JPS59117174A - 定電圧ダイオ−ド - Google Patents
定電圧ダイオ−ドInfo
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- JPS59117174A JPS59117174A JP23251382A JP23251382A JPS59117174A JP S59117174 A JPS59117174 A JP S59117174A JP 23251382 A JP23251382 A JP 23251382A JP 23251382 A JP23251382 A JP 23251382A JP S59117174 A JPS59117174 A JP S59117174A
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- JP
- Japan
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- diffusion layer
- diffusion
- layer
- region
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002496 gastric effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、定電圧ダイオードに関する。
１発明の技術的背景及びその問題点〕
従来、定電圧ダイオードとに例えば第１図（Ａ）及び同
図（Ｂ）に示す構造のものが使用されている。
図（Ｂ）に示す構造のものが使用されている。
図中１は、ｐ型半導体基板である。半導体基板１の所定
領域には、計理込層２及びｐ＋分離拡散層３で仕切られ
たｎ型不純物領域４が形成されている。この不純物領域
４内には、所定の拡散深さでアノード拡散層５が形成さ
れている。アノード拡散層５内には、所定の拡散深さで
カソード拡散層６が形成されている。而して、このよう
に構成された定電圧ダイオード．仁１は、第１図（Ａ）
及び同図（Ｂ）中斜線にて示す如く、カソード拡散層６
とアノード拡散層５の接合昇面に沿ってブレークダウン
が起き、所ｈ胃炙面領域でもブレークダウンが起きるこ
とになる。その結果、ノイズ発生の原因となる問題があ
った。寸だ、第２図（Ａ）及び同図（Ｂ）に示す如く、
カソード拡散層６′がアノード拡散層５と不純物領域４
の両方に亘って形成された定電圧ダイオードＩ ｏ／の
場合にも、同図中斜線にて示す如く、カソード拡散層６
′とアノード拡散層５の接合界面に沿う役面領域でブレ
ークダウンが起き、ノイズ発生の原因となる問題があっ
た。
領域には、計理込層２及びｐ＋分離拡散層３で仕切られ
たｎ型不純物領域４が形成されている。この不純物領域
４内には、所定の拡散深さでアノード拡散層５が形成さ
れている。アノード拡散層５内には、所定の拡散深さで
カソード拡散層６が形成されている。而して、このよう
に構成された定電圧ダイオード．仁１は、第１図（Ａ）
及び同図（Ｂ）中斜線にて示す如く、カソード拡散層６
とアノード拡散層５の接合昇面に沿ってブレークダウン
が起き、所ｈ胃炙面領域でもブレークダウンが起きるこ
とになる。その結果、ノイズ発生の原因となる問題があ
った。寸だ、第２図（Ａ）及び同図（Ｂ）に示す如く、
カソード拡散層６′がアノード拡散層５と不純物領域４
の両方に亘って形成された定電圧ダイオードＩ ｏ／の
場合にも、同図中斜線にて示す如く、カソード拡散層６
′とアノード拡散層５の接合界面に沿う役面領域でブレ
ークダウンが起き、ノイズ発生の原因となる問題があっ
た。
本発明は、次面でのブレークダウンを阻止１〜で、低ノ
イズ特性を有する定電Ｌトダイオードを捉供することを
その目的とするものである。
イズ特性を有する定電Ｌトダイオードを捉供することを
その目的とするものである。
「発明の概要〕
本発明は、カソード拡散層の直下にこれと接続し、かつ
、アノード拡散層を貫挿する定電圧決定拡散層を設けて
、バルク内でブレークダウンを起こ芒せ、低ノイズ特性
を達成した定電圧ダイオードである。
、アノード拡散層を貫挿する定電圧決定拡散層を設けて
、バルク内でブレークダウンを起こ芒せ、低ノイズ特性
を達成した定電圧ダイオードである。
以ド、本発明の実施例について図面を参照してｉｉ５？
、明する。
、明する。
第３図（Ａ） （／ｉ、本発明の一実施例の平面図、同
図（Ｂ）は、同実施例の断面図である。図中２ Ｌ）は
、ｐ型の半折２体基根である。半導体基板２ｏの所定頭
載にｄｌ、ｎ＋埋込層２ノ及びｐ＋分離拡散層２２１゛
仕切られ／ζｎ型不純物領域２３が形成され−Ｃいる。
図（Ｂ）は、同実施例の断面図である。図中２ Ｌ）は
、ｐ型の半折２体基根である。半導体基板２ｏの所定頭
載にｄｌ、ｎ＋埋込層２ノ及びｐ＋分離拡散層２２１゛
仕切られ／ζｎ型不純物領域２３が形成され−Ｃいる。
、このイ・鈍物領域２３内には、７Ｈｒ１定の拡散深さ
でｐ型のアノード拡散層２４が形成されている。アノー
ド拡散層２４内には、これよりも浅い拡散深へでｎｍの
カソード拡散層２５が形成されている。カソード拡散層
２５の直下には、こ！１と接続してアノード拡散層２４
を■挿して不純物領域２３に達する拡散深さでｐ＋型の
定電圧決定拡散層２６が形成されている。
でｐ型のアノード拡散層２４が形成されている。アノー
ド拡散層２４内には、これよりも浅い拡散深へでｎｍの
カソード拡散層２５が形成されている。カソード拡散層
２５の直下には、こ！１と接続してアノード拡散層２４
を■挿して不純物領域２３に達する拡散深さでｐ＋型の
定電圧決定拡散層２６が形成されている。
このように構成された定電圧ダイオードＬ文によれば、
カソード拡散層２５の直下にこれと接続した定電圧決定
拡散層２６を設けたので、定電圧決定拡散層２６とカソ
