JPS5896060A - β‐ラクタム誘導体の製造法 - Google Patents
β‐ラクタム誘導体の製造法Info
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- JPS5896060A JPS5896060A JP56193947A JP19394781A JPS5896060A JP S5896060 A JPS5896060 A JP S5896060A JP 56193947 A JP56193947 A JP 56193947A JP 19394781 A JP19394781 A JP 19394781A JP S5896060 A JPS5896060 A JP S5896060A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、4−カルボキシルアゼチジン−2−オン誘導
体を四酢酸鉛と反応させることにより一カルボキシル基
をアセチルオキシ基に変換し4−アセチルオキシ−アゼ
チジン−2−オン誘導体の製造法に関する。
体を四酢酸鉛と反応させることにより一カルボキシル基
をアセチルオキシ基に変換し4−アセチルオキシ−アゼ
チジン−2−オン誘導体の製造法に関する。
従来、4−7セチルオキシ一アゼ升シソー2オン誘導体
の製造法としては一二、三の方法が知られているが、そ
れらの方法においては、一般に収率も高くなく、原料入
手あるいは取扱いが困難である等各々種々の難点を有し
ている6本発明者らはより広範囲に応用することができ
、かつ、操作が容易なまた、その原料の入手カ容易な4
−アセチルオキシアゼチジ゛ノー2−オン銹導体の新し
い製造法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、4−カル
ボキシルアゼチジン−2−オン誘導体を西酢酸鉛と反応
させることによって、目的を達しうることを見出し本発
明を完成した。
の製造法としては一二、三の方法が知られているが、そ
れらの方法においては、一般に収率も高くなく、原料入
手あるいは取扱いが困難である等各々種々の難点を有し
ている6本発明者らはより広範囲に応用することができ
、かつ、操作が容易なまた、その原料の入手カ容易な4
−アセチルオキシアゼチジ゛ノー2−オン銹導体の新し
い製造法を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、4−カル
ボキシルアゼチジン−2−オン誘導体を西酢酸鉛と反応
させることによって、目的を達しうることを見出し本発
明を完成した。
炭素−炭素結合を切断し、4−カルボキシル基を4−ア
セチルオキシ基に変換する方法により4−アセチルオキ
シアゼチジン−2−オン誘導体を製造することは、いま
までに類例がない新規な方法である。
セチルオキシ基に変換する方法により4−アセチルオキ
シアゼチジン−2−オン誘導体を製造することは、いま
までに類例がない新規な方法である。
本願発明の製造法は、
β−ラクタム環の4位にカルボキシル基を有する誘導体
である4−カルボキシルアゼチジン−2−オン誘導体を
四酢酸鉛と不活性溶媒中反応させて実施することができ
る。また必要ならば反応補助剤を加えることができる。
である4−カルボキシルアゼチジン−2−オン誘導体を
四酢酸鉛と不活性溶媒中反応させて実施することができ
る。また必要ならば反応補助剤を加えることができる。
反応に使用される不活性溶媒としては−アセトニトリル
等のフルキルニトリル、ジメチルス肪酸類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の脂肪酸ジアルキ
ルアミド類、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン等の
芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化炭素等のハロ
ゲン系炭化水素類、ピリジン、2−6−ルチジン等のピ
リジン類及びこれらの混合溶媒が好適であるが、ジオキ
サン、ジエチルエーテル、エチレングライコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングライコールジメチルエーテル
等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル
類などの各種溶媒も合わせて用いることができる。
等のフルキルニトリル、ジメチルス肪酸類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等の脂肪酸ジアルキ
ルアミド類、ベンゼン、クロルベンゼン、トルエン等の
芳香族炭化水素類、クロロホルム、四塩化炭素等のハロ
ゲン系炭化水素類、ピリジン、2−6−ルチジン等のピ
リジン類及びこれらの混合溶媒が好適であるが、ジオキ
サン、ジエチルエーテル、エチレングライコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングライコールジメチルエーテル
等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル
類などの各種溶媒も合わせて用いることができる。
反応補助剤としては、酢酸リチウム、酢酸ナトリウム、
酢酸カリウム、酢酸第一銅、酢酸第二銅等の酢酸金属塩
あるいはその混合物が好適であるが各種金属塩を用いる
ことも可能である。
酢酸カリウム、酢酸第一銅、酢酸第二銅等の酢酸金属塩
あるいはその混合物が好適であるが各種金属塩を用いる
ことも可能である。
またピリジン、トリエチルアミン等の各種有機塩基も用
いることができる。
いることができる。
四酢酸鉛は、通常4−カルボキシルアゼチジン−2−オ
ン誘導体に対して当モルもしくは轟1)開口U 5B−
9GOGO(2) モル以上の量を用いることが望ましい6反応補助剤を用
いる場倉、その量は特に制限はないが、有機化学的手段
により、反応混合物より取り出すことができる。
ン誘導体に対して当モルもしくは轟1)開口U 5B−
9GOGO(2) モル以上の量を用いることが望ましい6反応補助剤を用
いる場倉、その量は特に制限はないが、有機化学的手段
により、反応混合物より取り出すことができる。
本発明方法によれば抗菌作用を有する医薬として有用な
各種シングル−β−ラクタム誘導体、ビサイクリックβ
−ラクタム誘導体の製造に際し一優れた合成中間体とな
る4−アセチルオキシアゼチジン−2−オン誘導体をカ
ルボキシル基を4位の置換基として有しているアゼナジ
−2−オン誘導体から容易に得ることができる。
各種シングル−β−ラクタム誘導体、ビサイクリックβ
−ラクタム誘導体の製造に際し一優れた合成中間体とな
