JPS58956A - 液晶混合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は２−周波数マトリックス・アドレッシング法（
ｔｗｏ　−ｆｒａｑｓａ旬ｙ　ｒｎａｔｒ（ｓ　ａｄｄ
ｒａａａｉｎｇｐデｏｃａｄｓｒａ）に従って操作する
電子−光学装置用の新規な液晶混合物並びにかかる装置
におけるその用途に関する。

本発明における混合物は３５！分Ａ、　Ｂ及びＣからな
り、その各々は１種またはそれ以上の化合物ケ含社、成
分Ａは多くとも約４０ｅｐの粘ｆ（かさ粘度Ｗ）、少な
くとも約４０℃の透明点及び約−２乃至約＋１間の誘電
異方性（ｄｉｅｌａｏｔデ（Ｃａｎｉａｏｔｒｏｐｙ）
　ｔ−有し、成分Ｂは約−２以下ノ銹電異方性を有し、
そして成分Ｃは約＋ｌＯ以上の誘電異方性、少なくとも
約Ｚｏｏ℃の透明点及び２０℃で多くとも約ｘｓｋＨ１
の全温合物における交す周波数（ａｒｏｓｅ　−ｏｖｅ
ｒ　ｆｒａｑｓｅｎｏｙ　）を有する。

本発明はまた液晶混合物における成分として特に適する
新規化合物、その製造方法甚びに２−Ｐ波数アドレツシ
ンダ電子−光学装置用の液晶混合物におけるその用途に
関する。

液晶表示装置の普通の静止操作（ａｔａｔｉｅ　ｏｐｇ
−ｒａｔｉｏｎ）は過去においていわゆる多重調節（ｓ
耐ｔｉｐｌａｚ　ａｏｓｔｒｏｊ　）　Ｋ大幅に替えら
れてきた。この場合、振幅選択性多重法（ａｍｐｌ　１
ｔｓｄｅ−ａａｌａａｔｉｖａ　ｍ５ｌｔｉｐＬｅｚ　
ｐｒｏｅａｄｍｒｅ　）が主に用いられるが、しかしな
がら、はとんどの場合に通常用いられる方法によｆｉ、
ｌ：８乃至１：１０の最大多重比管達成することができ
る。液晶表示の関節においてより高い多重割合を達成す
るために、従って２−周波数マトリックス・アドレッシ
ング法が提案された（例えばドイツ国特許出願公開明細
書第λＳｇへ１３４号及び同第２，９０７，９４０号）
。

この２−周波数法の場合には、低周波数電圧を印加した
際、誘電率の正の異方性（Δｌ−Ｊ、−ｇ　ＪＬ　＞　
Ｏｓ但しＣ１−は分子の縦軸に沿う誘電率を表わし、そ
して１工はこれに垂直な誘電率を表わす）を有するネマ
テイク（ｎｍｖｎａｔｉｅ　）液晶の誘電異方性が高周
波数の場合に負である事実を利用する。この効果は、液
晶分子の短軸の周りの分子の長軸の回転の障害に帰因す
ｇＭ、ＳａｈａｄｔｌＭｏｌ。

ＣｒｙａｔｈＬｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、１１８　（１９８１
）３１９−３３６〕。＃、ｌＫ対比して、分散効果は超
短波範囲内でのみ現われ、その理由は、その縦軸の周り
の分子のわずかな回転障害のためである。ここで重要な
周波数範囲において、従って８□は一定であり、一方６
１．及びま九従りてΔＣＦ１周波数従楓である。＃０＝
ε１での誘電率緩和周波数は「交す周波数Ｊ　　（／６
）として技術用語において表わされる。最も普通のネマ
テイク液晶は一般に室温で交す周波数的１００　ｋＨ，
及びこれ以上を有する。

２−周波数法に従って表示装置管操作するために、二つ
の交流源を用い、これＫよって該電源の一方の周波数は
交す周波数以上でなければならず、そして他方の電源の
周波数は交す周波数以下でなければならない。四に、ス
イッチオン−状態及びスイッチオフ状轢に対するシグナ
ルの電圧比は成る値以上罠なければ々らない。この電圧
比が高ければ、それだけ多くの線を描くことができる、
即ち多重割合がより大である。

加えて、３−周波数法は、対応する電圧の印加によって
、スイッチオン−過程のみならず、またスイッチオフ−
過程に直接影響を及ぼし、これに１ってスイッチオフ−
過程の促進が達成される利点を与える。例えばねじれた
ネイテイク構造（回転セル）を一つ液晶表示表子の場合
、均一に配向した液晶は低周波数（／＜７６）の電圧の
印加に工って電場の方向に整列することができ、そして
高周波数（／＞７６）の電圧の印加によって再びねじれ
九均−配向に変えることができる。

更に、ｒＸ）−ホスト（ｇｕｅｓｔ−ｈｏｓｔ）効果〔
Ａｐｐｔｉａｔ　ｐｈｙａｉａａ　　ｒｉａｔｔａｒａ
　　ｔ　　ｓ　　（ｔ　９　？　４　）１１１　Ｓ　Ｄ
、Ｌ、　Ｗｈｉｔ−及びＧ、　Ｎ、　Ｔａｙｌｏデ、Ｊ
。

４７１８）［］Ｋ基づく液晶セルによって、正の誘電異
方性を一つ液晶は一般に着色した背景に無色の像要素の
読みのみに用いることができ、その理由は、通常の着色
物質が正の二色性（ｄｉｅｈｒｏｉａｖｎ）を示すため
である。ホメオトロピック憶配向（ｈ＊ｍｍｏｔｒｏｐ
ｉｅ　５ｕａＬＬ　　ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）及び２
−周波数法における調節により、かかる液晶を用いて無
色の背景に着色した儂要素（高周波数電圧の印加により
均一に配向）ｔ−生じさせることができる。

しかしながら、２−周波数法はエネルギー消費が多−欠
点を有し、その理由は、印加した交流電圧の増幅のみな
らず、また周波数が高いためである。従ってエネルギー
消費を減じるために、操作電圧を低く保持し得ることが
重要である。同様の理由により、交す周波数は比較的小
さくすべきである（これによって容量損失が小さくなる
）。

篤くべきことに、本発明における混合物は従来公知の混
合物と比較して、明らかに高い多重割合及び短い応答時
間を可能にすることが見い出され友。例えば、本発明に
おける混合物九よって、回転セルの多重割合を７アクタ
ー３０近傍まで容易に増大させることができ、そして低
いｌｌｌ１値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇ
ｅｓ　）に基づき、比較的低い調節電位の場合でさえ、
周波数を逆にすることＫよ如、約１０惰８の極めて短い
消しくｔｗｒｎ−Ｏｆｆ）時間を達成し得ることが確認
され九。更に本発明における混合物は、従来公知の混合
物よりも低い交す周波数及び低粘度そして同時に高い給
体誘電異方性を有している。更に、提案した混合物の概
念に従えば、適当な化合物の選択によシ、或いはその濃
度を変えることＫより、低周波（「静Ｊ）Ｏ誘電異方性
Δ、ｔ（明らかに交す周波数以下にある周波数で測定）
及び高周波誘電異方性Δ、４（明らかに交す周波数以上
にある周波数以上に＊る周波数で測定）を相互に独立し
て変えることかで龜る。このことは％に種々の応用に対
して混合物を容易に最適にするものである。

成分Ａ、Ｂ及びＣに対して必要な王妃０特性をもつ化合
物及び混合物は当該分野に精通せる者にとっては基本的
に公知である。全混合物はネマテイクま九はコレステリ
ック（ａｈＯｌｅａｔａｒｉｅ）特性ｔ−もっていなけ
ればならない。成分Ａはネマテイク筐たはコレステリッ
クであることができ、そして成分Ｃはネマテイク、コレ
ステリックまたは、全混合物がスメクテイク（ａｗｈａ
ａｇｉｅ　）でないならば、スメクテイクであることが
できる。成分Ａ及びｃＦｉ少なくともモノトロピック（
溝Ｏ鴇ｏｔｒｏｐｉｇ　）液晶特性ｆＩ−もっていなけ
ればならない。しかしながら、成分Ｃが少なくともエナ
ンチオトロビック（−％ａ％ｔｓａｔデｅｐｉｃ）液晶
である混合物が好着しく。

そして成分Ａ及びＢがエナンチオトロピック液晶である
混合物が特に好ましい。しかしながら、本発明における
混合物中の個々の化合物及び成分Ｃは液晶性ま九は非液
晶性であることができ、従って優者の場合には、全混合
物の中間層（鴇ａａＯｊｈ−釦Ｉ）範囲がきびしく制限
されすぎないように注意すべきである。

成分Ａとして適する化合物及び混合物は大部分が公知の
ものであり、その多くのものがまた市販されている。次
の化合物またはその混合物が特に適している： 式中、Ｒａ及びＲ４は炭素原子１〜８個を含む直鎖状の
アルキル基を表わし、ＲＩ＃ｉ炭素原子１−ｓ個を含む
直鎖上のアルキルま九はアルコ中７基管表わし、％Ｆｉ
１または２であ夛；Ｒ＠はトランス−４−アルキルシク
ロヘキシル、４′−アル中ルー４−ビフェニリル、ｐ−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）フェニル、
！−（）ランス−４−アルキルシクロヘキシル）エチル
ｆｌｉｐ−［ｚ−（トランス−４−アルキルシクロヘキ
シル）エチル〕フェニルを表わし、そしてＲマはトラン
ス−４−アルキルシクロヘキシルを表わすか、Ｒ“ハト
ランス−４−アル中ルアクロへ中シルを表わし、セして
Ｂｑはｐ−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
フェニル、ｐ−（２−（）ランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）エチル〕フェニルまたは４’−（）　５ンス
ー４−アルキルシクロへ中クル）−４−ビフェニリルを
表わすか、或いはＲ６はｐ−アルキルフェニルを表わし
、そしてＲマけｐ−（１−（）ランス−４−アルキルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニルを表わし、そして置換
基Ｒ・及びＲ１におけるアルキル基は炭素原子１〜７個
を含む直鎖状の基である。

式■、■、ＸＸｍ及びＸＸ■の化合物が特に好ましく、
殊に弐■の化合物が好ましい。

成分ＢＫ対してまたは成分Ｂとして適する化合物は例え
ばピリダゾン誘導体、例えばＩｌ、Ｃｈａｍｉｍ１丁、
３３Ｂ（１９７丁）、Ｊ、ｐｒａｋｔ、Ｃｋａｍｉａ１
５１．２！１（１９３ｇ）、Ｚ、Ｃｈａｖ＊ｉｅ　８．
４　ｇ　？□　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
□（１９６１）　及びＭｏｌ、Ｃｒｙａｔ、　　Ｌｉｑ
、Ｃｒｙａｔ。

２５、Ｒ９９（１９７４）に記載されたフエニルピリダ
ジン及びゾフェニルピリ〆ジン、並びに特にドイツ国特
許出願公開明細書第１１３３ｓ＠３号及び同第２．１３
７，７００号に記載された且つベンゼン壇上に２個の側
面の（１ａｔｅデａｌ）シアノ基を有する化合物である
。％に好ましい化合物は一般式式中、Ｒ１及びＲ４Ｆｉ
炭翼原子１〜８個を含む直鎖状のアル中ル基を表わし、
セして環Ｂはｐ−フェニレンまタハトランスー１，４−
置換されたフクロヘキサン環を表わす、のゾクアノフェ
ニルエステル及び特に一般式式中、Ｒ８Ｆｉ炭素原子１
−１２個を有する直鎖状のアル中ル基を表わし、Ｒｏは
アルキル、アルコキシ、ｐ−アルキルフェニル、ｐ−ア
ルコキクフェニルまたはトランス−４−アルキルシクロ
へ中タル基を表わし、そしてＲＩにおけるアルギル及び
アルコギア基は炭素原子１−’１０＠ｆ含む直鎖状の基
である、のフクロヘキシルピリダゾンである。成分Ｂの
上記ノ「誘電異方性Ｊ　　（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ａ
ｎｉａｏｔｒｏｐｙ）とは、非液晶成分の場合に、外挿
した（実際の）透明点が１０℃以下である温度で誘電異
方性の外挿値（３成分を含む液晶混合物１ｃよる）と理
解すべ亀である。例えば上記のピリダジンは約−９の誘
電異方性を有している。

成分Ｃに対してまたは成分Ｃとして、例えば３個また＃
′ｉ４個のｐ−フェニレンまたはトランス−１，４−シ
クロヘキシレン基、有極性末端基（筒えばシアノもしく
は２．２−ｙシアノビニル）及び随時側面のハロダンま
たはシアノ置換基を含む化合物が適当でめる。かかる化
合物は一部公知であり、例えばＭｏｌ、　Ｃｒｙｐｔ、
　Ｌｉｑ、Ｃｒｙａｔ、　５１３．１２９（１９８１）
並びにドイツ国特許出願公開明細書第２．７８へマフ２
号、同第λ丁５ｚｓｙｓ号及び同第＆０４１Ｌ８７２号
に記載されている。

