JPS5848471A - ダイオ−ド - Google Patents
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- JPS5848471A JPS5848471A JP14677081A JP14677081A JPS5848471A JP S5848471 A JPS5848471 A JP S5848471A JP 14677081 A JP14677081 A JP 14677081A JP 14677081 A JP14677081 A JP 14677081A JP S5848471 A JPS5848471 A JP S5848471A
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- layer
- diode
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰ”Ｎ層造のプレナダイオードに係り特にＮ層
の表面に浅いＮ一層を形成することにより表面での空乏
層を伸ばして降伏電圧を高めたプレナダイオードに関す
る。
の表面に浅いＮ一層を形成することにより表面での空乏
層を伸ばして降伏電圧を高めたプレナダイオードに関す
る。
第１図（ａ）に従来のＰ”Ｎのプレナダイオードの構造
を示す。低濃度のＮ基板１に、選択的に、ボリンを押し
込みＰ＋層２を形成し、さらに、リンを選択的に押し込
みチャンネルストッパであるＮ＋層３を形成する。接合
表面は酸化膜４で保護されている。この構造のダイオー
ドでは、酸化膜中の正イオンによりＮ層の表面がＮ層化
される傾向にある。この為第１図（ｂ）に示すように空
乏層幅は表面近くで短かくなり、降伏は表面近くで起こ
り、ダイオード本来の降伏電圧より低い電圧で降伏が起
こる。
を示す。低濃度のＮ基板１に、選択的に、ボリンを押し
込みＰ＋層２を形成し、さらに、リンを選択的に押し込
みチャンネルストッパであるＮ＋層３を形成する。接合
表面は酸化膜４で保護されている。この構造のダイオー
ドでは、酸化膜中の正イオンによりＮ層の表面がＮ層化
される傾向にある。この為第１図（ｂ）に示すように空
乏層幅は表面近くで短かくなり、降伏は表面近くで起こ
り、ダイオード本来の降伏電圧より低い電圧で降伏が起
こる。
本発明の目的は、このような欠点のないダイオードを提
供することにある。
供することにある。
本発明の特徴は、 Ｐ”Ｎ構造を有するブレナダイオー
ドにおいて、Ｎ層の表面に浅ｕＮＮ一層を有するダイオ
ードにある。
ドにおいて、Ｎ層の表面に浅ｕＮＮ一層を有するダイオ
ードにある。
以下１図面を用ル１て本舛明の実施例について説明する
。
。
第２図（＆）に本発明実施例によるダイオードを示す。
第１図（＆）のダイオードと同じように、選択的、にＰ
′層とＮ＋＋層を形成した後、イオン注入により、表面
からボーンを注入しＮ一層６を形成するにの後、接合の
表面を酸化膜で保護する。
′層とＮ＋＋層を形成した後、イオン注入により、表面
からボーンを注入しＮ一層６を形成するにの後、接合の
表面を酸化膜で保護する。
本発明によるダイオードによれば、第２図（ｂ）に示す
ように１表面での空乏層を素子の内部よりも伸ばすこと
が可能になり１表面での降伏電圧が高められ、ダイオー
ドの降伏電圧が、 Ｐ”ＮＯ拡散条件によって決定され
、本来の降伏電圧となる。
ように１表面での空乏層を素子の内部よりも伸ばすこと
が可能になり１表面での降伏電圧が高められ、ダイオー
ドの降伏電圧が、 Ｐ”ＮＯ拡散条件によって決定され
、本来の降伏電圧となる。
また他の特性においては、Ｎ′″層に電流が流れやすい
が、この電流が数＃Ａ程度であるので、はとんどＰ＋層
の拡散条件のみによって決定される。
が、この電流が数＃Ａ程度であるので、はとんどＰ＋層
の拡散条件のみによって決定される。
このように、本発明によって従来のダイオードのｌ！Ｉ
特性を変えることなく高耐圧のダイオードを製作するこ
とができる。
特性を変えることなく高耐圧のダイオードを製作するこ
とができる。
また、本発明は第３図に示すＰ＋’ＮＰ＋のプレナトラ
ンジスタにも適応できることは当然である。ざらにＮ”
Ｐダイオード及びＮ”ＰＮ” ）ランジスタに対しては
、リンをイオン注入することにより本発明が適応できる
。
ンジスタにも適応できることは当然である。ざらにＮ”
Ｐダイオード及びＮ”ＰＮ” ）ランジスタに対しては
、リンをイオン注入することにより本発明が適応できる
。
第１ Ｉｆ（ａ）、 （ｂ）は各々従来のプレナダイオ
ードの構造と、空乏層の伸びを示す断面図、第２図（ａ
）。 伽）は各々本発明実施例によるプレナダイオードの構造
と、空乏層の伸びの断面図、第３図はプレナトランジス
タの断面図、である。 なお図において、ｌ・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ＋層、
３°゛・高渦度のＮ＋＋層（チャンネルストッパー）。 ４・・・シリコン酸化１１１５・・・空乏層、６・・・
低濃度のＮ′″層、７・・・ベース、８・・・エミッタ
、９・・・コレクタ、である。 □二二］ ３５６− 恭３ 凹
ードの構造と、空乏層の伸びを示す断面図、第２図（ａ
）。 伽）は各々本発明実施例によるプレナダイオードの構造
と、空乏層の伸びの断面図、第３図はプレナトランジス
タの断面図、である。 なお図において、ｌ・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ＋層、
３°゛・高渦度のＮ＋＋層（チャンネルストッパー）。 ４・・・シリコン酸化１１１５・・・空乏層、６・・・
低濃度のＮ′″層、７・・・ベース、８・・・エミッタ
、９・・・コレクタ、である。 □二二］ ３５６− 恭３ 凹
Claims (1)
- Ｐ”Ｎ層造を有するプレナダイオードにおいてＮ層の表
面に浅いＮ″″層を有することを特徴とす基ダイオード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14677081A JPS5848471A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14677081A JPS5848471A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848471A true JPS5848471A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15415152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14677081A Pending JPS5848471A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848471A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276350A (en) * | 1991-02-07 | 1994-01-04 | National Semiconductor Corporation | Low reverse junction breakdown voltage zener diode for electrostatic discharge protection of integrated circuits |
| WO2007046936A2 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Vishay General Semiconductor, Llc. | P-n junction diode and method of manufacturing the same |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14677081A patent/JPS5848471A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5276350A (en) * | 1991-02-07 | 1994-01-04 | National Semiconductor Corporation | Low reverse junction breakdown voltage zener diode for electrostatic discharge protection of integrated circuits |
| WO2007046936A2 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Vishay General Semiconductor, Llc. | P-n junction diode and method of manufacturing the same |
| WO2007046936A3 (en) * | 2005-10-20 | 2007-07-12 | Vishay General Semiconductor I | P-n junction diode and method of manufacturing the same |
| JP2009513016A (ja) * | 2005-10-20 | 2009-03-26 | ヴィシェイ ジェネラル セミコンダクター，エルエルシー | ブランケットインプラントダイオード |
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