る4−アセチルオキシアゼチジン−2−オン誘導体をカ
ルボキシル基を4位の置換基として有しているアゼナジ
−2−オン誘導体から容易に得ることができる。
原料アゼチジン−2−オン誘導体が各種置換基を有して
いる場合においても、水洗によれば相当する4−アセチ
ルオキシ−アゼナジ−2−オン誘導体を製造することが
できる。
いる場合においても、水洗によれば相当する4−アセチ
ルオキシ−アゼナジ−2−オン誘導体を製造することが
できる。
たとえば一本発明方法によれば一般式(■)〔式中、R
1,R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル
基、水酸基もしくは通常の保護基で保護された水酸基で
置換された低級アルキル基、アリールスルホニル基等を
示し、R3は水素原子モノあるいはジアリールメチル基
を示す。〕 で表わされるβ−ラクタム誘導体から一般式(n)〔式
中、R1、R2、Raは前述と同じ意味を有する。〕 で表わされる4−アセチルオキシアゼチジン−2−オン
誘導体を製造することができる。
1,R2は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル
基、水酸基もしくは通常の保護基で保護された水酸基で
置換された低級アルキル基、アリールスルホニル基等を
示し、R3は水素原子モノあるいはジアリールメチル基
を示す。〕 で表わされるβ−ラクタム誘導体から一般式(n)〔式
中、R1、R2、Raは前述と同じ意味を有する。〕 で表わされる4−アセチルオキシアゼチジン−2−オン
誘導体を製造することができる。
前記式におけるR1.Rli、R3を詳細に述べるとR
1,R2は水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基等の低級アルキル
基、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、n−
ブテニル基等の低級アル(5) ケニル基、ヒドロキシメチル基、1′−ヒドロキシエチ
ル、1′−ヒドロキシプロピル基、i’−ヒドロキシイ
ソプロピル1等水酸基あるいはその水酸基が一般的な保
護基により保護された水酸基で置換された低級アルキル
基、ベンゼンスルホニル基等アリールスルホニル基を示
し、現は水素原子、ベンジル基、p−メトキシベンジル
基、2.4−ジメトキレベンジル基、ジフェニルメチル
基、ジフェニルメチル基等、モノあるいはジアリールメ
チル基等を示す。
1,R2は水素原子、メチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基等の低級アルキル
基、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、n−
ブテニル基等の低級アル(5) ケニル基、ヒドロキシメチル基、1′−ヒドロキシエチ
ル、1′−ヒドロキシプロピル基、i’−ヒドロキシイ
ソプロピル1等水酸基あるいはその水酸基が一般的な保
護基により保護された水酸基で置換された低級アルキル
基、ベンゼンスルホニル基等アリールスルホニル基を示
し、現は水素原子、ベンジル基、p−メトキシベンジル
基、2.4−ジメトキレベンジル基、ジフェニルメチル
基、ジフェニルメチル基等、モノあるいはジアリールメ
チル基等を示す。
水酸基の保護基としては好適にはエチルオキシカルボニ
ル基、t e r t−ブチルオキシカルボニル基のよ
うな低級アルコキレカルボニル基2゜2.2−トリクロ
ロエチルオキシカルボニル基、2−ヨウ化エチルオキシ
カルボニル基のようなハロゲン化アルキルオキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基、p−メトキシベ
ンジルカルボニル基、0−ニトロベンジルカルボニル基
、p−ニトロベンジルオキシカルボニル基のようなアラ
ルキルオキシカルボニル基、ホル(6) ミル基、アせチル基のような低級アルキルカルボニル基
、クロロアセチル基のようなハロゲン化アセチルカルボ
ニル基、tθrt−ブチルジメシ チルAリル基のようなトリアルキルシリル基が挙げられ
る。
ル基、t e r t−ブチルオキシカルボニル基のよ
うな低級アルコキレカルボニル基2゜2.2−トリクロ
ロエチルオキシカルボニル基、2−ヨウ化エチルオキシ
カルボニル基のようなハロゲン化アルキルオキシカルボ
ニル基、ベンジルオキシカルボニル基、p−メトキシベ
ンジルカルボニル基、0−ニトロベンジルカルボニル基
、p−ニトロベンジルオキシカルボニル基のようなアラ
ルキルオキシカルボニル基、ホル(6) ミル基、アせチル基のような低級アルキルカルボニル基
、クロロアセチル基のようなハロゲン化アセチルカルボ
ニル基、tθrt−ブチルジメシ チルAリル基のようなトリアルキルシリル基が挙げられ
る。
また水沫は、光学活性な原料アゼチジン−2−オン誘導
体から光学活性4−アセチルオキシアゼチジン−2−オ
ン誘導体の製造にも有効に用いることができる。
体から光学活性4−アセチルオキシアゼチジン−2−オ
ン誘導体の製造にも有効に用いることができる。
以上述べた如く、本発明方法は、新規かつ簡便なる4−
アセチルオキシ−アゼチジン−2−オン誘導体の製造法
を提供するものである。
アセチルオキシ−アゼチジン−2−オン誘導体の製造法
を提供するものである。
なお、前述の原料アゼチジノン誘導体(■)゛は、たと
えば、下記一連の誘導体を経る製造方法によって製造す
ることができる。
えば、下記一連の誘導体を経る製造方法によって製造す
ることができる。
拘
(di (e)(f)
〔式中、R4は水素原子、メチル基、エチル基等の低級
アルキル基を、現は前述の均で述べたと同様のモノある
いはジアリールメチル基を示し、R11はメチル基、エ
チル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、t−ブチル基等の低級アルキル基あるいは、R3で
述べたと同様のモノあるいはジアリールメチル基を示す
、〕 (1) 工 程: グリオキシル酸のエステル篩導体と一級アミン誘導体か
ら公知の方法により導びいたシッフ塩基(b)を塩化ク
ロトノイルで不活性溶媒中、塩基の存在下処理すること
によって、β−ラクタム化合物(C)を製造することが
できる。
アルキル基を、現は前述の均で述べたと同様のモノある
いはジアリールメチル基を示し、R11はメチル基、エ
チル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、t−ブチル基等の低級アルキル基あるいは、R3で
述べたと同様のモノあるいはジアリールメチル基を示す
、〕 (1) 工 程: グリオキシル酸のエステル篩導体と一級アミン誘導体か