更Ｋｔ九一般式 式中、Ｒ１は炭素原子１〜１２個を含む直鎖状のアル中
ル基を表わす、 の化合物を用いることができる。

しかしながら、一般式 式中、Ｒ１は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアノ基
を表わし、Ｙは２．２−ジシアノビニル、２．２−ジシ
アノ−１−メチルビニルま九はシアノを表わし、Ｒ１及
びＥは共にｐ　−ＲＩ−フェニル、トランス−４−Ｒ”
−シクロへ中シル、４’−Ｒ”　　−４−ビフェニリル
、シー（トランス−４−８１−シクロヘキシル）フェニ
ル、ｐ−（５−Ｒ”　　−２−ビリ２ジニル）フェニル
、ｐ−［２−（ｐ’−Ｒ’−フェニル）エチル〕フェニ
ル、ｐ−（：２−（）ランス−４−Ｅｌ　　−７クロヘ
Φシル）エチル〕フェニル、トランス−４−４２−（ｓ
−Ｒ１−フェニル）エチル〕７クロヘ中シルまたはトラ
ンス−４−（！−（）ランス−４−Ｒ１−シクロヘキシ
ル）エチルコンクロヘキシルを表わし、セしてＲ１は炭
素原子１〜１２個を含む直鎖状のアル中ル基またはベン
ゼン積上において炭素原子１−１２個を含む直鎖状のア
ルコキシ基を表わす、 の化合物は成分Ｃに対して特に適する化合物でるること
がわかった。これらの化合物は高い透明点と共に大きな
ネマテイク中間層範囲及び％に大きな絶体鱈電異方性を
有している。一般に室温で、式■の３−ｍ！化合物を含
む液晶混合物の交す周波数は約１０ｋＨｇｔたはこれ以
下であり、そして式１の４−環化合物を含む液晶混合物
の交す周波数は約１ｋＨｚＫある。式■の化合物は、交
す周波数以下の周波数の場合、大きな正の誘電異方性を
有し、そして交す周波数以上の周波数の場合、大きな負
の誘電異方性を有する。これらの特性が２−周波数法に
従い、特に高度の多重割合及び表示装置の操作における
低エネルイー消費を可能にする。

上記式■の化合物の中で、Ｒ１がシアノまたは塩素、特
に塩素を表わす化合物である。７？１　＃ｉ好ましくは
アルキルである。ＹＦｉ好ましくはシアノま７’ｈＦｉ
２．！−ジシアノー１−メチルビニルを表わす、更に、
式ｉの４−環化合物、特ＫＲ１及びＥが共に４′−アル
キル−４−ビフェニリル、ｐ−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）フェニル”＊良ｕ９−Ｃ２−（ト５
ンスー４−アルキルシクロへ中シル）エチル〕フェニル
Ｉ表ｔ）？化合物が好ましい。好ましいアルキル及びア
ルコキシ基Ｒ１は炭素原子２〜１０個を含むもの、％に
炭素原子４〜Ｓ個を含む−のである。本発明における混
合物は好ましくは少くと４２種または３種の上記式■の
化合物を含有する。

２０℃で多くとも約＊ｏｋＨｇＯ交す周波数を有する本
発明における混合物が好ましく、そして多くと１約５ｋ
Ｈｚの交す周波数を有する混合物が％に好ましい全混合
物中の個々の成分のｔは、成分ＡＫ対しては少なくとも
約３０重量−１成分Ｂに対しては約１〜３０重量嘩そし
て成分Ｃに対しては約５−４０重量−である、好ましい
濃度範囲は成分Ａ約１０〜３０重量嘩、成分Ｂ約３〜３
０重量−及び成分Ｃ約１０〜３０重量−である。

本発明における混合物は１１九（成分Ａ、　Ｂ及びＣの
成分としての特性に応じて）光学的活性化合物、例えば
光学的活性ピフェニＩＪル及び／又は二色性着色物質、
例えばアゾ、アゾキシもしくけアントラ中ノン着色物質
を含むことができる。かかる化合物の量は溶解度、所望
の色調（ｐｉｔｃｈ　）、色、吸光等によって決定され
る。光学的活性化合物の量は好ましくは約４重責−であ
り、そして二色性着色物質の量は約１０［量嘩であり、
この−は全混合物を基準にしたものである。

本発明における液晶混合物はそれ自体公知の方法におい
て、例えば各成分の混合物をわずかに透明点以上の温ｆ
Ｋ加熱し、次に該混合物を冷却して製造することができ
る。

また本発明にシけ゛る混合物を含む電子−光学装置の製
造はそれ自体公知の方法において、例えば適当なセルを
空’ｃ−Ｌ、そしてこの２！にシたセル中ＫＩＦ混合物
を導入することＫよって行うことができる。

Ｙがシアノを表わし、Ｒ″及びＥが共Ｋｐ−Ｒ１−フェ
ニルｔｉｕトランス−４−Ｒ”−７クロヘキシルを表わ
す上記式■の化合物は公知のものでるるか、或いは公知
の化合物の同族体である。残りの式夏の化合物、即ち Ｒ１は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアノ基を表わ
し：ＹＦｉ２，２−ゾシアノビニルまたは！、２−ゾシ
アノーｌ−メチルビニルを表わし、そしてＲ′及びＥ＃
ｉ共にＰ　−８１−フェニルまたはトランス−４−Ｒ”
　　−シクロへ牟シルを表わすか；或いはＹは２．２−
ノシアノビニル、２，２−ジシアノ−１−メチルビニル
またはシアノを表わし、そしてＲ１及びＥは共にａ’−
Ｒ”−４−ビフェニリル、ｐ−（トランス−４−８１−
シクロへ中シル）フェニル、ｐ−（Ｓ−Ｒ’−ｓ−ピリ
ミゾニル）フェニル、ｐ　−（１−（Ｆ’−Ｒ”　　−
フェニル）エチル〕フェニル、ｐ−［！−（）ランス−
４−Ｒ”　−７クロヘキシル）エチル〕フェニル、トラ
ンス−ａ−〔２−（ｐ−Ｒ”−フェニル）エチルコシク
ロへ中タルマタハトランス−４−Ｃ２−（トランス−４
−Ｒ１−シクロヘキシル）エチルコシクロヘキシルを表
わし；そしてＲ１は炭素原子１−１２個を含む直鎖状の
アルキル基ま九はベンゼン環上において炭素原子１−１
２個を含む直鎖状のアルコ午シ基を表わす、 化合物は新規のもので１りシ、同様に本発明の一目的を
なすものである。この新規化合物は式■の公知の化合物
ニブも好ましく、なかでも一般的に改善され九交す周波
数を有する。成分ＣＫ関連して好ましいものとして上に
示した本発明における化合物がＩＩ＃に好ましい。好ま
しい化合物の例は後記の製造実施例に挙げた式１の化合
物である。

本発明における式夏の化合物の中に＃′ｉ、例えば一般
式式中、Ｒ１は炭素原子１−１！個を含む直鎖状のアル
キル基を表わし、Ｒ３はフッ素、塩素、臭素またはシア
ノ基を表わし、セしてＲ１及びＥは共にｐ−アルキルフ
ェニル、トランス−４−アルギルフクロへ會シル、４′
−アル中ルー４−ビフェニリル、ｐ−（）ランス一番−
アルキルジクロヘキシル）フェニルマタはｐ−（５−ア
ルキル−３−ピリミジニル）フェニル全表わす、 の化合物が含まれる。

式■の新規化合物は、本発明に従えば、一般式の酸を九
はその反応性誘導体を一般式 式中、Ｒ富は水素、フッ素、塩素または臭素を表わし’
、ＹＦｉ２．２−ノンアノビニルまたは２．’ｌ−’、
Ｚシアノー１−メチルビニルを表わし、そしてＲ１及び
Ｅは共Ｋｐ−Ｒ’−ｙエニルまたはトランス−４−Ｒ”
　　−シクロへ中ゾルを表わすか；或いはＹは２．２−
ジシアノビニル、２．２−ジシアノ−１−メチルビニル
またはシアノを表わし、そしてＲＩ及びＥは共Ｋ　４’
−Ｒ″−４−ビフェニル、ｐ−（トランス−４−７？”
　　−シクロヘキシル）フェニル、ｐ　−（５−Ｒ’　
　−２−ピリミゾニルフェニル、ｐ−Ｃ２−ｉｐ’−Ｒ
”　　−フェニル）エチル〕フェニル、ｐ−（！−（）
ランス−４−Ｒ″−シクロへ中シル）エチル〕フェニル
、トランス−４−（２−（ｐ−Ｒ’　　−フェニル）エ
チルコシクロへ中シルまたはトランス−４−（２−（２
−（）ランス−４−８１−シクロへ中シル）エチルコン
ク駿ヘキシルを表わし、セしてＲ１は炭素原子１〜１２
＠を含む直鎖状のアルキル基またにベンゼン環上におい
て炭素原子１−１１１個を含む直鎖状のアルコキシ基金
表わす、 の化合物でエステル化し、そして必要に応じて、７？ｌ
が臭素を表わす生ずる式Ｉの化合物をシアン化Ｍ（１）
、シアン化ナトリウＡまたはシアン化カリウムと反応さ
せることによって製造することができる。

弐ＸＩの酸またはその反応性誘導体（塩酸化物または酸
無水物）の式Ｘ■のフェノールによるエステル化はそれ
自体公知の方法において行うことができる。例えば弐Ｘ
１ｌｌのカルがン酸を、触媒量の強酸例えば硫酸ま友は
＾Ｂｙン化水素酸の存在下において、不活性有機溶媒の
存在下または不存在下で式ｘｌｖの化合物によりエステ
ル化することができる。しかしながら、好ましい方法は
酸塩化物（このものは弐ＸＩの酸から、例えば塩化チオ
ニルと共（加熱して得ることができる）と式ｘ■のフェ
ノールとの反応である。この反応は有利には不活性有機
溶媒、例えばエーテル例えばジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、またはノメチルホルムアオド、ベンゼン
、トルエン、シクロヘキサン、四塩化炭素等中で行われ
る。反応中に遊離し友塩化水素を結合させるために、有
利には酸結合剤、例えば第三級アミン、ビリシン等を用
いる。酸結合剤を好ましくは大過剰量で用い、従って酸
結合が同時に溶媒としての役割を果すことができる。こ
のエステル化反応に対する温度及び圧力は臨界的ではな
く、一般に大気庄屋゛び室温乃至反応温合−の沸点間の
温度を用いる。

Ｒ１が臭素を表わす式■の得られた化合物全必要に応じ
て、それ自体公知の方法において、シアン化銅（１）、
シアン化ナトリウムまたはシアン化カリウムによって対
応するシアノ化合物（Ｒｍがシアノを表わす式！の化合
物）に転化することができる。この反応は有利ＶＣＦｉ
不活性有機溶媒、例えばエチレングリコール、テトラヒ
ドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、ソメチルホルムア
ｉド、ジメチルスルホキシド、ビリシンま九ケア七トニ
トリル中で行われる。ジメチルホルムアミド中でのシア
ン化銅（Ｉ）との反応が好ましい。この反応について温
度及び圧力は臨界的ではない。仁の反応は有利ＫＦｉ大
気圧及び室温乃至反応混合物の沸点間の温度で行われる
。

式ｘ■の化合物並びＫＲＩ及びＥが共Ｋｐ−Ｒｓ−フェ
ニルｔ　＊＃ｄ　）ランス−１−Ｒ”　−シクロヘキシ
ルを表わす式ＸＩの化合物は公知のものでめるか、或い
は公知の化合物の同族体である。一方、弐ＸＨの残りの
化合物、即ち７？ｌ及びＥが共に４′＋　８１−４−ビ
フエニリル、ｐ−（トランス−４−フェニル）エチル〕
フェニル、Ｗ−Ｃ２２−（）ランス−４−Ｒ”　−シク
ロヘキシル）エチル〕フェニル、トランス−４−Ｃ２−
（ｐ−Ｒ”　　−７エ二ル）エチルコシクロヘキシルま
たハトランス−４−（！−（）ランス−４−８１−シク
ロヘキシル）エチルコククロヘキシルを表わす化合物は
新規のものであり、同様に本発明の一目的をなすもので
ある。これらの化合物は、はとんどのものが同様に液晶
特性を有している。

式ＸＷｉの化合物は次の反応式に基づいて得ることがで
きる；反応式中、Ｒ１、Ｒ１及びＥは上記弐ＸＩＫ示し
た意味を有する： 反応式ｌ 式ｘｖ及びｘ■の化合物は公知のものであるか、或いは
それ自体公知の方法において製造することができる。

上記ｏ式ｖ、ｘｉ、ｘｘｍ及びＸＸｖの化合物は同様に
新規の覧のであり、また本発明の目的をなすものである
。

式■の化合物は式■の化合物に対する方法と同様和して
得ることができる。好ましい方法は４−（ジメチルアミ
ノ）ビリジン及びＮ、Ｎ′−ジクロロへ中ジルカル１Ｍ
シイミドの存在下において、対応する酸とｐ−（ｚ　、
２−ジシアノビニル）フェノールとの反応である。この
方法に必要な酸はそれ自体公知の方法において、公知の
液晶性ｐ−（５−アル中ルー！　−ヒＩＪ　之ゾニル）
ベンゾニトリル全ケン化に付すことにより（例えばエチ
レングリコール中で水酸化カリウムと共に加熱し、次い
で無横酸の添加により）製造することができる。