ード拡散層２５の接合界面でブレークダウンを起こさせ
、カソード拡ｆｆｒｉ層２ｓの表面領域でブレークダウ
ンが起きるのを阻止することができる。その結果、定電
圧決定拡散層２６の濃度を所定値に設定することによシ
、ｊシ「望の低ノイズ特性全発揮させることができる。
カソード拡散層２５の直下にこれと接続した定電圧決定
拡散層２６を設けたので、定電圧決定拡散層２６とカソ
ード拡散層２５の接合界面でブレークダウンを起こさせ
、カソード拡ｆｆｒｉ層２ｓの表面領域でブレークダウ
ンが起きるのを阻止することができる。その結果、定電
圧決定拡散層２６の濃度を所定値に設定することによシ
、ｊシ「望の低ノイズ特性全発揮させることができる。
以上ｍｌ明した如く、本発明に係る定電圧ダイオードに
よれは、表面でのブレークダウンを阻１］ユし−（低ノ
イズ特性を有するものである。
よれは、表面でのブレークダウンを阻１］ユし−（低ノ
イズ特性を有するものである。
ｍ”１１メＩ （Ａ〕及０・同図（Ｂ）、＊ ２ 図（
Ａ） 及ヒ同図（Ｂ） Ｕ、従来の定型１］−ダイオー
ドにでブレークダウンが起をている部分を示す説明図、
第３図（ＡＪは、本発明の一実施例の平面図、同図（）
ｌ）は、同実施例の酌［面区］である。 ２（パ・・牛轡体基板、２）・・ｎ＋埋込層、２２・・
・畝分子’ｌｉｌ拡散層、２３・・不純物領域、２４・
′アノード拡ＫＪｉ、’ｉ＠ 、２５・カソード拡散層
、２６・定電圧決定拡散層、Ｌコ！・・定電圧ダイオー
ド。
Ａ） 及ヒ同図（Ｂ） Ｕ、従来の定型１］−ダイオー
ドにでブレークダウンが起をている部分を示す説明図、
第３図（ＡＪは、本発明の一実施例の平面図、同図（）
ｌ）は、同実施例の酌［面区］である。 ２（パ・・牛轡体基板、２）・・ｎ＋埋込層、２２・・
・畝分子’ｌｉｌ拡散層、２３・・不純物領域、２４・
′アノード拡ＫＪｉ、’ｉ＠ 、２５・カソード拡散層
、２６・定電圧決定拡散層、Ｌコ！・・定電圧ダイオー
ド。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板の所定領域に、同導電型の高濃度
分離拡散層と反対導電型の埋込層で仕切られ、該半導体
基板と反対導電型の不純物領域と、該不純物領域内に所
定の拡散深さで形成されたアノード拡散層と、該アノー
ド拡散層内に１カ定の拡散深さで形成されたカソード拡
散層と、該カソード拡散層の直下に接続し、かつ前記ア
ノード拡散層を貫挿して前記不純物領域内に達する拡散
深さで形成された前記カソード拡散層と反対導電型の定
電圧決定拡散層とを具備することを特徴とする定電圧ダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23251382A JPS59117174A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 定電圧ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23251382A JPS59117174A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 定電圧ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59117174A true JPS59117174A (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=16940505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23251382A Pending JPS59117174A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 定電圧ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59117174A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492339A2 (en) * | 1990-12-24 | 1992-07-01 | Motorola, Inc. | Noise reduction technique for breakdown diodes |
| US11114572B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-09-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP23251382A patent/JPS59117174A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0492339A2 (en) * | 1990-12-24 | 1992-07-01 | Motorola, Inc. | Noise reduction technique for breakdown diodes |
| US11114572B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-09-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| DE102020115655B4 (de) | 2019-06-20 | 2024-04-25 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauteil und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils |
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