ら公知の方法により導びいたシッフ塩基(b)を塩化ク
ロトノイルで不活性溶媒中、塩基の存在下処理すること
によって、β−ラクタム化合物(C)を製造することが
できる。
不活性溶媒としては各種の溶媒を用いることが可能であ
るが一好適には塩化メチレン−クロロホルム等ハロゲン
化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン等芳香族炭化水
素系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラハイ
ドロ7ラン等エーテル系溶媒、あるいはその混合溶媒を
あげることができる。塩基としては、好適には、トリエ
チルアミソーピリジン、ルチジン、1.5−ジアザビシ
クロ(5,4゜0〕ウンデセン−5(DBU)等有機塩
基をあげることができる。好適な反応温度としては、0
〜100℃であるということができる。
るが一好適には塩化メチレン−クロロホルム等ハロゲン
化炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン等芳香族炭化水
素系溶媒、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラハイ
ドロ7ラン等エーテル系溶媒、あるいはその混合溶媒を
あげることができる。塩基としては、好適には、トリエ
チルアミソーピリジン、ルチジン、1.5−ジアザビシ
クロ(5,4゜0〕ウンデセン−5(DBU)等有機塩
基をあげることができる。好適な反応温度としては、0
〜100℃であるということができる。
(9)
(2)工 程:
β−ラクタム化合物(0)のエステル基を酸あるいはア
ルカリで加水分解することによってカルボン酸誘導体(
(1)に導くことができる。エステル基のカルボン酸へ
のその他公知方法として各種の態様が知られているが、
もちろんそれらの方法によっても本反応を達成すること
は可能である。
ルカリで加水分解することによってカルボン酸誘導体(
(1)に導くことができる。エステル基のカルボン酸へ
のその他公知方法として各種の態様が知られているが、
もちろんそれらの方法によっても本反応を達成すること
は可能である。
(8) 工 程:
β−ラクタム化合物(a)の二重結合を、たとえば64
あるいは10係パラジウム−チャコール、酸化白金等の
水添触媒存在下水素ガスとの接触還元法によりβ−ラク
タム誘導体(e)へ導びくことかできる。
あるいは10係パラジウム−チャコール、酸化白金等の
水添触媒存在下水素ガスとの接触還元法によりβ−ラク
タム誘導体(e)へ導びくことかできる。
(4)工 程:
カルボン酸誘導体((1)のオキレマーキュレーション
ー脱7−4 ユL/イi7 ヨン(0K7In8rcu
rationdθmercuration react
ion )反応によりヒドロキレ誘導体(f)へ導ひ
くことができる。
ー脱7−4 ユL/イi7 ヨン(0K7In8rcu
rationdθmercuration react
ion )反応によりヒドロキレ誘導体(f)へ導ひ
くことができる。
その方法としては、たとえば化合物(d)を不(I O
’+ 活性溶媒中、酢酢第二水銀ついで水素化ナトリウムで処
理することによって、ヒドロキシエチル誘導体(f)に
導くことができる。不活性溶媒としては各種溶媒を用い
ることが、好適にはテトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジエチルエーテル、アセトニトリル、水、あるいはその
混合溶媒をあげることができる。酢酸第二水銀処理にお
いては、酸化剤の好適量としては、1〜2倍モルであり
−その好適温度としは0〜100℃ということができる
。次に還元工程は上記反応液に水素化ホウ素ナトリウム
を水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属の存在下、
加えることにより達成することができる。
’+ 活性溶媒中、酢酢第二水銀ついで水素化ナトリウムで処
理することによって、ヒドロキシエチル誘導体(f)に
導くことができる。不活性溶媒としては各種溶媒を用い
ることが、好適にはテトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジエチルエーテル、アセトニトリル、水、あるいはその
混合溶媒をあげることができる。酢酸第二水銀処理にお
いては、酸化剤の好適量としては、1〜2倍モルであり
−その好適温度としは0〜100℃ということができる
。次に還元工程は上記反応液に水素化ホウ素ナトリウム
を水酸化ナトリウム等の水酸化アルカリ金属の存在下、
加えることにより達成することができる。
還元剤の好適量としては174〜5倍モルということが
でき、好適温度は一10℃〜40℃ということができる
。またアルカリ添加はアルカリ水溶液として、あるいは
粉末状にて加えることができ、好適添加量は1/2〜5
倍モルといえる。
でき、好適温度は一10℃〜40℃ということができる
。またアルカリ添加はアルカリ水溶液として、あるいは
粉末状にて加えることができ、好適添加量は1/2〜5
倍モルといえる。
するが一本発明はもちろんこれらによってなんら限定さ
れるものではない。
れるものではない。
〔参考例1〕
CH3
ジ−p−アユシルメチルアミソ(1ot)とn−ブチル
グリオキレレート(7,8?)からトルエン共沸脱水に
よりシック塩基を作りそのトルエン溶液(約6ootn
t)に、トリエチルアミン(6,2f)を加え、塩化ク
ロトノイル(5,1t)をトルエン(25tnt)に溶
解した液を70℃で約1時間かけて滴下し、そのまま2
時間攪拌した。冷却後、水洗、2N−塩酸洗い、重ソウ
水洗い、水洗、芒硝乾燥、濃縮後−シリカゲルクロマト
によりl−(ジーp−アニソルメチル)−8−エチニル
−4−n−ブチルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
を得た。
グリオキレレート(7,8?)からトルエン共沸脱水に
よりシック塩基を作りそのトルエン溶液(約6ootn
t)に、トリエチルアミン(6,2f)を加え、塩化ク
ロトノイル(5,1t)をトルエン(25tnt)に溶
解した液を70℃で約1時間かけて滴下し、そのまま2
時間攪拌した。冷却後、水洗、2N−塩酸洗い、重ソウ
水洗い、水洗、芒硝乾燥、濃縮後−シリカゲルクロマト
によりl−(ジーp−アニソルメチル)−8−エチニル
−4−n−ブチルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
を得た。
980、825
NMRB(CDCl2 ): 0,87(8H,br、
t、 J=5 )、1.0〜1.7(4H,ml、8.