弐ＸＨの化合物は一般式 式中、Ｒａ、Ｒ”及び算は上記の意味を有する、 の化合物をそれ自体公知の方法において、例えばクレメ
ンゼン（Ｃｌ　＃　％％１％８−％）還元により、或い
はハング−ｉ７四ン（Ｈ％ａ％り−Ｍｉｎｌｏ博）法に
従いヒドラジンを用いて還元して得ることができる。式
Ｘ■の化合物はアルキル−もしくはアルコ中りベンゼン
ま九Ｆｉ４−アルキル−もシ＜Ｆ’ｉ４−アルコΦシビ
フエニリルｔ（）ランス−４−アル中ルシク騨へ中シル
）酢酸の酸塩化物でフリーデル−クラｙ　ｙ　（Ｆｒｉ
ｇｄａ　ｌ　−Ｃｒａｆｔ　ａ　）アクル化によって得
ることができる。

式ｘｘ層−の化合物は次の反応式！及び３に基づいて得
ることができる；反応式中、Ｒ１′ｌＦｉトランスーア
ルキルククロヘキクル、４′−アル中ルー４−ビフエニ
呼ル、ｐ−（）ランス−４−アルキルシクロヘキシル）
フェニルまたｌｄ！−（）ランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）エチルヲ表わし、セしてＲ１１はトランス−
４−アル中ルシクロへ午タルを表わすか、Ｒ１０Ｆｉト
ランス−４−アルキルシクロヘキシルを表わし、そして
Ｒ”はｐ−（トラ７スー４−アル中ルシクロへ中シル）
フェニル、ｊｌ−（２−（トランス−４−アル中ルシク
ロへ中シル）エチル〕フェニルまたは４’−（）ランス
−４−アルキルンクロヘキシル）−４−ビフェニリルを
表わすか、或い＃１８１０Ｆｉｐ−アルキルフェニルを
表わし、そしてＲ１１はｐ−（２−（）うｙスー４−ア
ルキルシクロヘキシル）エチル〕フェニルを表わし、８
１ｍ及び７？”並びに置換基ＲＩＯ及び８１ｍにおける
アルキル基は炭素原子１〜７個を含む直鎖状のアルキル
基でめる： 反応弐意 反応式３ ＸＸＩＢ 反応式２における弐Ｒｔｔ−ｃＨｏの化合物は公知の化
合物から簡単な方法で製造することができる；例えハト
ランス−４−アルキルシクロへギサンカルｌキシアルデ
ヒドは対応する酸塩化物のローセンム／ト（Ｒ・＃１１
％％ｄ）還元によって製造することができ、残ｐの化合
−は対応するシアノ化合物の還元（弐■の化合物の製造
と同様の方法）によって製造することができる。

反応式３に従い、式ＸＸＸＮの化合物とダリニアール試
薬との反応に工り、式ｘｘｘｖの化合物または直接式Ｘ
Ｘ’ｌＪＢの化合物を得ることができる、但し８１ｍ及
びＲ１は同一の意味金有する。式ｘｘｘＰＩの化合物１
モル当り少なくとも約２モルのダリニアール試薬を用い
九場合、一般に主として弐ＸＸＷｉＢの化合物を直接生
じる。

式Ｘｘｖの化合物は、 α）Ｒ・がアルキル、ｐ−アルキルフェニル、ｐ−アル
コ中ジフェニルまたはトランス−４−アルキルククｐへ
中シル基を表わす式Ｘ、ＸＶの化合寄金製造するために
１一般式 式中、Ｒ′′はアル苓ル、ｐ−アルキル７エ二ル、’ｌ
−アルコキシフェニルｆ九はトランス−４−アルキルシ
クロヘキシル基を表わし、Ｒ１４におけるアルキル及び
アルコ中シ基は炭素原子１〜１０個を含む直鎖状の基で
あり、そしてＲ・は上記の意味を有する、 の化合−ま九は互変真性ゾヒドロビリダジンを＃２化す
るか、或いは ６）Ｒ＠がアルコ命シ基を表わす式ｘＸ■の化合物を製
造するために、一般式 式中、Ｘは塩素または臭素を表わし、そしてＲ８は上記
の意味を有する、 の化合物をアルカリ金属アルコレートと反応させる、 ことＫよって得ることができる。

式ＸＸＸＭの化合物の酸化はそれ自体公知の方法におい
て、例えばジオ中サン中の２．３−ジクロロ−５，６−
ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン、氷酢酸及びエタノール中
の亜硝酸ナトリウム、氷酢酸中の亜硝酸イソペンチル等
によりで行うことができる。この反応について温度及び
圧力は臨界的ではない。しかしながら、大気圧及び室温
乃至還流温度間の温度、好ましくはほぼ室温を用いるこ
とが有利である。しかしながら、式ｘｘｘ■の化合物を
、それ自体公知の方法において触媒的脱水素化によって
、式１の化合物に酸化することが好ましい。この脱水素
化は脱水素化反応に通常用いられる触媒によって行うこ
とができ、かかる触媒の例はパラジウム、白金等（随時
炭素の如き不活性担体物質に担持させ友もの）である。

パラジウムが好ましい触媒である。溶媒として不活性有
機Ｍｌａｌ、Ｎ、ｔｉｆアルコール、エーテル、エステ
ル、カルダン酸等、例えばエタノール、ジオキサン、酢
酸エチル１＋は氷酢酸を用いることができる。

エタノールが好ましい溶媒である。この反応については
温度及び圧力は臨界的ではない。室温乃至反応混合物の
還流温度間の温度及び大気圧を用いることが有利である
。

弐ＸＸＸＷの化合物は、ジヒドロピリメノン環中の二重
結合の移動によって互変異性化合物に転位することがで
きる。かかる転位は例えば微量の酸または塩基の存在に
よってもたらすことができる。しかしながら、また互変
異性Ｖヒドロビリ〆ゾンが上記の条件下で酸化されて式
ＸＸｖの化合物を生成し得るために、方法ａ）において
は式ｘｘｘｖｔの化合物のみならず、また互変異性ジヒ
ドロピリ〆ｔｙｙまたはかかる化合物の混合物を用いる
ことができる。

式Ｘｘｘ■の化合物とアルカリ金属アルコレートとの反
応はそれ自体公知の方法において行うむとかで龜る。ナ
トリウムが好ましいアルカリ金属である。溶媒として全
ての不活性有機溶媒、例えばエーテル、飽和ま九は芳香
族炭化水素等、例えばベンゼン、トルエン、ヘキサン、
ジエチルエーテルまたはジオキサンを用いることができ
る。しかしながら、好ましくは溶媒としてアルコレート
に対応するアルコール（随時他の不活性有機溶媒と組合
せて）ｔ−用いる。この場合、アルコレートのアルコー
ル性溶液を、過剰量のアルコールとナトリウム、水素化
ナトリウム、水素化カリウム等と反応させて製造するこ
とが有利である。式ｘｘｘ■の化合物とアルカリ金属ア
ルコレートとの反応について温度及び圧力は臨界的では
ない。

大気圧及び室温乃至反応混合物のＲａｍＫ間の温度、好
ましくは約４０〜約６０℃の温Ｉｎ用いることが有利で
ある。

式ＸＸＸＷ及びｘｘｘ■の出発物質は新規のものでるり
、同１１１に本発明の目的をなす鴨のである。

これらの４のは次の反応式Ａ　−Ｄに基づいて製造する
ことができる：反応式中、Ｒａ　、Ｒａ６及びＸは上記
の意味を有し、セしてＲｔｓは炭素原子１〜１０＠ｆ含
む直鎖状のアル中ルまたはアルコキシ基を表わす； 反応弐Ｂ 反応式Ｄ Ｘ−ＣべＣＨ，−Ｃｏ−Ｒ” ＳＳ一 式ｘ　ｘｘｖｉ、ＸＬＩ、ＸＬＶＩ、Ｌｌ及びＬＨ（Ｄ
出発物質は公知のものであるか、或いは公知の化合物の
同族体であり、公知の方法で製造することができる。例
えば式ＬｌのアルデヒドはＸＸＸ■の酸塩化物のローゼ
ンムント還元によって製造することができる。

アルデヒドの式ＸＬ、ＸＬＶｉまたはＬの化合物への付
加Ｆｉｉ　、　３−チアゾリウム塩触媒の存在下におい
てステツタ−（Ｓｔｇｔｔａｒ　［Ｃｈ−ｍ、　Ｂａｒ
。

１１４（１１１８１）５８１））の方法に従って行うこ
とができる０式ＬｌのアルデヒドまたはＲ１４がアル中
ルもしくはトランス−４−アルキルシクロヘキシルを表
わす式ＸＬＩのアルデヒドの付加に対する好ましい触媒
は３−ベンゾルー５−（２−ヒドロキシエチル）−４−
メチル−１，３−チアゾリウムクロライドであり、セし
てＲ１４がｐ−アルキルフェニルまたはｐ−アルコキシ
フェニルを表わす式ｘＬ１のアルデヒドの付加に対する
好ましい触媒は３．４−ツメチル−５−（２−とドロキ
シエチル）−１，３−チアゾリクムアイオ〆イドである
。

式Ｌｆｆの化合物と式ＸｘＸ■の化合物とのカッブリン
グは佐藤（Ｔ、Ｓａｔ・）等によりＢ襲１１゜Ｃｈａｒ
ｍ、　Ｓｅａ、　Ｊａｐａｎ　ｓ　ａ　（目１１）５０
５に記載された方法に従って行うことができる。

上にすでに述べたように１また式ｘｘｘｗの化合物は互
変異性体型または異性体型の混合物として存在すること
ができる。

本発明はまた全ての新規化合物、混合物、製法、用途及
び本明細書に述べ九如き装置に関する。

以下において、ＣＦｉ結晶性相會表上表、Ｓはスメクテ
イク相を表わし、ＮＦｉネマティク相を表わし、セして
Ｉｆｉイソトロピック相を表わす。

次の混合物は好ましい成分Ａ、　Ｂ及びＣ並びに好まし
い全混合物の例である。成分Ａ％Ｂ及びＣに対する全混
合物の個々の成分の関係は詳細にすでに示した通りであ
る。

成分ＡＫ対する混合物実施例： ｐ−メトキシペンソリテン−ｐ−ブチルアニリン３１Ｌ
０重量−、 トランス−４−ブチルシクロへΦサンカルピン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステルｌ＆６１ｔ−、トランス−４−
（ンチルｌクロヘキサ／カルがンＨｐ−メト牟りフェニ
ルエステル１７．５重量％、トランス−４−−ｅ７チル
シクロヘキサンカルがンＭｙ−グロピルオ中りフェニル
エステル２５１１ｉＩｌ−１ 融点く０℃；透明点（Ｎ−ｚ）ｉｔｓ℃。

トランス−４−ブチルシクロへ中サンカルがン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステル！Ｌｌｉ重量％、トランス−４
−ブチルシクロへ中ナンカルＩン酸ｐ−ベンチルオ中ジ
フェニルエステル２’ａ、２−重量一、 トランス−４−（／チルククロヘキサンカル？／酸ｐ−
メト中りフェニルエステル１＆９１量１１、トランス−
４−ペンチルシクロへ中サンカルダン酸ｐ−グロピルオ
中ジフェニルエステル２５ＬＯ重量−１ 融点く０℃；透明点（Ｎ−１）８９ＬＯ℃。

トランス−４−ブチルシクロへ中サンカルがン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステル８αｇ重量−、トランス−４−
ブチルシクロヘキサンカルがン酸ｐ−イｙチルオキシフ
ェニルエステル！７．１重量−、 トランス−４−ペンチルシクロへ中゛サンカルがンｆｌ
ｙ−メトキシフェニルエステルｌ＆３重量１１、トラン
ｘ−４−−＜ンチルククロヘキサンカルがン酸シープロ
ビルオ命ジフェニルエステル２翫１重量−１ ４−（（）ランス−４−１チルシクロヘキシル）カルが
ニルオ中シ〕安息香酸ｐ−ブチルフェニルエステル＆！
重量−１ 融点く０℃；透明点（Ｎ−７）７８℃。

トランス−４−ブチルシクロへギサンカルゴン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステル１４１重１１％、トランス−４
−ブチルシクロヘキサンカルＩン酸ｐ−−４ンチルオキ
シフエニルエステル１Ｎ４ｉ１ｉ１−、 トランス−４−ペンチルフクロヘキサンカルボン酸ｐ−
メト中ジフェニルエステル１２．３１ｔ’ｌ、トランス
−４−ペンチルシクロヘキサンカルがン酸ｐ−グロビル
オキシフェニルエステル１７４１重量−１ ２−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
（＋−エトキシフェニル）エタン３１１重量−１ ４−（（）う／スー４−１チルシクロヘキシル）カルが
ニルオキシ〕安息香酸ｐ−ブチルフェニルエステル＆４
重量−１ 融点＜−１０℃；透明点（Ｎ−１）＠ｔ４℃；ａ　＋ｔ
　＝＆　０８、ΔＣニー−９冨。

