器εいこ指令を与えると同時にカウンタ１２を作動させ
、クロックパルス発生器１１からのクロックパルスをカ
ウントさせる。ビームが各マーク上を通過りる時、反射
電子検出器９からの信号により、カウンタ１２はカラン
１へした値をＣＰＵ ７へ送る。該Ｃｒ−’ ｔＪは該
カウンタからの訓数値に基づいて、各マークの位置から
偏向器の最大振幅や走査量始点を決定づる。
尚、第２図に承り如きマークが＋Ａ石十の小領域の周辺
に設けられている場合もマークｓ、ｔ、ｕの位置をレー
ザ座標系で求め、直線Ｓ［のレーザ測長座標軸Ｘｏの方
向に対する回転誤にを求め、該誤差に対応した励磁信号
を回転用電子１ノンス′１９へ送って、矩形ビーム間の
繋ぎ部でのスレの発／１を防什している。
に設けられている場合もマークｓ、ｔ、ｕの位置をレー
ザ座標系で求め、直線Ｓ［のレーザ測長座標軸Ｘｏの方
向に対する回転誤にを求め、該誤差に対応した励磁信号
を回転用電子１ノンス′１９へ送って、矩形ビーム間の
繋ぎ部でのスレの発／１を防什している。
〔効果）
本発明によれば、多角形ビームを材料−にで・走査して
パターンを描・（際、ビームの繋ぎ部−（ズレか全く発
生しないので、精度の畠いパターン１１１１画が行ねね
る３゜
パターンを描・（際、ビームの繋ぎ部−（ズレか全く発
生しないので、精度の畠いパターン１１１１画が行ねね
る３゜
第１図及び第２図はマークが設（」られた材料を示し、
第３図（よ従来の露光り法の問題点を説明φ−る為のし
の、第４図は本発明の一実施例を示した電子ビーム露光
装置の概略図、第５図はその動作の説明は補２：４る為
に用いＩＣ図である。 １：電子銃、３：孔、４：マスク、６：材料、７：中火
処理装置（ＣＩ’ Ｌ］）、８：偏向器、９：反射電子
検出器、１０：検出回路、１３：括台、１４ニスデージ
、１５Ｘ、１５Ｙ：ミラー、１６：駆動源、１７Ｘ、１
７Ｙ：レーザ測長器、１９：回転用電子レンズ９゜ 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
第３図（よ従来の露光り法の問題点を説明φ−る為のし
の、第４図は本発明の一実施例を示した電子ビーム露光
装置の概略図、第５図はその動作の説明は補２：４る為
に用いＩＣ図である。 １：電子銃、３：孔、４：マスク、６：材料、７：中火
処理装置（ＣＩ’ Ｌ］）、８：偏向器、９：反射電子
検出器、１０：検出回路、１３：括台、１４ニスデージ
、１５Ｘ、１５Ｙ：ミラー、１６：駆動源、１７Ｘ、１
７Ｙ：レーザ測長器、１９：回転用電子レンズ９゜ 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫
Claims (1)
- し・−リ゛１ｌｔｌｌ長系をｆ（？ｉえＩこス１−−シ
に保１ぜｌされた材料上を各辺の方向か前記レーザ測長
系の座標軸のｌ）向に関係づ（ｊられた多角形し−ムで
走査し、所定のパターンを描画する方法（こおい（，４
４料−にに設（ｊられｌ、：少４１りともン個のンータ
夫々を検出し、該−１） ９間を結、Ｓ１線とレーザ
測長系の座標軸の１）向との回φ／ｉ誤差を求め、該誤
差（こ阜づい（多角形ビームを回転さぜｌこことを特徴
とづる伺電ネ＜１子ビーＩ＼露光ＩＪ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009496A JPS59135727A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58009496A JPS59135727A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59135727A true JPS59135727A (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=11721842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58009496A Pending JPS59135727A (ja) | 1983-01-24 | 1983-01-24 | 荷電粒子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59135727A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328379A (en) * | 1977-06-22 | 1978-03-16 | Jeol Ltd | Electron lens device |
| JPS54109382A (en) * | 1978-02-15 | 1979-08-27 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JPS5588328A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method to electron beam |
| JPS5645025A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam lithography apparatus |
| JPS5742128A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Fujitsu Ltd | Exposing method by electron beam |
-
1983
- 1983-01-24 JP JP58009496A patent/JPS59135727A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328379A (en) * | 1977-06-22 | 1978-03-16 | Jeol Ltd | Electron lens device |
| JPS54109382A (en) * | 1978-02-15 | 1979-08-27 | Jeol Ltd | Electron ray exposure |
| JPS5588328A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Exposing method to electron beam |
| JPS5645025A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam lithography apparatus |
| JPS5742128A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Fujitsu Ltd | Exposing method by electron beam |
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