78 (6H、s )、5.1〜5.8 (OH,m)
、5.77(IH,5)1−(ジ−p−アユシルメチル
)−8−イソプロペニル−4−n −ブチルカルボキシ
ル−アゼチジン−2−オンも塩化クロトノイルの代かわ
りに、β−メチル塩化クロトノイルを用いることにより
、同様に得ることができた。
t、 J=5 )、1.0〜1.7(4H,ml、8.
78 (6H、s )、5.1〜5.8 (OH,m)
、5.77(IH,5)1−(ジ−p−アユシルメチル
)−8−イソプロペニル−4−n −ブチルカルボキシ
ル−アゼチジン−2−オンも塩化クロトノイルの代かわ
りに、β−メチル塩化クロトノイルを用いることにより
、同様に得ることができた。
110g、1025.820゜
(1B)
NMRδ(CDC13) : Q、88(8H,t J
=6H2)、1.72(8H、brod s)8.78
(6H,s)、4.00 (2kl 、t、r=6Hz
1゜5.05(2H,mL 5.78(IH,s )、
p、 p、 m〔参考例2〕 n−ブチルエステル誘導体(0,5t)をIN −Na
OH水溶液(1,2mg)−テトラヒドロフラン(15
mg)−メタノール(15td)に溶かし、2時間室温
で攪拌した。2N−塩酸(0,’1mj)を加え、約1
/4に濃縮後水を加えエーテル抽出し、アルカリ水で再
抽出後、水層を再抽出した。水層を塩酸酸性にもとし一
エーテル抽出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去により/−(
ジ−p−アユシルメチル)−8−エテニル−4−カルボ
キレルーアゼチジン−(14) 2−オンを得た。
=6H2)、1.72(8H、brod s)8.78
(6H,s)、4.00 (2kl 、t、r=6Hz
1゜5.05(2H,mL 5.78(IH,s )、
p、 p、 m〔参考例2〕 n−ブチルエステル誘導体(0,5t)をIN −Na
OH水溶液(1,2mg)−テトラヒドロフラン(15
mg)−メタノール(15td)に溶かし、2時間室温
で攪拌した。2N−塩酸(0,’1mj)を加え、約1
/4に濃縮後水を加えエーテル抽出し、アルカリ水で再
抽出後、水層を再抽出した。水層を塩酸酸性にもとし一
エーテル抽出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去により/−(
ジ−p−アユシルメチル)−8−エテニル−4−カルボ
キレルーアゼチジン−(14) 2−オンを得た。
1109,1027.828
NMR6(CDcl−3) ; 3.3Q((3H,
s)、5.1〜5.9 (all、l1l)、5.88
(lJs)、8.64(IH,8)(DAMニジ−p−
アニシルメチル基)1−(ジ−p−アユシルメチル)−
8−イソプロペニル−4−カルボキシル−アゼチジン−
2−オンも対応するn−ブチルエステル誘導体より同様
にして得ることができた。
s)、5.1〜5.9 (all、l1l)、5.88
(lJs)、8.64(IH,8)(DAMニジ−p−
アニシルメチル基)1−(ジ−p−アユシルメチル)−
8−イソプロペニル−4−カルボキシル−アゼチジン−
2−オンも対応するn−ブチルエステル誘導体より同様
にして得ることができた。
1240.1175,1080.896.725NMR
a(CDCl2): 1,77(3H,broaa s
)、8.75(6H,s)、5.00(2℃m)、5
.80(IH,S 1.8.67(IH,’br、 s
)p、p、m〔参考例3〕 n引 工f = ルn導体(1,O? )をテトラヒドロフラ
ン(8,84)に溶解し、水(2,0d)と酢酸第二水
銀(o、9t)を加え、8時間加熱還流した。IN −
N a 011水(7,2ml)を0℃で加え、水素化
ホウ素ナトリウム(0,1t)をlN−Na0EI 水
(l−)に溶解した液を滴下し、同温度で5〜6分間攪
拌後5N−HCzで中和し、エーテルを加えて、セライ
ト沖過した。エーテル抽出、飽和食塩水洗浄−芒硝乾燥
溶媒留去、シリカゲルクロマトにより一1−(ジ−p−
アユシルメチル)8−(1−ヒドロキシエチル)−4−
カルボキシル−アセチジノ−2−オンを得た。
a(CDCl2): 1,77(3H,broaa s
)、8.75(6H,s)、5.00(2℃m)、5
.80(IH,S 1.8.67(IH,’br、 s
)p、p、m〔参考例3〕 n引 工f = ルn導体(1,O? )をテトラヒドロフラ
ン(8,84)に溶解し、水(2,0d)と酢酸第二水
銀(o、9t)を加え、8時間加熱還流した。IN −
N a 011水(7,2ml)を0℃で加え、水素化
ホウ素ナトリウム(0,1t)をlN−Na0EI 水
(l−)に溶解した液を滴下し、同温度で5〜6分間攪
拌後5N−HCzで中和し、エーテルを加えて、セライ
ト沖過した。エーテル抽出、飽和食塩水洗浄−芒硝乾燥
溶媒留去、シリカゲルクロマトにより一1−(ジ−p−
アユシルメチル)8−(1−ヒドロキシエチル)−4−
カルボキシル−アセチジノ−2−オンを得た。
1250.1177.1080.883NMRa(CD
Cl2): 1,22(aH,dJ=6H2)、8.