トランス−４−１チルシク冒ヘキサンカルぎン酸ｐ−エ
ト中ジフェニルエステルＩＩＬＩＩ重量−、トランス−
４−ブチルシクロヘキサンカルがン酸ｐ−ペンチルオ中
ジフェニルエステル！　＆　１　重量−、 トランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルぎンＨｐ−
メト中ジフェニルエステル１＆Ｏ重量９１、トランス−
４−ペンチルミクロヘキサンカルがン酸シーグロピルオ
午ジフェニルエステル！１．７重量−１ ２−（）ランス−４−ペンチルシクロへ中シル）−１−
（ｐ−エト中ジフェニル）エタン１１３重量−１ 融点く０℃；透明点（Ｎ−１）ｓ本９℃。

基本混合物Ａ６ トランスー４−プチルシクロヘキサンカルゴン酸ｐ−エ
ト中ジフェニルエステルへ９重量−、トランス−４ペン
チルシクロへ中サンカルがン酸ｐ−メ）−？ジフェニル
エステル＆ｅｉｆ量１、トランス−４−（ンチルシクロ
へ午す／カルダン酸ｐ−グロピルオ中ジフェニルエステ
ル１４３重量−１ 冨−トランス−４−プルピルシクロへ中ゾル）２−１−
（シーエトキシフェニル）エタンｚｘｓｌ量２−（）う
／スー４−インチルシクロヘキシル）−１−（ｐ−エト
キシフェニル）エタン２７．８重量−１ ！−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
（４’−エチル−４−ビフェニリル）エタン１＆Ｏ重量
−１ 融点＜−１０℃；透明点（Ｎ−１）　１１１４−６１８
’Ｃ：　Ｗ　（！　１１１℃）”１４”ｊ：’ｔｌ（！
！’Ｃ）＝Ｌ＠＠　；６ｇ　（２！！’Ｃ）＝−へｇｏ
。

トランス−４−プチルシクロヘキサンカルゲン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステル＆７重１１１−、トランス−４
−ペンチルシクロヘキサンカルメン酸シーメト中ジフェ
ニルエステルａ’ｒｉｔｉｌ＊、トランス−偽−ヘンチ
ルシクロヘキサ／カルＩン酸ｐ−グロピルオ中ジフェニ
ルエステルｌ也−重量一、 雪−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−
（ｐ−エトキシフェニル）エタン２１Ｏ重量嘔、 冨−（）ランス−礁−ペンチルシクロヘキシル）−Ｘ−
（ｔ−エトキシフェニル）エタン！　Ｌ１重量−１ １１−（）ランス−４−ペンチルシクロへ中シル）−＊
　−（４’−エチル−４−ビフェニリル）エタ／ＩＺ７
重量嘔、 トラｙｘ−４−（ｊｌ−ぺ／チルフェニル）シクロへ午
サンカルがン酸トランスー４−プロピルシクロヘキシル
エステルａｓｚ−１ｓ、 融点＜−１０℃；透明点（Ｎ−Ｉ）ｓｔｓ−ｇｉｇ’Ｃ
；Ｗ（！１！℃）＝１＆７ａｐ；ｇＨ（ｚｇ℃）−ａＳ
Ｓ：ΔＣ（２２℃）＝−（ＬａＩ３゜トランス−４−プ
チルシクロヘキサン力／Ｉ／＆ン酸ｐ−エト午ジフェニ
ルエステルｔｗｉｎｓ。

トランス−４−ペンチルシクロへ中サンカルが／ａｐ−
メト中ジフェニルエステル？、？１ｌｉｉｌｌＧ、トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキサンカルｆ）＃ｔｐ−グ
ロビルオキシフェニルエステル１１７［量慢、 トランス−４−プロピルシクロへ中サンカルボン酸トラ
ンスー４−グービルシクロヘキシルエステル２７．９重
を−１ ！−（）ランス−４−べｙチルシフ四ヘキ、クル）−１
−（＋−エトキシフェニル）エタン２ＬＯ重量−１ ！−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
（４’−エチル−４−ビフェニリル）エタン１Ｌｌｉ重
量−、 トランス−４−（ｐ−ペンチルフェニル）シクロヘキサ
ンカルがン酸トランスー４−グロビルククロヘキクルエ
ステル７．５［ｉｉ％、 融点（−１ｇ℃；透明点（Ｎ−１）６’ＬＢ−６１６℃
；マ（２２℃）＝ｔ　５．８６Ｗ　；　５１　　（２２
℃）冨２８８；ΔＣ（２２℃）ニーへ９２゜基本温會物
Ａ９ トランス−４−ブチルシクロへ中サンカルがン酸ｐ−エ
ト中ジフェニルエステルｔａｓｌｌｔ％、トランス−４
−−ｅ：ｙチルシクロヘキサンカルがン酸ｐ−メトキシ
フェニルエステル９．９重量％、トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキサンカルがンａｔ−ｆロビルオキシフェニ
ルエステル１７．３］１量−１ 意−（トランス−４−プロピルシクロへ中タル）−１−
（ｐ−エトキシフェニル）エタン２４１重量慢、 ２−（）ランス−４−ペンチルシクロへ中シル）−１−
（ｐ−エトキシフェニル）エタン２７．５　重量−、 トランス−ａ−（ｊ−ペンチルフェニル）シクロへ中サ
ンカルｇｙ酸トランスー４−グロビルシクロヘキクルエ
ステル１αａｎ量ｓ、 融点く−ｌＯ℃；透明点（７１／−７）５＆１’Ｃ：η
（２２℃）＝１４Ｌ４６９　；’＊１　（２２℃）＝１
９１；ΔＣ（２２℃）ニーへＩＯ。

トランス−４−ブチルシクロへ中サンカル？／酸ｐ−エ
トキシフェニルエステル１１３重８１Ｇ、トランス−４
−ブチルシクロヘキサンカルが／酸ｐ−ペンチルオ中ジ
フェニルエステルｇａｚ重を−、 トランス−４−ペンチルシフ冒ヘキサンカルｆン１！ｊ
１−メ）＝？ジフェニルエステル１７．５１ｔｌｌ、ト
ランス−４−インチルシクロヘキサｙカルが／酸ｐ−グ
ロビルオキシフェニルエステル２４１重量−、 トランス−４−（ｐ−）ンチルフェニル）シクロヘキサ
ンカルダン酸トランス−４−グロビルシクロヘ中シルエ
ステルｔｏ、ｏｚ＠＊、 融点く０℃；透ｆｌＪ点＜Ｎ−１＞Ｔ、２１℃。

成分ＢＫ対する混合物実施例： 基本混合物Ｂ１ ３−フェニル−６−（ｐ−ペンチルフェニル）ヒリメジ
ン２ζ５重ｔチ、 ３−ペンチルオキシ−６−（ｐ−ペンチルフェニル）ピ
リメソン１＆５重量−１ ３−ペンチル−６−（トランス−４−ｄ／チルシクロへ
中シル）ピリダゾン６αｏａｍｓ、透明点（Ｓ−Ｉ）ｓ
ｌｉＬｏ−ｓｓ１℃。

基本混合物Ｂ２ ３−プロピル−８−（）ランス−４７エチルシクロヘ中
シル）ピリメジフタ４３重量嘔、３−プロピル−６−（
トランス−４−ぺ／チルシクロヘキシル）ピリメゾン２
２．６重量−１３−グロビル−６−（）ランス−４−へ
エチルシクロへ中シル）ピリメジｙｌ＆８重量−１３−
ペンチル−６−（）ランス−４−ペンチルシクロへ中ク
ル）ピリメゾ：／３（Ｌ４１ｉｉ１％、３−（ｐ−ペン
チルフェニル）−６−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）ピリダジン７、ｓ重１饅。

３−プロピル−８−（）ランス−４−エチルシクロへ中
シル）ビリメゾ／ｌα４重童チ、３−プロピル−６−（
）ランス−４−ベンチルシフ凡へ午シル）・ピリメゾン
！＆５重量−１３−グロビル−６−（トランス−４−へ
ブチルシクロへ中シル）ピリメゾ７１７．７重量−１２
３−ぺ／チル−６−（トランス−４−ペンチルシクロへ
中タル）ピリンシン３＆２重量−１３−（ｐ−ペンチル
フェニル）−６−（）ランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ピリメノンｌ龜２重量−０ 基本混合物Ｂ４ ３−プロピル−８−（）ランス−４−エチルフクロヘキ
シル）ピリダゾ／１２４重１ｌ−１３−プロピル−６−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ピリダゾン
３α０重ｔチ、３−プロピル−１！−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）ピリメゾ７１９．２重量％、
３−ペンチル−６−（）ランス−４−ペンチルシクロへ
中クル）ピリダゾ／３＆礁重量係。

３−へエチル−８−（）ランス−４−プロビルフクロへ
中クル）ビリ〆ゾン２１８重量−１３−プロピル−１！
−（）ランス−４−ペンチルシクロへ中シル）ビリメジ
ン意＆Ｏ重量−１３−ペンチル−６−（）ランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ピリメゾ７３１０重量％、３
−プロピル−６−（）ランス−４−へ！チルシクロヘキ
シル）ピリメノン１Ｎ４重量％、成分Ａ及びＢと一緒に
した混合物実施例ニドランス−４−ブチルシクロへ午す
ンカル＊ｙ＊ｐ−エトキシフェニルエステルｌλ６ｆｔ
−、トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルカン酸ｐ
−ぺ／チルオキシフェニルエステル１＆５重を−、 トランス−４−ペンチルシクロへキナンカルがン酸シー
メト中ジフェニルエステルｌ！３重量１Ｇ、トランス−
４−ペンチルシクロへ中サンカルダン酸シーグｏピルオ
キシフェニルエステル１＆４重量−、 トランス−１−（ｐ−ペンチルフェニル）シクロへ中サ
ンカルがン酸トランスー４−プロピルシクロへ都シルエ
ステル７．７重ｉ１． ３−へグチル−４！−（）ランス−４−プロピルシクロ
へ中シル）ビリダソ／＆３重を−１３−プロピル−６−
（トランス−４−（ブチルシクロへ中シル）ビリメソン
ｃＬ９重量−１３−ペンチル−６−（）ランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ビリメジン＆６重量％、−一グ
ロビル−１１−（）ランス−４−ヘプチルシクロへ中シ
ル）ピリメゾン＆８重ｉｔｓ、３−（ｐ−ペンチルフェ
ニル）−８−（）ランス−４−プロピルシクロへ中シル
）ピリダジン４．９重量−１ 透明点（Ｎ−７）ｌｌＬ４−６Ｌ８℃。

トランス−４−ブチルシクロヘキサンカルがン酸ｐ−エ
トキシフェニルエステルＩＬ４ｉ１量１Ｇ、トランス−
４−ブチルシクロヘキサンカル２ン酸ｐ−インチルオキ
シフェニルエステル２０．６］１［量チ、 トランスーーーヘンチルシクロヘ中すンカルゲン酸Ｗ−
メトキクフェニルエステル１４０重量５Ｇ、トランス−
４−ペンチルツク目ヘキサンカルゲン酸ｐ−プロピルオ
キシフェニルエステル２　ｏ、５ｉ量チ、 ３−ヘプチル−６−（トランス−４−グロビルシクロヘ
中シル）ピリダゾン＆３重量優、３−プロピル−６−（
トランス−４−−ｃンチルシクロヘ中ゾル）ピリメソン
Ｌ９重ｆ％、３−ペンチル−６−（）ランス−４−ペン
チルシクロへ中シル）ピリメゾン＆６重量％、３−プロ
ピル−６−（トランス−４−へブチルシクロへ中シル）
ピリダジン１８３１１％、５−（ｐ−インチルフェニル
）−６−（）ランス−４−グロビルククロヘキシル）ピ
リダゾ７４９重量−１ 透明点（Ｎ−７）ｓへ１−５９．６℃。

成分ＣＫ対する混合物実施例： ２−クロロ−ｉ−［’（ｐ−ペンチルベンゾイル）オΦ
シ〕安息香酸ｐ−（１！　、２−ジシアノビニル）フェ
ニルエステルｆｆｔｌＬ丁ｆｉｉ％、２−クロロ−４−
［（ｐ−へグチルベンゾイル）オΦシ〕安息香酸ｐ−（
２，２−ジシアノビニル）フェニルエステル４Ｌ３ｉ１
ｔＪ、 融点８７．８−９α３℃；透明点（７Ｖ−７）１６７．
１−１ｇ７１℃。

２−クロロ−４／（”ｐ−（ｐ’−ペンチルフェニル）
ベンゾイル〕オ中ゾ／安息香酸ｐ−（ｚ　、２〜ゾクア
ノビニル）フェニルエステル３２丁重量−１２−クロａ
−４／［：ｐ−（ｐ’−へブチルフェニル）ベンゾイル
］オ中シ／安息香酸Ｗ−（２，２−ジシアノビニル）フ
ェニルエステルＲＬＢ重量％、２−り四ロー＋−／Ｃｐ
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾイ
ル〕オΦシ／安息香１１１ｐ−（２，ｇ−ｐクアノビニ
ル）フェニルエステル３＆Ｏ重量−１ 融点＄１−９８℃；透明点（Ｎ−７）’）２９３℃。

全混合物に対する混合物実施例： 全混合物？’！ 基本混合物Ａｓ　　５３重量− 基本混合物Ｂ４　２７重量嚢 ２−りｐローａ−／Ｃｐ−（ａ−へグチルフェニル）ベ
ンゾイル〕オキシ／安息香酸９−（２，ｇ−ジシアノ−
ｌ−メチルビニル）フェニルエステル７重量−１ 冨−クロロ−ｉ−／［ｐ−（２−（）う／クー４−へグ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オヤシ／安
息香酸ｐ−（２，２−ゾクアノー１−メチルビニル）フ
ェニルエステル５１ｆｔ％％鵞−クロロー４−／［ｐ−
（４−へグチルフェニル）ベンゾイル〕オキシ／安息香
酸ｐ−シアノフェニルエステル４重１ｌ− ２−クロロ−４−／Ｃｐ−（２−（ｈランス−４−へブ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オキシ／安
息香ｅｐ−シアノフェニルエステル４重量−１ 融点（Ｃ−Ｎ）（ｏ℃；透明点（Ｍ−Ｉ）７表５℃。

全混合物Ｔ！ 基本混合物Ａｓ　　ｉａ、５ｉｌｔ％ トランスー４−ペンチル−１−（ｐ−プロピルフェニル
）シクロヘキサン＆ａｆｆｌ１％、４−（）う／スー４
−ペンチルシクロヘキシル）−４’−１：２−（）ラン
ス−４−ブチルシクロへ中シル）エチル〕ピフエニ唾ル
λ５ｍｔｑｂ％基本混合物Ｂ４　２λ丁重量慢 ２−クロロ−４−／Ｃｐ−（４−ヘゲチルフェニル）ベ
ンゾイル〕オキシ／安息香酸ｐ−（２，２−ジシアノ−
１−メチルビニル）フェニルエステル６．１重量−１ ２−クロロ−４−／Ｃｐ−（２−（トランス−４−へグ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オ命シ／安
息香酸ｐ−（ｚ、ｇ−ジシアノ−１−メチルビニル）フ
ェニルエステル４４ｆｆｉｉｔ％、トｊロロ−４−／（
ｐ−（４−ヘゲチルフェニル）ベンゾイル〕オキシ／安
息香酸ｐ−シアノフェニルエステル３５重ｔチ、 ２−クロロ−ａ−／（ｐ−（＊−（トランス−４−ヘグ
チルククロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オキシ／安
、ＩＬ香ｔｌｐ−シアノフェニルエステル＆５重量慢、 融点（（１’−Ａ／）＜０℃；透明点（Ｎ−１）７４５
’Ｃ：／、−１，’ｌｋＨπ、２２℃で八ｔｔ＝ｚｏ及
びΔ＃ｈ＝−４２゜ この混合物九対しては、２−周波数調節の場合ＫｆＶ−
ト距離ｌＯμｍｆもり回転セルにおいて、通常の調節の
場合における約２００　ｍ　ｓと比較して、ＩｍＪＩの
消しく　ｔ％ｒｎ　−ｏｆｆ　）時間が測定された。２
−周波数調節の場合に多重可能な線の最大数において得
られる増加は高周波数電圧（ｙｈ）及び低周波数電圧（
Ｙｌ）の電圧強さの比に依存する。ｌＯｋＨｇの高周波
数及び３０／／ｇの低周波数電圧によって、低周波数電
圧による通常の調節と比較して多重割合において　ｙ　
Ａ　／ｙ　ｌ　＝ＬＯＫ対してＩＬＩ倍、Ｖ”／Ｖ’＝
−Ｌｓに対して１５．４倍セしてＶ”／Ｖ’＝ＺＯＫ対
して３９倍の増加が得られた。

基本混合物Ａｓ　　６１１１重量− トランス−４−４ンチルー１−（ｔ−クロビルフェニル
）シフａへ中サンｔ１１１１ｔ量１Ｇ、基本混合物８４
１６重量− ２−クロロ−←１ｃｐ−＜４−へブチルフェニル）ベン
ゾイル〕オ勢シ／安息香酸ｐ−（ｇ、ｚ−ｐシアノ−１
−メチルビニル）フェニルエステル４１１重量−１ ２−クロロ−ａ−／Ｃｐ−（ｇ−（）ランス−４−ヘプ
チルシクロへ午シル）エチル）ベンゾイル〕オキシ／安
息香酸ｐ−（！　、！−ジシアノー１−メチルビニル）
フェニルエステル４１１重量％、２−クロロ−４−／ｌ
１ｔ−（４−へブチルフェニル）ぺ／ゾイル〕オ中シ／
安息香酸ｐ−シアノフェニルエステル１６重量慢、 ２−クロロ−４−／（ｐ−（２−（トランス−４−へブ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オキシ／安
息香Ｈｐ−７アノフエニルエステル＆６重を−１ 融点（Ｃ−Ｎ）（ｏ℃；透明点（Ｎ−１）８２．２℃。

全混合物Ｔ４ 基本混合物Ａｓ−４ｓ、ｓ重量％ トランス−４−ペンチル−１−（ｔ−クロビルフェニル
）シクロへ午サン９．１ｉｉｔＴｏ。

基本混合物Ｂ４　　ｚα９重量− ２−クロロ−４−／［ｐ−（４−へグチル７エ二ル）ベ
ンゾイル］オ午り／安息香酸ｐ−（２，２−ジシアノ−
ｌ−メチル虻ニル）フェニルエステル＆１重量−１ 意−クロロー４−／Ｃｐ−（２−（トランス−４−へブ
チルシクロヘキシル）エチル）４ンソイル〕オ中ゾ／安
息香酸ｐ−（２，２−ジシアノ−１−メチルビニル）フ
ェニルエステル１４重ｔｌＧ、２−クロロ−４−／［ｊ
ｌ−（４−へブチルフェニル）ベンゾイル〕オ中ソ／安
息香ａ！ｐ−シアノフェニルエステルｔＳ重量−１ ２−クロｏ−４−／（ｐ−（ニー（トランス−４−へグ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オキシ／安
息ｓ酸ｐ−シアノフェニルエステル４５重量−１ 融点（Ｃ−Ａ／）　＜Ｏ℃：透明点（７１／−７）７＆
？’Ｃ；／、−Ｌ４＆Ｈｇ、２Ｎ”ＣでΔｇ’＝４４及
びΔ＃λ＝−４２゜ 基本混合物Ａ６　４αＯ重量− ４−（１！−（トランス−４−ペンチルシクロへ中シル
）エチル］　−４’−（）う／スー４−プチルシク四へ
中シル）　−１、１’−エチレンジベンゼンｃｏｇ量悌
、 ４−Ｃ２−（）ランス−４−グチルシクロヘキシル）エ
チル］−４’−（）ランス−４−ブチルシクロヘキシル
）　−１、１’−エチレンジペ／ゼン＆０１１１−１ 基本混合−物Ｂａ　　を表０１１１５１冨−ダロロー４
−／（ｐ−（４−へブチルフェニル）ベンゾイル〕オキ
シ／安息香酸ｐ−（２，２Ｖシアノ−１−メチルビニル
）フェニルエステル＆Ｏ重量−１ ２−クロロ−４−／［９−（２−（）ランス−４−ヘプ
チルシクロへ中シル）エチル）ベンゾイル〕オ中シ／安
息香酸ｊ−（２，２−ジシアノ−１−メチルビニル）フ
ェニルエステル＆ｌＩ重１１１１．２−クロロ−ａ−／
Ｃｐ−＜＜−へブチルフェニル）ベンゾイル〕オ中シ／
安息香酸ｐ−シアノフェニルエステル１２重量−１ ８−クロロ−４−／（ｐ−（２−（トランス−４−へグ
チルシクロヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オ中シ／安
息香酸シーシアノフェニルエステル１２重量−１ 融点（ｃ’−Ｎ）＜ｏ℃；透明点（Ｎ−１）９Ｂ、、６
℃。

全混合物Ｔ６ 基本混合物ＡＩＯｓａ、ａ重量− 基本混合物Ｂｉ　　ｔ＆ｇ重量− 基本混合物Ｃ冨　ｇＬｇ重量− 全混合物Ｔ４が特に好ましい。

以下の実施ガは本発明における式Ｉの化合物及び式Ｖの
新規化合物の製造上さらに説明するものである： 実施ガ１ ８−クロロ−４−〔（９−へブチルベンゾイル）オ中７
〕安息香＠１１１　ｆｔ−ベンゼン１００５ｇ中の塩化
チオニル＆３ｆと共に３時間加熱沸騰させ九。溶媒及び
過剰量の塩化チ・オニルを留去し、残渣をトルエン各５
０ｓｇＫ２回採り入れ、そして濃縮した。

生じた粗製の２−クロロ−４−［（ｓ＋−へグチルベン
ゾイル）オキシフベンゾイルクロライドをベンゼン１５
０−に溶解し、次にこの溶液をビリゾ／ｌａ！ＳＷｄ中
のｐ−（２，２−ジシアノビニル）フェノール４丁ｆの
溶液ＫＭ下した。この混合物を浴温６Ｓ℃で一夜攪拌し
、次に氷冷した希塩酸に注ぎ、塩化メチレンで抽出した
。抽出液を３Ｎ塩酸で数回洗浄し、次に水で洗浄して中
性にし、乾燥しそして蒸発させた。生じ九粗製の２−ク
ロロ−４−［（ｐ−へグチルベンゾイル）オキシ〕安Ａ
ｌ１１ｐ−（２、ｚ−ｃｙジシアノビニルフェニルエス
テルをシリカグル上でトルエン／アセトン（９：１）Ｋ
よってクロマトグラフィーにかけた。

薄層１ａ−ｖトゲラフイーによればほとんど純粋である
得られたフラクションをエタノール／アセトン（ｓｋｉ
）から艶に２回再結晶した；融点（Ｃ−ｊＶ）　ｌ　ｌ
　１１℃；透明点（Ｎ−７）ｉ６α５℃；収１ｌｔ６Ｆ
。

出発物質として用いた８−クロロ−４−［（Ｓ＋−へブ
チルベンゾイル）オキシ〕安息香酸は次の如くして製造
することができた： 塩化メチレフＲｏｏＩＩｄ中の２−クロロ−４−ヒドロ
命ジベンズアルデヒド’ｔ、ｏｔ、ｐ−へグチル安息香
ａｌｔ９　ｆ及び４−（ジメチルアミノ）ピリジン０．
１！　ｆの混合物に、Ｎ、Ｎ′−ジシクロへキクルカル
ｍｙインド１１３ｆｔ−１ｉ分以内に加えた。

この混合物ｔ−ｍ温で更に８時間攪拌し、沈殿し九Ｎ　
、　Ｎ’−ジシクロへキシルフレアを吸引戸別し、Ｆａ
ｔ−１１発させた。

生じた粗製の２−り冨ロー４−（（ｐ−へブチルベンゾ
イル）オキシ〕ベンズアルデヒドをアセトジ！ｌｌ１Ｏ
−に溶解し友。これにジョーンズ試蘂３０ｄｋ４０分以
内に滴下し、この混合物をいくぶん加温し友。この混合
物を２ＶＣｔ時間攪拌し、沈殿した無機物質を吸引戸別
し、ｐ液を水３０Ｇ−で希釈しく生成物が沈殿する）、
回転蒸発機で容量約１００ｔｊＫ濃縮し、得られ九懸濁
液を吸引濾過した。吸引フィルター物質を１０％水性ア
セトンｓ〇−で３回洗浄し、乾燥し、べ／ゼン約６０−
から再結晶した。融点１０８℃（ネマテイク）の２−ク
ロロ−ａ−Ｃ（ｐ−へグチルベンゾイル）オキシ〕安息
香酸１１８ｆが得られた。

上記同様の方法で次の化合物を製造することができ九二 意−クロロ−４［（ｐ−プロピルベンゾイル）オキシ〕
安息香酸ｐ−（２，２−ジシアノビニル）フェニルエス
テル；融点（Ｃ−Ｎ）１６１’ｃ：透明点（Ｎ−Ｉ）ｔ
ｏｏ℃。

２−クロロ−ａ−Ｃ（ｐ−ブチルベンゾイル）オキクコ
安息香酸ｐ−（意、１！−ジシアノビニル）フェニルエ
ステル；８点（（：’−Ａ／）１４０℃；透明点（７１
／−１）１７６℃。

２−クロロ−ａ−（（ｐ−ペンチルベンゾイル）オキシ
〕安息香＃９−　（意、！−ジシアノビニル）フェニル
エステル；融点（Ｃ−Ｎ）ａ７℃マ九ハ１０４℃（ｚｌ
［）：透明点（Ｎ−１）１７４℃。

８−クロロ−１−（（ｐ−ヘキシルベンゾイル）オ中り
〕安息香酸ｐ−（！　、２−ジシアノビニル）フェニル
エステル；融点（Ｃ−Ｎ）１１１８℃ま九ハ９４５℃（
！変ＩＩＩ）　：透明点（Ｎ−１）１６２．５℃。