18(IH,18,72(611,13)、4.10(
LH,(iJ=2H2L5.75(IH,8’1. p
、 p、 m。
Cl2): 1,22(aH,dJ=6H2)、8.
18(IH,18,72(611,13)、4.10(
LH,(iJ=2H2L5.75(IH,8’1. p
、 p、 m。
C目J
1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒドロキ
シtイソプロピル)−4−カルボキシル−アゼチジン−
2−オンは対応スる8−イソプロペニル誘導体より同様
にして得ることができた。
シtイソプロピル)−4−カルボキシル−アゼチジン−
2−オンは対応スる8−イソプロペニル誘導体より同様
にして得ることができた。
1180.1145,1040.968 、860゜8
15゜ NMRa(C2DeBO): 1.17(6H,dJ=
6Hz)、2.95(IH、flJ=2H2)、8.7
0(6H,s)、8.87 (LH、dJ=2Hz″L
、5.60(IH,e)p、 p、 m。
15゜ NMRa(C2DeBO): 1.17(6H,dJ=
6Hz)、2.95(IH、flJ=2H2)、8.7
0(6H,s)、8.87 (LH、dJ=2Hz″L
、5.60(IH,e)p、 p、 m。
(17)
〔参考例4〕
1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
カルボキシル−アゼチジン−2−オン(0,49)をエ
タノール(6−)に溶解し、10優pa−カーボ′ノ(
40■)を加え、水素気流下、常温で、2時間攪拌後、
沖遇し、溶媒留去することにより−1−(ジ−p−アユ
シルメチル)−8−エチル−4−カルボキシル−アゼチ
ジン−2−オンを定量的に得た。
カルボキシル−アゼチジン−2−オン(0,49)をエ
タノール(6−)に溶解し、10優pa−カーボ′ノ(
40■)を加え、水素気流下、常温で、2時間攪拌後、
沖遇し、溶媒留去することにより−1−(ジ−p−アユ
シルメチル)−8−エチル−4−カルボキシル−アゼチ
ジン−2−オンを定量的に得た。
1028、828゜
NMRa(CDC13): Q、98(8H,tJ=7
H1〜1.70(2H,m)3.15(IH,at J
=2&7H2)、8.64(IH,cl、J=2Hz’
l、8.75(6H,θ)、5.75 (lH、s )
、7.68(IH,broacl s)p、p、m(1
8) 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−イソプロピル−
4−カルボキシル−アゼチジン−2−オンは対応する8
−イソプロペニル誘導体より、同様にして得ることがで
きた。
H1〜1.70(2H,m)3.15(IH,at J
=2&7H2)、8.64(IH,cl、J=2Hz’
l、8.75(6H,θ)、5.75 (lH、s )
、7.68(IH,broacl s)p、p、m(1
8) 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−イソプロピル−
4−カルボキシル−アゼチジン−2−オンは対応する8
−イソプロペニル誘導体より、同様にして得ることがで
きた。
CHCも
工R(cWt−1): 8a60,1740,1508
.1800.1240゜ax 1170.1G25.828. ′NMRa(
cDcLa): Q、95(8H,a、T6H2)、1
.95(8JaJ=(%H2)〜1.97(IH,m)
、8.02(IH、aay=2J 8H2)−8,72
(6H、s )6.72(IH,s)、7.98 (I
H、broaa s )p、p、m〔参考例5〕 a) 1−(シーp−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
カルボキシル−アゼデジソー2−オシ(10t)をジメ
チルホルムアミド(50mj)に溶解し、トリエチルア
ミン(B、80t)p−メトキレベンジルクロライド(
5,12F)を加えた。70℃、20時間攪拌後、酢エ
チ希釈後、水洗、2N−塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶
液で順次洗浄し、芒硝乾燥、溶媒留去後シリカゲルカラ
ムクロマトにより1−(ジ−p−アユシルメチル)−8
−エチニル−4−Tl−メトキシベンジルカルボキシル
ーアゼチジ−2−オンヲ得り。
.1800.1240゜ax 1170.1G25.828. ′NMRa(
cDcLa): Q、95(8H,a、T6H2)、1
.95(8JaJ=(%H2)〜1.97(IH,m)
、8.02(IH、aay=2J 8H2)−8,72
(6H、s )6.72(IH,s)、7.98 (I
H、broaa s )p、p、m〔参考例5〕 a) 1−(シーp−アユシルメチル)−8−エチニル−4−
カルボキシル−アゼデジソー2−オシ(10t)をジメ
チルホルムアミド(50mj)に溶解し、トリエチルア
ミン(B、80t)p−メトキレベンジルクロライド(
5,12F)を加えた。70℃、20時間攪拌後、酢エ
チ希釈後、水洗、2N−塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶
液で順次洗浄し、芒硝乾燥、溶媒留去後シリカゲルカラ
ムクロマトにより1−(ジ−p−アユシルメチル)−8
−エチニル−4−Tl−メトキシベンジルカルボキシル
ーアゼチジ−2−オンヲ得り。
1170.1027.822.75O
NMRδ(CDC6a): 8.T2(BH,e 1−
8.75(6H,s )4.813(2H,s)、5.
1〜6.0 (8H,m)、5.78 (IH、s )
−p、 p、 m。
8.75(6H,s )4.813(2H,s)、5.