２−クロロ−４−／（ｓ＋−（トランス−４−ペンチル
シクロへ中シル）ぺ／ゾイル〕オキク／安息ｌ１１１ｐ
−（１２−ジシアノビニル）フェニルエステル；融点（
Ｃ−Ｎ）１３　！Ｌ５℃；透明点（Ｎ−ｚ）＞３ｏｏ℃ ２−り四ロー礁−／（ｐ−（）ランス−４−ヘｆｆｋシ
クロヘキシル）ベンゾイル〕オ午シ／安Ａ香１１ｐ−Ｃ
２，２−ジシアノビニル）フェニルエステル；融点（Ｃ
’−＃）ｘ２α５℃：透明点（Ｎ−７）２ｓ甑５℃。

２−クロロ−４−／［ｐ−（４−ペンチルフェニル）ベ
ンゾイル〕オキシ／安息香酸ｔ−（２゜２−ジシアノビ
ニル）フェニルエステル；融点（Ｃ−Ｎ）ｔ　４０℃；
透明点（Ｎ−４）３０ｆＬ５℃。

２−クロロ−４−／［ｐ−（ｉ−へグチルフェニル）ぺ
／ゾイル〕オ會プノ／安息香酸シー（２゜２−ジシアノ
ビニルエステル；融点（Ｃ−Ｎ）１２１’Ｃ：透明点（
Ｎ−Ｉ）２８８℃。

２−りＤｏ−４−／Ｃｐ−＜４−ペンチルフェニル）ベ
ンゾイル〕オ中シ／安息香酸ｐ−シアノフェニルエステ
ル；融点（Ｃ−／ｌ／）１３７．５℃；透明点（Ｎ−７
）１０＆５℃。

鵞−クロロー４−／Ｃｔｓ−（４−へ中クルフェニル）
ベンゾイル〕オキ７／安息香酸ｐ−シアノフェニルエス
テル；融点ＥＣ−Ｎ）１３９．５℃；透明点（Ｎ−７）
ｇｓａｓ’ｃ。

８−クロロ−４−／ＣＦ−（４−へブチルフェニル）ベ
ンゾイル〕オキシ／安息香酸ｐ−シアノフェニルエステ
ル；融点（Ｃ−Ｎ）１２７．５℃；透明点（Ｎ−７）ｚ
ｓｘ’ｃ。

２−クロロ−４−／［９−（）ランス−４−ペンチルシ
クロヘ−＃フル）ベンゾイル〕オギク／安に香ｆｌｐ−
シアノフェニルエステル；　融点＜　ｃ　−７Ｖ）ｌｌ
ｌｉ℃；透明点（Ｎ＝７）３０６℃。

２−クロロ−礁−／〔ツー（トランス−４−へブチルシ
クロヘキシル）ベンゾイル〕オ中り／安１１ａｌｊ−シ
アノフェニルエステル：融点（Ｃ−Ｎ）１１４’Ｃ：透
明点（Ｎ−１）２９’ｌ−ｈ”Ｃ，。

＜−／Ｃｐ−＜４−ペンチルフェニル）ベンゾイル〕オ
中７７安息香酸ｐ−シアノフェニルエステル；融点（Ｃ
−Ｎ）１５８℃；透明点（Ｎ−１）〉３５０℃。

４−／［９−（４−へブチルフェニル）ベンゾイル〕オ
キシ／安８１酸ｐ−シアノフェニルエステル；融点（Ｃ
−Ｎ）１４７．５℃；透明点（Ｎ−７）＞ｓｓｏ℃。

実　施　例　２　（式Ｖの化合物） 塩化メチレン２Ｉｓ−中の４−（５−ヘゲチル−８−ピ
リミゾニル）安息香Ｈ１，２ｔ、ｐ−（２＊２−ジシア
ノビニル）フェノール０．６８Ｆ及び４−（ゾメチルア
ｉ））ビリソンα０５Ｆの懸濁液に攪拌しながら１０分
以内に、Ｎ、Ｎ’−ｔ）シクロヘキシルカルがシイミド
１．０３　ｆ’ｔＭ下Ｌ７’ｊ。この混合物を更に３時
間攪拌し、次に沈殿したＮ。

Ｎ′−ジシクロへキシルウレア？Ｆ別し、Ｐ液を蒸発さ
せた。生じた粗製の４−（５−へグチル−２−ピ□′り
ミゾニル）安息香酸ｐ−（２，ｉ！−ジシアノビニル）
フェニルエステルをアセトンから１回再結晶した；融点
１４λＳ℃；透明点２１６℃；収量Ｌｏｔ。

出発物質として用い九４−（５−へブチル−２−ピＩＪ
　ミソニル）安息香酸は次の如くして製造することがで
きた： ４−（５−へグチル−２−ビリミゾニル）ベンゾニトリ
ルｌα２ｆｆ、エチレングリコール２００−中の水酸化
カリウ＾７．３ｔの溶液中で１８０’ＣＫ６時間加熱し
良。冷却後、混合物ケ水で希釈し、３Ｎ塩酸で酸性にし
た。沈殿した生成物を塩化メチレンに採り入れた。抽出
液を水で洗浄し、硫酸す）　ＩＪウム上で乾燥し、そし
て蒸発させた。粗製の４−（５−へブチル−２−ビＩＪ
　ｆジニル）安息香酸をへキサン／エーテル中で沸騰さ
せて精製し九−融点２２α５〜２２１５℃；収量１（Ｌ
４Ｆ。

上記同様の方法で次の化合物を製造することができた： ４−　（ｓ−ペンチル−２−ピリミゾニル）安息ｉ酸ｔ
−（ｊ！、２−ジシアノビニル）フェニルエステル；融
点１７ａ５℃；透明点２３２℃。

実施例３ Ｙが２．２−ジシアノ−ｌ−メチルビニル基を表わす式
■の化合物を実施例１と同様の方法で製造することがで
きた。

出発物質として用いたｐ−（ｚ、２−ゾシアノー！−メ
チルビニル）フェノールは次の如くシて製造することが
できた： ｐ−ヒドロキシアセトフェノン９２．Ｏｆ、ｆｆロノニ
トリル４ｔ＠ｔ、酢酸アンモニア＆２Ｆ１酢酸ＩＬ１Ｆ
及びトルエン２００−の混合物を、水分離器を用いて、
攪拌しながら２時間沸騰させた。

冷却後、２相の混合物をジエチルエーテルγＯＯ−で希
釈した。暗赤色溶液を飽和塩化ナトＩＪウム溶液５０ｓ
ｄで４回洗浄し、硫散ナトリウム上で乾燥し、−過し、
そして蒸発させた。ゾイソグロビルエーテルから分別結
晶して、融点１２α５〜１２１、！！ｔのＴＩ−（２、
ｔ−ジシアノ−１−メチルビニル）フェノール９翫丁ｔ
ｒｉｍた。

この方法で次の化合物を得ることができた＝２−クスロ
ー４−ｉ−Ｃｐ−＜４−ペンチルフェニル）ベンゾイル
〕オ中シ／安息香酸ｐ−Ｎ！　。

２−ジシアノ−１−メチルビニル）フェニルエステル；
融点（（：’−＃）１！ＩＩ℃；転移５−Ｎ１１！！’
Ｃ（モノトロピック）；透明点（Ｎ−１）１７１’Ｃ０ ２−クロロ−ａ−／（ｐ−（＋−ヘキシルフェニル）ベ
ンゾイル〕オキシ／安息香ｍｐ−（ｚ。

２−ジシアノ−１−メチルビニル）フェニルエステル；
融点（Ｃ−８）ｘｌ＆ｓ”ｃ：転移５−Ｎ１３０℃；透
明点（Ｎ−７）２６４℃。

意−クロロー４−／［ｐ−（４−へグチルフェニル）ベ
ンゾイル］オキク／安に香Ｆｌｉｐ　−（ｚ　。

翼−ジシアノ−１−メチルビニル）フェニルエステル；
融点（Ｃ−８）　ｌｌ＆５℃；転移５−Ｎ１２９℃；透
明点（Ｎ−１）２ｓｇ℃。

３−クロロ−４−／（ｐ−（）ランス−４−ぺグチルシ
クロヘキシル）ベンゾイル〕オΦシ／安息香酸ｐ−（ｇ
、！−ジシアノー１−メチルビニル）フェニルエステル
；融点（Ｃ−Ｎ）ｌ　４１’Ｃ；透明点（Ｎ−ｚ）ｇ丁
４５℃。

２−クロロ−４−／［ｐ−（１−ランス−４−へグチル
シクロヘキシル）ぺｙゾイル〕オ中シ／安息香１！！ｐ
−（ｚ、ｚ−ジシアノ−１−メチルビニル）フェニルエ
ステル５１１１１点（Ｃ−７Ｖ）ｔａα５℃；透明点（
７Ｖ−７）ｚｓｔｓ℃。

４−／［シー（４−ペンチルフェニル）ペンゾイル〕オ
キシ／安息香酸ｐ−（Ｚ、２−ゾクアノー１−メ＋ルビ
ニル）フェニルエステル；融点（Ｃ−Ｎ）１７９℃；透
明点（Ｎ−１）３１．９℃。

４−／Ｃ９−Ｃ４−へブチルフェニル）ベンゾイル〕オ
キシ／安息香＆ｐ−（２，２−ジシアノ−１−）メチル
ビニル）フェニルエステル；融点（ｃ　−Ｎ”Ｉｔ　４
４℃：透明点（Ｎ−１）３０Ｌｆｉ℃。

実施例４ 、Ｒ直及びＥが共Ｋｐ−（２−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）エチル〕フェニルヲ表わす式■の化
合物を実施例１及び３と同様の方法で製造することがで
きた。

出発物質として用いたｐ−［ｚ−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）エチル〕安息香酸はヘゲチル化合
物に対して以下に説明した工うＫして製造することがで
きた： エチレングリコール５００−中のｐ−Ｃｚ−（トランス
−４−ヘゲチルシクロへ中クル）エチル〕ベンゾニトリ
ル２１３９及び水酸化カリウム１４、Ｏｆの溶液を８時
間加熱沸騰させた（浴温ｚｉｏ℃）。冷却後、混合物を
水に注ぎ、３Ｎ塩酸で酸性ＫＬＩ。沈殿し九ｐ−（２−
（）ランス−４−へプチルククロヘキシル）エチル）　
安、ＩＩ香酸を吸引戸別し、吸引フィルター上を水で洗
浄し、次にジエチルエーテルに採り入れ友。この溶液を
硫酸ナトリウム上て乾燥し、そして蒸発させ喪。

薄層クロマトグラフィーによれば純物質である生成物ｊ
！２．９Ｆが得られた；融点１８４〜１８７℃；透明点
１’２０〜２２３℃。

この方法で次の化合物を製造することができた＝２−ク
ロロ−４／ＣＦ−（２−（）ランス−４−へグチルシフ
四へ午シル）エチル）ベンゾイル〕オ中ｙ／安１１Ｈ２
ｐ−シアノフェニルエステル；融点（Ｃ−７Ｖ）１０８
℃；透明点（Ｎ−１）２４丁、５℃。

２−り■四−ｉ−／（ｔ−（ｘ−（トランス−４−へグ
チルシフ四ヘキシル）エチル）ベンゾイル〕オ中シ／安
息香酸ｐ−（意、＊−ジシアノ−１−メチルビニル）フ
ェニルエステル：　８点（Ｃ−Ｎ）１２２℃；透明点（
Ｎ−１）　２１６℃。

実施例５ Ｒ１及びＥが共にトランス−４−［１＋−（ｐ−８１−
フェニル）エチル〕シクロヘキシルヲ表わす弐■の化合
物を実施例１及び３と同様の方法で製造することができ
た。

出発物質として用いたトランス−４−（ｚ−（ｐ、Ｒｔ
　−フェニル）エチルコシクロへ中サンカルがン酸はペ
ンチル化合物に対して以下に説明したようＫして製造す
ることがで１！工二 ａ）ｔ−ブチルメチルエーテル３０−中の（ｐ−ヘンチ
ルフェニル）メチル◆トリーフェニルホスホエクムプ四
マイト２．Ｓ１ｆ及び４−シアノシクロヘキサンカルｆ
中７アルデヒド（シス／トランス混合物約ｌ：ｔ）ｓｔ
ｓＷの混合物をアルプン通気しながら０℃でスルホン化
用フラスコに入れ、この混合物を固体のカリウムｔ−ブ
チレート６丁３ｑで２分以内に処理し、次いで混合物を
０℃で更にＬ５時間攪拌した。赤−褐色の不均質混合物
を水１００ｍＫ注ぎ、ジエチルエーテル各１００−で３
回抽出した。有機相を水苔５０−で２回そして飽和塩化
す）　ＩＪウム溶液５ｏ−で１回洗浄し、硫酸マグネク
ラム上で乾燥し、そして濃縮し九。残渣をへ中サン１５
０−に懸濁させ、沈殿したトリフェニルホスフィンオキ
サイドを戸別しくヘキサンで逆洗浄）、Ｐ液ｔｌｌ＃ｉ
ｌした。生じ九油（１３１１ｆ）ｔ−シリカダル上で溶
離剤として３％酢酸エチル／石油エーテルを用いて低圧
クロマトグラフィー（α４パール）Ｋかけ、無色の油、
！：して４−（２−（シーペンチルフェニル）エチニル
コシクロへ中サンカルがニトリルＬＯ２ｆ（８１％）を
得た；この異性体混合物のＲ／値（１０−酢酸エチル／
石油エーテル）：α２７及びα３６゜ ｂ）上で得られた４−（１！−（ｔ−ペンチルフェニル
）エチニルコシクロヘキサンカルがシイ２ド９　Ｓ　８
　Ｍｆｔ−スルホン化用フラスコ中のトルエン５０ｄＫ
溶解し、この溶液をノラジウに／炭素（ｌＯ憾）１５０
ダで処理し、この混合物を水素の吸収が停止するまで（
約３０分間）、常圧及び室温で水素添加した。混合物を
一過しくトルエンで逆洗浄）、軒液を濃縮し、セして残
渣（８９０ＴＩｇ）ｔ−シリカグル上で５−酢酸エチル
／石油エーテルによって低圧りｐマトダラフイ−（α４
パール）にかけ、活性のある無色の油として、４−（２
−（ｐ−ペンチルフェニル）エチル〕シク党へ中す／カ
ルＩニトリル７８８キ（８２％）ｔ−得友、溶峻剤とし
て異なる溶媒系を用いる薄層クロマトグラムにおいては
単一スポットのみが現われたが、ガスクロマトグラフ分
析及びＮＭＲスペクトル分析はこの物質がシス／トラン
ス異性体混合物（約ｌ：３）であることを示した。この
物質をべエタノから一１０℃で２回結晶化し、最終的に
十分に純粋なトランス−４−Ｃ２−Ｃｐ−ペンチルフェ
ニル）エチルコシクロヘキサンカルがニトリルを得た（
がスクロマトグラフ分析によれば、トランス化合物９＆
、８−及びシス化合物Ｌ！１）：融点２２４℃；透明点
（Ｎ−１）−１４１’Ｃ０６）　トランス−４−Ｃ２−
（ｐ−ペンチルフェニル）エチルコシクロへ中サンカル
ダニトリル５６丁彎並びに２Ｎ水酸化カリウム及びエタ
ノ−□ルの１０：１温合物２０−の混合物を、還流冷却
器を備えた丸底フラスコ中でアルゴン通気しなから２時
間還流下で加熱した。冷却した混合物を水２０−で希釈
し、ソエチルエーテル各３０−で２回抽出した。分離し
た水相を１！Ｎ５＆酸約２０−で酸性にし、ジエチルエ
ーテル各ｇｏｗｔで３回抽出した。有機相を飽和塩化す
）　１７り＾溶液各５０ｗｔで２回洗浄し、硫酸マグネ
シウム上で乾燥し、そして濃縮し友。無色の結晶として
トランス−４−［２−（ｐ−ペンチルフェニル）エチル
コクキサン中サンカルがン酸４９０キ（ｓｘ％）が得ら
れ、このものをへキサンから再結晶して更に精製した。

実施例６ Ｒ１及びＥが共にトランス−４−［２−（トランス−４
−アルキルシフ四ヘキシル）エチルコシクロへ中ゾルを
表わす式Ｉの化合物を実施例１及び３と同様の方法で製
造することができた。

出発物質として用い九トランス−４−〔２−（トランス
−４−アル中ルック四へ中ゾル）エチルコシクロヘキサ
ンカルメン酸はペンチル化合物に対して以下に示した様
にして製造することができた： ａ）水素化リチウムアルミニウム、、＆７９１Ｆｆ：ア
ルゴン通気しながら無水テトラヒドロフラン１００ｍＫ
入れ、無水テトラヒドロフラｙｘｏ。

ｄ中のトランス−４−ペンチルシクロヘキサンカルダン
酸１＊！Ｉ！ｉｆの溶液で３０分間以内に処理し友。添
加終了後、この混合物を１時間還流下で加熱し、次罠注
意して２Ｎ塩酸２００ｄＫ加え、ノエチルエーテル各１
００Ｗｄで３回抽出した。有機相を飽和炭酸ナトリウム
溶液１００−で洗浄し炭酸カリウム上で乾燥し、そして
濃縮した。残渣（Ｉｔ！Ｆ）の蒸留により、主留として
無色の油の（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
メタノール（純９１１Ｌ９％）１７．７Ｆ（１ｇ５１）
’を得た；融点８９℃／αＩＩｗｍＨ（１０ｂ）塩化メ
チレ／７０−中の（トランス−４−ペンチルシクロへ會
シル）メタノールλ６９９及ヒドリフェニルホスフィン
＆５１Ｆの溶液全アルゴン雰囲気下で一３０℃に置き、
内部温度が−ｇｏ’ｃｔ−超えないようにして、固体の
テトラブロモメタン７、３　Ｏｆで１Ｓ分以内に一部づ
つ処理し良、添加終了後、冷却浴を除去し、この混合物
を徐々に室温に加温しながら更Ｋ１８時間攪拌した。次
に混合物を回転蒸発機で濃縮し、生じた半結晶性の残渣
を温ヘキサン雪Ｏ〇−と共に砕解し、濾過し、濃縮した
ｐ液をシリカグルのカラムでへ中サンによってクロマト
グラフィーＫかけた。無色の液体としてトランス−１−
（ブロモメチル）〜４−ペンチルシクロヘキサン４７９
ｆ（９７５Ｇ）が得られ、このもの全蒸留によって更に
精製し九；沸点８２℃／　ａ　ＯＩＩ　ｗｌＩＨＩＦ＠
ｅ）ｌ−メト中シー３−（トリメチルシリルオ中シ）−
１，３−プタゾエン［Ｓ、　Ｄａｎｉａｈｇｆａｋｙ等
、　Ｊ、Ａ琳−デ、ＣＪ＆＃琳６　Ｓ・Ｃ０９６、（１
９７４）丁ｓｏｗ）ｘａ、ｏｒ、アクリｏ＝トリＡＦＬ
４ｆ。

過酸化ジベンゾイル１００１９及びベンゼン５〇−の混
合物音アルプン通気しながら還流下で２３時間加熱した
。冷却後、液体成分（ベンゼン及び過剰量のアクリロニ
トリル）を回転蒸発機で除去し、残渣をテトラヒドロフ
ラン／ＩＮ塩化水素酸（４：’１）１００−中で２時間
加熱沸騰させた。冷却した混合物を塩化メチレン各１０
０ｓｄで３回抽出した。有機相を水苔１００−で２回、
飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、・硫酸マグネシ
ウム上で乾燥し、そして濃縮し虎。黄色油ｌα３ｆが得
られ、このものは４−シアノ−３−シクロヘキセｙ−１
−１ｙ８７．ｉｌ　＊、　４　”／７／　−２−／クロ
ヘキセンー１−オン表１−及ヒトランス−４−シアノ−
３−メトキシシクロへキサノン２．７−（中　　　。

間約に生じる加水分解生成管）からなっていた。

生じた油の球管（ｂ語ｔｂ−ｔ％６１）蒸留（１３０〜
ｂ の結晶する油として、４−シアノ−３−７クロヘキセン
ー１−オン及び４−シアノ−２−シクロヘキセン−１−
オンの混合物７．６４ｆｆ：得た。このものをエタノー
ル７０−に溶解し、１０　％ハ５　ｙりム／炭素？４１
４ａｙの存在下において常圧で水素添加した（水素吸収
１４４ｇ−）。触媒ｔ−濾過し、塩化メチレンで洗浄し
、Ｆ液を濃縮し、そして球管蒸Ｍ（１３Ｇ−１５０℃／
Ｑ、１１ｗ５Ｈｔｊ）Ｉ、た後、無色の油として４−シ
アノシクロヘキサノｙ＆４５　ｔ　（７０％　）　カ得
らレタ”　Ｒｆ　０１　（）　ｈエン／酢酸エチルｓ：
ｌ）：α２６゜ ｄ）　トリフェニル（メト中ジメチル）ホスホニウムク
ロライド１８　Ｐｉアルｆ／通気しなからｔ−プチルメ
〒ルエーテル５０ｍＫ溶解し、固体のカリウムｔ−ブチ
レート１３９ｆで一部づつ一１０℃にて処理した。添加
終了後、混合物ｔ−θ〜５℃で更に３０分間攪拌し、次
に濃い橙色の一部不均質の混合物を、ｔ−ブチルメチル
エーテル２〇−中の４−シアノシクロへキサノンｚ３ｏ
ｔの溶液で１０分以内に滴下処理した。その際に、内部
温［Ｆｉ５℃を超えるべきではない。添加終了後、今や
黄−橙色の混合物ｔ−２５℃に加温し、更に２時間攪拌
し友。次に２−炭酸水素ナトリウム溶液５０ｓｄを加え
、分離し九水相をジエチルエーテル各５０−で２回抽出
した。有機相全飽和塩化ナトリウム溶液ＳＯ−で洗浄し
、炭酸カリウム上で乾燥し、残つ九半結晶性の橙色油全
へ中す７４００−と共に砕解し、−２０℃に冷却し、沈
殿したトリフェニルホスフィンオキサイドｔＦ別ｔ、友
（＆へ中サンですすいだ）。濃縮した残渣をクリカｒル
上でｓＳ剤として１０−酢酸エチル／石油エーチルを用
いて低圧クロマトグラフィー（０，４−ｆ−ル）にかけ
、無色の油として４−（メトキシメチレン）シクロヘキ
サンカルがニトリル（ＭＩｆ９？１）ｔｓｏｒ（ｓｓ％
）を得た。

−）上で得られ九４−（メトキシメチレン）フクロヘキ
サ／カルダニトリルをテトラヒドロフラン／ａＬ／Ｖ塩
化水素酸（４：１）１０ＧｗＩＩｔ中で１、！！一時間
還流下で加熱した。冷却した混合物を水５０−に注ぎ、
ジエチルエーテル各５０−で３回抽出し九。有機相を水
６０−及び飽和ＩＲｗ！１水素ナトリウム溶液５０−で
洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、そして濃縮した
。無色の油Ｌ３５２（９１Ｇ）が得られ、このものはガ
スクロマトグラフ分析によれば、シス−及びトランス−
４−シアノシクロヘキサンカルが中ジアルデヒドの混合
物（約ｌ：ｌの比）９鵞−を含有してい九。この物質會
更に精製せずに次の還元に用い友。Ｒ１値（トルエン／
酢酸エチル３：１）：シスー４−シアノシクロヘキサン
カルがキシアルデヒドα３６、トランス−４−シアノシ
クロへ中サンカル−ヤシアルデヒドα３２゜ ｆ）　αｌＮメタノール性水酸化カリウム溶液４０−中
の４−シアノシクロヘキサンカルゲキシアルデヒド（シ
ス／トランス混合物）１３４Ｆの溶液ｔ−Ｏ℃でアルゴ
ン通気しながら、固体の水素化ホウ素ナトリウム３’　
７８　＠ＩＦで一部づつ処理した。

添加終了後、混合物ｔ−０℃で更に２０分間攪拌し、次
に水ｓ〇−を加え、得られた混合物を塩化メチレン各５
０−で３回抽出し友。有機相を水苔５０−で２回洗浄し
、硫酸マグネシウム上で乾燥し、そして濃縮した。残渣
をシリカグル上でクロロホルム／酢酸エチル（１：１）
により低圧クロマトグラフィー（α４パール）Ｋかけ、
無色の粘性油として４−（ヒドロキシメチル）シクロへ
中サンカルダニトリル（同様に２５種のエピマーの約１
：ｌ混合物として）１１２ｆ（９０％）を得た。この物
質を更にｌ／ｆＩ製せずに次のトシル化に用いた。

４−（ヒドロキクメチル）シクロヘキサンカルがニトリ
ルのＲ，Ｋ（クロロホルム／酢酸エチルｌ：１）：Ｑ１
９（長いスポット）。

ｇ）　ピリノン５−中の上で得られた４−（ヒドロキク
メチル）シクロへΦサンカルがニトリル１、２　Ｏｆの
溶液を室温で且つアルゴン通気しながらトシルクロライ
ド２４６ｔで一部づつ処理し次。

室温で３５時間攪拌した後（白色沈毀の生成）、０℃に
冷却した混合物を水約８−で処理し、濃塩酸約７−で注
意して酸性にし、ジエチルエーテル各３０ｍで３回抽出
し九。有機相會水５０−及び飽和塩化す）　ＩＪウム溶
溶液Ｓ−で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、そし
て濃縮し、半結晶性の油２３１ｆが後に残った。シリカ
ダル４ｍ０ｆ上で溶離剤としてａｏｌ酢酸エチル／石油
エーテル愛用いて低圧クロマトグラフィー（Ｏ，Ｓパー
ル）にかけ、無色の結晶する油としてトランス−４＝（
トシルオキシメチル）シクロヘキサンカルダニトリル融
点８４〜８５℃）１．０６Ｆ（４２チ）及び無色の粘性
油としてシス−４−（トシルオキシメチル）シクロへ命
すンカルゴニトリル１．０３　ｆ（４１’＄）’）得た
。ＲｌＫ（３０％ｆｈ酸上チル／石油エーテル）ニドラ
ンス生成物０．２！＄、シス生成物α２００ ル）マグネシウム細片１２１ａＦをアルゴン通気しなが
ら無水テトラヒドロフラン３−でおおい、ヨウ素の結晶
で処理し、次に無水テトラヒドロフラン７−中のトラン
ス−１−（ブロモメチル）−４−ペンチ、ルシクロへ午
サン〔節ｂ）による〕９８９ｑの溶液で還流温度にて処
理した。添加終了後、この１合物を更に４５分間還流下
で加熱した。