1〜6.0 (8H,m)、5.78 (IH、s )
−p、 p、 m。
1−(ジーp −7ニシルメチル)−8−エチニル−4
−p−メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2
−オン(lOt)をテトラヒドロフラン(40mA’i
と水(20m)に溶解し、酢酸第二水銀(6,6y)を
加え、室温で5時間攪拌後、水冷下N−水酸化ナトリウ
ム(40ml)−水素化ホウ素ナトリウム(0,78f
)のN−水酸化ナトリウム溶液(2m)を加えて攪拌後
、2N−塩酸(25−)を加えた。沈殿物を枦去し、エ
ーテル抽出、水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し
、芒硝乾燥、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトに
より、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒ
ドロキシエチル)−4−1)−メトキシベンジルカルボ
キシルーア(21) ゼチジンー2−オンを得た。
−p−メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2
−オン(lOt)をテトラヒドロフラン(40mA’i
と水(20m)に溶解し、酢酸第二水銀(6,6y)を
加え、室温で5時間攪拌後、水冷下N−水酸化ナトリウ
ム(40ml)−水素化ホウ素ナトリウム(0,78f
)のN−水酸化ナトリウム溶液(2m)を加えて攪拌後
、2N−塩酸(25−)を加えた。沈殿物を枦去し、エ
ーテル抽出、水洗、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し
、芒硝乾燥、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトに
より、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒ
ドロキシエチル)−4−1)−メトキシベンジルカルボ
キシルーア(21) ゼチジンー2−オンを得た。
1175.10B2.824゜
NMRa(CD(Aal :1.17(8H,aJ=6
H1,8,18(IH,(LtlJ=2.278.4H
2)、8.711(8H、a )、8.76(IIJθ
)、8.84(8H,s)、4.12(lH,dJ’=
2.2H2)、4.88(2)1 、s )、5.82
(IH,s)、p、p、m。
H1,8,18(IH,(LtlJ=2.278.4H
2)、8.711(8H、a )、8.76(IIJθ
)、8.84(8H,s)、4.12(lH,dJ’=
2.2H2)、4.88(2)1 、s )、5.82
(IH,s)、p、p、m。
C)
Of)AM ODAM
l−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−とドロキ
シエチル)−4−];)−メトキシベンジルカルボ【シ
ル−アゼチジン−2−オン(4,5f)の塩化メチレン
(25td )溶液に、4−N、N−ジメチルアミノピ
リジン(1,81?)を加え、氷冷ド、p−ニトロベン
シルク(22) メ ロロホルソート(2,81f)の塩化メチレン(20t
xt)溶液を滴下し、2時間攪拌した。
シエチル)−4−];)−メトキシベンジルカルボ【シ
ル−アゼチジン−2−オン(4,5f)の塩化メチレン
(25td )溶液に、4−N、N−ジメチルアミノピ
リジン(1,81?)を加え、氷冷ド、p−ニトロベン
シルク(22) メ ロロホルソート(2,81f)の塩化メチレン(20t
xt)溶液を滴下し、2時間攪拌した。
酢酸エチルで反応液を希釈し、2N−塩酸で洗浄後、芒
硝乾燥、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトにより
、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−p−二
トロペンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−p
メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
を得た。
硝乾燥、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトにより
、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−p−二
トロペンジルオキシカルボニルオキシエチル)−4−p
メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
を得た。
1080、847゜
NMRJ(CDC13): 1.98(3H,dJ=7
Hz)、8.82 (IH、(ldJ=8 & 7H1
! Li2O(8H,s )−8,78(8Hs )、
8、’l’1(8H,el、4.10 (IH、dJ=
8H2)−4,87(2H,s)、5.18(2H,8
℃5.78(IH,s)、p、 p、 m。
Hz)、8.82 (IH、(ldJ=8 & 7H1
! Li2O(8H,s )−8,78(8Hs )、
8、’l’1(8H,el、4.10 (IH、dJ=
8H2)−4,87(2H,s)、5.18(2H,8
℃5.78(IH,s)、p、 p、 m。
1−(:)−p−アニシルメチル)−8−(ip−二ト
ロベンジルオキレカルボニルオキシエチル)−4−p−
メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
(0,64t)にアニソール(0,4Bf)、トリフル
オロ酢酸(1,2mj)を加えて40℃20時間攪拌し
た。濃縮後、酢酸エチルで希釈水洗、芒硝乾燥、溶媒留
去後、シリカゲルカラムクロマトにより、1−(ジ−p
−アユシルメチル)−B−(1−p−二トロペンジルオ
キシ力ルポニルオキシエチル)−4−カルボキクルーア
ゼチジン−2−オンを得た。
ロベンジルオキレカルボニルオキシエチル)−4−p−
メトキシベンジルカルボキシル−アゼチジン−2−オン
(0,64t)にアニソール(0,4Bf)、トリフル
オロ酢酸(1,2mj)を加えて40℃20時間攪拌し
た。濃縮後、酢酸エチルで希釈水洗、芒硝乾燥、溶媒留
去後、シリカゲルカラムクロマトにより、1−(ジ−p
−アユシルメチル)−B−(1−p−二トロペンジルオ
キシ力ルポニルオキシエチル)−4−カルボキクルーア
ゼチジン−2−オンを得た。
1016、850゜
NMRB(CD32BO): 1,38(3H,dJ
=7Hり、8.40(IH,cldJ=2j 6H2)
、8.95(LH,1iJ=2Hz)、5.28(2H
,s)、7.57 (2H、aJ=9Hz 1.8.1
7(2H,(LJ=9Hz )p、p、m。
=7Hり、8.40(IH,cldJ=2j 6H2)
、8.95(LH,1iJ=2Hz)、5.28(2H
,s)、7.57 (2H、aJ=9Hz 1.8.1
7(2H,(LJ=9Hz )p、p、m。
〔実施例1〕
1
00H30CH3
力ルボン酸誘導体(1,59)をジメチルホルムアミド
(7,5mA)に溶解後、酢酸カリ(0,8?)を加え
、室温攪拌下−1酢酸鉛(2,17f)を数回に分けて
加え、1時間室温で攪拌した。水を加え、酢酸エチル抽
出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルクロマトに
より、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル
−4−アセトキシーアゼチジ(25) シー2−オンを得た。
(7,5mA)に溶解後、酢酸カリ(0,8?)を加え
、室温攪拌下−1酢酸鉛(2,17f)を数回に分けて
加え、1時間室温で攪拌した。水を加え、酢酸エチル抽
出、水洗、芒硝乾燥、溶媒留去、シリカゲルクロマトに
より、1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−エチニル
−4−アセトキシーアゼチジ(25) シー2−オンを得た。
1024、974.928
NMRa(CDCLa): 1.90(8H,s)、
8.79(6H,a)、5.74(IH,br、s )
、5.91(II(,8)〔実施例2〕 1−(ジ−p−アユクルメチル)−8−(1−ヒrロキ
シエチル)−4−カルボキシル−アゼチリソー2−オン
(4,Of)をジメチルホルムアE I’ (20ml
)に溶解し、酢酸カリウム(1,Of)を加え一40
℃に加温攪拌下、1酢酸鉛(5,8?)を数回に分けで
加え一1時間攪拌した。エチ1/ングリコールを加えて
数分攪拌後、飽和食塩水と酢酸エチルを加えt過ついで
酢エチ抽出、水洗、芒硝乾燥、溶(26) 媒留去シリカゲルクロマトにより、 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8(/−ヒドロキシ
エチル)−4−アセトキシ−アゼチジン−2−オン(8
,28?)を得た。
8.79(6H,a)、5.74(IH,br、s )
、5.91(II(,8)〔実施例2〕 1−(ジ−p−アユクルメチル)−8−(1−ヒrロキ
シエチル)−4−カルボキシル−アゼチリソー2−オン
(4,Of)をジメチルホルムアE I’ (20ml
)に溶解し、酢酸カリウム(1,Of)を加え一40
℃に加温攪拌下、1酢酸鉛(5,8?)を数回に分けで
加え一1時間攪拌した。エチ1/ングリコールを加えて
数分攪拌後、飽和食塩水と酢酸エチルを加えt過ついで
酢エチ抽出、水洗、芒硝乾燥、溶(26) 媒留去シリカゲルクロマトにより、 1−(ジ−p−アユシルメチル)−8(/−ヒドロキシ
エチル)−4−アセトキシ−アゼチジン−2−オン(8
,28?)を得た。
1028、958
NMRa(cDct3): 1.26(8H,dJ=6
.5Hin 1.9G(8H,s)3、Q7 (IH、
broaa dJ=5.5Hz )、8.78(6H、
s )、4.07 (IH、m )、5.33(IH,
brQad 8)、 5.38(l H、broad s )、p、 p、
m。
.5Hin 1.9G(8H,s)3、Q7 (IH、
broaa dJ=5.5Hz )、8.78(6H、
s )、4.07 (IH、m )、5.33(IH,
brQad 8)、 5.38(l H、broad s )、p、 p、
m。
同様の処理によって(8日、4R)−1−(ジ−p−ア
ユシルメチル1−8−((R) −1−ヒドロキシエチ
ル)−4−カルボキシル−アゼチクソー2−オンから (88,4日)−1−(ジ−p−アユシルメチル)−8
−((R)−1−ヒドロキレエチル)−4−アセトキシ
−アゼチジン−2−オンを得た。IR,NMRは前述の
ものと同一のチャ出発原料化合物である(3B、4R)
−1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒドロ
キノエチル)−4−カルホキソルーアられた(3e 、
4R)−1−(シーp−アユシルメチル)−1−エチニ
ル−4−カルボキンルーアセチソノ−2−オンヲ用いて
〔参考例3〕の反応を行うことにより得られた。
ユシルメチル1−8−((R) −1−ヒドロキシエチ
ル)−4−カルボキシル−アゼチクソー2−オンから (88,4日)−1−(ジ−p−アユシルメチル)−8
−((R)−1−ヒドロキレエチル)−4−アセトキシ
−アゼチジン−2−オンを得た。IR,NMRは前述の
ものと同一のチャ出発原料化合物である(3B、4R)
−1−(ジ−p−アユシルメチル)−8−(1−ヒドロ
キノエチル)−4−カルホキソルーアられた(3e 、
4R)−1−(シーp−アユシルメチル)−1−エチニ
ル−4−カルボキンルーアセチソノ−2−オンヲ用いて
〔参考例3〕の反応を行うことにより得られた。
(eL、1)−3−エチニル−4−カルボキンルーアセ
チンノー2−オン(IQ、249)ノ塩化メチレノ45
−溶液にシメチルホルムア21−滴や加え、室温アーオ
ヤ□J1.り。
チンノー2−オン(IQ、249)ノ塩化メチレノ45
−溶液にシメチルホルムア21−滴や加え、室温アーオ
ヤ□J1.り。
リド(4,25f)の塩化メチレノ(5ml )溶成を
20分)出で・−FL、tこ。!同温度で、1.5時−
ml鷹伴咬、帛媒留去しrコ。成板の電化メチレン、容
赦を氷i令ト、(!!−(−1−メツトール(4,59
グ)、4−ジメチルアミノピリジン(8〜581)の唱
化メチレノ(30綽)浴琢にrm トシ、2時間眞件し
rコ。反応浴孜を2N−燻攻、貼相炭駿水素六トリウム