次いで、−７８℃に冷却した混合物をテトラヒドロフラ
ン中のノリデクムナトラクロロクグレー）　　ＣＭ、Ｔ
ａｍ５ｒａ　等、　Ｓ１１％ｔｈ＠ａｉｍ　　１９７１
．３０３に記載の方法に従って製造し念もの）のαＩＮ
溶液α丁−及び無水テトラヒドロフラン９−中のトラン
ス−４−（）シルオキシメチル）シクロヘキサンカルが
ニトリル５８７１９の溶液で処理し友。−１５℃に加温
しｆｔ、、混合物を更［２１時間攪拌し、次に飽和塩化
アンモニウム溶液約１０−で処理し、Ｖエチルエーテル
各５０−で３回抽出した。有機相を飽和塩化ナトリウム
溶液５０ｍで洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、そ
して濃縮した。残渣をシリカグル上で３ｇ４酢酸工チル
／石油エーテルによって低圧クロマトグラフィー（α５
パール）ニカケ、トランス−１−（ブロモｌｆＪ＆＞−
４−ペンチルシクロヘキシルの多量のカップリング生成
物の外に、　　）ランス−４−〔２−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）エチルコシクロへ中サンカル
ダニトリル１６４岬（８龜Ｓ％）を得た〔３０％酢酸エ
チル／石油エーテルによって、トランス−４−（）シル
オキシメチル）シクロヘキサンカルがニトリル３５３ｑ
ｔ回収することができ九〕。メタノールから１回再結晶
化し、無色の結晶としてトランス−４−〔意−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル〕シクロヘキ
サンカルＩニトリル（純度９ｔ９ｇ％）９ｇｌＦＫ−得
九；固体一固体転移点りｔ３℃；融点５ｅＬ３℃；透明
点７２３℃（ネマテイク）。

６）上で得られたニトリルを実施例５Ｇと同様の方法で
２Ｎ水酸化カリウム及びエタノールによって還流下でケ
ン化し、トランス−ａ−［−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチルコシクロヘキサ／カルがン酸を
得た。

特許出願人　　エフ・ホフマ／・う・ロシュ・ラント・
コンノニー・アクチェンｒゼルシャフト第１頁の続き 優先権主張　＠１９８２年３月２６日■スイス（ＣＨ）
■１８８３／８２−９ ０発　明　者　マルチン・シャット スイス国４４１１ゼルチスベ゛ルク・ リースターラーシュトラーセ７７ ０発　明　者　アロイス・フィリガー スイス国４０５５ハーゼル・イムエ ツチンガーホーフ５

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　　Ｍ−８１１１数マトリツクス・アドレッシング法
   （ｔｗｏ　−ｆｒａｑｓｍ＊ａｙ　　ｍａｔｒｉ：ａ　
   　ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇνｒ・−ａｄｖｂｒｅ）に従っ
   て操作する電子−光学（−χトｇｉｖｅ−ａｐ１４ｇｍ
   ｌ）装置用の液晶混合物であって、蚊混合物が３成分Ａ
   ％Ｂ及びＣからなり、その各々はＩＩＩ’Ｓたはそれ以
   上の化合物を含み、成分Ａは多くとも約４０ｅｐの粘度
   、少なくとも約４０℃の透明置屋び約−８乃至＋１間の
   誘電異方性を有し、成分βは約−２以下の誘電異方性を
   有し、そして成分Ｃは鞠＋１０以上の誘電異方性、少な
   くとも約１００℃以上の透明点及び２０℃で多くと一鞠
   ＊ｍｈＨｍＯ全混合物における交す周波数を有すること
   ｔ−轡倣とする液晶１合物。 １　成分Ｃが意Ｏ℃で多くとも約ｌＯｈｌ１ｇの全混合
   −における交す周波数を有する特許請求の範囲１１１Ｅ
   Ｉ項記戦の液晶混合物。 ＆　成分Ａ少なくとも約３０重量−１成分Ｂ約３〜４０
   重量−及び成分Ｃ１ｈｓ〜４０重量−からなる特許請求
   の範囲第１項またはＩＩＥ！項記載の液晶混合物。 表　成分Ｃが１種またはそれ以上の一般式式中、Ｒ１は
   水素、フッ素、塩素、臭素またはシアノ基を表わし、Ｙ
   ＦｉＲ、！−ジシアノビエル、２．２−ゾクアノーｌ−
   メチルビニルまたはシアノ上表わし、Ｒ１及びＥは共に
   、−Ｒｔ−フェニル、トランス−ｉ−Ｒｍ。 シクロへ中シル、４’−Ｒ”　　−４−ビフェニリル、
   ｐ−（トランス−鴫−Ｒ１−７クロヘキシル）フェニル
   、ｐ−（”−”　　−意−ピリミノニル）フェニル、ｐ
   −ＣＢ−（ｐ’−Ｒ”−フェニル）エチル〕フェニル、
   ｐ−（２−（トランス−４−Ｒ”　　−シクロへ中シル
   ）エチル〕フェニル、トランス−＜−Ｃ２−（ｐ−Ｒ”
   −フェニル）エチルコシクロヘキシルまたはトランス−
   ４−［！−（）ランス−４−Ｒ１−７クロヘキシル）エ
   チルコシクロヘキシルを表わし、そしてＲ１は炭素原子
   １〜１２個を含む直鎖状のアルキル基またはベンゼン環
   上において炭素原子１−１２個を含む直鎖状のアルコキ
   シ基を表わす、 の化合物を含む特許請求の範囲１１１〜３墳のいずれか
   に記載の液晶混合物。 ４　式ＩにおけるＲｍがシアノまたは塩素、好ましくは
   塩素を表わす特許請求の範囲第４項記載の液晶混合物。 ａ　式ＩＫおけるＲ１が炭素原子１−１２ｉ個會含む直
   鎖状のアルギル基を表わす％１ｌｉＩＩ求の範囲第４項
   または第５項記載の液晶混合物。 ７、式ＩにおけるＹがシアノまたは２．２−ジシアノ−
   ｌ−メチルビニルを表わす特許請求の範囲第４〜６項の
   いずれかに記載の液晶混合物。 ＆　式ＩにおけるＲ１及びＥが共に４′−アルキル−４
   −ビフェニル、ｐ−（トランス−４−アルキルシクロヘ
   キクル）フェニルマタはｐ−Ｃ２−（トランス−４−ア
   ル中ルシクロヘキクル）エチル］フェニルを表わす特許
   請求の範囲第４〜７項のいずれかに記載の液晶１合物。 張　成分Ｂが１種またはそれ以上の一般式式中、Ｒ−は
   炭素原子１−１！個を有する直鎖状のアルキル基を表わ
   し、Ｒｏはアルキル、アルコ中り、ｐ−アルキルフェニ
   ル、ｐ−アルキルフェニルまたはトランス−４−アルキ
   ルンクロヘキクル基を表わし、セしてＲｏにおけるアル
   キル及びアルコキシ基は炭素原子１−１０個を含む直鎖
   状の基である、の化合物を含む特許請求の範囲第１〜８
   項のいずれかに記載の液晶混合物。 ｌα　一般式 式中、Ｒ冨は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアノ基
   を表わし；Ｙは２．２−ジシアノビニルまたＦｉ！、Ｌ
   １１’シアノ−１−メチルビニルを表わし、そしてＲ１
   及びＥは共にｐ−Ｒｔ　　−フェニルまたはトランス−
   ４−８１−７クロヘ中シルを表わすか；或いはＹは２．
   ３−ジシアノビニル、２．２−ｔ）シアノ−１−メチル
   ビニルま九はシアノを表わし、そしてＲｍ及びＥは共に
   ＋’−Ｒ”−４−ビフエニリル、ｐ−（）ランス−４−
   Ｒ１−シクロヘキシル）フェニル、ｐ−（ｓ−Ｒ’　　
   −２−ピリミノニル）フェニル、ｐ−Ｃｚ−（ｐ’−Ｒ
   ｓ−フェニル）エチル〕フェニル、Ｐ−［２−（トラン
   ス−４−Ｒ１−シクロへ中クル）エチル〕フ千ニル、ト
   ランス−４−［”２−１ｐ−Ｒ”　　−フェニル）エチ
   ルコシクロヘキシルまたハトランス−４−（２−（）ラ
   ンス−４−Ｒ”、−７クロヘキシル）エチルコシクロへ
   中シルを表わし；そしてＲ１は炭素原子１〜１２個を含
   む直鎖状のアルキル基ま次はベンゼン頂上において炭素
   原子１−１！個を含む直鎖状のアルコ午シ基ｔ−表わす
   、の化合物。 ｌＬ　Ｒｍがシアノまたは塩素、好ましくは塩素を表わ
   す特許請求の範囲第１０項記載の化合物。 １１　　Ｒ１が炭素原子１〜１２個を含む直鎖状のアル
   キル基を表わす特許請求の範囲第１０￥ｉｔたけ第１１
   項記載の化合物。 １　＆　　ＹｉｌＥｆｌ　、　２−　ｔ／’ｌア）　−
   １−メチＡｋ’ニルま九はシアノを表わす特許請求の範
   囲第１０〜ｌ！項のいずれかに記載の化合物。 １４　　Ｒ”及びＥが共に４′−アルキル−４−ビフェ
   ニリル、？−（）ランス−４−アル中ルシクロヘキシル
   ）フェニルまたはｊ）−（！−（）ランス−４−アルキ
   ルフクロヘキシル）エチル〕フェニルを表わす特許請求
   の範囲第１０〜１３項のいずれかに記載の化合物。 ｌ翫　一般式 式中、Ｒｕｔｔ炭素原子１〜１２個を含む直鎖状のアル
   中ル基ｔ−表わし、ＲＩＦｉフッ素、塩素、臭素または
   ７アノ基を表わし、そしてＲ１及びＥは共にｐ−アルキ
   ルフェニル、トランス−４−アルキルシフ四へ中シル、
   ４′−アルキル−４−ビフェニリル、ｔ−（）ランス−
   ４−アルキルシフ四ヘキシル）フェニルマタはｐ−（ｓ
   −アル中ルー！−ピリミゾニル）フェニルを表わす、 の化合物。 ｌ＆　アルキル及びアルコキシ基Ｒ１が炭素原子８〜１
   ０個、好ましくは４〜８個を含む特許請求の範囲第１９
   −１５１１ｉＩのいずれかに記載の化合物。 １７、一般式 式中、Ｒ冨は水素、フッ素、塩素、臭素またはシアノ基
   を表わし；Ｙは２．２−ジシアノビニルまたｌ！　、２
   −ジシアノ−１−メチルビニルを表わし、そしてＲ１及
   びＥは共にｐ−Ｒｔ　−フェニルまたはトランス−４−
   ８１−シクロヘキシルを表わすか；或いはＹは２、！ｌ
   ／シアノビニル、２．２−ジシアノ−１−メチルビニル
   またはシアノを表わし、そし−ｃ　Ｒ１及びＥけ共ＶＣ
   ４’−Ｒ”　　−４−ビアｚ二すル、ｔ−（）ランス−
   ４−Ｒ１−シクロへ中シル）フェニル、ｐ−（５−Ｒ１
   −２−ビリオシニル）フェニル、ｐ−（２−（ｐ’−Ｂ
   ｓ−フェニル）エチル〕フェニル、ｐ−［！−（）う／
   スー４−Ｒ１−７クロヘキシル）エチル〕フェニル、ト
   ランス−＜−Ｃｚ−（ｐ−Ｒ”−フェニル）エチル中シ
   ルロへ命シルｔ７’ｊｔｆ）ランス−４−Ｃ２−（）ラ
   ンス−礁−Ｒ１−シクロヘキシル）エチル〕シク冒へ中
   シルを表わし；そしてＲ１は炭素原子ｌ〜ＩＳ！個を含
   む直鎖状のアルキル基ま九はぺ／ゼン環上において炭素
   原子１〜１２個を含む直鎖状のアルコキシ基を表わす、
   の化合物管製造するＩｎたり、一般式 式中、Ｒ１は水素、フッ素、塩素または臭素を表わし、 そしてＲ１及びＥは上記の意味を有する、の酸またはそ
   の反応性誘導体を一般式 式中、ＹＦ′ｉ、上記の意味を有する、の化合物でエス
   テル化し、そして必要に応じて、Ｂｍが臭素を表わす生
   ずる式■の化合物をシアン化！＠（１）、シアン化ナト
   リウムまたはシアン化カリウムと反応させることｔ％微
   とする上記式Ｉの化合物の製造方法。 １＆　　２−周波数マトリックス・アドレッシング法に
   従って操作する電子−光学装置における特許請求の範囲
   第１−９項のいずれかに記載の液晶混合物の使用。 ｌｔ　　ｚ−ｓ波数マトリックス・アトレッジ／ダ法の
   電子−光学装置用の液晶混合物における特許請求の範囲
   第１０〜１６項のいずれかに記載の化合物。