水l谷液で、先手し、水、元ミで嶋嘉lゆし、?合腺笛
云し′こ、 褥 ら l″Lrこ残唯lこ メ タ ノ − fし
を刃口え r 1 、+jO堝、合2I2後冷却するこ
とをこより、化合後2の2つの・姉性体の比かユ・]1
:lのg−(→−メントーfレエステーレ体の柄部が得
らnrこ。
20分)出で・−FL、tこ。!同温度で、1.5時−
ml鷹伴咬、帛媒留去しrコ。成板の電化メチレン、容
赦を氷i令ト、(!!−(−1−メツトール(4,59
グ)、4−ジメチルアミノピリジン(8〜581)の唱
化メチレノ(30綽)浴琢にrm トシ、2時間眞件し
rコ。反応浴孜を2N−燻攻、貼相炭駿水素六トリウム
水l谷液で、先手し、水、元ミで嶋嘉lゆし、?合腺笛
云し′こ、 褥 ら l″Lrこ残唯lこ メ タ ノ − fし
を刃口え r 1 、+jO堝、合2I2後冷却するこ
とをこより、化合後2の2つの・姉性体の比かユ・]1
:lのg−(→−メントーfレエステーレ体の柄部が得
らnrこ。
7の2つの4G体の比が約1=lのC−(→−メントー
ルエステル体の組品をメタノール(400Itl )1
こOIJ熱I容解散、 〜 −50−こ、令却し、析出
佑−8Fを前取すること・こより、(3S。
ルエステル体の組品をメタノール(400Itl )1
こOIJ熱I容解散、 〜 −50−こ、令却し、析出
佑−8Fを前取すること・こより、(3S。
4R)−1,−(ンーp−アニシシレメチーレ)−3−
エテニIレー4− (/ −(−1−メンチルカルボキ
シIレーアピ゛チレノー2−オンかで尋られC:。
エテニIレー4− (/ −(−1−メンチルカルボキ
シIレーアピ゛チレノー2−オンかで尋られC:。
メタノールで再夛晶することこより、−品(比促光IZ
(ff)”’?−”・−” (C−ρJr(](I
J!q)Iを得tこ(4点:114〜115C)。
(ff)”’?−”・−” (C−ρJr(](I
J!q)Iを得tこ(4点:114〜115C)。
ヨrこ、−E都の6−(−1−メントールエステーレ体
の二つの異性体は、誦速7VJ、陣クロントゲラフイー
(カラム: 1 : cllrosorl) 5l−6
0,浴媒1.5%イノプロパノ−ルーf1−ヘキサノ)
1こよっCも分離かl1lrJllLであっrこ。
の二つの異性体は、誦速7VJ、陣クロントゲラフイー
(カラム: 1 : cllrosorl) 5l−6
0,浴媒1.5%イノプロパノ−ルーf1−ヘキサノ)
1こよっCも分離かl1lrJllLであっrこ。
t85,4R)−1−tジーp−アニシルメナル)−8
−エチニル−4−(/ −(−1−メンチルカルボキシ
ーレーアビチジン−2−t〕をき÷P;伊iで建べtこ
方を長と同イ)、にしC、エステル貼り叩水分酵し、(
BS、4R)−1−(レーp−アニシルメチーし)−3
−エテニ?レー4−カルボキシルーアげチンノー2−チ
ン8(比11選光+v r−af’;=rtt、y°(
C−o、7x CHCeq )を得rコ。
−エチニル−4−(/ −(−1−メンチルカルボキシ
ーレーアビチジン−2−t〕をき÷P;伊iで建べtこ
方を長と同イ)、にしC、エステル貼り叩水分酵し、(
BS、4R)−1−(レーp−アニシルメチーし)−3
−エテニ?レー4−カルボキシルーアげチンノー2−チ
ン8(比11選光+v r−af’;=rtt、y°(
C−o、7x CHCeq )を得rコ。
−起rAIJ、例3〜12
夷!1fljN1およグ2で示しtこと同t、1:のV
J1!理によ−C14−カルボキシ?レーアゼ゛チジン
ー2−オン鴇導体から対応する4−アセトキシーアビチ
ジンー2−十ン1褐−薄体をT−4己の如くイ尋手続補
正書(自発) 昭和57年7月を日 1 事件の表示 昭和s6年 特許願第 /939’17 号2、発明の
名称 β−ラクタム誘導体の製造法 3、補正をする者 4、代理人 住 所 大阪市東区北浜5丁目15番地S、補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 6、補正の内容 明細書において下記の箇所を下記のとおり訂正する。
J1!理によ−C14−カルボキシ?レーアゼ゛チジン
ー2−オン鴇導体から対応する4−アセトキシーアビチ
ジンー2−十ン1褐−薄体をT−4己の如くイ尋手続補
正書(自発) 昭和57年7月を日 1 事件の表示 昭和s6年 特許願第 /939’17 号2、発明の
名称 β−ラクタム誘導体の製造法 3、補正をする者 4、代理人 住 所 大阪市東区北浜5丁目15番地S、補正の対
象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 6、補正の内容 明細書において下記の箇所を下記のとおり訂正する。
以上
Claims (1)
- 4−カルボキシルアゼチジン−2−オン類を四酢酸鉛と
反応させカルボキシル基をアセチルオキシ基に変換する
ことを特徴とする4−アセチルオキリアゼチジンー2−
オン類の製造法
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56193947A JPS5896060A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | β‐ラクタム誘導体の製造法 |
ES514616A ES8307813A1 (es) | 1981-07-15 | 1982-07-12 | "procedimiento de preparar nuevos compuestos beta-lactamicos y similares". |
EP82303731A EP0070204B1 (en) | 1981-07-15 | 1982-07-15 | Carboxylic beta-lactam compounds and the preparation thereof |
AT82303731T ATE30917T1 (de) | 1981-07-15 | 1982-07-15 | Carboxyl-beta-lactam verbindungen und ihre herstellung. |
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Cited By (3)
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